「source process」に関連した英語例文の一覧と使い方(20ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide: a method for manufacturing an electron emission device that exhibits stability in a manufacturing process and can perform low-voltage and high-efficiency electron emission stably; the electron emission device manufactured by such a manufacturing method; an electron source using the electron emission device; and a high-contrast image display apparatus using the electron source.例文帳に追加

製造過程において安定で、かつ、低電圧で高効率な電子放出を安定して行うことのできる電子放出素子の製造方法、該製造方法で製造された電子放出素子、該電子放出素子を用いてなる電子源、及び、該電子源を利用した、高いコントラストを示す画像表示装置を提供する。 - 特許庁

When executing this photographing process, a light shielding part 203 for partially shielding the illuminating light in the direction for radiating outside the spark gap among the illuminating light turning to the spark plug tip part side from a light source 201, is arranged between the light source 201 of a lighting system 200 as the illuminating means and the spark plug tip part.例文帳に追加

この撮影工程を行うにあたり、光源２０１からスパークプラグ先端部側へ向かう照明光のうち、火花ギャップの外側へ発散しようとする向きの照明光を部分的に遮る遮光部２０３が照明手段としての照明装置２００の光源２０１とスパークプラグ先端部との間において設けられる。 - 特許庁

In this case, while a source electrode 15 and a drain electrode 16 for the p-type TFT, and a source electrode 14 and a drain electrode 16 for the n type TFT are all connected, the above process is performed, and then unnecessary wiring are cut by light irradiation (using a scanning laser exposure device etc) in order to constitute an arbitrary circuit.例文帳に追加

このとき、任意回路を構成するために、まずｐ型ＴＦＴ用のソース電極１５とドレイン電極１６、および、ｎ型ＴＦＴ用のソース電極１４とドレイン電極１６をそれぞれすべて繋いでおいて、上記プロセスを行い、その後、光照射（走査型レーザー露光装置など）により不要配線を切断する。 - 特許庁

This method has a fly ash treating process of treating incineration flying ash by washing with water to remove chlorine, treating the ash by floatation to remove heavy metals and carrying out solid-liquid separation to obtain the solid content and a solid content returning process of returning the solid content to an incinerator serving as a source of flying ash.例文帳に追加

本発明の処理方法は、焼却飛灰に対して、水洗による塩素分の除去処理、及び、浮遊選鉱による重金属の除去処理を行なった後、固液分離して、固形分を得る飛灰処理工程と、該固形分を、焼却飛灰の発生源である焼却炉に返送する固形分返送工程とを含む。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device comprises a process of preparing an underlayer structure having a silicon carbide layer covering copper wiring, and a process of growing silicon oxycarbide through vapor phase growth by using tetramethylcyclotetrasiloxane, carbon dioxide, and oxygen at a flow rate of 3% or less to the flow rate of the carbon dioxide as source gases.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、銅配線を覆うシリコンカーバイド層を有する下地構造を準備する工程と、前記下地構造上に、ソースガスとして、テトラメチルシクロテトラシロキサン、炭酸ガス、炭酸ガスの流量に対して３％以下の流量の酸素を用い、気相成長でシリコンオキシカーバイドを成長する工程と、を含む。 - 特許庁

To control an ink liquid drop with high accuracy by a highly accurate manufacturing process where not only the ejection pressure source but also the nozzle structure, the pressure chamber, the ink supply passage, and the like, are designed optimally in order to realize a high resolution, high speed printer having a small multihead nozzle in ink jet recording according to a conventional manufacturing process.例文帳に追加

従来の製造工程によれば、インクジェット記録において小型、マルチノズルヘッドを有した高解像度、高速プリンタを実現するためには、吐出圧力源だけでなく、ノズル構造、圧力室、インク供給路などが最適設計され、精度の良い製造方法によりインク液滴を精度良く制御することを目的とする。 - 特許庁

Among combinations of numbers of horizontal and vertical pixels that the processing parts support, a combination that is one size greater than the numbers of horizontal and vertical pixels of the source of video signals is used, whereby a process is performed while one-to-one dot correspondence is maintained without extra expansion/contraction during the process.例文帳に追加

上記課題を解決するために、処理部がサポートしている水平及び垂直画素数の組み合わせのうち、映像信号源の水平及び垂直画素数よりも一回り大きものを使用することで、途中余分な拡大・縮小をすることなく１対１のドット対応維持したまま処理を行う。 - 特許庁

The method for growth of the group III nitride compound semiconductor layer using a nitrogen source in the state of radicals, plasmas, or atoms includes a first step for alternately repeating a process to supply only the dopant element, and a process to simultaneously supply a compound including the group III element and a nitrogen raw material.例文帳に追加

ドーパント元素のみを供給するプロセスと、ＩＩＩ族元素を含む化合物と窒素原料を同時に供給するプロセスを交互に繰り返すことからなる第一の工程を含む、ラジカル化、プラズマ化または原子化された窒素源を用いたＩＩＩ族窒化物化合物半導体層の成長方法。 - 特許庁

To provide a thermoelectric generation unit converting thermal energy to electric energy and recovering the energy by using a temperature difference between a heat source temperature within a process and an atmosphere temperature around the process when sensible heat and waste heat generated in a slug yard for slag-off of molten slug are recovered and including a thermoelectric generation module which is not easily deformed.例文帳に追加

溶融スラグを排滓するスラグヤードにおいて発生する顕熱や廃熱を回収する際に、プロセス内の熱源温度とプロセス周辺の雰囲気温度との温度差を利用して熱エネルギーを電気エネルギーに変換して回収する、変形の少ない熱電発電モジュールを具備した熱電発電ユニットを提供する。 - 特許庁

To surely detect any failure generated in a semiconductor manufacturing process even in a semiconductor integrated circuit in which the current values of the rest time power source currents of each element constituting a semiconductor integrated circuit and the fluctuation of the current values are both large, and the inter-semiconductor integrated circuit fluctuation due to a process parameter is large.例文帳に追加

半導体集積回路を構成する各素子の静止時電源電流の電流値とこの電流値のばらつきとが大きく、さらにプロセスパラメータによる半導体集積回路間のばらつきが大きな半導体集積回路であっても、半導体製造プロセスで発生した不具合を確実に検出すること。 - 特許庁

Legitimacy of a memory as standard equipment for firstly making hardware perform a basic operation is checked when a power source is turned on (steps S2, S3), and if the legitimacy is confirmed, a process of executing the start up of the system (step S8) and a process of checking the legitimacy of the expanded optional memory (step S9) are executed in parallel.例文帳に追加

電源投入時にまずハードウェアの基本動作を行わせる標準搭載メモリの正当性をチェックし（ステップＳ２、Ｓ３）、その正当性が確認されたときには、システムの立ち上げを実行する処理（ステップＳ８）と、増設オプションメモリの正当性をチェックする処理（ステップＳ９）とを並行処理する。 - 特許庁

The manufacturing method of the present invention includes: holding a wafer (w) in a reaction chamber 11; supplying a first process gas containing a source gas and a second process gas composed of a hydrogen gas or inert gas onto the wafer (w) alternately in a rectified state; and rotating and heating the wafer (w) to deposit a film on the wafer (w).例文帳に追加

本発明の半導体製造方法は、反応室１１内にウェーハｗを保持し、ウェーハｗ上に、ソースガスを含む第1のプロセスガスと、水素ガスまたは不活性ガスからなる第２のプロセスガスを、交互に整流状態で供給し、ウェーハｗを回転させ、ウェーハｗを加熱してウェーハｗ上に成膜するものである。 - 特許庁

A return passage 18 to return a part of fuel F directed from a plunger 12 toward a delivery valve 14 to a fuel supply source 11, and a subsidiary valve 20 to close or open that are provided, thereby injection of fuel, into a combustion chamber can be conducted in two stages of a preliminary injection process and a main injection process.例文帳に追加

プランジャ１２から吐出弁１４に向かう燃料Ｆの一部を燃料供給源１１に戻す戻り流路１８と、これを閉塞または開くサブバルブ２０を備えることで、予備噴射工程と本噴射行程との２段階に分けて燃焼室内への燃料噴射を行える構成を採用した。 - 特許庁

To solve a problem that a developing device, a photoreceptor and an intermediate transfer body are worn out when toner concentration adjusting processing is performed at monochrome printing process speed (high speed) and color printing process speed (low speed) immediately after the power source of an image forming apparatus is turned on, immediately after a sleep mode is canceled or every time the specified number of sheets are printed.例文帳に追加

装置の電源が投入された直後、あるいはスリープモードが解除された直後、あるいは規定枚数印刷毎に、モノクロ印刷プロセス速度（高速）とカラー印刷プロセス速度（低速）とでトナー濃度調整処理を実行すると、現像装置、感光体、中間転写体が消耗する。 - 特許庁

For an ion source using an arc chamber containing at least one oxidizable metal, the method includes a process of supplying gaseous H_2O to an arc chamber, and a process of making the arc chamber operate within a range of temperature at which, the free energy for formation of gaseous H_2O is lower than the free energy for formation of oxidizable metal oxide.例文帳に追加

本発明の方法は，少なくとも一つの酸化可能な金属を含むアークチェンバーを使用するイオンソースにおいて，ガス状のH_2Oをアークチェンバーに供給する工程と，ガス状のH_2Oの生成自由エネルギーが酸化可能な金属の酸化物の生成自由エネルギーよりも低い温度範囲で，アークチェンバーを動作させる工程と，を含む。 - 特許庁

To provide a silicon member and a method of manufacturing the same, by which changes in the resistivity of the member can be reduced in a semiconductor manufacturing process, particularly, in a plasma processing process, so that uniform wafer processing is achieved, and the silicon member does not act as a source of impurity contamination to a processed wafer and so on.例文帳に追加

半導体製造工程、特に、プラズマ処理工程において、部材自体の抵抗率が変動することを抑制することができ、これにより、ウエハ処理の均一化を図ることができ、かつ、被処理ウエハ等に対する不純物汚染源とならないシリコン部材およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an optical pickup device provided with a spherical aberration correcting apparatus which can correct spherical aberration caused in a process, in which a laser beam emitted from a light source is made incident on an optical recording medium and in a process in which the laser beam is reflected by the optical recording medium, and to provide its spherical aberration correcting method.例文帳に追加

光源から出射されるレーザビームが光記録媒体に入射される過程および光記録媒体から反射される過程で発生する球面収差を補正することができる球面収差補正装置を備えた光ピックアップ装置およびその球面収差補正方法を提供する。 - 特許庁

Then, data outputted from the transmission source process 21 is transmitted to the transmission destination device 12 where the transmission destination process 26 exists in accordance with device information.例文帳に追加

送信元プロセス２１から送信先プロセス２６の名称が指定されると、プロセス−装置情報管理テーブル２２から送信先プロセス２６の存在する送信先装置１２の装置情報を検索し、その装置情報にしたがって送信元プロセス２１から出力されたデータを送信先プロセス２６の存在する送信先装置１２に送信する。 - 特許庁

This method comprises a step to release the power source of constituting elements essential to the image collecting process from a suppressed state by the external magnet activating the image collecting process and provides a suitable packaging for storing the imaging system having a magnet, designed for the inside of a body lumen.例文帳に追加

本発明は画像収集プロセスを起動するにあたり、外部磁石による抑止状態から画像収集プロセスに不可欠な構成要素の電源を開放するステップから構成され、また本発明は体腔内用に設計された、磁石を有する撮像システムを保管する適切なパッケージングを提供する。 - 特許庁

The thin-film transistor manufacturing method includes a process for so patterning a source electrode 3 and a drain electrode 4 on a substrate 2 by the optical use of a charging controlling agent absorbed in the substrate as to form them thereafter by a selective electroless plating; and includes a process for forming an organic semiconductor, a gate insulator, and a gate electrode.例文帳に追加

本発明の薄膜トランジスタの製造方法は、基板２上に、ソース電極３とドレイン電極４とを、基板に吸着させた帯電制御剤を光を使ってパターニングした後、選択的無電解メッキにより形成する工程と、有機半導体、ゲート絶縁体、ゲート電極とを形成する工程を含むものである。 - 特許庁

To provide an image forming apparatus which is set to execute process control with a predetermined timing and further is capable of shortening a first printing time and obtaining a sufficient effect by process control, even while being configured to apply the drive force of a main image forming operation from a single drive source.例文帳に追加

所定のタイミングでプロセス制御を実行するように設定され、さらに、主要な作像動作の駆動力を単一の駆動源によって与えるように構成されている場合であっても、ファーストプリント時間を短縮することができるとともにプロセス制御による効果を十分に得ることができる画像形成装置を提供する。 - 特許庁

The positron emission tomography system includes at least one block detector ring, and the method includes also a process for acquiring an average block busy value about each of block detectors, and a process for determining a model of a count loss as to an optional position of the rod line source, using the average block busy value.例文帳に追加

陽電子放出断層システムは少なくとも１つのブロック検出器リングを含んでおり、また方法は、各ブロック検出器に関する平均ブロックビジーの値を取得する工程と、この平均ブロックビジー値を使用してロッド線源の任意の位置に関するカウントロスのモデルを決定する工程と、を含む。 - 特許庁

To provide a composite MOSFET in which a drain terminal with high voltage resistance in both positive and negative directions to a source terminal and which is formed in one chip through a similar process to that of a conventional power MOSFET.例文帳に追加

ドレイン端子がソース端子に対し、正方向にも負方向にも共に高い耐圧を有し、従来のパワーＭＯＳＦＥＴと同様のプロセスを用いてワンチップで実現可能な複合型ＭＯＳＦＥＴを提供する。 - 特許庁

That can be realized by a process of lowering the contrast and luminance of display data than those at normal time, and an alternation of an element power source voltage (anode/cathode voltage) and a holding capacitance voltage Vsc of pixels from those at normal time, or the like.例文帳に追加

これは、表示データのコントラストや輝度を通常時より低下させる処理、素子電源電圧（陽極、陰極電圧）、画素の保持容量電圧Ｖscを通常時から変更するの変更などによって実現できる。 - 特許庁

To provide a method for determining parameters for projection of a lithographic projecting apparatus to be used for manufacturing a device, in particular, determining the intensity distribution of a radiation source, optical proximity correction rules and process windows by using simple software.例文帳に追加

デバイスの製造に使うリソグラフィ投影装置の投影用パラメータ、特に放射線源強度分布、光学的近接補正規則およびプロセスウインドウを簡単なソフトウエアで決定する方法を提供すること。 - 特許庁

The raw water from the water source is treated with a flocculant, then it may be filtered with the separation membrane having 1-10 μm cutoff particle sizes or processes of a sedimentation treatment or a pressurized floating treatment and a sand filter treatment may be combined with the above process.例文帳に追加

水源からの原水を凝集剤により凝集処理した後、分画粒子径が１〜１０μｍの分離膜で濾過しても良く、沈殿処理または加圧浮上処理、砂濾過の工程を組み合せても良い。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescent display device in which a transmission factor of a light source and a display color level can be effectively improved and moreover, a production process can be effectively simplified and a production yield can be improved.例文帳に追加

光源の透過率及び表示のカラーレベルを有効に向上できるばかりでなく、製造工程も有効に簡易化できかつ製品歩留りも向上できる有機電界発光表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a high calorie gas, by which CO_2 in a low calorie gas by-produced in a steel-making process can be reduced into CO at a low cost and in high reaction efficiency without an expensive carbon source and an outer energy.例文帳に追加

製鉄プロセスで発生する低熱量ガスを高価な炭素源や外部エネルギーを用いずに低コストかつ高い反応効率でＣＯ_２をＣＯに還元させ、高熱量ガスを生成する方法を提供する。 - 特許庁

To provide an induction coupling type plasma source capable of suppressing cost of a device using a general and low cost matching box, and capable of lowing the cost of total process by maintaining yield of treating object.例文帳に追加

一般的で安価なマッチングボックスを用いて装置のコストを低く抑えるとともに、被処理物の歩留まりを高く維持することでプロセス全体のコストを下げることができる誘導結合型プラズマ源を提供する。 - 特許庁

Since a process for masking and etching a part contacting a source electrode 18 is omitted to form the inter-layer insulating film 17 at a required part in self- alignment manner, higher integration is provided and greatly contributes to lowering the on-resistance.例文帳に追加

ソース電極１８にコンタクトする部分をマスクおよびエッチングする工程が省け、セルフアラインで層間絶縁膜１７を必要な部分に形成できるため、高集積化が図れ、低オン抵抗化にも大きく寄与できる。 - 特許庁

To enable the total inspection of thermocouples to be carried out automatically and effectively without the need for any inspection-use heat source, by utilizing welding heat generated in a welding process of an automatic assembling line.例文帳に追加

検査用の熱源を要することなく、自動組立ラインの溶接工程の溶接熱を利用してサーモカップルの検査を全数について自動的に効率良く行うことができるサーモカップルの検査方法を提供すること。 - 特許庁

To solve the problem that a threshold voltage varies with increase in fixed charges due to the rise in the hydrogen concentration in a gate insulation film at hydrogen terminals of defects in a channel region or source-drain region in a hydrogenising process.例文帳に追加

水素化処理におけるチャネル領域やソース・ドレイン領域の欠陥の水素終端において、ゲート絶縁膜中の水素濃度向上により固定電荷増加に伴う閾値電圧の変動が発生する。 - 特許庁

To provide a photoelectric material with sensitivity against a short wavelength light source, with easy film-forming process such as application, thus capable of forming a film at a low cost, with high durability and in consideration of environment such as pollution.例文帳に追加

短波長光源に対して感度を持ち、塗布など成膜工程が容易であり、そのため低コストで成膜ができ、かつ耐久性が高く、公害等環境に配慮した光電子材料を提供する。 - 特許庁

To provide a display device capable of excellently maintaining electron emitting characteristics while intending to simplify its manufacturing process, in the manufacturing method of the display device having a cold cathode in which a carbon based material is used as an electron source.例文帳に追加

電子源として炭素系材料が用いられる冷陰極アレイを有する表示装置の製造方法において、製造工程の簡素化を図りつつ、電子放出特性を良好に維持し得る表示装置を得る。 - 特許庁

To enable each content source to specify a display area (position and size) on a screen, and to enable a user to process the content in the display apparatus.例文帳に追加

各コンテンツソースが画面上の表示領域（位置・大きさ）を指定できるようにすること、ユーザによる表示装置におけるコンテンツへの変更と、コンテンツソース側でのコンテンツ変更を差分情報だけで処理できるようにする。 - 特許庁

In the anodic oxidation treatment process using a treatment vessel filled with electrolyte, a current is made to flow between an electrode 12 and a cathode, while light emitted from an light source irradiates a surface of the polycrystalline silicon layer 3.例文帳に追加

陽極酸化処理工程では、電解液の入った処理槽を利用しており、光源により多結晶シリコン層３の表面に光照射を行いながら下部電極１２と陰極との間に電流を流す。 - 特許庁

To prevent a fogging phenomenon in developer without using a conventional separating mechanism and with a low cost constitution in which a high voltage power source is not newly added, in an image forming apparatus using an electrophotographic process.例文帳に追加

電子写真プロセスを用いた画像形成装置に関し、従来の離間機構を用いることなく、かつ新たに高圧電源を追加することのない安価な構成により、現像剤のカブリ現象を防止すること。 - 特許庁

The service site 106 specifies a presence place of the open source program satisfying a function required by a user from the provision site 102, performs a necessary contract and charging process, and transmits an electronic manual or the like to a user.例文帳に追加

サービスサイト１０６は、ユーザの要求する機能を満たすオープンソースプログラムの存在場所を提供サイト１０２から特定し、必要な契約および課金処理をした後、電子マニュアル等をユーザへ送信する。 - 特許庁

In one embodiment of a seamless active session mobility solution for RLP, an RLP transition process of two stages for shifting the specified states from a source to a target is executed.例文帳に追加

本発明によるＲＬＰ用のシームレスなアクティブ・セッション・モビリティ・ソリューションの一実施形態では、２つの規定された状態をソースからターゲットへ移行するための２つのステージのＲＬＰ移行プロセスが実施される。 - 特許庁

To provide an optical scanning type image display device in which power consumption of a low speed scanning element is reduced when emission intensity of a light source is adjusted or resonance rocking process of a high speed scanning element is performed.例文帳に追加

光源の出射強度調整や高速走査素子の共振揺動処理を行う際に、低速走査素子の消費電力を低減することができる光走査型の画像表示装置を提供する。 - 特許庁

The source/drain electrode layer 15 includes an electrode layer 15a and an upper metal layer 15b so that the electrode layer 15a is prevented from being damaged when an inter-pixel insulating film 17 is patterned and formed in the subsequent process.例文帳に追加

ソース・ドレイン電極層１５が、電極層１５ａと上部金属層１５ｂとを有することにより、その後の工程で、画素間絶縁膜１７をパターニング形成する際、電極層１５ａが損傷を受けずに済む。 - 特許庁

Further, the gate-source voltage of the TFT 6 in a light emission process has a value obtained by adding the threshold voltage of the TFT 6 detected by the threshold voltage detecting means 2 to the potential written by the data writing means 1.例文帳に追加

また、発光工程におけるＴＦＴ６のゲート・ソース間電圧は、データ書き込み手段１により書き込まれた電位に閾値電圧検出手段２により検出されたＴＦＴ６の閾値電圧を加えた値となる。 - 特許庁

A product related creating means 121 reads a product type definition file 100 and a reused product designation file 110 to create a process relationship between a product at a processing source and a product at a processing destination.例文帳に追加

成果物関連生成手段１２１は、成果物種別定義ファイル１００と再利用成果物指定ファイル１１０とを読み込み、加工元の成果物と加工先の成果物間の加工関連を生成する。 - 特許庁

To eliminate the problems, wherein a first capacitive energy store is charged by a DC-voltage source and as a result, a higher loss is generated during a charging process, when a first switch is closed, and a second switch is opened.例文帳に追加

第１のスイッチが閉じられ、第２のスイッチが開かれるならば、第１の容量エネルギ蓄積装置はＤＣ電圧源により充電されるが、その結果として高い損失が充電プロセス中に生じる。 - 特許庁

By a plasma CVD method using a silane-based gas represented by Si_nH_2n+2 (n=1, 2, 3, ...) and a germanium halide gas as source gases, a process for depositing the silicon thin film containing a crystalline structure on a substrate is performed.例文帳に追加

Ｓｉ_nＨ_2n+2（ｎ＝１，２，３,…)で表されるシラン系ガスと、ハロゲン化ゲルマニウムガスとを原料ガスとして用いたプラズマＣＶＤ法により、結晶構造を含むシリコン薄膜を基板上に成膜する工程を行う。 - 特許庁