「source process」に関連した英語例文の一覧と使い方(23ページ目) - Weblio英語例文検索

Upon receiving the internal communication information, the network connection apparatus 10 generates a packet using a transmission source address corresponding to the process identifier included in the internal information, and transmits the generated packet to the apparatus on the network 40.例文帳に追加

ネットワーク接続装置１０は、内部通信情報を受信したとき、内部通信情報に含まれるプロセス識別子と対応する送信元アドレスを用いてパケットを生成し、これをネットワーク４０上の機器に送信する。 - 特許庁

The present invention performs an object detection process where laser light emitted from a survey laser light source is scanned by a deflector and an obstacle existing in a scanning range is detected based on intensity of reflection from the scanning range.例文帳に追加

探査レーザー光源から照射されるレーザー光を偏向器により走査し、その走査範囲からの反射光の強度に基づいて当該走査範囲内に存在する障害物を検出する物体検出処理を行う。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can manufacture a semiconductor device, including a crystalline silicon film having superior properties with high yield, by efficiently using an energy source used for crystallization process.例文帳に追加

結晶化工程に用いるエネルギ源を効率よく使用することによって、優れた特性を有する結晶シリコン膜を含む半導体装置を高い歩留まりで製造することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing steam cracker sulfur-containing feedstock from a natural gas by combining a paraffinic feedstock such as obtained by a Fischer-Tropsch process with a sulfur-containing feedstock from another feed source.例文帳に追加

フィッシャー・トロプシュ法で得られるようなパラフィン系供給原料と他の供給源からの硫黄含有供給原料とを組み合わせることにより、天然ガスから水蒸気分解器硫黄含有原料の製造方法を提供する。 - 特許庁

Next, ion implantation process is performed, using the photoresist layer as a mask for forming a source/drain in the first region of the polysilicon layer and the LDD in the second region below the edge portion of the photoresist layer.例文帳に追加

次に、前記ポリシリコン層の第１領域におけるソース／ドレインと、前記フォトレジスト層のエッジ部分の下の前記第２領域におけるＬＤＤとを形成するマスクとして前記フォトレジスト層を使用し、イオンインプランテーションプロセスを行う。 - 特許庁

In the fabrication process of a semiconductor device having a gate electrode, a gate insulation layer, a semiconductor layer, a source electrode and a drain electrode, the gate insulation layer is formed by irradiating microwave.例文帳に追加

ゲート電極、ゲート絶縁層、半導体層、ソース電極及びドレイン電極を有する半導体デバイスの製造方法において、前記ゲート絶縁層をマイクロ波を照射して形成することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。 - 特許庁

To provide a method for effectively doping a dopant by controlling reaction of a dopant element in a method for forming a group III nitride semiconductor layer using a nitrogen source in a state of radicals, plasmas, or atoms such as MBE and sputtering process.例文帳に追加

ＭＢＥやスパッタなどのラジカル化、プラズマ化または原子化された窒素源を用いたＩＩＩ族窒化物半導体層の成膜法において、ドーパント元素の反応を抑制し、効率良くドーパントをドーピングする方法を提供すること。 - 特許庁

To stably process a work for gelating a film applied on a substrate with ammonia gas saturated with water vapor by blowing ammonia gas into a container containing e.g. aqueous ammonia of a gas source.例文帳に追加

例えばガス発生源であるアンモニア水を貯留した容器にアンモニアガスを吹き込んで水蒸気で飽和したアンモニアガスを発生させ、これにより基板上の塗布膜のゲル化処理を行うにあたって、安定した処理を行うこと。 - 特許庁

At least in the final process for embedding when the inside of the trench 4 is embedded with the epitaxial layer 23, a mixed gas of silicon source gas and halide gas is used as gas supplied to the silicon substrates to form the epitaxial film.例文帳に追加

このトレンチ４の内部をエピタキシャル膜２３で埋め込む際の、少なくとも埋め込みの最終工程において、エピタキシャル膜の成膜のためにシリコン基板に供給するガスとして、シリコンソースガスとハロゲン化物ガスとの混合ガスを用いる。 - 特許庁

To accomplish this coating process, a coating slurry of a mixture of a carrier component of water and a hectorite clay or a bentonite clay, together with a solids component of a source of aluminum, a halide activator, and an oxide dispersant, is prepared.例文帳に追加

この被覆プロセスを達成すべく、ヘクトライト粘土又はベントナイト粘土と水からなるキャリヤ成分と、アルミニウム源とハライド系活性剤と酸化物系分散剤からなる固形成分との混合物からなるコーティングスラリーを調製する。 - 特許庁

The method of forming a doped silicon film includes a first process for increasing a temperature of a liquid material containing the dopant source and higher-order silane compound from a first temperature to a second temperature under a pressurized atmosphere in a vessel.例文帳に追加

ドーパントソースと高次シラン化合物とを有する液体材料の温度を容器中で加圧雰囲気下にて第１温度から第２温度に上昇させる第１工程を含む、ことを特徴とするドープシリコン膜の製造方法。 - 特許庁

Its manufacturing method makes an incident angle time-controlled evaporation and an energy time-controlled evaporation to the object to process in an ion evaporation machine by using the ion flow drawn out from the ion source through the duct to a film forming chamber.例文帳に追加

また、その製造方法は、イオン蒸着装置において、イオン源からダクトを介して成膜室に引き出されるイオン流の被処理基板への入射角時間制御蒸着、エネルギー時間制御蒸着を特徴とする。 - 特許庁

A silicon premelting furnace chamber controlled under different standard provides a continuous supply source of molten silicon to the growth crucible while advantageously eliminating necessity of vertical movement and crucible pull-up system during crystal pull-up process.例文帳に追加

異なる基準で制御されたシリコンプレ溶融炉チャンバは、結晶引上処理中の垂直移動及び坩堝引上システムの必要性を有利に除去した、成長坩堝への溶融シリコンの連続的な供給源を提供する。 - 特許庁

The minimum observation point number calculation process seeks, for every frequency, a number made by subtracting one from the number obtained by dividing a length Q around the sound source by a wavelength equal to or smaller than one eighth of the wavelength for every frequency, as a minimum observation point number M.例文帳に追加

最低観測点数算出過程は、音源の周囲の長さＱを、周波数毎の波長の８分の１以下の波長で除した数から１を引いた数を最低観測点数Ｍとして周波数毎に求める。 - 特許庁

To form a capacitor in a desired location without having restrictions of interconnect lines and the like, to take power source noise countermeasures efficiently, and to configure a large-capacity capacitor in a small area despite the advance of microfabrication in the process technology.例文帳に追加

配線等の制約を受けることなく所望の位置にキャパシタを形成して電源ノイズ対策を効率的に行うことができ、微細化の進んだプロセス技術においても、より少ない面積でより大容量のキャパシタを構成する。 - 特許庁

By checking whether the quality of created actions is acceptable or not, quality problems can be found at an upstream process of a preceding stage mounted as a source code, and the quality itself can be also inspected.例文帳に追加

したがって、作成されたアクションの品質に問題がないかどうかをチェックして、ソースコードとして実装される前段階の上流工程で品質の問題点を発見することができ、品質の面においても検査することができる。 - 特許庁

The sound signal converted by the conversion module 16 is added to a signal from the sound source 5 in a process module 17, converted to an analog signal in the D/A converter 11 and sounded toward outside of the vehicle from a speaker 12.例文帳に追加

変換モジュール１６により変換された音信号は加工モジュール１７において音源５からの信号と加算され、Ｄ／Ａ変換器１１においてアナログ信号に変換され、スピーカ１２から車両外へ向けて発音される。 - 特許庁

The electrode section is formed of a pair of electrodes 46 and 48 which are arranged to face each other on both sides of a discharge tube 40 through which a process gas is made to flow, and a lead 30 which connects one electrode 46 to a high-frequency power source.例文帳に追加

処理用気体を流通させる放電管４０を挟むように対向配置された一対の電極４６，４８と、当該一方の電極４６を高周波電源に接続するリード３０とで電極部を形成する。 - 特許庁

From an initial period P1 to a middle period P2 of an alignment process, the wavelength from a long arc light source LAL through a wavelength cut filter F1 is 230 to 270 nm and the heat H to be applied in the initial period is specified to 100°C and in the middle period to 100 to 150°C.例文帳に追加

配向プロセスの初期Ｐ１と中期Ｐ２にかけては、波長カットフィルタＦ１を通したロングアーク光源ＬＡＬからの波長は２３０〜２７０ｎｍで、与える熱Ｈは初期では１００℃、中期では１００〜１５０℃とする。 - 特許庁

By including a differential amplifier circuit 40 which is operated with the transistor N3 as a current source, as one of components, the voltage drop circuit 24 which is hardly influenced by a change in threshold voltage due to the variations in process or the temperature can be realized.例文帳に追加

トランジスタＮ３を電流源として動作する差動増幅回路４０を構成要素とすることによりプロセスばらつきや温度によるしきい値電圧の変動の影響を受けにくい電圧降下回路２４が実現できる。 - 特許庁

To provide a source solution for bismuth compound that can reduce the use of the solvent in the formation of bismuth-containing thin film through the chemical vaporization deposition (CVD) process and can give the thin film of good flatness over a wide range of the substrate temperature.例文帳に追加

溶液気化ＣＶＤ法によるビスマス含有薄膜の作製において溶媒の使用量を少なくすることができ、かつ広い基板温度範囲で平坦性の良い膜が得られる、ビスマス化合物の原料溶液を提供する。 - 特許庁

In the case that a clear signal is inputted from a clear switch 40 when a power source device 30 is turned on to start operation, a controller 10 executes a clear process clearing information stored in a storage device 20.例文帳に追加

制御装置１０は、電源装置３０がオンとなって動作を開始した時、クリアスイッチ４０からクリア信号が入力されている場合には、記憶装置２０に記憶されている情報をクリアするクリア処理を実行する。 - 特許庁

A controller controls the reversible wire feeding motor so as to be reversed at least once every process cycle, and/or controls the power source so that the required average arc current can be supplied by the power source, and/or controls the reversible motor in response to short-circuit detection and short-circuit cancellation and/or controls reversal frequency in response to molten pool oscillation frequency.例文帳に追加

制御器が、可逆ワイヤ送給モータをプロセス周期毎に少なくとも一回逆転するように制御し、及び／又は所望の平均アーク電流を電源が供給するように制御し、及び／又は可逆モータを短絡検出と短絡解消とに応答して制御し、及び／又は反転周波数を溶融池振動周波数に応答して制御する。 - 特許庁

To provide an inexpensive electric vehicle heating apparatus which is a quite simple system, does not consume an electric amount stored in a battery of the electric vehicle, and avoids a danger in a handling process and a complexity of the heating system when using a liquid fuel as a heating energy source, through the use of a gas fuel as a heating energy source.例文帳に追加

電気自動車のバッテリーに貯蔵した電気量を消費することなく、且つ、暖房用エネルギー源として液体燃料を使用した場合の取り扱い工程における危険性、燃焼装置の複雑性を気体燃料の使用により回避し、極めて簡単な装置により、低廉な電気自動車用暖房装置を提供するものである。 - 特許庁

Image data representing the completeness of cooking of a step specified by the cooking process management data stored in the data file about the cooking item corresponding to the data file is detected, and output to an image display device included in an order source terminal specified by order source identification data stored in the data file for each data file.例文帳に追加

データファイル毎に、そのデータファイルに対応する調理品目の、そのデータファイルに格納されている調理過程管理データにより特定される段階の調理完成度を表わす画像データを検出して、データファイルに格納されている注文元識別データで特定される注文元端末が有する画像表示装置に出力する。 - 特許庁

A metal silicide layer 13b, which includes nickel platinum silicide, is formed by a salicide process, on a source-drain n^+-type semiconductor region 7b of an n-channel type MISFETQn formed on the semiconductor substrate 1 and a gate electrode GE1, and on a source-drain p^+-type semiconductor region 8b of a p-channel type MISFETQp and a gate electrode GE2.例文帳に追加

半導体基板１に形成したｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｎのソース・ドレイン用のｎ^＋型半導体領域７ｂおよびゲート電極ＧＥ１上と、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｐのソース・ドレイン用のｐ^＋型半導体領域８ｂおよびゲート電極ＧＥ２上とに、ニッケル白金シリサイドからなる金属シリサイド層１３ｂをサリサイドプロセスで形成する。 - 特許庁

In the method and the apparatus for ionizing cluster, a cluster ion beam source 5 is included, the cluster ion beam source has a wavelength control mechanism (diffraction grating, aperture slit) capable of controlling the wavelength of the light irradiated on the cluster in a wavelength range having the energy to cause ionization by inner shell electron, and the cluster is ionized in multivalent manner by utilizing Auger process.例文帳に追加

クラスターのイオン化方法または装置において、クラスターイオンビーム源５を備え、該クラスターイオンビーム源を、クラスターに照射される光の波長を内殻電子による電離が起きるエネルギー持つ波長範囲に制御可能とした波長制御機構（回折格子，アパチャースリット）を有する構成とし、オージェ過程を利用してクラスターを多価にイオン化するように構成する。 - 特許庁

A network repeater has: a transfer plane including a plurality of network processors each of which executes a transfer process for transferring received frame data; a control plane controlling the entire network repeater and connected with the network processor communicably; and a power source part supplying power source to each component in the transfer plane and the control plane.例文帳に追加

ネットワーク中継装置は、受信したフレームデータを転送する転送処理を実行する複数のネットワークプロセッサを含む転送プレーンと、ネットワーク中継装置の全体を制御し、ネットワークプロセッサと通信可能に接続された制御プレーンと、転送プレーンと制御プレーンの各構成要素に対して電源を供給するための電源部と、を備える。 - 特許庁

To provide a MOS transistor having an intermediate breakdown voltage structure including a large drain breakdown voltage, small capacitance between a source-drain region and a gate electrode and a high junction breakdown voltage of a channel stop and the source-drain region formed under a field oxide film and capable of controlling the drain breakdown voltage by a simple process.例文帳に追加

ドレイン耐圧が大きく、・ドレイン・ソース領域とゲート電極間の容量が小さく、・フィールド酸化膜下に形成されたチャネルストップとソース・ドレイン領域の接合耐圧の高い、しかもそのドレイン耐圧を制御することのできる中耐圧構造を有するＭＯＳ型トランジスタを簡単なプロセスにより提供することを目的とする。 - 特許庁

The capacitors 106 are formed on a liquid crystal panel 101 at a time together with liquid crystal pixels in a process of forming the liquid crystal pixels on the liquid crystal panel to eliminate the need to mount the capacitors 106 on the source-side drivers 102, thereby reducing the costs of the source-side drivers 102.例文帳に追加

したがって、上記液晶パネル１０１上に液晶画素を作成する工程において、上記コンデンサ１０６を上記液晶画素と共に上記液晶パネル１０１上に一括して作成することにより、上記ソース側ドライバ１０２に、上記コンデンサ１０６を搭載する必要がなくなって、上記ソース側ドライバ１０２のコストを低減できる。 - 特許庁

During the process of source/drain region formation after the formation of a well region and a gate electrode for the construction of this MOS transistor, Ge or Si ions are first implanted for making amorphous the source/drain forming regions, and then two or more species of impurity ions different in mass number but the same in conductivity type are successively implanted into the regions by using the ion implantation method.例文帳に追加

ＭＯＳ型トランジスタの形成において、ウェル領域、ゲート電極を形成した後、ソース・ドレイン領域を形成する際、Ｇｅ又はＳｉをイオン注入してアモルファス化した後、連続して質量数の異なる２種類以上のイオン種で且つ同じ導電型の不純物をイオン注入法により注入することを特徴とする。 - 特許庁

In the period from just before the completion of the deposition process of glass fine particles to the completion, gas jet flow containing no glass source material is blown to near the interface between the end part of the glass fine particles already deposited around the start material and the part where the glass fine particles are not yet deposited so as to interfere with the flame 4 of the glass source material.例文帳に追加

ガラス微粒子の堆積工程終了直前から終了までの間、ガラス原料を含まないガス噴流を、ガラス原料火炎４に干渉するように、すでに出発材の周囲に堆積されたガラス微粒子堆積体の端部と該出発材のまだガラス微粒子が堆積されていない部分との界面近傍に吹き付ける。 - 特許庁

A software program is composed of three kinds of components: a module which describes a process not depending on the platform by a source code [operation module], information, such as the type of the module, input/output information, process time constraint conditions [module auxiliary information], and the time constraint information of a connection configuration or the whole of the module in the software [whole configuration information].例文帳に追加

ソフトウェアプログラムを、プラットフォームに依存しない処理をソースコードで記述したモジュール［演算モジュール］、モジュールの種別や入出力情報や処理時間制約条件などの情報［モジュール付帯情報］、ソフトウェア内のモジュールの接続構成や全体の時間制約情報［全体構成情報］の三種類の構成要素により構成する。 - 特許庁

An etching profile in a superior tapered shape can be obtained without undercutting nor projection phenomenon by wet-etching an Mo/AlNd double film or an Mo/Al/Mo triple film as gate and source/drain wiring materials in a single process, and a dry etching process is excluded to make processes smooth for improved productivity, thereby lowering manufacturing costs.例文帳に追加

ゲート及びソース／ドレイン配線材料であるＭｏ／ＡｌＮｄ二重膜またはＭｏ／Ａｌ／Ｍｏ三重膜を単一工程でウェットエッチングして、アンダーカット及び突出現象なしに優秀なテーパ状のエッチングプロファイルを収得でき、ドライエッチング工程を排除することによって、工程を円滑にして生産性を向上させ、生産コストを低減できる。 - 特許庁

The SMLO may be desirable over an existing source mask optimization (SMO) process or other optimization processes that do not include projection optics optimization, partially because including the projection optics in the optimization may lead to a larger process window by introducing a plurality of adjustable characteristics of the projection optics.例文帳に追加

部分的には、最適化に投影光学系を含むと、投影光学系の複数の調節可能な特性を導入することにより、より大きなプロセスウィンドウをもたらすことができるので、ＳＭＬＯは、既存の光源およびマスクの最適化プロセス（SMO）または投影光学系の最適化を含まない他の最適化プロセスと比較して望ましいものであり得る。 - 特許庁

When the voltage of the 12V power source is lowered from the level LV1 to a lower level LV2, a forcible interruption terminal XNM1 becomes effective because of an action of a backup voltage monitoring circuit and a forcible interruption process is performed (point P8), and the CPU prohibits an access to a RAM after a detection process by a prize ball paying out switch is stopped.例文帳に追加

１２Ｖ電源の電圧がレベルＬＶ１から更に低下しレベルＬＶ２になると、バックアップ電圧監視回路の働きにより強制割り込み端子ＸＮＭＩ端子が有効となり強制割り込み処理が実行され（ポイントＰ８）、ＣＰＵは、賞球払い出しスイッチによる検出処理を停止した後にＲＡＭへのアクセスを禁止する処理を実行する。 - 特許庁

Fabrication process is simplified by forming a Co silicide layer 20 simultaneously on the surface of the gate electrode 7B, source, and drain (n^+-type semiconductor region 16) of an MISFET constituting a logic LSI, and on the surface of a polysilicon film 7 becoming the gate electrode of an MISFET for selecting the memory cell of a DRAM in a subsequent process.例文帳に追加

ロジックＬＳＩを構成するＭＩＳＦＥＴのゲート電極７Ｂ、ソース、ドレイン（ｎ^＋型半導体領域１６）のそれぞれの表面と、後の工程でＤＲＡＭのメモリセル選択用ＭＩＳＦＥＴのゲート電極となる多結晶シリコン膜７の表面とにＣｏシリサイド層２０を同時に形成することによって、製造プロセスの簡略化を実現する。 - 特許庁

The process for producing mesoporous silica particles relates to a process for producing mesoporous silica particles having a meso-micropore structure and includes a step to conduct a reaction in which not less than one kind of a surfactant (a) selected from among cationic surfactants and nonionic surfactants and a silica source (b) are added over time to a water-containing reaction medium (A).例文帳に追加

メソ細孔構造を有するメソポーラスシリカ粒子の製造方法であって、水を含有する反応溶媒（Ａ）に、陽イオン界面活性剤及び非イオン界面活性剤から選ばれる１種以上の界面活性剤（ａ）とシリカ源（ｂ）とを経時的に添加して反応を行う工程を含む、メソポーラスシリカ粒子の製造方法である。 - 特許庁

The present invention is a method for activating an image collecting process (step 34), comprising the steps of releasing the power source of a component essential to the image collecting process from an inhibition imposed by an external magnet, wherein the invention also provides suitable packaging for storing the imaging system having a magnet, designed for the inside of a body lumen.例文帳に追加

本発明は画像収集プロセス（ステップ３４）を起動する方法であって、外部磁石による抑止状態から画像収集プロセスに不可欠な構成要素の電源を開放するステップから構成され、また本発明は体腔内用に設計された、磁石を有する撮像システムを保管する適切なパッケージングを提供するものである。 - 特許庁

To provide a microcomputer system capable of maintaining information, such as program execution states or process results, as much required under the power supply voltage supplied and maintained to the microcomputer system without saving information, such as program execution state or process results, at the time of power interruption in a non-volatile storage region or a storage region having a backup power source.例文帳に追加

電源遮断におけるプログラム実行状態や処理結果等の情報を不揮発性記憶領域やバックアップ電源を備えた記憶領域に退避することなく、マイクロコンピュータシステムに供給維持される電源電圧の下で、必要な限りのプログラム実行状態や処理結果等の情報を保持できるマイクロコンピュータシステムを提供する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the optical fiber preform including the process for heating the glass pipe by the heating source by arranging the glass pipe such that its longitudinal axis becomes substantially horizontal, a place having a displacement amount larger than 1.5 mm due to distortion at a part at which the glass pipe is heated at the heating process is not included.例文帳に追加

ガラスパイプをその長手軸が実質的に水平方向となるように配置して、該ガラスパイプを熱源により加熱する工程を含む光ファイバ母材の製造方法であって、前記加熱する工程において前記ガラスパイプが加熱を受けた部分の撓みによる変位量が、加熱を受ける前に対して１．５ｍｍよりも大きい箇所を含まないようにする。 - 特許庁

To reduce a measurement time and maintenance management manhours by preventing occurrence of unnecessary resource consumption and replacement expense due to replacement of a usable filament in a conventional device by properly predicting and determining disconnection and deformation of the filament of an electron beam source device, and confusion of a process due to a follow-up process in occurrence of sudden disconnection and deformation.例文帳に追加

電子線源装置フィラメントの断線・変形を的確に予測・判定し、従来の装置における使用可能なフィラメントの交換による不必要な資源消費および交換費用の発生ならびに、突然の断線や変形発生時の後追い処理による工程の混乱を防止し、測定時間、保守管理工数を低減する。 - 特許庁

Pairs of the results of sorting the groups and data indicating at least either the group immediately before or after each group are compared between the source work process and the destination work process for comparison, and thereby the number of groups that match between the work processes is counted, and similarities between the work processes are calculated based on the number of groups counted.例文帳に追加

そして、グループのソート結果と、当該グループに対する直前グループ及び直後グループのうち少なくともいずれかを表すデータとの対を、比較元の業務プロセスと比較先の業務プロセスとで比較することにより、業務プロセス間で一致するグループ数を計数し、計数されたグループ数から業務プロセス間の類似度を算出する。 - 特許庁

The present invention relates to an ink jet type printing device wherein source image data are partitioned into a plurality of regions, edge intensification processing is applied thereto, a first N-value process is implemented as banding reduction processing only to a region in which no edge exists and of which a density is a middle tone, and an ordinary N-value process is implemented in the other regions.例文帳に追加

インクジェット方式の印刷装置であって、原画像データを複数の領域に分割すると共にエッジ強調処理を施してから、エッジが存在せずかつ濃度が中間階調の領域に対してのみバンディング低減処理である第１Ｎ値化処理を実施し,その他の領域においてはそのまま通常のＮ値化処理を実施する。 - 特許庁

A source and drain electrodes, video signal wiring, a gate electrode and a part of scanning signal wiring connected with the gate electrode are simultaneously formed by the identical material and process, and the part of the video signal wiring where it crosses with the scanning signal wiring is formed by the identical material and process with which a pixel electrode or reflection electrode is formed.例文帳に追加

ソース・ドレイン電極及び映像信号配線とゲート電極、及びゲート電極に接続する走査信号配線の一部を同一の材料と工程で同時に形成し、且つ映像信号配線が走査信号配線と交差する部分の映像信号配線を、画素電極若しくは反射電極を形成する材料と同一の工程で形成する。 - 特許庁