「source process」に関連した英語例文の一覧と使い方(31ページ目) - Weblio英語例文検索

The destination computer 200 is composed of a movement destination file storage area 220 for acquiring to store the file to be moved from the source computer 100; and a movement destination watching process 210 for reading the file stored in the work area 302 of the storage device 300 to write and move it into the file storage area 220.例文帳に追加

移動先コンピュータ２００は、移動元コンピュータ１００からの移動させたいファイルを取り込み格納するための移動先ファイル格納領域２２０と、記憶装置３００のファイル移動作業領域３０２にあるファイルを読み込み移動先ファイル格納領域２２０に書き込み移動するための移動先監視プロセス２１０と、から構成されている。 - 特許庁

The ink jet head is manufactured through a process for forming a taper in the nozzle hole using the light path of laser beam to be converged optically and dually through a mask having a hole shape pattern at the ink channel side and a mask having a hole shape pattern at the ink ejection side, which are arranged in order from a light source for drilling a nozzle hole into the nozzle plate by means of a laser.例文帳に追加

レーザーを用いてノズルプレートにノズル穴を穿孔するにあたり、光源側から順に配置された、インクチャネル側の穴形状パターンを有するマスク及びインク吐出側の穴形状パターンを有するマスクを経て、光学的に２元に収光されるレーザー光の光路によりノズル穴にテーパーを形成する工程を経て製造されたインクジェットヘッド。 - 特許庁

(d) Any change in the ownership of a trade name shall be made with the transfer of the enterprise or part thereof identified by that name. However, such transfer or assignment shall be null and void if it is liable to mislead the public, particularly as regards the nature, source, manufacturing process, characteristics, or suitability for their purpose, of the goods or services to which the mark is applied.例文帳に追加

(d)商号の所有者に係わる変更は，その商号によって識別される事業又はその一部の移転とともにしなければならない。ただし，当該移転又は譲渡は，特に標章が適用される商品又はサービスについての性質，出所，製造方法，特徴，又は用途に関して，公衆が混同する虞がある場合は無効とする。 - 特許庁

The split-gate type flash memory element is provided with a silicon epitaxial layer which is formed in an active region of a bulk silicon substrate, and an insulating film for preventing distrubances which is formed on the bulk silicon substrate between the source and the drain of the element, wherein the insulating film for distrubance prevention is formed, using an STI formation process.例文帳に追加

バルクシリコン基板の活性領域に形成されているシリコンエピタキシャル層と、素子のソース及びドレイン間のバルクシリコン基板に形成されているディスターバンス防止用絶縁膜とを備えるスプリットゲート型フラッシュメモリ素子であり、該スプリットゲート型フラッシュメモリ素子では、ディスターバンス防止用絶縁膜は、ＳＴＩ形成工程を利用して形成される。 - 特許庁

A pharmaceutical formulation comprising at least one omega-3 polyunsaturated fatty acid in free acid form or a pharmacologically acceptable derivative thereof is contained in a soft gelatin capsule characterized in that the capsule does not harden significantly over time, thus has a longer shelf life, and comprises gelatin extracted by an extraction process comprising a step of acid pre-treatment of a collagen source.例文帳に追加

オメガ−３多価不飽和脂肪酸の遊離酸型又は薬理学的に許容されるその誘導体の少なくとも一つを含む医薬製剤が、長期に亘り顕著に硬くなることが無く、有効期限がより長くなることを特徴とする、コラーゲン源の酸による前処理工程を含む抽出プロセスによって抽出されたゼラチンを含む軟ゼラチンカプセル。 - 特許庁

In the vapor deposition process, vapor deposition material gas is generated from an evaporation source including a crucible for storing the vapor deposition material, a heating unit for heating the crucible, a nozzle for emitting the vapor deposition material vaporized in the crucible toward an object to be processed, and a reflector 15 arranged around the crucible, and a vapor deposition film is formed on the object to be processed.例文帳に追加

蒸着工程では、蒸着材料を収納する坩堝、坩堝を加熱する加熱部、坩堝内で気体化した前記蒸着材料を前記被処理物に向かって放出するノズル、および坩堝の周囲に配置されるリフレクタ１５を備える蒸発源から、蒸着材料ガスを発生させ、被処理物に蒸着膜を形成する。 - 特許庁

The manufacturing method of the positive active material contains a process mixing metal-doped lithium manganese phosphate: LiMn_1-xM_xPO_4 (wherein, 0<x≤0.1; M represents a doped metal element) with a carbon source, and heat-treating the mixture obtained in inert gas atmosphere, and the nonaqueous electrolyte battery has a positive electrode containing the positive active material.例文帳に追加

金属をドープしたリン酸マンガンリチウムＬｉＭｎ_１−ｘＭ_ｘＰＯ_４ （式中、０＜ｘ≦０．１であり、Ｍはドープ金属元素を表す）と炭素源とを混合し、得られた混合物を不活性ガス雰囲気中にて熱処理する工程を含む正極活物質の製造方法、並びにその正極活物質を含む正極を有する非水電解質電池。 - 特許庁

An optical disk device 1 controls an operation of a device main body on the basis of main body characteristics adjustment value read out from a flash ROM 25 when the power source is on, without performing a main body characteristics adjustment which obtains adjustment value for absorbing the dispersion in characteristics by the manufacturing process, etc., about electronic parts, such as LSI used for the device main body.例文帳に追加

光ディスク装置１は、電源オン時には、装置本体に使用されているＬＳＩ等の電子部品について、その製造プロセス等による特性のばらつきを吸収するための調整値を得る本体特性調整を実行せずに、フラッシュＲＯＭ２５から読み出した本体特性調整値に基づいて本体の動作を制御する。 - 特許庁

A translator for converting previously created HTML into a program source for outputting it is prepared, and HTML used as output of a CGI program is converted into a subprogram capable of being called from a CGI program for executing a process other than output of HTML such as reception, analysis and processing of an input character string by using the translator.例文帳に追加

あらかじめ作成したＨＴＭＬを、それを出力するプログラムソースに変換するトランスレータを用意し、そのトランスレータを用いて、ＣＧＩプログラムの出力となるＨＴＭＬを、入力文字列の受付・解析および処理などＨＴＭＬの出力以外の処理を行うＣＧＩプログラムから呼び出すことの出来るサブプログラムに変換する。 - 特許庁

This method comprises collecting samples in a papermaking process, analyzing microbial phase of each sample based on the base sequence of DNA, judging whether the detected microorganisms having resistance to the working slime control agent or not and specifying a collecting point to be the source of the resistance-inducing microorganisms, wherein the ratio of the resistance-inducing microorganisms is high in the collecting point.例文帳に追加

製紙工程から試料を採取し、各試料ごとの微生物相をDNAの塩基配列に基づいて解析し、その結果検出された微生物が現在使用しているスライムコントロール剤に対して抵抗性を有するか否かを判定し、抵抗性微生物の存在比率が高い試料の採取場所を抵抗性微生物の発生源と特定する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device such as an organic field effect transistor in which source and drain electrodes have superior adhesiveness to a base, in which ohmic contact sufficient to a semiconductor layer is formed in a contact region with a current passage, and which has an electrode structure that can be manufactured with good productivity in a simple process; and to provide a manufacturing method of the device.例文帳に追加

ソース及びドレイン電極が、下地に対する優れた密着性を有し、かつ、電流通路との接触域において半導体層に対し良好なオーミック接触を形成し、しかも簡易な工程で生産性よく製造できる電極構造を有する、有機電界効果トランジスタなどの半導体装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To detect, as apparent transition, transition between events in a process instance created by sequentially arranging event instances (EIs) each belonging to any of an event classes (ECs) of a plurality of work events implemented during work processing, the events being independently implemented in parallel with each other with no causal relationship between the works corresponding to the source and destination events.例文帳に追加

業務処理中に実施された複数の業務イベントのイベントクラス(EC)のいずれかに属するイベントインスタンス(EI)を時系列に並べることにより作成したプロセスインスタンス中のイベント間遷移であって、その発側イベント・着側イベントに対応する業務間に因果関係が無く独立して並列実施されているものを見かけ上遷移として検出する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device wherein incident light from a light source can be efficiently reflected without being diffused or scattered in its propagation path and enhancement of luminance at a display device part and correction of luminance unevenness in a short time are made possible and whose manufacturing time can be reduced since a complicated process conventionally required for manufacturing a metal mold is eliminated.例文帳に追加

液晶表示装置の光源からの入射光がその伝播経路において拡散または散乱されることなく効率的に反射させることができ、かつ、金型製作上に要していた複雑な工程と異なり大幅な製作時間の短縮を可能にし、表示部での輝度向上および短期間での輝度ムラ修正を可能にするものである。 - 特許庁

To provide a electrophotographic photoreceptor free from the absorption of monochromatic light even when the photoreceptor is used for an electrophotographic device provided with an exposure means having monochromatic light source of 400-410 nm wavelength and having high sensitivity, high mechanical strength of wear resistance/scratch resistance and stable repeatability and to provide a process cartridge having the electrophotographic photoreceptor and the electrophotographic device.例文帳に追加

波長４００〜４１０ｎｍの単色光源を有する露光手段を備える電子写真装置に用いても、該単色光を吸収せず、高い感度を有し、耐摩耗性・耐傷性の機械的強度が強く、繰り返し安定性に優れた電子写真感光体、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置を提供する。 - 特許庁

To provide an electrophotographic photoreceptor having excellent durability, capable of retaining high image quality and capable of maintaining its filming preventing effect, particularly an electrophotographic photoreceptor adaptable to a writing light source whose wavelength range is 400-450 nm and to provide an electrophotographic method using this electrophotographic photoreceptor, an electrophotographic apparatus and a process cartridge.例文帳に追加

耐久性に優れると共に高画質を維持することができ、さらにフィルミング防止効果を持続できる電子写真感光体、特に４００乃至４５０ｎｍの波長領域の書き込み光源に対応できる電子写真感光体、この電子写真感光体を用いた電子写真方法、電子写真装置及びプロセスカートリッジを得る。 - 特許庁

Then, when an organic layer is formed on an element forming substrate using a vacuum vapor deposition device, the organic EL element material 11 is input into a deposition source and then, in the process of reducing pressure of the vacuum chamber, the ampul 13 is ruptured by pressure difference of inside and outside, thereby the exposed organic EL material 12 is heated and evaporated.例文帳に追加

そして、真空蒸着装置を用いて素子形成用基板上に有機層を形成する場合は、その有機ＥＬ素子用材料１１を蒸着源に投入した後、真空チャンバ内を減圧する過程で、アンプル１３を内外圧力差により開裂させ、これによって露出した有機ＥＬ材料１２を加熱して蒸発させる。 - 特許庁

The method of treating the surfaces of medical instruments which are contaminated with protein associated disease (such as prions) includes a process contacting the surface with a composition containing a source of peroxide ions, such as hydrogen peroxide, at a molar concentration of at least 1.5M peroxide (equivalent to approximately 5% hydrogen peroxide) and preferably, about 2M peroxide (approximately 7% hydrogen peroxide).例文帳に追加

タンパク質関連疾患（プリオンなど）で汚染された医療機器の表面を処理する方法は、この表面と過酸化物イオン源を含む組成物（例えば、少なくとも１．５Ｍ過酸化物のモル濃度の過酸化水素（約５％過酸化水素と等価である）および好ましくは、約２Ｍ過酸化物（約７％過酸化水素））とを接触する工程を含む。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display having FETs of asymmetric LDD structure and storage capacitor on the same substrate and its manufacturing method which can avoid reducing the reliability due to injection of carriers at source regions, without separately adding any ion implanting process for forming the storage capacitors.例文帳に追加

同一基板上にＴＦＴと蓄積容量とが形成される液晶表示装置において、蓄積容量形成のためのイオン注入工程を別途追加することなく、かつ、ソース領域でのキャリアの注入による信頼性の低下を防止することができる非対称ＬＤＤ構造のＴＦＴを有する液晶表示装置及びその製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a program development stage retrieval system and method capable of grasping the developed situation of the development stage of the downstream process of program development only by retrieving one repository server by managing repository information corresponding to each development stage from source program generation to module test success.例文帳に追加

ソースプログラム作成からモジュールのテスト合格までの各開発段階に対応したリポジトリ情報を管理することにより、１つのリポジトリサーバを検索するだけでプログラム開発における下流工程の開発段階について、この開発状況を把握できるプログラム開発段階検索システム及びプログラム開発段階検索方法を提供する点にある。 - 特許庁

Then, in a carbon nanotube forming process, a strong electric field is generated between the negative electrode 402 and the positive electrode 403 by an electric source 409 to cause a dielectric breakdown to bring about a plasma discharge, and thus, carbon nanotubes oriented along the direction of the electric field are produced on the substrate 404 arranged on the negative electrode 402.例文帳に追加

その後、カーボンナノチューブ形成工程で、電源４０９によって、陰極４０２と陽極４０３との間に強い電場を発生させて、絶縁破壊を生じさせることでプラズマを発生させるプラズマ放電を行って、陰極４０２の上に配置された基板４０４上に、電場の向きに沿った指向性のカーボンナノチューブを作製する。 - 特許庁

To provide a melting pretreatment apparatus with which a melting pretreatment process can be simplified, a sorted material has no adhesion of fine ash and fine particles, a special processing device of waste plastics is unnecessary when waste plastics are utilized as a heating source of a melting device, and to provide a melting apparatus using the melting pretreatment apparatus.例文帳に追加

溶融の前処理工程を簡略にすることができると共に、分別物に微細な灰や細粒物の付着を有することなく、廃プラスチック類を溶融設備での熱源に利用する場合にも特別な廃プラスチック類の加工設備を必要としない溶融前処理装置及び該溶融前処理装置を用いた溶融装置を提供すること。 - 特許庁

After the etching stopper film 4 is exposed at the bottoms of the opening parts OP3, anisotropic dry etching shall be continued, and using the etching stopper film as an etching mask, contact holes CH1 penetrating an interlayer insulating film 3 to source, drain regions 11, 13 are formed, thereby obtaining the opening parts OP3 and the contact holes CH1 simultaneously in the same etching process.例文帳に追加

開口部ＯＰ３の底部にエッチングストッパ膜４が露出した後も異方性ドライエッチングを続行し、エッチングストッパ膜４をエッチングマスクとして、層間絶縁膜３を貫通してソース・ドレイン領域１１および１３に達するコンタクトホールＣＨ１を形成することで、開口部ＯＰ３とコンタクトホールＣＨ１とを同じエッチング工程で同時に得る。 - 特許庁

The propriety of normally driving the liquid crystal display is notified thereby to the outside, and an external electric power source, provided in the liquid crystal display is blocked to prevent an overcurrent from being generated in the inside of the liquid crystal display to protect the liquid crystal display, when the liquid crystal display is not driven normally in a usual time or in a test process.例文帳に追加

これにより、液晶表示装置の正常駆動可否を外部に知らせることができ、平常時又はテスト過程で液晶表示装置が正常に駆動できない場合には、液晶表示装置に提供される外部電源を遮断して液晶表示装置の内部の過電流発生を防止できて液晶表示装置を保護できる。 - 特許庁

A process of converting a carbon dioxide gas into a liquefied carbon dioxide gas by utilizing the cold of liquefied natural gas, then delivering the liquefied carbon dioxide gas to the chemical plant, and utilizing the cold generated in converting the liquefied carbon dioxide gas into the carbon dioxide gas, as a cold source, is incorporated in this cold supply system using a propylene compressor represented by an ethylene plant of the chemical plant.例文帳に追加

液化天然ガスの冷熱を利用し、炭酸ガスを液化炭酸ガスに変換した後、液化炭酸ガスを化学プラントへ送液し、液化炭酸ガスを炭酸ガスに変換する際に発生する冷熱を冷熱源として利用する工程を、化学プラントのエチレンプラントに代表されるプロピレン圧縮機を用いた冷熱供給システムに組み込んだ。 - 特許庁

In the X-ray inspection equipment driven by external electric power or power supplied by the internal battery, only an image correction processing is performed when driving power is supplied from the internal battery, and when it is supplied by an external power source, after the image correction, the image processing to make an image for diagnosis is performed, and also the data storing process is performed.例文帳に追加

外部電力、あるいは内部バッテリから供給される電力によって駆動されるＸ線検査装置において、駆動電力が内部バッテリから供給されている場合には、画像補正処理のみを行い、外部から供給されている場合には画像補正後、診断用画像を作成するための画像処理を行って保存する。 - 特許庁

In manufacture, an unwanted portion on the STI film in the second polycrystalline silicon film for formation of the floating gate electrode and the unwanted portion on the source formation region are removed separately by the first mask covering the whole surface of the stripe-form active region and the second mask covering the whole surface of the drain formation region in place of being removed in one process.例文帳に追加

製造時には、フローティングゲート電極形成用の第２の多結晶シリコン膜におけるＳＴＩ膜上の不要部分及びソース形成領域上の不要部分を一度の工程で除去する代わりに、ストライプ形状の活性領域の全面を覆う第１のマスクと、ドレイン形成領域の全面を覆う第２のマスクとにより別々に除去する。 - 特許庁

The dry etcher comprises an evacuatable chamber 5, a chemical species generating source 2 mounted in the chamber 5 for generating a chemical species 3 having etching actions, and a substrate holder 1 disposed in the chamber 5 for holding a plurality of substrates 4 under process to expose them to the chemical species 3, thereby etching the surface of each substrate.例文帳に追加

ドライエッチング装置は、真空排気可能なチャンバ５と、チャンバ５に搭載されエッチング作用を有する化学種３を発生する化学種発生源２と、チャンバ５内に配され処理対象となる基板４を複数個保持して化学種３に暴露するための基板保持部材１とを有し、各基板４表面のエッチング処理を行う。 - 特許庁

In this manufacturing method of the radiological image conversion panel including a process for forming a phosphor layer by depositing on a substrate a material generated by heating an evaporation source containing a halogen-containing phosphor or its raw material, deposition is performed in a deposition atmosphere having a partial pressure of hydrogen halogenide of 2.0×10^-5 Pa or higher.例文帳に追加

ハロゲン含有蛍光体もしくはその原料を含む蒸発源を加熱して発生する物質を基板上に蒸着させることにより蛍光体層を形成する工程を含む放射線像変換パネルの製造方法において、該蒸着を、ハロゲン化水素の分圧が２．０×１０^−５Ｐａ以上の蒸着雰囲気中で行う。 - 特許庁

To build in field effect transistors which are different in properties, especially, threshold voltage, and have high reliability on the same wafer without adopting such troublesome means as to repeat a complicated recess formation process or change the material of a source electrode and a drain electrode, concerning a method of manufacturing a field effect semiconductor device.例文帳に追加

電界効果半導体装置の製造方法に関し、煩雑なリセス形成工程を繰り返したり、或いは、ソース電極及びドレイン電極の材料を変えたりする面倒な手段を採ることなく、同一ウエハ上で特性、特に、閾値電圧を異にし、しかも、信頼性が高い電界効果トランジスタを容易に作り込むことができるようにする。 - 特許庁

To minimize deterioration of characteristics of an element by preventing an increase of resistance of a bit line and a storing electrode by lowering a deposition temperature of a buffer oxide film formed before deposition process of a nitride film for a gate spacer and by preventing out-diffusion of impurities implanted to a source/drain region.例文帳に追加

ゲートスペーサ用窒化膜の蒸着工程の前に形成する緩衝酸化膜の蒸着温度を低め、ソース／ドレイン領域に注入された不純物のアウト・ディヒュージョンを防ぐことにより、ビットラインと貯蔵電極のコンタクト抵抗の増加を防いで素子の特性の劣化を最小化させ、素子の特性及び信頼性を向上させること。 - 特許庁

A process chamber 30 of an inductively coupled plasma etching system is provided with a plate 34, which is extended in parallel with the top wall 32 of the chamber 30 and made of Si or SiC and a low-frequency power source 36, which impresses a low-frequency voltage of 400-800 kHz upon the plate 34.例文帳に追加

本誘導結合型プラズマエッチング装置のプロセスチャンバ３０は、従来の装置の構成に加えて、天井壁３２から僅かに離隔して平行に延在するＳｉ又はＳｉＣからなるプレート３４と、プレート３４に４００ＫＨｚから８００ＫＨｚの範囲の低周波数電圧を印加する低周波電源３６とを備えている。 - 特許庁

In a manufacturing method of an electron source having plural surface conduction electron emission elements arranged on a substrate, conductivity forming is carried out for the plural surface conduction electron emission elements by dividing them in plural groups electrically opened, and electrical connections are made among respective groups after the conductivity forming process which is carried out for these respective groups.例文帳に追加

基体上に配置された複数の表面伝導型電子放出素子を有する電子源の製造方法において、複数の表面伝導型電子放出素子を、電気的に開放した複数群に分けて通電フォーミングを行い、これら各群に対して行われる通電フォーミング工程の後に、各群間を電気的に接続する。 - 特許庁

A MOS gate device manufacturing process includes a first mask 30 for continuously forming a cell body 50 and a source region 51 in the cell body 50, and a second mask for forming a center opening in the silicon surface of each cell by silicon etching and consecutively for undercutting an oxide 60 surrounding the center opening.例文帳に追加

ＭＯＳゲートデバイス製造プロセスであって、該プロセスは、セルボディ５０とセルボディ５０中のソース領域５１を連続して形成するための第１のマスク３０を有し、シリコンエッチにより各セルのシリコン表面に中央開口部８０、８１を形成し続いて中央開口部８０、８１を囲む酸化物６０をアンダーカットするための第２のマスク工程を有する。 - 特許庁

To provide a method and a system for monitoring periodical collection of operation data from a large number medical imaging systems (2) which are remotely arranged by central service facilities (16 and 22) and starting a correction disposition process, when the collection of operation data is deviated from a historical reference value, based on the reception frequency and capacity of data received from a data source.例文帳に追加

中央サービス施設（１６、２２）によって、遠隔配置された多数の医用イメージング・システム（２）からの運用データの定期的な収集を監視し、運用データの収集が、データ源から受領したデータの受領頻度及び容量に基づいて履歴的基準値から逸脱している場合には修正処置過程を開始する方法及びシステムを提供する。 - 特許庁

On a manufacturing line provided with plural buffers 1-6 for temporarily storing processing lots, each process forms a device group including plural processors of the same kind and the waiting time from the processing completion of a processing lot up to its carrying-out is defined for every device group to be a carrying-out source of the processing lot and to be a carrying-out destination.例文帳に追加

一時的に処理ロットを保管するための複数のバッファ１〜６を備えた製造ラインにおいて、各工程は複数の同種の処理装置が設置された装置群を形成し、処理ロットの搬出元となる装置と搬出先となる装置群ごとに処理ロットが処理完了してから搬出されるまでの待機時間を定義付ける。 - 特許庁

A display device 1A forms a gate electrode 12a on a substrate 11 and then forms a semiconductor layer 14, a first protection film 15, a second protection film 16, a planarizing film 17, a source/drain electrode layer 18, and a pixel separation film 19 on the gate electrode 12a through a gate insulating film 13 during a process of forming a laminated film 24 using a photolithographic technique.例文帳に追加

表示装置１Ａは、基板１１上にゲート電極１２ａを形成した後、積層膜２４の形成工程において、ゲート電極１２ａ上にゲート絶縁膜１３を介して、半導体層１４、第１保護膜１５、第２保護膜１６、平坦化膜１７、ソース・ドレイン電極層１８および画素分離膜１９を、フォトリソグラフィ技術を用いて形成する。 - 特許庁

This method for recovering cerium comprises the following processes: recovering cerium hydroxide from a solution containing both chromium and cerium; washing precipitation of cerium hydroxide obtained in the above process with water; adding both nitric acid and a source of ammonia to cerium hydroxide after washed with water in such a way as to crystallize cerium ammonium nitrate; and recovering cerium ammonium nitrate crystal formed in the cerium ammonium nitrate crystallization process.例文帳に追加

クロム及びセリウムを含む溶液から、水酸化セリウムを回収する水酸化セリウム回収工程、水酸化セリウム回収工程で得られた水酸化セリウムの沈殿を水洗する洗浄工程、洗浄工程を経た水酸化セリウムに硝酸およびアンモニア源を添加して硝酸セリウムアンモニウムを晶析させる硝酸セリウムアンモニウム晶析工程、および硝酸セリウムアンモニウム晶析工程で生成した硝酸セリウムアンモニウム結晶を回収する硝酸セリウムアンモニウム回収工程の各工程よりなることを特徴とするセリウムの回収方法 - 特許庁

The manufacturing method of the electrode for a lithium secondary cell is provided with a process forming a positive electrode active material layer including Li-Co-O layer on a collector 8 under an atmosphere including an Ar element being cation, using a sputtering method in a condition of a voltage impressed on the collector 8 using an RF power source 7 so that a potential of the collector 8 is to be practically negative.例文帳に追加

このリチウム二次電池用電極の製造方法は、集電体８の電位が実質的に負電位になるように、ＲＦ電源７を用いて集電体８に電圧を印加した状態で、スパッタリング法を用いて、正イオンになるＡｒ元素を含む雰囲気下で、集電体８上に、Ｌｉ−Ｃｏ−Ｏ層を含む正極活物質層を形成する工程を備える。 - 特許庁

To provide a transistor and its manufacturing method which prevents a leakage current of the source/drain in the LOCOS or shallow trench isolation(STI) process, improves the refresh characteristics of DRAM to avoid damaging a gate oxide film, and reduces the reverse narrow width effect, junction L/C and GOI to improve the characteristics of the transistor, thereby improving the characteristics and the yield of the element.例文帳に追加

ロコス（LOCOS）工程やエス・ティー・アイ（Shallow Trench Isolation：STI）工程時にソース／ドレインの漏洩電流（leakage current）発生を防ぎ、DRAMのリフレッシュ（Refresh）特性を向上させてゲート酸化膜の損傷を防ぎ、逆狭小幅効果（reverse narrow width effect）、接合Ｌ／Ｃ及びGOIを減少させてトランジスタの特性を向上させるため、素子の特性及び収率を向上させることが可能な、トランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The access node device 10 generates a management record showing the correspondence relation between a user ID and an IP address in the performance process of a series of control procedures that a user terminal, the device itself, and an authenticating server 20 mutually follow and generates a data record 70 showing the relation between packet reception time and destination/transmission source IP addresses when receiving an Internet access packet from the user terminal.例文帳に追加

アクセスノード装置１０が、ユーザ端末と自装置および認証サーバ２０との間で行われる一連の制御手順の実行過程で、ユーザＩＤとＩＰアドレスとの対応関係を示す管理レコードを生成し、ユーザ端末からインターネットアクセスパケットを受信した時、パケット受信時刻と宛先／送信元ＩＰアドレスの関係を示すデータレコード７０を生成する。 - 特許庁

To reduce the number of PEPs, improve throughput, and reduce the cost by simultaneously implanting impurities into a capacity region and each region of the source and drain of each N-type and P-type TFT, by utilizing features that an original impurity conductivity-type stays even if an opposing impurity is implanted into an already implanted impurity region in the manufacturing process of a TFT array.例文帳に追加

ＴＦＴアレイの製造過程にあって、既に注入済の不純物領域に、後から相対する不純物を注入しても、元の不純物導電型のままであるという特徴を生かして、容量領域とＮ型、Ｐ型の各ＴＦＴのソース、ドレインの各領域の不純物注入を同時に行うようにしてＰＥＰ数を低減し、スループットを向上し併せてコストを低減する。 - 特許庁

A computer 7 controls power feeding process for a distribution panel 3 that distributes electric power transmitted from an AC power source 2, an AC/DC converter 4 that converts the AC current distributed from the distribution panel 3 into a DC current, and a DC/DC converter control unit 6 that controls ON/OFF of variable output DC/DC converters 5a-5c, for indoor power feeding.例文帳に追加

コンピュータ７により、交流電源２から送電された電気の配電を行う配電盤３と、配電盤３より配電された交流電流を直流電流に変換するＡＣ／ＤＣコンバータ４と、各可変出力ＤＣ／ＤＣコンバータ５ａ〜５ｃのＯＮ／ＯＦＦ制御を行うＤＣ／ＤＣコンバータ制御部６の給電処理制御を行い、屋内における給電を行う。 - 特許庁

A data provider 20, which cooperates with the application provider 30 using access information and provides a data manipulation function, manipulates the stored data in accordance with a data Add/Modify/Delete/Browse request if the data manipulation process is required in accompany with the user operation on the Web browser 10, and sends only information on the result back to the Web browser 10, which is a request source.例文帳に追加

接続情報を用いてアプリケーションプロバイダ３０と連携し、データ操作に関する機能を提供するデータプロバイダ２０は、Ｗｅｂブラウザ１０上でのユーザの操作に伴ってデータ操作処理が必要になった場合、データの追加・修正・削除・参照などの要求に応じて保持するデータを操作し、その結果の情報のみを要求元のＷｅｂブラウザ１０に返信する。 - 特許庁

In manufacturing the Schottky barrier MOSFET, a damascene gate process for forming a gate electrode and a gate insulating film after a source/drain structure is formed is applied to the Schottky barrier MOSFET, so that the gate electrode and the gate insulating film may not be received with a high temperature heat treatment to thereby prevent the deterioration of the metal and the metal oxide for constituting the gate electrode and the gate insulating film.例文帳に追加

ショットキー障壁型MOS FET の製造において、ソース／ドレイン構造を形成した後にゲート電極およびゲート絶縁膜を作成するダマシンゲートプロセスをショットキー障壁型MOS FET に適用することにより、ゲート電極やゲート絶縁膜が高温の熱処理を受けないようにして、ゲート電極やゲート絶縁膜を構成する金属および金属酸化物が劣化するのを防止する。 - 特許庁

The light source is constructed by completely covering an LED, implemented on an electrode on a circuit substrate with electric wiring formed thereon with wire bonding, with a translucent impervious transparent resin having phosphor particles, which converts a wavelength of light emitted from the LED into a different wavelength, mixed therein, and subjecting the light emitted from the LED and the light with the converted wavelength to an additive process so as to obtain white light.例文帳に追加

電気配線が形成された回路基板上の電極にワイヤーボンディングで実装されたＬＥＤを、このＬＥＤからの出射光を異なった波長に変換する蛍光体粒子が混合された透光性の非通水性透明樹脂で完全に被覆し、ＬＥＤからの出射光と変換された光とを加法混色して白色光を得る光源を構成した。 - 特許庁