「source process」に関連した英語例文の一覧と使い方(27ページ目) - Weblio英語例文検索

The 40-channel VCSEL is used as the light source device and, for example, when a process linear speed is changed to 0.95 times as large as a maximum value Vmax, control is so performed that one beam from each of both ends of channels (both ends in a sub-scanning direction), i.e. two beams are not emitted.例文帳に追加

光源デバイスとして４０チャンネルのＶＣＳＥＬを用い、例えばプロセス線速を最大値Ｖｍａｘの０．９５倍に変更する場合、チャンネルの両端側（副走査方向の両端側）から１本ずつ計２本のビームを点灯させないように制御する。 - 特許庁

The production method of the adsorbent comprises a process of substituting by halogen groups for at least a part of hydroxy groups of hydroxyapatite by reacting primary particles of hydroxyapatite with halides in slurry containing the hydroxyapatite synthesized by means of a wet synthetic method using at least one side of a calcium source and a phosphate source as a solution thereof and a process of obtaining secondary particles by aggregating the primary particles having the substituted halogen groups.例文帳に追加

本発明の吸着剤の製造方法は、塩基性タンパク質を選択的に吸着し、かつ、アルブミンの難吸着性を有する吸着剤の製造方法であって、カルシウム源とリン酸源との少なくとも一方を溶液として用いる湿式合成法により合成されるハイドロキシアパタイトを含むスラリー中で、ハイドロキシアパタイトの一次粒子と、ハロゲン化物とを反応させることにより、ハイドロキシアパタイトの水酸基の少なくとも一部をハロゲン基に置換する工程と、当該ハロゲン基で置換された一次粒子を凝集して二次粒子を得る工程とを有することを特徴とする。 - 特許庁

The method comprises the following process: In the presence of a halogen ion source and a hydrogen peroxide source in a reaction solution, the nonheme-type haloperoxidase or microorganisms having nonheme-type haloperoxidase activity or a treated product of the microorganisms is made to act on an alkadiene to produce the corresponding alkadiene monohalohydrin or alkadiene dihalohydrin, and the reaction solution containing the above compound is brought to an alkaline condition to produce the corresponding alkadiene monoepoxide or alkadiene diepoxide.例文帳に追加

反応溶液中にハロゲンイオン源、過酸化水素源を存在させた条件下において、アルカジエンに対してノンヘム型ハロペルオキシダーゼまたはノンヘム型ハロペルオキシダーゼ活性を有する微生物もしくはその処理物を作用させることによりアルカジエンモノハロヒドリンまたはアルカジエンジハロヒドリンを生成させ、更に該化合物を含む反応溶液をアルカリ条件にすることでアルカジエンモノエポキシドまたはアルカジエンジエポキシドを製造する。 - 特許庁

The surface processing method has a third step to introduce an ion source 31 of a gaseous carbon cluster into a vacuum chamber 12 in which the workpiece 32 is contained without using a carrier gas, subsequently to apply a high frequency voltage to the ion source and making it into plasma to generate a carbon cluster ion 33, and to apply a negative voltage to the workpiece 32 and to ion process it by making its surface irradiated with the carbon cluster ion 33.例文帳に追加

被加工物３２が収容された真空槽１２中に、キャリアガスを用いずに気体状の炭素クラスターイオン源３１を導入後、高周波電圧を印加してプラズマ化して炭素クラスターイオン３３を生成させ、被加工物３２に負電圧を印加して表面に炭素クラスターイオン３３を照射することによりイオン加工する第３工程とを有することを特徴とする表面加工方法。 - 特許庁

When the compound oxide catalyst containing at least Mo and Si is manufactured by a process including the integration and heating of the supply source compounds of the respective component elements in an aqueous system, an aqueous dispersion, which is obtained by integrating a molybdenum (Mo)-containing compound and a silicon (Si)-containing compound in the aqueous system, is used as at least a part of the Mo supply source compound.例文帳に追加

少なくともＭｏ及びＳｉを含有する複合酸化物触媒を、各成分元素の供給源化合物の水性系での一体化及び加熱を含む工程によって製造する際に、モリブデン（Ｍｏ）供給源化合物の少なくとも一部として、Ｍｏ含有化合物とケイ素（Ｓｉ）含有化合物とを水性系での一体化を行って得られる水分散液を用いることを特徴とする。 - 特許庁

The method for manufacturing a radiation image conversion panel that includes a process where a stimulable phosphor layer is formed by evaporating onto a support a substance produced through the irradiation of an evaporation source containing stimulable phosphors (or a material for them) with an electron beam is characterized by the use of the stimulable phosphors or the material of them whose relative density is 80% to 98% as the material for the evaporation source.例文帳に追加

輝尽性蛍光体（またはその原料）を含む蒸発源に電子線を照射することによって発生する物質を支持体上に蒸着させて輝尽性蛍光体層を形成する工程を含む放射線像変換パネルの製造方法において、該蒸発源として、輝尽性蛍光体もしくはその原料の相対密度が８０％〜９８％の蒸発源を用いることを特徴とすること。 - 特許庁

The method includes: mixing a first raw material solution containing a metal source compound, a hydrophilic organic solvent and an organic compound capable of coordinating to the metal source compound and a second raw material solution containing a hydrophilic organic solvent to prepare a final raw material solution; and heating and pressurizing the final raw material solution to bring the hydrophilic organic solvent into a supercritical state and subjecting the resultant solvent to a solvothermal process.例文帳に追加

この製造方法は、金属源化合物と親水性有機溶媒と該金属源化合物に対して配位可能な有機化合物とを含む第１原料液と、親水性有機溶媒を含む第２原料液とを混合し、最終原料液を調製すること；および、最終原料液を加熱および加圧して親水性有機溶媒を超臨界状態として、ソルボサーマル法に供すること；を含む。 - 特許庁

To increase a packing density and a yield by eliminating a contact aperture making process by photolithography and by preventing a device from being increased in by an alignment margin, in the manufacture of a MOS semiconductor by forming a drain and a source out of polysilicon.例文帳に追加

ポリシリコンを用いたＭＯＳ半導体装置において、ドレイン、ソースにポリシリコンを形成することを特徴とするＭＯＳ半導体装置の製造方法において、フォトリソグラフィによるコンタクト開口を無くし、目合わせマージンによる素子の増大化を防止し高集積化及び高歩留り化を図る。 - 特許庁

To provide an image display device capable of improving a manufacturing yield and high reliability by preventing oxidation of a terminal part in a positive electrode oxidation process of a lower electrode (signal line) constituting a thin-film type electron source, and of increasing the thickness of an interlayer insulation layer formed at the same time.例文帳に追加

薄膜型電子源を構成する下部電極（信号線）の陽極酸化処理における端子部の酸化を防止して、製造歩留まりと、高信頼性を向上し、同時に形成する層間絶縁層の厚膜化を実現した画像表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition which is enhanced in resolving power, reduced in residue on development and improved in process admissibility such as a margin for exposure and a focal depth in lithography using a short- wavelength light source for exposure capable of ultra-microfabrication and a positive chemical amplification resist.例文帳に追加

超微細加工が可能な短波長の露光光源及びポジ型化学増幅レジストを用いたリソグラフィー技術にあって、解像力が向上し、現像残査が低減し、露光マージンや焦点深度等のプロセス許容性が改善されたポジ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

The production method of the radish Kimchi includes a step of peeling off the skin of a radish, and cutting the radish along its fiber into a plurality of radish pieces of an elongate shape, and a step of pickling the plurality of radish pieces obtained by the former process together with a kimchi source obtained by mixing spices and seasoning.例文帳に追加

大根の皮を剥ぎ、これを、その繊維に沿って縦に細長い形状の複数の大根素片にカットする工程と、この工程により得られた複数の大根素片を、薬味と調味料とを合わせておいたキムチの素と共に漬け込む工程とを含む、大根キムチの製造方法である。 - 特許庁

To provide an organic photoreceptor dealing with a light source in a wide range satisfying the wavelength of 350 to 780 nm, also free from the generation of transfer memory, having high sensitivity, and capable of forming a stable image having satisfactory charging properties, and to provide an image forming method, an image forming apparatus and a process cartridge using the same.例文帳に追加

光波長３５０〜７８０ｎｍの広範囲な光源に対応し、且つ転写メモリーの発生しない、高感度で、帯電特性が良好で安定した画像を形成することが出来る有機感光体と、それを用いた画像形成方法及び画像形成装置とプロセスカートリッジを提供する。 - 特許庁

To provide an electrophotographic photoreceptor which is free of the problem of image blur by gaseous NOx, has sufficient wear resistance and is capable of dealing with a blue semiconductor laser beam source as well, an electrophotographic device which provides high image quality and is substantially maintenance-free by using the same and a process cartridge for the electrophotographic device.例文帳に追加

ＮＯｘガスによる画像ボケの問題が無く、十分な耐摩耗性があり、又、青色半導体レーザー光源にも対応できる電子写真感光体ならびにそれを用いて高画質でメンテナンスが少ない電子写真装置及び電子写真装置用プロセスカートリッジを提供すること。 - 特許庁

A terminal of a packet sending source forms an expanded route request message, containing a key exchange request message in a route request message, and sends it by broadcasting toward an addressed terminal to deliver it to the addressed terminal, in accordance with a specified route setting process.例文帳に追加

パケットの送信元となる端末は、経路要求メッセージの中に鍵交換要求メッセージを含めた拡張型経路要求メッセージを生成して、宛先となる端末に向けてブロードキャストで送信し、所定の経路設定プロセスに従って宛先の端末に届けられる。 - 特許庁

In the first process, the refrigerating machine oil is recovered along with a part of a refrigerant communicated with a gas side port (28) of the refrigerant circuit (20), from the gas side port (28) opening to the gas side connecting pipe (24) at a closed position of a gas side closing valve (26) provided at one end of a heat source side circuit (21).例文帳に追加

第１工程では、熱源側回路（21）の一端に設けられたガス側閉鎖弁（26）の閉鎖位置のガス側連絡配管（24）側に開口するガス側ポート（28）から、冷媒回路（20）のうちガス側ポート（28）に連通する部分の冷媒の一部と共に冷凍機油を回収する。 - 特許庁

To solve such a problem that in a CMOS inverter, as the number of manufacturing process is increased, a manufacturing cost and a manufacturing time are increased, in a conventional NMOS inverter having constitution in which a gate of a MOS transistor of a pull-up side is connected to a power source Vdd, current consumption is increased owing to flow of a through current.例文帳に追加

ＣＭＯＳインバータでは、製造プロセスの工程数が多くなるため製造コストや製造時間が増大し、プルアップ側のＭＯＳトランジスタのゲートが電源Ｖｄｄに接続された構成の従来のＮＭＯＳインバータでは、貫通電流が流れるため消費電流が増加する。 - 特許庁

A frequency correction value calculator 215 calculates a frequency correction value to the packet signal during a demodulating process by using information regarding a frequency offset of a series of the packet signals transmitted from the transmission source specified by the extracted ID signal before.例文帳に追加

周波数補正値算出部２１５では、抽出されたＩＤ信号により特定される送信源から以前に伝送された一連のパケット信号の周波数オフセットに関する情報を用いて、復調処理中のパケット信号に対する周波数補正値が算出される。 - 特許庁

Further provided is a hydride complex which includes NaH, a metal salt containing an alkaline earth metal or a transition metal, and an ammonia source which is solid at a normal temperature and generates an ammonia gas by decomposition, and in this case, the method for producing a hydrogen gas has a reaction process for heating the hydride complex.例文帳に追加

ＮａＨと、アルカリ土類金属又は遷移金属を含む金属塩と、分解によりアンモニアガスを発生させる常温で固体のアンモニア源とを含む水素化物複合体、及びこのような水素化物複合体を加熱する反応工程を備えた水素ガスの製造方法。 - 特許庁

In the method of manufacturing a semiconductor device using CMOS structure, the above theme is solved by the method of manufacturing a semiconductor device including a process of implanting ions for formation of each region, sharing a mask for formation of a well region and formation of source/drain regions.例文帳に追加

ＣＭＯＳ構造を用いた半導体装置の製造方法において、ウェル領域形成とソース／ドレイン領域形成のためのマスクを共用し、それぞれの領域形成のためのイオンを垂直に注入する工程を含む半導体装置の製造方法により上記課題を解決する。 - 特許庁

This pressure reducer includes an emergency shut-off valve capable of shutting off a heat source supplied to the column in the volatile oil or petrochemical process, and a safety relay valve for driving mechanically the emergency shut-off valve by pressure in the column.例文帳に追加

本発明の圧力低減装置は、精油または石油化学工程のカラムに供給される熱源を遮断することが可能な緊急遮断弁、および前記カラム内の圧力によって機械的に前記緊急遮断弁を駆動する安全リレー弁を含むことを特徴とする。 - 特許庁

Nanotubes, containing boron and nitrogen as an constituent element, are used in an electron source EMS on a cathode electrode CL, and thereby, thermal resistance is improved greatly; and since panel sealing in the atmosphere becomes possible, large-scale simplification and cost reduction for the panel process can be realized.例文帳に追加

カソード電極ＣＬ上の電子源ＥＭＳに硼素及び窒素を構成元素として含んだナノチューブを使用することにより、耐熱性が大幅に向上し、大気中でのパネル封止が可能となるので、パネルプロセスの大幅な簡略化及びコスト低減化が可能となる。 - 特許庁

Each of protection diodes D1, D2 formed in the frame region 20 is formed by connecting a gate electrode and a drain electrode or a source electrode to a TFT (Thin Film Transistor) formed by the same process as that for a TFT formed in the display region 10 through a connection electrode 130.例文帳に追加

額縁領域２０に形成する保護ダイオードＤ１、Ｄ２は、表示領域１０に形成されるＴＦＴと同じプロセスで形成されるＴＦＴに対して接続電極１３０を用いてゲート電極とドレイン電極あるいはソース電極とを接続することによって形成される。 - 特許庁

A microwave plasma processing device has a susceptor 411 for placing a substrate G on which an organic EL element is formed, and a gas supply source 443 to supply a gas into a processing vessel, and generates plasma from the gas supplied into the processing vessel to process the substrate G by the generated plasma.例文帳に追加

マイクロ波プラズマ処理装置は、有機ＥＬ素子が形成された基板Ｇを載置するサセプタ４１１と、処理容器内にガスを供給するガス供給源４４３とを有し、処理容器内に供給されたガスからプラズマを生成し、生成されたプラズマにより基板Ｇを処理する。 - 特許庁

The semiconductor sensor has a structure which is manufactured by a simple process wherein a groove portion 17 is so provided as to separate the centers of a rectangular source portion and drain portion of a semiconductor substrate 11, and first and second semiconductor layers 13, 14 are formed on sidewalls 17a, 17b on both sides of the groove portion 17.例文帳に追加

半導体基板１１の長方形状のソース部・ドレイン部の中央を分断するように溝部１７を設け、この溝部１７の両側の側壁１７ａ，１７ｂに第１，第２の半導体層１３，１４を形成するという簡易プロセスで製造可能な構造を採用した。 - 特許庁

To provide a video display apparatus capable of presenting user's own significant information being not fixed information such as a maker's logo on a display screen when displaying a video other than an input video signal during initialization process or the like at the time of turning on power source.例文帳に追加

電源投入時の初期化処理中等の入力映像信号以外の映像を表示する場合に、表示画面にメーカロゴ等の固定情報ではなく利用者固有の有意義な情報を提示することのできる映像表示装置を提供しようとするものである。 - 特許庁

After forming an oxide film 15 (silicide protection) and a sidewall 16 in the manufacturing process of the semiconductor device comprising a CMOS element and a resistor element, a p^+ source/drain area 14 is formed by injecting impurities into both sides of a gate electrode 7A in an n well 4.例文帳に追加

ＣＭＯＳ素子部と抵抗素子部とを有する半導体装置の製造工程において、酸化膜１５（シリサイドプロテクション）とサイドウォール１６とを形成した後に、Ｎウエル４内におけるゲート電極７Ａの両側に不純物を注入してＰ＋ソース／ドレイン領域１４を形成する。 - 特許庁

The DMAC 302 starts the DMA transfer when the register setting by the master 301 ends, reads data of the DMA transfer source region which has been read out in advance into the look-ahead process unit 303, and transfers them to a DMA transfer destination region in the resource 304.例文帳に追加

ＤＭＡＣ３０２は、マスタ３０１によるレジスタ設定が終わればＤＭＡ転送を開始し、先行読み出し処理部３０３上に既に先行読み出ししているＤＭＡ転送元領域のデータを読み出し、リソース３０４上のＤＭＡ転送先領域に転送する。 - 特許庁

To provide a point source light emitting diode in which a problem that an optical coupling efficiency is low in a conventional LED used in an optical fiber communication device is solved by concentrating emitted light with a simple process to provide a high luminance, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

簡単な工程により、放射光を集中させて高輝度を提供することにより、光ファイバ通信デバイスで使用される従来のＬＥＤの光結合効率が低い問題を解決することのできる点光源発光ダイオードおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method for recovering volatility valuable metallic components by supplying the dusts developed in the metallurgical process and the carbonaceous material into a heating furnace, a short flame burner is characteristically used as the heating source in the furnace.例文帳に追加

上記課題は、冶金プロセスで発生するダスト類と炭素質物質を加熱炉に供給して揮発性の有価金属成分を回収する方法において、該炉の加熱源が短火炎バーナーであることを特徴とする有価金属成分の回収方法によって解決される。 - 特許庁

A voice synthesizing section 7 synthesizes and outputs synthesized signals using the frequency spectrum, that is frequency shifted the frequency spectrum obtained in the section 1 into a lower frequency side by a frequency process controlling section 6, and the sound source signals outputted from the section 5.例文帳に追加

音声合成部７は、上記音声分析部１で得られた周波数スペクトルを周波数処理制御部６で低域側に周波数シフトした周波数スペクトルと音源信号発生部５から出力される音源信号を用いて音声を合成して合成音声信号を出力する。 - 特許庁

A color information detection part 8 and a color-area compression control part 9 control the correcting process of a color area compression part 32 which corrects the color area of input image data to the color area of the printer 5 according to color information on ink of plural colors of the printer 5 detected by using a light source 6 and a color sensor 7.例文帳に追加

色情報検出部8および色域圧縮制御部9は、光源6およびカラーセンサ7を使用して検出されるプリンタ5の複数色のインクの色情報に基づき、入力画像データの色域をプリンタ5の色域に補正する色域圧縮部32の補正処理を制御する。 - 特許庁

To provide a thick liquid food having high fluidity in spite of containing vegetable protein as a protein source, excellent in handling properties such as tap and tube liquidity, and suppressed in cohesion of vegetable protein even in a heat sterilization process such as retort sterilization and long term preservation.例文帳に追加

タンパク源として植物性タンパク質を含有しつつも流動性が高く、飲み口やチューブ流動性等の取り扱いに優れ、更にレトルト殺菌等の加熱殺菌工程や長期保存下においても植物性タンパク質の凝集が抑制された濃厚流動食を提供する。 - 特許庁

This manufacturing method of a semiconductor device comprises a forming process of forming a separation permissible film for adjusting the quantity of impurity separated from a gate electrode on the surface of the gate electrode, at a temperature where the separation of the impurity from the source electrode and the drain electrode can be blocked.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の製造方法は、ソース電極及びドレイン電極からの不純物の離脱を阻止可能な温度で、ゲート電極の表面に、当該ゲート電極から離脱する不純物の量を調整するための離脱許容膜を形成する形成工程を含む。 - 特許庁

The environmentally harmful substance is treated by dechlorination and reduction reaction using electrons 9 emitted from a carbon nanotube (CNT) electron source 7 and the acceleration thereof, and can consequently be decomposed and rendered harmless without the need of a high temperature in a treatment process and without producing harmful substances.例文帳に追加

カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）電子源７から放出される電子９およびその加速を用いて、上述した環境有害物質を脱塩素化および還元反応によって処理すれば、処理過程で高温を必要とせず、有害物質を出すことなく分解無害化処理が可能である。 - 特許庁

The method for preparing the oxide thin film transistor having a substrate, a gate electrode, a gate insulating film, a source electrode, a drain electrode, and a semiconductor thin film includes a step for patterning the gate insulating film or the semiconductor thin film through the helicon plasma dry etching process.例文帳に追加

基板とゲート電極とゲート絶縁膜とソース及びドレイン電極と半導体薄膜とを含む酸化物薄膜トランジスタの製造方法において、ゲート絶縁膜又は半導体薄膜は、特定エッチングガスを使用するヘリコンプラズマ乾式工程を通じてパターン化されるステップを含んでいる。 - 特許庁

The inspection method for inspecting the internal state of the optical material OM has a process for irradiating the optical material OM with diffused light from a light source 21, and inspecting the internal state of the optical material OM based on transmitted light transmitted through the optical material OM.例文帳に追加

本発明に係る光学材料ＯＭの内部状態を検査する検査方法は、光源２１からの拡散光を光学材料ＯＭに照射し、この光学材料ＯＭを透過した透過光に基づいて光学材料ＯＭの内部状態を検査する工程を有する。 - 特許庁

To provide an optical pickup device capable of reducing manhours in an assembly adjustment process and reducing adjustment time by eliminating the diffraction grating in an optical path from a light source to an optical recording medium, and to provide an optical recording and reproducing device equipped with the optical pickup device.例文帳に追加

光源から光記録媒体までの光路中における回折格子の存在を排除することにより、組立て調整工程の工数の削減と調整時間の短縮とを図り得る光ピックアップ装置及びそれを備えた光記録再生装置を提供する。 - 特許庁

As a result, the reference light source device for high temperature high-speed radiation thermometers can be provided, which performs radiation temperature measurement of the surface temperature of the silicon wafer processed by a flash lamp anneal method (FLA) under development as a next-generation wafer heat treatment process, and a laser anneal method (LA).例文帳に追加

次世代ウエハ熱処理工程として開発中のフラッシュランプアニール法（ＦＬＡ）やレーザーアニール法（ＬＡ）において処理されるシリコンウエハの表面温度を放射温度計測するための高温高速放射温度計用参照光源装置を提供することが可能である。 - 特許庁

The server 10 cuts out an image of the rectangular area from the image, recognizes a text by an OCR process (step S14), extracts a text having highest matching degree with the text recognized from a source of an Html file (step S15), and transmits it to the client terminal 20 (step S16).例文帳に追加

サーバ１０は、画像から矩形領域の画像を切り出し、ＯＣＲ処理によりテキストを認識し（ステップＳ１４）、Ｈｔｍｌファイルのソースから認識されたテキストと最も一致度の高いテキストを抽出し（ステップＳ１５）、クライアント端末２０へ送信する（ステップＳ１６）。 - 特許庁

To further improve the operationality of a furnace and the recovery rate for the platinum group metal, in a dry process for recovering the platinum group metal through melting a material to be treated containing the platinum group metal such as a waste catalyst together with a copper source material by heat, and making the platinum group metal absorbed in the molten metal.例文帳に追加

廃触媒等の白金族元素を含有する被処理物質を銅源材料と共に加熱溶融して溶融メタル中に白金族元素を吸収させる白金族元素の乾式回収法において，その炉の操業性と白金族元素の回収率をさらに改善する。 - 特許庁

To provide a positive type resist composition having enhanced resolving power and improved process admissibility such as margin for exposure and focal depth and less liable to cause development defects in lithography using a short-wavelength light source for exposure capable of ultra- microfabrication and a positive type chemical amplification resist.例文帳に追加

超微細加工が可能な短波長の露光光源及びポジ型化学増幅レジストを用いたリソグラフィー技術にあって、解像力が向上し、露光マージンや焦点深度等のプロセス許容性が改善され、現像欠陥の発生も少ないポジ型レジスト組成物を提供することにある。 - 特許庁

The freshness-keeping method comprises the following process: applying high voltage (5, 10, 12 kV) via a direct-current power source 31 between an acicular electrode 33 and a flat-plate electrode 32 in the air to perform static discharge so as to generate oxides of nitrogen; and introducing the oxides of nitrogen into a storage warehouse to maintain freshness of the fresh food in the storage warehouse.例文帳に追加

空気中で針状電極３３と平板電極３２との間に直流電源３１で高電圧（５、１０、１２ｋＶ）を付与して静電放電をさせ、窒素酸化物を発生させ、貯蔵庫に導入して、貯蔵庫内の生鮮物の鮮度保持を行う。 - 特許庁

To process the optimum connection of a scan chain, i.e., the minimization of the scan chain length and to evade the generation of clock skew even when the supply source of a scan clock signal of different timing is included.例文帳に追加

スキャンチェインの最適接続、つまりスキャンチェイン長の最小化を実用時間で処理できることと、異なるタイミングのスキャンクロック信号の供給元を含む場合でもクロック・スキュの発生を回避できることとを両立し得るスキャンチェイン設計システム及びその設計方法を提供する。 - 特許庁

In the next process, an epitaxial growth layer 22 is formed by epitaxial-growing the Si layer on the surface of the Si layer 11a that has been exposed, and a source-drain region 23 is formed at an epitaxial growth layer 22.例文帳に追加

次いで、露出されたＳｉ層１１ａの表面上に、Ｓｉ層をエピタキシャル成長させてエピタキシャル成長層２２を形成するとともに、エピタキシャル成長層２２にソース・ドレイン領域２３を形成する工程を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法および半導体装置である。 - 特許庁

The stabilized flavoring system is obtained by addition of a bacteriocin source as a part of fermentation process that accelerates the fermentation time needed for flavor development in one or more of its flavor components, and in at least a sulfur-cheddary component thereof in one embodiment.例文帳に追加

一つの実施形態において、１つまたは２以上のそのフレーバー成分、および少なくともそのイオウ−チェダー成分におけるフレーバーの発生に必要な発酵時間を促進する発酵プロセスの一部として、バクテリオシン源の添加によって安定化されたフレーバーシステムが得られる。 - 特許庁