「source process」に関連した英語例文の一覧と使い方(25ページ目) - Weblio英語例文検索

A process for producing the catalyst for nitrogen oxide removal comprises: drying a mixture slurry that contains a metal source, a zeolite, and metal oxide particles having an average particle diameter of 0.1-10 μm and/or an inorganic binder; and burning the obtained dry powder.例文帳に追加

金属源、ゼオライト、並びに平均粒子径０．１〜１０μｍの金属酸化物粒子及び／又は無機バインダーを含む混合スラリーを乾燥させ、得られた乾燥粉体を焼成することによりこの窒素酸化物浄化用触媒を製造する方法。 - 特許庁

Critical to the process of interpreting and integrating the source material is the care that must be taken to avoid defining regionalities of particular ecoregion components such as fish or macroinvertebrate characteristics, or patterns in a single, or a set of, chemical parameters.例文帳に追加

資料の解釈・統合過程できわめて重要なのは，魚類または大型無脊椎動物の特性や，単一または一連の化学的パラメータといった特定の生態系構成要素で地域性を画定するのを避けるよう配慮すべきことである。 - 英語論文検索例文集

Critical to the process of interpreting and integrating the source material is the care that must be taken to avoid defining regionalities of particular ecoregion components such as fish or macroinvertebrate characteristics, or patterns in a single, or a set of, chemical parameters.例文帳に追加

資料の解釈・統合過程できわめて重要なのは，魚類または大型無脊椎動物の特性や，単一または一連の化学的パラメータといった特定の生態系構成要素で地域性を画定するのを避けるよう配慮すべきことである。 - 英語論文検索例文集

To sufficiently guarantee defect detection sensitivity corresponding to minute defects occurring in an actual semiconductor process and, in particular, to use the defect detection sensitivity for production management as an indicator for judging sensitivity adjustment after a light source replacement is performed in a lighting means of a defect detecting device.例文帳に追加

実際の半導体プロセスおいて発生する微小欠陥に対応した欠陥検出感度を十分に保証し、特に欠陥検査装置の照明手段の光源交換後の感度調整を判断する指標として製造管理に利用する。 - 特許庁

To provide a position detection device for a robot, a robotic system, and a position detection method for a robot each capable of enhancing the efficiency of the process of making the drive amount of a drive source correspond to the actual state of a robot based on an image.例文帳に追加

ロボットが有する駆動源の駆動量と実際のロボットの状態とを画像に基づいて対応付ける処理の効率を高めることの可能なロボット用位置検出装置、ロボットシステム、及びロボット用位置検出方法を提供する。 - 特許庁

The method for efficiently collecting lead from a cement production process includes: making the chlorination-volatilizing furnace 2 volatilize the lead in the lead-containing cement raw material (M) by using chlorine contained in a chlorination source (C); and making the lead-collecting means 3 collect the volatilized lead.例文帳に追加

塩化揮発炉２において塩化源Ｃに含まれる塩素を利用して鉛含有セメント原料Ｍ中の鉛を揮発させ、揮発した鉛を鉛回収手段３で回収することにより、セメント製造工程から効率よく鉛を回収する。 - 特許庁

At the alignment of irradiation regions on the work W to an irradiation optical system 20, a process stage device 33 is operated in stepping manner, however normally during the stepping operation, no laser light AL is emitted to stop the oscillation of the laser light source 10.例文帳に追加

また、ワークＷ上の各照射領域を照射光学系２０に対して位置決めする際にはプロセスステージ装置３３をステッピング動作させるが、ステッピング動作中はレーザ光ＡＬを照射しないで、通常はレーザ光源１０の発振を止める。 - 特許庁

A laminating process is applied to the EL sheet used as the light source to carry out protection for waterproofing and electric leakage prevention; and by arranging FF sheets on the front surface and the back surface and by welding the circumferences thereof to doubly protect the EL sheets, installation in indoor and outdoor places is enabled.例文帳に追加

また、光源となるＥＬシートを、ラミネート加工を施し、防水、漏電防止の保護を行い、且、前面と背面にＦＦシートを配して、周囲を溶着することで、ＥＬシートを２重に保護を施し、屋内外への施工を可能にする。 - 特許庁

To provide a positive type resist composition which attains enhancement in resolving power and improvement in process tolerability such as exposure margin and focal depth in lithography using a short-wavelength light source for exposure capable of ultra-microfabrication and a positive type chemical amplification resist.例文帳に追加

超微細加工が可能な短波長の露光光源及びポジ型化学増幅レジストを用いたリソグラフィー技術にあって、解像力が向上し、露光マージンや焦点深度等のプロセス許容性が改善されたポジ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

In the process of forming the source electrode and the drain electrode, a metal nanoparticle dispersion solution is applied in a prescribed pattern shape to form a metal nanoparticle dispersion solution application layer using an ultrafine inkjet printer, the metal nanoparticle dispersion solution application layer is heated and sintered, and the source electrode and the drain electrode consisting of a metal nanoparticle sintered body layer are formed.例文帳に追加

記ソース電極およびドレイン電極の形成工程では、超微細インクジェット印刷装置を用いて、金属ナノ粒子分散液を所定のパターン形状に塗布して、金属ナノ粒子分散液塗布層を形成し、該金属ナノ粒子分散液塗布層を加熱焼成処理して、金属ナノ粒子の焼結体層からなるソース電極およびドレイン電極を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device 100 is configured so that the electrical characteristics are measured by using a pad part 140g for a gate, a pad part 140s for a source and a pad part 140d for a drain before forming a passivation film 115 covering the pad part 140g for the gate, the pad part 140s for the source and the pad part 140d for the drain in the manufacture process.例文帳に追加

半導体装置１００は、その製造過程において、ゲート用パッド部１４０ｇ、ソース用パッド部１４０ｓ、およびドレイン用パッド部１４０ｄを覆うパッシベーション膜１１５を形成する前に、ゲート用パッド部１４０ｇ、ソース用パッド部１４０ｓ、およびドレイン用パッド部１４０ｄを用いて電気的特性の測定がなされるように構成されたことを特徴とする。 - 特許庁

The peeling apparatus 1 includes a process 14 which sucks and holds the transfer destination substrate 40, a suction pad 24 as a suction unit which applies a force for separating the transfer source device 30 and the transfer destination substrate 40 in a lamination direction while sucking the transfer source substrate 30, and a nozzle 50 which injects fluid from its tip to the lamination interface along the lamination interface.例文帳に追加

剥離装置１は、転写先基板４０を吸着して保持するステージ１４と、転写元基板３０を吸着して、転写元基板３０と転写先基板４０とを積層方向に引き離す力を印加する吸着部としての吸着パッド２４と、上記積層界面に対して上記積層界面に沿った方向に、先端から流体を噴射するノズル５０と、を有する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the radiographic image conversion panel, which includes a process for forming a phosphor layer, by using a method for evaporating onto a substrate the stem generated by the irradiation of an evaporation source containing phosphors or a their material by an electron beam, the evaporation source which consists of element ingredients of the phosphors and where the element ingredients are locally distributed is used.例文帳に追加

蛍光体もしくはその原料を含む蒸発源に電子線を照射することによって発生する蒸気を基板上に蒸着させる方法を利用して蛍光体層を形成する工程を含む放射線像変換パネルの製法において、蒸発源として、当該蛍光体の複数の元素成分からなり、かつ該元素成分が局在分布している蒸発源を用いる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a fluoride coated biomedical device, including a process of exposing the surface of a biomedical device to plasma in the presence of a solid supply source of fluorine, wherein the species of fluorine is generated from the solid supply source of fluorine to interact with the surface of the biomedical device, and the biomedical device.例文帳に追加

フッ化物被覆型の生物医学装置を製造するための方法であって、フッ素の固体供給源の存在下にプラズマに対して生物医学装置の表面を曝露する処理、を含み、この場合に、フッ素の種が前記フッ素の固体供給源から発生して、前記生物医学装置の表面に対して相互作用する、方法、およびその生物医学装置を提供する。 - 特許庁

A lightly doped region Y where both n+-type impurities and p+-type impurities do not exist is made on a gate electrode 14 by providing a predetermined interval between the openings of ion implantation masks, when forming the source/drain diffusion layer 37 in an n MOSFET region and the source/drain region 38 in a p MOSFET region in a self alignment process at the gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極に自己整合的にｎＭＯＳＦＥＴ領域のソース／ドレイン拡散層３７およびｐＭＯＳＦＥＴ領域のソース／ドレイン拡散層３８を形成する際に、それぞれのイオン注入マスクの開口部間に所定の間隔を設けて、ゲート電極１４上に、ｎ＋型不純物とｐ＋型不純物とがともに存在しない低濃度な領域Ｙを形成する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the organic thin-film transistor element wherein at least a gate electrode, an insulating layer, a source electrode, a drain electrode and an organic semiconductor layer are installed on a retaining member, after a process is performed wherein the surface of a region which is in contact with the organic semiconductor layer is subjected to plasma treatment previously, a process for arranging the organic semiconductor layer is included.例文帳に追加

支持体上に、少なくともゲート電極、絶縁層、ソース電極、ドレイン電極、有機半導体層を有する有機薄膜トランジスタ素子の製造方法において、該有機半導体層と接する部位の表面を予めプラズマ処理する工程の後、前記有機半導体層を設ける工程を有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ素子の製造方法。 - 特許庁

To provide: a process for producing euglena containing a wax ester at a high content, by culturing a microalga euglena aerobically by photosynthesis using carbon dioxide as a carbon source, further culturing the microalga euglena under nitrogen-starved conditions to increase the amount of accumulated paramylon per cell, and subsequently leaving the microalga euglena under anaerobic conditions, thereby producing euglena containing a wax ester at a high content; and a process for producing a wax ester.例文帳に追加

光合成により二酸化炭素を炭素源として微細藻ユーグレナを好気的に培養した後、窒素飢餓状態でさらに培養することで細胞当たりのパラミロン蓄積量を増加させ、その後嫌気状態に置くことで、ワックスエステル高含有ユーグレナを生産することが可能なワックスエステル高含有ユーグレナの生産方法及びワックスエステル製造方法を提供することにある。 - 特許庁

The planar light source device 20 comprises a light guide plate 30 provided with a light-diffusing element 40, a light-emitting body 25 arranged beside the light guide plate, a first lens sheet 50 formed by putting under extrusion process thermoplastic resin arranged facing the light guide plate, and a second lens sheet 60 formed by putting under extrusion process thermoplastic resin arranged facing the first lens sheet.例文帳に追加

面光源装置２０は、光拡散要素４０を設けられた導光板３０と、導光板の側方に配置された発光体２５と、導光板に対面して配置された熱可塑性樹脂を押し出し加工してなる第１レンズシート５０と、第１レンズシートに対面して配置された熱可塑性樹脂を押し出し加工してなる第２レンズシート６０と、を有する。 - 特許庁

When a synchronous process for switching a drive power source of an AC motor 3 from a power converter 2 to a commercial power supply 1 is instructed to a first breaker 4 and a second breaker 5, being switching means, a phase instruction calculator 14 changes a phase instruction signal up to a phase target value by taking a time according to a deviation calculated at the start of the synchronous process.例文帳に追加

切替え手段である第１の遮断器４、第２の遮断器５に対して交流電動機３の駆動電源を電力変換装置２から商用電源１へと切替える同期処理が指令されたとき、位相指令演算器１４により位相指令信号を同期処理の開始時に演算された偏差に応じた時間をかけて、位相目標値まで変化させている。 - 特許庁

The manufacturing method includes a process for forming the semiconductor element on a semiconductor substrate, and a process for forming a film on the semiconductor element by CVD treatment using microwave plasma in which a microwave is a plasma source, an electron temperature of plasma is lower than 1.5 eV and an electron density of the plasma is higher than 1×10^11 cm^-3 in the vicinity of a surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上に半導体素子を形成する工程と、マイクロ波をプラズマ源とし、半導体基板の表面近傍において、プラズマの電子温度が１．５ｅＶよりも低く、かつプラズマの電子密度が１×１０^１１ｃｍ^−３よりも高いマイクロ波プラズマを用いたＣＶＤ処理によって半導体素子上に膜を形成する工程とを含む。 - 特許庁

The delay time calculating device is provided with a resistance capacity specification part 25 which specifies source resistance and diffusion capacity before process fluctuation at the gate as an object of delay time calculation and specifies the wiring resistance and wiring capacity of wiring connected with the gate after the process fluctuation and calculates the delay time of the gate on the basis of the specification contents by the resistance capacity specification part 25.例文帳に追加

遅延時間計算対象のゲートにおけるプロセス変動前のソース抵抗と拡散容量を特定するとともに、そのゲートに接続されている配線のプロセス変動後の配線抵抗と配線容量を特定する抵抗容量特定部２５を設け、その抵抗容量特定部２５による特定内容に基づいて当該ゲートの遅延時間を計算する。 - 特許庁

To provide the manufacture of a semiconductor device, which can cope with micronization by enabling a thin oxide film to be formed on the surface of a silicon substrate by the same thermal oxidation process before ion implantation process for formation of source and drain diffused layers, and enabling an oxide film of sufficient thickness to secure reliability to be formed at the sidewall of a gate electrode, and the end of a gate.例文帳に追加

ソース、ドレイン拡散層形成のためのイオン注入工程前に、同一の熱酸化工程によりシリコン基板表面に薄膜の酸化膜を形成できると共に、ゲート電極側壁及びゲートエッジ端に信頼性を確保するのに十分な膜厚の酸化膜を形成できることより、微細化に対応可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the thin film transistor comprises a process of forming a silicon film by applying a dopant and a liquid material containing a silane compound or silane of higher order above a substrate, and a phototreatment process of forming a source and a drain region which consist of a doped film wherein the dopant is activated by conducting a phototreatment of part of the silicon film.例文帳に追加

本発明は、基板の上方に、ドーパントおよび、シラン化合物又は高次シランを含む液体材料を供与してシリコン膜を形成する工程と、前記シリコン膜の一部を光処理することにより、ドーパントが活性化されたドープ膜からなるソース領域及びドレイン領域を形成する光処理工程と、を備える薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

When forming a source region 24 and a drain region 25 of an NMOS transistor 20 formed on the same silicon substrate 30 along with the NPN transistor 10, a high-concentration region 15 can be formed in the same process, thus excluding an exclusive diffusion process for forming the high-concentration region 15, and manufacturing a semiconductor device 1 with a small number of processes.例文帳に追加

ＮＰＮトランジスタ１０と共に同一シリコン基板３０上に形成されるＮＭＯＳトランジスタ２０のソース領域２４およびドレイン領域２５を形成する際同一工程で高濃度領域１５を形成することができるので、高濃度領域１５を形成するための専用の拡散工程を省き、少ない工程数で半導体装置１を製造することができる。 - 特許庁

This method for producing the olefin comprises supplying a self-heating decomposer with the hydrocarbon feedstock and the oxygen-containing gas, wherein the method includes driving at least partially an ammonia absorption refrigeration system, by using an exhaust enthalpy source formed by a self-heating decomposition process, and refrigerating at least one process stream in separation and/or purification of the olefins from a formed hydrocarbon stream.例文帳に追加

炭化水素供給原料および酸素含有ガスを自熱分解機に供給して、オレフィンを製造する方法であって、この方法は自熱分解プロセスにより発生した廃エンタルピー源を用いてアンモニア吸収冷凍システムを少なくとも部分的に駆動させ、炭化水素生成物流からのオレフィン類の分離および／または精製における少なくとも１のプロセス流を冷凍する。 - 特許庁

An external source access authority decision part 304 of a workflow serve 101 which controls a workflow in response to an access request to a workflow process judges whether or not access to an external resource is permitted to the access requested work flow process, and when it is judged that the access to the external resource is permitted, a workflow processing part 302 permits the access to the external resource.例文帳に追加

ワークフロー工程へのアクセス要求に応じてワークフローを制御するワークフローサーバ１０１の外部リソースアクセス権限判断部３０４が、アクセス要求されたワークフロー工程が外部リソースへのアクセスを許可されているかどうかを判断し、外部リソースへのアクセスを許可されていると判断した場合に、ワークフロー処理部３０２が、外部リソースへのアクセスを許可する構成を特徴とする。 - 特許庁

The method for synthesizing particles containing nano-sized metal oxide by a plasma process includes a process for forming the nanoparticles of metal oxide by reacting a metal halide with oxygen in a gas phase in the presence of a hydrogen source, wherein the average particle diameter is <100 nm and a miner proportion of a particle aggregated body has >100 nm particle diameter.例文帳に追加

プラズマプロセスにおいて、ナノサイズの金属酸化物を含有する粒子を合成するための方法であって、水素源の存在下において金属ハロゲン化物と酸素とを気相反応させ金属酸化物のナノ粒子を形成する工程を含み、平均粒子サイズが直径１００nm未満であり、および少量の粒子凝結体は直径１００nm超であることを特徴とする方法。 - 特許庁

To provide a source drain electrode in which a barrier metal layer of a lower part can be eliminated, a production process can be simplified without increasing the number of processes, an Al based alloy film can be connected to a semiconductor layer of a thin film transistor directly and surely, and an electrical resistivity between transparent pixel electrodes can be lowered even in the case of applying a low thermal process temperature to an Al alloy film.例文帳に追加

下部バリアメタル層の省略を可能にすると共に、工程数を増やすことなく簡略化し、Ａｌ系合金膜を薄膜トランジスタの半導体層に対し直接かつ確実に接続することができ、しかも、Ａｌ合金膜に対して低い熱プロセス温度を適用した場合でも、透明画素電極間の低電気抵抗率化を達成し得るソース−ドレイン電極を提供する。 - 特許庁

To maintain satisfactory image quality over a long period in an image forming apparatus adapted to execute image formation by applying, to an image carrier driven to rotate, an image forming process including a process for electrifying the image carrier by a charging means, by enabling responding to an image flow even in a state where power supply from a commercial power source to the image forming apparatus is interrupted.例文帳に追加

回転駆動される像担持体に、この像担持体を帯電手段により帯電させる工程を含む画像形成工程を適用して画像形成を実行する画像形成装置において、商用電源から画像形成装置への電力供給が遮断された状態時においても、画像流れへの対応を可能にして、長期に亘って良好な画像品質を維持する。 - 特許庁

The ink jet direct drawing process is used to form an active layer island comprising a laminate of a silicon semiconductor layer SI and an n+ contact layer NS, in addition to introducing the ink jet direct drawing process into any one of processes of a source electrode SD1 and a drain electrode SD2 including gate wiring, gate electrodes GT and data wiring of the liquid crystal display panel or into several processes thereof.例文帳に追加

液晶表示パネルのゲート配線とゲート電極ＧＴ、データ配線を含めたソース電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２の何れかの工程、又はそれらの幾つかの工程にインクジェット直描プロセスを導入することに加えて、シリコン半導体層ＳＩとｎ＋コンタクト層ＮＳの積層からなる能動層アイランドの形成にインクジェット直描プロセスを用いる。 - 特許庁

In order to execute such the method so as to monitor a sinter process even in a combustion kiln in a temperature radiation equilibrium state, a radiation ray 14 having a radiation spectrum different from a surface radiation ray 13 is radiated from a radiation source 15 onto the surface 10 and is measured by the measurement instrument 16 during the physical and/or chemical process 12.例文帳に追加

温度放射平衡の状態にある燃焼窯内においても焼結プロセスが監視可能になるようこの種の方法を実行するために、物理および／または化学プロセス（１２）中に表面放射線（１３）とは異なった放射スペクトルを有する放射線（１４）を放射源（１５）から表面（１０）上に放射させ測定装置（１６）によって測定する。 - 特許庁

This method for preparation of the zeolite with MTW-type structure includes at least (i) a process for mixing at least one supply source of at least one tetravalent element with at least one nitrogen-containing organic species having the formula expressed herein; and (ii) a process for hydrothermally treating the above mixture until the zeolite with MTW-type structure is formed.例文帳に追加

ＭＴＷ構造型を有するゼオライトの調製方法であって、i）水性媒体中、少なくとも１種の四価元素の少なくとも１種の供給源および下記式を有する少なくとも１種の窒素含有有機種を混合する工程と、ii）前記ＭＴＷ構造型を有するゼオライトが形成されるまで前記混合物を水熱処理する工程とを少なくとも包含する。 - 特許庁

The manufacturing method of the patterned ferroelectric medium comprises a process of forming a feature of a prescribed pattern being a precursor for manufacturing a ferroelectric film on an electrode formed on a substrate, and a process of converting a precursor feature to a ferroelectric substance by making a source substance which forms the ferroelectric substance by reacting with the precursor react with the precursor.例文帳に追加

基板上に形成された電極上に強誘電膜の製造のための前駆体で所定パターンのフィーチャーを形成する工程と、前駆体と反応して強誘電物質を形成するソース物質を前駆体と反応させて、前駆体フィーチャーを強誘電性の物質に変換する工程と、を含むパターンされた強誘電体媒体の製造方法である。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which allows bulky structures of a source and a drain to be formed in a MISFET with a gate electrode formed of a metallic material by a low-temperature process in the formation and can be manufactured efficiently, and a manufacturing method for the semiconductor device.例文帳に追加

金属材料で形成されたゲート電極を有するＭＩＳＦＥＴにおけるソース・ドレイン部のかさ上げ構造の形成において、その形成を低温プロセスで実現し、かつ効率よく製造できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Because a passage guide section is installed in the exhaust pipe of the secondary cyclone section to reduce pressure loss caused by the turbulent flow generated in the exhaust process, the load of a vacuum blow source is reduced and electric power consumption required to operate the cyclone dust collecting device can be saved.例文帳に追加

２次サイクロン部の排気パイプに流路ガイド部を設置し、排気過程で発生する乱流流動による圧力損失を減少するので、真空吹込源の負荷が減少されてサイクロン集塵装置の作動に所要される消費電力を節減できる。 - 特許庁

To easily realize a negative voltage generating circuit which can supply negative voltage to a memory cell transistor substrate independently of fluctuation of power source voltage and environmental conditions, process conditions, or the lie, to enable sufficiently securing a data holding time for a memory, and to reduce power consumption.例文帳に追加

電源電圧や環境条件の変動、プロセス条件等によらず安定した負電圧をメモリセルトランジスタ基板に供給可能な負電圧発生回路を容易に実現し、メモリのデータ保持時間を充分に確保可能にし且つ低消費電力化を図る。 - 特許庁

Under cut of a passivation insulating layer generated, for to remove the aluminum layer in an opening part on a drain electrode, is dissolved by the addition of a manufacturing process widening the opening part, by adopting the source-drain wiring comprising lamination of a heat-resistant metal layer and the aluminum layer.例文帳に追加

耐熱金属層とアルミニウム層との積層よりなるソース・ドレイン配線を採用し、ドレイン電極上の開口部内のアルミニウム層を除去して生じたパシベーション絶縁層のアンダカットを、前記開口部を拡大する製造工程の追加で解消する。 - 特許庁

To solve such a problem that it becomes very difficult to design a circuit with high linearity because of making a semiconductor process micro and, lowering of source voltage, etc., although the nonlinearity of a control code and an output phase of a phase composing circuit should be made as small as possible.例文帳に追加

位相合成回路における制御コードと出力位相との非線型性は極力小さくしなければならないが、半導体プロセスの微細化や電源電圧の低下等によりリニアリティの高い回路の設計が非常に困難になって来ている。 - 特許庁

The playing events include events corresponding to the keyboard playing of a player and invalidated events corresponding to automatic playing events and the CPU10 instructs a sound source circuit 7 to perform a musical sound forming process for the playing events other than the invalidated events.例文帳に追加

この演奏イベントには、演奏者の鍵盤演奏に対応したものの他、自動演奏イベントに対応した無効イベントが含まれるが、ＣＰＵ１０は無効イベント以外の演奏イベントについての楽音形成処理を電子的な音源回路７に指示する。 - 特許庁

To enhance robustness with respect to noise or echo in a propagation process, without generating any sense of incompatibility in hearing when propagating a carrier signal as sound, by eliminating the necessity of a source signal for extracting a symbol at a receiving side when transmitting the carrier signal while embedding the symbol therein.例文帳に追加

キャリア信号にシンボルを埋め込んで伝送する際、受信側でのシンボルの抽出に原信号を不要とし、キャリア信号を音として伝播させる際に聴感上の違和感を発生させず、かつ、伝播過程における雑音やエコーに対する頑健性を高める。 - 特許庁

To provide a positive type resist composition having enhanced resolving power and improved process admissibility such as an improved margin for exposure and an improved depth of a focus in lithography using a short- wavelength light source for exposure capable of ultra-microfabrication, and a positive type chemical amplification resist.例文帳に追加

超微細加工が可能な短波長の露光光源及びポジ型化学増幅レジストを用いたリソグラフィー技術にあって、解像力が向上し、露光マージンや焦点深度等のプロセス許容性が改善されたポジ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device having an asymmetric high withstand voltage transistor, to which a source and a channel are electrically connected without giving an influence to an ordinary withstand voltage MOS transistor and without particularly adding an exclusive process, and also to provide the semiconductor device.例文帳に追加

通常耐圧のＭＯＳトランジスタに影響を与えず、かつ専用工程を別段追加せずにソース部とチャネル部が電気的に接続される非対称高耐圧トランジスタを有する半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition which can be used suitably in a process using ArF excimer laser light as an exposure light source, which is superior in line edge roughness and free of pattern collapses, will cause no problem regarding development defects, and is superior in a pattern profile and exposure latitude, and to provide a method for forming a pattern that uses the composition.例文帳に追加

ArFエキシマレーザー光を露光光源とする場合に好適に使用することができ、ラインエッジラフネスに優れ、かつパターン倒れがなく、現像欠陥の問題を生じないポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

Service application path computation means 107 creates a path with reference to a routing table collected from the terminal and repeating device in a network, based on a destination address which process collected from the terminal and repeating device utilizes for the transmission source and destination address.例文帳に追加

サービスアプリケーション経路計算手段１０７は端末及び中継装置から収集するプロセスが通信に利用する送信元及び宛先アドレスをもとにネットワーク内の端末及び中継装置から収集したルーティングテーブルを参照して経路を作成する。 - 特許庁

A first process gas admixture equipped with a silicon source gas and a first dilution gas mixture equipped with H_2 gas and inactive gas are made to flow into a deposition chamber at a first temperature, and thereby a polycrystalline silicon film 408 is formed on the amorphous silicon film.例文帳に追加

シリコンソースガスを備える第１のプロセスガス混合物と、Ｈ_２及び不活性ガスを備える第１の希釈ガス混合物とを第１の温度で堆積チャンバ内に流入させることによって、多結晶シリコン膜４０８が該非晶質シリコン膜上に形成される。 - 特許庁