「source process」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

The optimized light source is then used to optimize the mask (e.g. using OPC and manufacturability verification 320) for the full chip, and the process window performance results are compared (322).例文帳に追加

次いで、最適化された光源を使用し、（たとえばＯＰＣおよび製造可能性検証３２０を使用して）フルチップに合わせてマスクを最適化し、プロセスウィンドウ性能結果が比較される（３２２）。 - 特許庁

To provide an on-board acoustic apparatus that can detect whether an external storage medium is attached or detached while an ACC (accessory) power source is turned off, by a simple process without compromising safety.例文帳に追加

安全性を損なうことなく、簡単な処理でＡＣＣ電源がオフしている間の外部記憶媒体の着脱を検出できる車載用音響装置を提供すること。 - 特許庁

Magnesium hydroxide is used as the magnesium source, in the burning process, an active spinel which is highly reactive is synthesized and, at the same time, citric acid is added to the slurry as a dispersing agent.例文帳に追加

前記マグネシウム源として水酸化マグネシウムを使用し、焼成過程において、反応性に富む活性なスピネルを合成するとともに、前記スラリー中に分散剤としてクエン酸を添加する。 - 特許庁

Next, an upper potion of the polysilicon film 5 that is to be gate electrodes 6, 7 is exposed, and for areas that are to be source and drain portions, the insulating film is left using CMP or an etchback process (ST16).例文帳に追加

次に、ＣＭＰもしくはエッチバック法を用いて、ゲート電極６、７となるポリシリコン膜５の上部を露出させ、ソース及びドレイン部分となる領域は絶縁膜を残す（ＳＴ１６）。 - 特許庁

This method is provided with a process for removing an etching damaged layer 11 which occurs in a source/drain formation region when dry- etching the first thick oxide film 9 of the high breakdown strength MOS transistor.例文帳に追加

高耐圧ＭＯＳトランジスタの厚い第１の酸化膜９をドライエッチングする際にソースドレイン形成領域に発生したエッチング・ダメージ層１１を除去するための工程を設ける。 - 特許庁

The washing machine using the commercial power source is provided with an electric double-layer capacitor type battery 22 for storing the regenerated energy in a process of stopping the motor 5 for a rotor for washing.例文帳に追加

商用電源を用いる洗濯機において、洗濯用回転体のモータ５を停止する過程の回生エネルギを蓄える電気二重層キャパシタ型の蓄電装置２２を設ける。 - 特許庁

To provide a DTR process photosensitive material for planograhic printing having practically high sensitivity with respect to a blue laser light source, and moreover is superior in aging stability and free of deterioration of printing resistance.例文帳に追加

青色レーザー光源に対して実用的な高感度を有し、しかも経時安定性にも優れ、耐刷性の劣化もないＤＴＲ法平版印刷用感光材料を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for an electron emitting element and electron source capable of forming a carbon or a carbon, compound film having good crystallinity in the activating process in a shorter time.例文帳に追加

より短い時間での活性化工程で結晶性の良い炭素あるいは炭素化合物の膜を形成できる電子放出素子、電子源の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The dual mode inductively coupled plasma reactor 100 includes a process chamber 110 having a dielectric lid 120 and a plasma source assembly 160 disposed above the dielectric lid 120.例文帳に追加

デュアルモード誘導結合プラズマリアクタ１００は、誘電性蓋部１２０を有する処理チャンバ１１０及び誘電性蓋部１２０の上に配置されたプラズマソースアセンブリ１６０を含む。 - 特許庁

To flexibly respond to the change of the data collecting form from an information source in a data process for collecting data from information sources and performing a data processing based on it.例文帳に追加

本発明は情報元からデータを収集し、それらを元にデータ処理を行うデータ処理装置において、情報元からのデータ収集形態の変更に柔軟に対応する。 - 特許庁

The NiSi film 42 is formed on gate electrodes 12, 22 and source-drain regions 14, 24 of both a p-MOS transistor 10 and an n-MOS transistor 20 (silicide film forming process).例文帳に追加

Ｐ−ＭＯＳトランジスタ１０およびＮ−ＭＯＳトランジスタ２０双方のゲート電極１２，２２およびソース・ドレイン領域１４，２４上にＮｉＳｉ膜４２を形成する（シリサイド膜形成工程）。 - 特許庁

The refractory carbon material is composed of a boron-containing carbon black produced in the presence of a boron source in the process of pyrolysis and/or combustion reaction of a hydrocarbon.例文帳に追加

炭化水素の熱分解時及び燃焼反応時の少なくとも一方の過程でホウ素源を存在させて製造されたホウ素含有カーボンブラックからなる耐火物用炭素材。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a semiconductor memory in which the leak current source of a capacitor being generated by a gap caused by attack can be removed at the time of etching an etching stop insulating film.例文帳に追加

エッチング停止絶縁膜のエッチング時のアタックによる隙間が原因で生じるキャパシタの漏れ電流ソースを除去できる半導体メモリ装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

In a salicide process, a means for suppressing the progress of salicide reaction in the source drain diffusion layer of the memory transistor is adopted and, thereafter, a metal film is deposited to cause the salicide reaction.例文帳に追加

サリサイド工程において、メモリトランジスタのソース・ドレイン拡散層におけるシリサイド反応の進行を抑制する手段を講じてから、金属膜を堆積してシリサイド反応を起こさせる。 - 特許庁

Specification of a negative internal resistance of a supplying source enables the process in phase (II) to have a treatment time which remains constant and thus avoids premature drying-out of tissue.例文帳に追加

電源の負の内部抵抗の指定により、段階（ＩＩ）内の工程は、一定のままである治療時間を有することができ、その結果、組織の時期早尚の乾燥が回避される。 - 特許庁

Furthermore, it is possible to process the post-task, which has been made to be processable, together with the pre-task, and it is possible to summarize the tasks when the payment source and the payment destination are the same.例文帳に追加

なお、処理可能となった後タスクについては前タスクと一緒に処理でき、上記出金元と上記入金先が同じであればタスクの集約を行うことができる。 - 特許庁

Firstly, the laser beam AL from a laser light source 10 is made incident on a work W, while a process stage 30 is moved at a high speed in the X-axis direction with respect to a projecting optical system 20.例文帳に追加

まず、照射光学系２０に対してプロセスステージ３０をＸ軸方向に高速で移動させながら、レーザ光源１０からのレーザ光ＡＬをワークＷ上に入射させる。 - 特許庁

A heat-absorbing water heat exchanger 3 is installed in the first heat exchanger in a heat source side (evaporation process), in the present invention, and a ventilating air heat exchanger 4 is connected in series to the second heat exchanger.例文帳に追加

本発明は熱源側（蒸発過程）の第１の熱交換器に吸熱用水熱交換器３を設置し、第２の熱交換器に換気用空気熱交換器４を直列に連結する。 - 特許庁

To simplify a production process in a flat-plate image display device having an electron beam source of an IPG(In-Plane-Gate) structure, and to improve its yield ratio and to significantly lower the manufacturing cost.例文帳に追加

ＩＰＧ構造の電子線源を有する平板型画像表示装置における作製プロセスを簡易化させ、歩留まりを向上させて製作コストを大幅に低減させる。 - 特許庁

The manufacture control system (MES) is used to verify and ascertain whether the following improving measures that have been defined are carried out or not after the contamination source manufacturing process where the wafers are contaminated is specified.例文帳に追加

製造管理システム（ＭＥＳ）はウエハが汚染源製造工程を特定した後、すでに定義された後続の改善措置を実施するかどうかを検証、確認するのに用いられる。 - 特許庁

In addition, in plasma processing apparatus having a dual power control, at a given application of power to the plasma generation source, the stability of the plasma is extended by increasing the pressure in the etch process chamber.例文帳に追加

さらに、2重電力制御を有するプラズマ処理装置において、プラズマ発生源にある電力を適用するとき、エッチング処理チャンバの圧力を増すと、プラズマの安定性が拡大する。 - 特許庁

To provide a process of efficiently manufacturing an optical sheet for a surface light source which is preferably used for a display apparatus of a large area and which has neither camber nor flexure and further has no winding peculiarity (curling).例文帳に追加

大面積の表示装置に好ましく用いられる、反りやたわみが無く、巻き癖（カール）も無い面光源用光学シートを効率的に製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a lighting fixture capable of avoiding forming of a dark spot due to auxiliary parts with light-emitting elements as a light source, and capable of aiming at higher efficiency of a wiring process or an assembly work.例文帳に追加

発光素子を光源とし、補助部品によって暗部を形成することを回避でき、また、配線処理や組立作業の効率化を図ることが可能な照明器具を提供する。 - 特許庁

A process for producing a gene, a vector or a recombinant vector should be described by respective origin or source, means for obtaining a vector to be used, an enzyme to be used, treatment conditions, steps for collecting and purifying it, or means for identification, etc. 例文帳に追加

これらの製造方法としては、各々の起源・由来、使用するベクター等の入手手段、使用酵素、処理条件、採取・精製工程、確認手段等を記載する。 - 特許庁

To provide an electro-optical device capable of simplifying a mounting and assembling process by reducing the number of parts and capable of reducing the luminance irregularities by improving positional precision of a light source.例文帳に追加

部品点数の削減等によって実装・組み立て工程を簡素化し、また、光源の位置精度を向上させることにより輝度ばらつきを低減できる電気光学装置を提供する。 - 特許庁

To provide fabricating and mounting methods for a solder bump flip-chip wherein an environmentally friendly plasma gas is used, and any danger against a manufacturing process is made minimum, and further an additional heat source for reflowing is not required.例文帳に追加

環境親和的なプラズマ気体を用い、工程上の危険を最小化し、リフローのための追加の熱源を不要とするソルダバンプフリップチップの製造及び実装方法を提供する。 - 特許庁

The shower plate, through which both cleaning gas and reaction source gas flow, may include a hole machined surface area with a size different than conventionally used to ensure a good film thickness uniformity during a deposition process.例文帳に追加

クリーニングガス及び反応ガスの両方が通過するシャワープレートは従来と異なるサイズの孔切削表面を有し、膜堆積処理中に良好な膜厚均一性を保証する。 - 特許庁

To provide an optical fiber drawing apparatus which yields a homogeneous optical fiber at a high speed by suppressing vibration caused by a receiving structure being a vibration source in an optical fiber manufacturing process.例文帳に追加

光ファイバ製造工程中に引取機構部を発生源とする振動を抑えて、均質な光ファイバを高速に製造することが可能な光ファイバ線引装置を提供する。 - 特許庁

To manufacture an electron source in which defects in the manufacturing process are reduced, and small size and simplicity of operation are realized, and manufacturing speed is improved, and which is suitable for mass production and has an excellent electron emitting characteristics.例文帳に追加

製造工程中の不良を低減させ、小型化と操作性の簡易化を図り、製造スピードが向上し量産性に適し、電子放出特性の優れた電子源を製造する。 - 特許庁

In a process for forming a film on the surface of a wafer W by heat treatment, the surface of the wafer W is irradiated with laser light generated from a light source 206 and depolarized through a depolarizer 210.例文帳に追加

熱処理によるウェハＷ表面への成膜工程において、光源２０６の発生したレーザ光をデポーラライザ２１０により無偏光化してウェハＷ表面に照射する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device having a memory array structure, which allows resistance of a source diffusion layer to be reduced, with the increase in a manufacturing process controlled to a minimum.例文帳に追加

製造工程の増大を最小限に抑制しつつ、ソース拡散層の低抵抗化を実現できるメモリセルアレイ構造を備えた不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To prevent short circuiting between a gate electrode and a source electrode, in a process of forming gate section and an active section of a trench lateral power MOSFET where an extended drain region is formed in a trench.例文帳に追加

拡張ドレイン領域をトレンチ内部に形成したトレンチラテラルパワーＭＯＳＦＥＴのゲート部と活性部を形成する工程において、ゲート電極とソース電極との短絡を防止する。 - 特許庁

To provide a field effect transistor structure which has a reduction in the overlap capacitance between a gate electrode and source/drain regions and in the resistance of a channel coupling that is set by a manufacturing process.例文帳に追加

ゲート電極とソース／ドレイン領域の間のオーバラップ容量を低減し製造プロセスにより設定されるチャネル連結部の抵抗も低減した電界効果トランジスタ構造を提供する。 - 特許庁

To provide a field emission type electron source whereon a cost can be reduced, an area can be enlarged, and a manufacturing process having a comparatively high temperature can be adopted.例文帳に追加

低コスト化および大面積化を図れ且つ比較的高温の製造プロセスを採用可能な電界放射型電子源およびその製造方法および表示装置を提供する。 - 特許庁

In the formation process of an InGaN film, In and Ga are simultaneously accommodated in one HWE furnace, heated and evaporated, and NH3+N2 as nitrogen source is supplied above the HWE furnace from the outside.例文帳に追加

ＩｎＧａＮ膜の成膜は、一つのＨＷＥ炉にＩｎとＧａを同時に収容して加熱蒸発させ、外部から窒素源としてＮＨ_3＋Ｎ_2をＨＷＥ炉上に供給する。 - 特許庁

In the formation process of a source electrode 15 and a drain electrode 16, only an electrode film 19 is removed so that any level in difference can be prevented from being generated between a semiconductor layer 14 and the electrodes 15 and 16.例文帳に追加

ソース電極１５とドレイン電極１６の形成工程では、電極膜１９のみを除去するだけなので、半導体層１４と電極１５，１６との間に段差は生じない。 - 特許庁

It is preferable that the source signal lines or the power supply lines are formed by forming the wiring prior to the plating process from the same material as gate electrodes, and processing the surfaces of the wiring by plating.例文帳に追加

メッキ処理する前の配線をゲート電極と同じ材料で形成し、その配線の表面をメッキ処理してソース信号線または電源供給線を形成することが望ましい。 - 特許庁

The heating method of the process kit comprises steps of: covering an electrode by the collar 246 made from ceramics having a conductive surface, and heating the conductive surface using a RF source.例文帳に追加

また、プロセスキットの加熱方法は、導電性表面を有するセラミック製のカラー２４６で電極を覆うステップと、ＲＦ源を用いて当該導電性表面を加熱するステップと、を備える。 - 特許庁

To solve problems due to deformation of a photoresist pattern in an etching process using the photoresist pattern exposed with a light source whose wavelength is of 157 nm to 193 nm, that is, an F_2 or ArF laser.例文帳に追加

波長が157nmないし193nmである露光源、すなわちF2またはArFレーザで露光されたフォトレジストパターンを利用したエッチング過程における前記フォトレジストパターンの変形に伴う問題点を解決する。 - 特許庁

In this case, in at least the final process of embedding, the mixed gas of silicon source gas and halide gas is used as gas supplied for forming the p-type epitaxial film 23.例文帳に追加

この際、少なくとも埋め込みの最終工程において、ｐ型のエピタキシャル膜２３の成膜のために供給するガスとして、シリコンソースガスとハロゲン化物ガスとの混合ガスを用いる。 - 特許庁

Then, an activation process is performed, the implanted impurities are activated by quickly heating and cooling the semiconductor thin film 2 by performing a quick heating method using a lamp as a heat source.例文帳に追加

この後活性化工程を行い、熱源にランプを用いた急速加熱法により半導体薄膜２を急速に加熱冷却して注入された不純物を活性化する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device in which increase in contact resistance of source-drain is suppressed and the difference in amount of signal for discriminating between data "0" and data "1" is increased, and to provide its fabrication process.例文帳に追加

ソース・ドレインの接触抵抗の増大を抑制し、データ“０”とデータ“１”とを区別する信号量の差が大きい半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide manufacturing methods of an electron emitting element which can be manufactured with a simple process at a low cost and is excellent in mass production adaptability and improved in yield, and of an electron source and an image forming device using it.例文帳に追加

工程が簡素で低コストで、かつ、量産性にすぐれ、歩留まりの向上した電子放出素子、並びにそれを用いた電子源、画像形成装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor suppressing damage to an active layer in forming source and drain electrodes while a process for manufacturing the thin-film transistor can be simplified, and to provide a method for manufacturing the thin-film transistor.例文帳に追加

ソース・ドレイン電極形成時の活性層へのダメージを抑制するとともに、製造工程の簡略化を図ることが可能な薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

By so doing, since determination process of the output shaft position A during the instantaneous interruption of power source in the SBW control device 9, control start timing after return from the instantaneous interruption can be advanced.例文帳に追加

これにより、ＳＢＷ制御装置９の電源瞬断中に出力軸位置Ａの確定処理を開始できるため、瞬断復帰後の制御開始時期を早めることができる。 - 特許庁