「source process」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

The method for producing the silicon carbide sintered compact includes: a process of firing a mixture containing ethyl silicate and phenol resin under an inert atmosphere to extract powder of a silicon source that contains a silicon simple substance generated during the generation of a silicon carbide powder body; and a vapor deposition process of depositing the silicon source to a surface of the silicon carbide sintered compact.例文帳に追加

炭化ケイ素焼結体の製造方法は、不活性雰囲気下において、エチルシリケートとフェノール樹脂とを含む混合物を焼成し、炭化ケイ素粉体を生成する過程で生成され、ケイ素単体と一酸化ケイ素とを含むケイ素源の粉体を抽出する工程と、炭化ケイ素焼結体の表面に前記ケイ素源を蒸着させる蒸着工程を有する。 - 特許庁

This film forming equipment 10 includes parallel plate electrodes 16, 22 provided in a reaction chamber 12, gas supply sources 20, 30 for introducing process gases containing SiH4, SiF4, and an oxygen source substance into the reaction chamber 12, valves 36, 38, 40, a gas mixing chamber 28 and a power source 44 for supplying RF power to generate plasma of the process gases.例文帳に追加

成膜装置１０は、反応チャンバ１２内に設けられた平行平板型電極１６、２２と、ＳｉＨ_4、ＳｉＦ_4および酸素ソース物質を含むプロセスガスを反応チャンバ１２内に導入するためのガス供給源２０、３２、３４、バルブ３６、３８、４０、およびガス混合室２８と、プロセスガスのプラズマを生成するためのＲＦ電力を供給する電力源４４と、を備える。 - 特許庁

The mobile communication method includes a process A in which a radio base station DeNB determines a transmission source of "RRC Connection Request", and a process B in which the radio base station DeNB accepts "RRC Connection Request" including the relay node as a transmission source, and accepts or rejects "RRC Connection Request" including a mobile station as a transmission source under restriction control.例文帳に追加

本発明に係る移動通信方法は、無線基地局ＤｅＮＢが、「ＲＲＣ Ｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ Ｒｅｑｕｅｓｔ」の送信元についての判定を行う工程Ａと、無線基地局ＤｅＮＢが、送信元がリレーノードである「ＲＲＣ Ｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ Ｒｅｑｕｅｓｔ」を受け付け、送信元が移動局である「ＲＲＣ Ｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ Ｒｅｑｕｅｓｔ」を、規制制御に基づき、受け付ける若しくは拒絶する工程Ｂとを有する。 - 特許庁

The polluted soil cleaning method has a process for treating polluted soil while using water containing no nutrient composition for pollution source cleaning microorganisms as water subjected to disintegration to disintegrate soil lumps, a process for dehydrating a part of moisture in polluted soil and a process for accumulating partially dehydrated soil at a predetermined deposition position and adding the nutrient composition for polluted source cleaning microorganisms to soil.例文帳に追加

本発明による汚染土壌の浄化方法は、汚染源浄化微生物向け栄養組成物を含まない水を解砕に供する水として使用しつつ汚染土壌を処理して土壌塊を解砕する工程と、その後、上記汚染土壌中の水分の一部を脱水する工程と、その一部の水分が脱水された土壌を所定の堆積位置に堆積させると同時にその土壌に汚染源浄化微生物向け栄養組成物を添加する工程とを有することを特徴とする。 - 特許庁

The image forming apparatus is provided with: a cartridge sensor 73 detecting that a process cartridge 7 is fitted to the image forming apparatus; a drive source 70 applying rotational driving force to a photoreceptor drum 1 in the initial operation of the image forming apparatus; and a torque sensor 72 measuring the torque of the drive source 70.例文帳に追加

プロセスカートリッジ７が画像形成装置に装着されていることを検知するカートリッジセンサ７３と、画像形成装置の初期動作において感光ドラム１に回転駆動力を付与する駆動源７０と、駆動源７０のトルクを測定するトルクセンサ７２と、を備える。 - 特許庁

To obtain an optically active 1-acyloxy-3-hydroxy compound useful for synthesis of natural substance such as prostaglandins or the like, capable of selectively preparing enantiomers in the same process only by exchanging the conformation of an asymmetric source by selectively acylating a hydroxyl group of a mesodiol under the presence of a specific asymmetric source.例文帳に追加

メソ−２−シクロアルケン−１，４−ジオールの水酸基を有機合成の手法により選択的に化学修飾・非対称化して、光学活性な４−アシルオキシ−２−シクロアルケン−１−オールに代表される光学活性な２−シクロアルケン−１−オール誘導体の製造方法を提供する。 - 特許庁

The wire harness 5 consists of bundle(s) of electric wires, in which circuit(s) 51 to constitute a noise source is separated from circuit(s) 52 not to constitute a noise source, and then the circuits 51 and 52 are arranged approximately parallel and integrated to perform a shielding process.例文帳に追加

本発明のワイヤハーネス５は、ワイヤハーネス５を形成する電線束のうち、ノイズ源となる回路５１とノイズ源とならない回路５２を分離した後に、ノイズ源となる回路５１とノイズ源とならない回路５２を略並列して配列し、これらの回路（ワイヤ）５１，５２を統合してシールド処理を行う。 - 特許庁

The present invention relates to a method for manufacturing the optical preform by means of an internal vapor deposition process, in which use is made of an energy source and a substrate tube, in which the energy source is movable over the length of the substrate tube between a point of reversal at the supply side and a point of reversal at the discharge side.例文帳に追加

本発明は、内部蒸着プロセスによって光学予備成形物を製造する方法に関し、エネルギー源および基体管が使用され、エネルギー源は供給側の反転ポイントと排出側の反転ポイントの間で基体管の全長にわたって移動可能である。 - 特許庁

Thereby, difference in electrostatic capacitance between the pixel electrode 62 and the source wiring 54a in one side and the capacitance between the pixel electrode 62 and the source wiring 54b in the other side hardly changes even when a few alignment deviations occur in each interblock in a photographic process.例文帳に追加

こうすることによって、画素電極６２と一側に在るソース配線５４aとの間の静電容量および画素電極６２と他側に在るソース配線５４bとの間の静電容量の差は、フォトリソグラフィ工程において各ブロック間に多少のアライメントずれが生じても殆ど変化しない。 - 特許庁

The method for manufacturing an electrostatic charge image developing toner features that the finer powder as the byproduct in the process of manufacturing the toner from the source material is again used as the source material and that a polyol resin prepared by inactivating the end groups of an epoxy resin is used for the binder resin of the fine powder.例文帳に追加

原料からトナーを製造する工程において副生する微粉を、再び原料として用いると共に、該微粉のバインダー樹脂として、エポキシ樹脂の末端基を不活性化したポリオール樹脂を用いることを特徴とする静電荷像現像用トナーの製造方法。 - 特許庁

To provide: a high performance electron source electrode for field emission having a uniformly erected needle-like projection product material, having high adhesion with a substrate, and manufactured by a few process; a method of manufacturing the same; and an electron source electrode element for field emission.例文帳に追加

本発明の目的は、均一に直立した針状突起生成物を有し、基板との密着性が高く、少ない工程で製造される、高性能の電界放出用電子源電極およびその製造方法ならびに電界放出用電子源電極素子を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a thin film of metal oxide, metal nitride and metal having superior characteristics on a substrate of semiconductor or flat display element according to a time-divisional source supply CVD process in which plasma in synchronization with source supply cycle is used.例文帳に追加

原料供給サイクルに同期させたプラズマを用いる時分割的な原料供給ＣＶＤ法により半導体またはフラット表示素子の基板上に優れた特性を有する金属酸化物、金属窒化物及び金属の薄膜を形成する方法を提供すること。 - 特許庁

The controller 16 puts the spectral width control system 30 in a nonoperating state and oscillates the light source 1 at a first oscillation frequency in the measurement processing, and shifts the spectral width control system 30 to an operating state in the exposure process and makes the light source 1 oscillate at a second oscillation frequency.例文帳に追加

制御部１６は、計測処理ではスペクトル幅制御システム３０を非動作状態にして光源１を第１発振周波数で発振させ、露光処理ではスペクトル幅制御システム３０を動作状態にして光源１を第２発振周波数で発振させる。 - 特許庁

The arrangement of the thin-film transistor array is optimized so that (1) the direction of an electric current flowing in a semiconductor layer 12 coincides with the direction of a source wiring 28, (2) the source and drain electrodes 27, 26 are made in an interdigital configuration, and the like, and an organic semiconductor layer 12 formed by a printing process is stripe-shaped.例文帳に追加

薄膜トランジスタアレイの配置を（１）半導体層１２の電流が流れる方向をソース配線２８の方向と同じにする、（２）ソース・ドレイン電極２７、２６をクシ型形状の電極とする、等の最適化を行い、印刷法による有機半導体層１２をストライプ形状とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for an electron source having excellent electron emission characteristics and having electron emission characteristic having high uniformity and an image forming apparatus by reducing the time required for a manufacturing process for the electron source having a plurality of surface conductive type electron emitting elements.例文帳に追加

表面伝導型の電子放出素子を複数備えた電子源の製造プロセスにかかる時間を短縮し、優れた電子放出特性を有すると共に均一性の高い電子放出特性を有する電子源および画像形成装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

A semiconductor device comprises source regions S1, S2, S3, and the like having source region extended parts S11, S12, S13, and the like extended to parts to become void spaces formed in a layout, by maintaining a depth not reaching an embedded insulating layer of an SOI substrate without obstructing the manufacturing process.例文帳に追加

ＳＯＩ基板の埋め込み絶縁層に到達しない深さを維持すると共に製造プロセス上の支障にならず且つレイアウト上の空所になる部分に延在するソース領域延在部Ｓ_11、Ｓ_12、Ｓ_13などをもつソース領域Ｓ_1 、Ｓ_2 、Ｓ_3 などが形成されてなることを特徴とする。 - 特許庁

The oven apparatus carries out a heating process to an object to be processed put on the hot plate in the oven furnace P by arranging a lower heat source 5 with a gas-burner structure to heat the hot plate itself below the hot plate, wherein the oven is provided with a shift adjusting means 31 to shift and adjust the lower heat source 5.例文帳に追加

オーブン窯Ｐ内の熱板上に置いた被加工物に対し加熱処理を行うよう熱板下方に当該熱板自体を加熱するガスバーナー構造の下部熱源５を配置し、この下部熱源５を移動調整する移動調整手段３１を設ける。 - 特許庁

A sound data processing part 30 is equipped with a plurality of characteristic control systems 300 which constitute the means of simulating sound characteristics in the sound space where a sounding source emitting a sound and a sound reception point for receiving the sound emitted from the sounding source are arranged and which process and output sound data.例文帳に追加

音データ処理部３０は、音を発する発音源と当該発音源から発せられた音を受ける受音点とが配置された音響空間の音響特性をシミュレートするための手段であり、音データを加工して出力する複数の特性制御系３００を備えている。 - 特許庁

A vacuum processing device generally constituted of an enclosure with a plurality of separated chambers formed inside, a gas distribution assembly arranged at each process chamber, a gas source connected to the plurality of separated chambers, and a power source device connected to each gas distribution assembly are provided.例文帳に追加

内部に形成された複数の分離された処理室を有するエンクロージャと、各処理室に配置されたガス分配アセンブリと、複数の分離された処理室に接続されたガス源と、各ガス分配アセンブリに接続された電源とによって一般に構成される真空処理装置を提供する。 - 特許庁

In addition, the device setting manager 127 retrieves an image formation device having a similarity value set in a predetermined range when the remote operation source device is not in a state that it instantly prints, and specifies the image formation device as a substitutional image formation device executing an instant printing process on behalf of the remote operation source device.例文帳に追加

さらに、デバイス設定マネージャ１２７は、遠隔操作元装置が即時印刷可能状態ではない場合に、類似性値が所定の範囲内にある画像形成装置を検索して、遠隔操作元装置に代替して即時印刷処理を行う代替画像形成装置として特定する。 - 特許庁

To provide a light guide plate which can make a plane light source device which can be manufactured by a simple manufacturing process and has a sufficient luminance of emitted light and has a sufficient color reproducing area and a sufficient and uniform luminance of the emitted light when used in a plane light source device of a side light system.例文帳に追加

簡易な生産プロセスで製作可能であって、サイドライト方式の面光源装置に用いられた場合に、出射光の輝度が十分であり、色の再現範囲が十分であり、出射光の輝度の均一化が十分になされる面光源装置が得られる導光板を提供すること。 - 特許庁

Thereby, the difference in the capacitance between the pixel electrode 62 and the source wiring 54a in one side and the capacitance between the pixel electrode 62 and the source wiring 54b in the other side hardly changes, when a few alignment deviations occur in each interblock in a photolithographic process.例文帳に追加

こうすることによって、画素電極６２と一側に在るソース配線５４aとの間の静電容量および画素電極６２と他側に在るソース配線５４bとの間の静電容量の差は、フォトリソグラフィ工程において各ブロック間に多少のアライメントずれが生じても殆ど変化しない。 - 特許庁

The method for forming a tungsten nitride film uses an MOCVD process, in which a tungsten precursor material and a nitrogen source material are charged into a reaction chamber at a predetermined ratio, and the tungsten nitride film is vapor-deposited on a semiconductor substrate at a predetermined temperature, wherein the nitrogen source material is a hydrazine derivative.例文帳に追加

タングステン前駆体物質及び窒素ソース物質を所定割合で反応チャンバー内へ流入し、所定の温度で半導体基板上にタングステン窒化膜を蒸着するＭＯＣＶＤ工程を用いたタングステン窒化膜の形成方法において、窒素ソース物質をヒドラジン誘導体とする。 - 特許庁

A filter performs a digital filtering process by using the digital value of the output of a sound source microphone 20 arranged nearby a dummy sound source 18 and the set filter coefficient and according to the filter output, a control speaker 14 radiates a control sound for reducing noise.例文帳に追加

フィルタは、ダミー音源１８の近傍に配置された音源マイクロホン２０の出力のデジタル値と設定されたフィルタ係数とを用いて、デジタルフィルタリング処理を行ない、このフィルタ出力に基づいて、制御スピーカ１４から騒音を低減するための制御音を放射する。 - 特許庁

In order to correctly obtain effective absorption rate on a surface of a semiconductor substrate, an angular distribution of irradiation light intensity (angular intensity distribution) by a first light source used for calculation of the effective absorption rate is adapted to an angular intensity distribution by a second light source used for an annealing process.例文帳に追加

半導体基板の表面における実効吸収率を正確に求めるべく、当該実効吸収率の算出に用いる第１の光源による照射光強度の角度分布（角度強度分布）を、アニール処理に用いる第２の光源による角度強度分布に適合させる。 - 特許庁

A calcium carbonate source is pulverized into fine particles having a particle size of ≤20 μm through an integrated process in which a pulverizer spontaneously pulverizes the source by utilizing counter air currents generated in a pair of rotary vanes and then the pulverized calcium carbonate is subjected to air suction, so that absorbable properties of the calcium carbonate is improved.例文帳に追加

炭酸カルシウム源を、２枚の回転翼間に生起する対向気流を利用して自生粉砕させる形式の粉砕機と、それに続く空気吸引による一貫した工程を用いて粒径２０μｍ以下の微粉に粉砕し、吸収性を向上させた。 - 特許庁

That is, the power source voltage of the delay inverter circuit 10 is set low using the enhancement type transistor TR1 requiring no special process, read-out speed of a data signal is increased in reference voltage and at the high voltage side within an allowable range of the power source voltage.例文帳に追加

すなわち、特別なプロセスを必要としないエンハンスメントタイプ・トランジスタＴｒ１を用いて、遅延インバータ回路１０の電源電圧を低く設定し、電源電圧の許容範囲内における標準電圧、高電圧側において、データ信号の読み出しを高速化する。 - 特許庁

As an example of a receiving process, when notice that program data can be sent out or a rewrite request is received (step S1), an answer is sent to the request source (step S3), program data sent from the request source are received (step S4), and the control program data of this side are rewritten (step S5).例文帳に追加

受信処理の一例において、プログラムデータの送出可通知もしくは書き換え要求を受信した際（ステップＳ１）、要求元へ応答を送信し（ステップＳ３）、要求元より送信されたプログラムデータを受信し（ステップＳ４）、自らの制御プログラムデータを書き換える（ステップＳ５）。 - 特許庁

As this radiation-current transducing device 10 does not have a structure including a radioactive isotope as an energy source for generating the electric current in a radiation-current transduction process, it can be operated by effectively utilizing an external radiation source 21 such as radioactive waste.例文帳に追加

放射線・電流変換装置１０は、放射線・電流変換工程において、電流を発生させるエネルギ源としての放射性同位元素を内包する構造を有していないため、放射性廃棄物等の外部放射線源２１を有効利用して作動し得る。 - 特許庁

The method for producing flash memory cell is provided with steps such as step for sequentially forming a pad oxide film 22 and a pad nitride film 23 on a wafer 21, and step for performing a source ion implantation process after the pad nitride film in the area planned to form a source S is removed.例文帳に追加

本発明に係るフラッシュメモリ素子の製造方法は、半導体基板２１上にパッド酸化膜２２及びパッド窒化膜２３を順次形成し、ソースＳ形成予定領域の前記パッド窒化膜を除去した後、ソースイオン注入工程を行う段階等の段階を含んでなることを特徴とする。 - 特許庁

While moving a vapor-deposition source 20 relatively to a substrate 1 in the X direction in a process of forming the organic light-emitting element having the organic compound layer by a vapor-deposition method, an organic compound evaporated from the vapor-deposition source 20 is made to be coated on and adhered to the substrate 1 via a shadow mask 10.例文帳に追加

有機化合物層を有する有機発光素子を蒸着法により形成する工程で、蒸着源２０を基板１と相対的にＸ方向に移動させつつ、蒸着源２０からの蒸発する有機化合物をシャドウマスク１０を介して基板１に被着させる。 - 特許庁

The magnetic system can be freely moved at least to one direction in such a manner that the adaptation of the magnetic system to alternative application as an arc source or a sputter source can be achieved during the operation without interrupting a vacuum state in the midst of the cycle of the process.例文帳に追加

磁気システムは、アークソースまたはスパッタソースとしての択一的な適用に対する前記磁気システムの適合が、プロセスのサイクルの最中に真空状態を中断することなく動作中に実現できるように、前記磁気システムが少なくとも一つの方向に自由に移動できる。 - 特許庁

Source image data representing an image are subjected to a complication process of complicating edges in the source image data to create image data for drawing; drawing point data are obtained from the created image data for drawing; and drawing points are formed on a substrate based on the drawing point data to draw an image.例文帳に追加

画像を表す原画像データに、その原画像データのエッジを複雑化する複雑化処理を施して描画用画像データを作成し、その作成した描画用画像データから得られた描画点データに基づいて描画点を基板上に形成して画像を描画する。 - 特許庁

To provide a manufacturing device for electron source capable of eliminating shortage of organic substance on the way of the activating process conducted in the manufacture of an electron emitting element and electron source and of establishing a sufficient activation while the electron emitting characteristics are well maintained.例文帳に追加

電子放出素子及び電子源の製造方法における活性化工程において、良好な電子放出特性を得ることを維持しつつ、活性化工程の途中における有機物質の不足を解消し、十分な活性化を行うことが可能な電子源の製造装置を提供する。 - 特許庁

The method is for manufacturing a ferrite powder containing Y-type ferrite, which comprises a process where an alkali source is added to an aqueous solution of metal salts containing elements constituting the Y-type ferrite and a process where the aqueous solution is irradiated with a microwave for heating and reacting.例文帳に追加

Ｙ型フェライトを含有するフェライト粉末の製造方法であって、前記Ｙ型フェライトの構成成分元素を含有する金属塩の水溶液にアルカリ源を添加する工程と、前記水溶液にマイクロ波を照射して加熱し、反応させる工程を有することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a glass member by which the glass member having uniform thickness and properties can be obtained in the production process for the glass member, comprising a process for heating a glass tube with a heat source moving relatively to the glass tube, and to provide an apparatus for manufacturing the glass member.例文帳に追加

ガラス管に対して相対的に移動する加熱源により前記ガラス管を加熱する工程を含むガラス部材の製造プロセスにおいて、均一な厚み、特性のガラス部材を得ることができるガラス部材の製造方法及びそのための装置を提供すること。 - 特許庁

Specially, the processing part 54 performs the process of carrying out the process so that the processing intensity gradually decreases from inside the processing object area toward the peripheral edge at the part in the source image corresponding to the outline of the specific line width by an outline processing part 54a.例文帳に追加

特に、処理部５４では、元画像データ上の前記所定の線幅の輪郭線に対応する部分においては、前記処理対象領域の内側から周縁に向かって処理強度が漸次低下するように前記処理を施す処理を、輪郭線処理部５４ａによって行なう。 - 特許庁

In a method for manufacturing a semiconductor device for forming two electrodes on a semiconductor substrate and a source region at a region being sandwiched by the gate electrodes in self-aligned manner, a thermal oxidation process for thermally oxidizing the sidewall of the gate electrodes is made before the process for forming a TEOS film.例文帳に追加

半導体基板上に２つのゲート電極を形成し、該ゲート電極に挟まれた領域に自己整合的にソース領域を形成する半導体装置の製造方法において、ＴＥＯＳ膜形成工程前に、該ゲート電極の側壁を熱酸化する熱酸化工程を行なう。 - 特許庁

This method for producing the epitaxial, zinc oxide thin film is characterized by including a process for vaporizing zinc iodide as a zinc source and introducing vaporized zinc iodide onto a substrate and a process for reacting the introduced zinc iodide with oxygen to deposit zinc oxide on the substrate.例文帳に追加

本発明の酸化亜鉛エピタキシャル薄膜の製造方法は、大気圧下において、亜鉛源としてヨウ化亜鉛を気化し基材上に導入する工程と、導入されたヨウ化亜鉛を酸素と反応させて基板上に酸化亜鉛を堆積させる工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

The brightness of a backlight device is changed in accordance with the environmental lighting intensity, high or low, by changing the amount of driving current provided to a light source based on the environmental lighting intensity of the liquid crystal display device and whether or not the backlight scan process (intermittent lighting process) is performed (S4, S22).例文帳に追加

そして，液晶表示装置の環境照度とバックライトスキャン処理（間欠点灯処理）の実行の有無とに応じて，光源に供給する駆動電流を変更することによりバックライト装置の光度を前記環境照度の高低に連動して変更させる（Ｓ４，Ｓ２２）。 - 特許庁

When reception of fax data is requested when the execution conditions of the acquisition process are satisfied, the MFP 100 gives ability information that a printing function is restricted (such as information that color printing is not possible) so as not to make a moment of executing the acquisition process, to facsimile equipment 200 of the transmission source.例文帳に追加

また，ＭＦＰ１００は，取得処理の実行条件を満たしている際にＦＡＸデータの受信要求があると，取得処理の実行契機とならないように印刷機能を制限した能力情報（例えば，カラー印刷が不能である情報）を，送信元のＦＡＸ装置２００に通知する。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor giving no damage to a semiconductor layer in a process for making conductivity of the semiconductor layer comprising an amorphous oxide including In, Ga, and Zn high, and in an etching process of a source electrode and a drain electrode, and to provide a liquid crystal display using the same.例文帳に追加

Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎを含むアモルファス酸化物からなる半導体層の高導電率化工程やソース電極及びドレイン電極のエッチング工程において、半導体層にダメージを与えないような薄膜トランジスタ及びこれを用いた液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

The blast treatment process is preferably a low pressure blast treatment process comprising adding the abrasive to a low pressure high speed air flow generated from a low pressure air-generating source 30 whose exit pressure is 0.3-1.2 kg/cm2 (gauge pressure) and blasting the mixture to the glass pieces 80.例文帳に追加

好ましくは、ブラスト処理工程は、出口圧力が０．３〜１．２ｋｇ／ｃｍ^2 （ゲージ圧）とされた低圧空気発生源３０によって発生された低圧高速空気流に研掃材を混入させてから、これらをガラス砕片８０に吹きつける低圧ブラスト処理工程である。 - 特許庁

When irradiating light from a light source 1 onto a wafer W via an optical system 2 and 2a, either of the processes can be selected that a process wherein a pattern formed on the mask 6 is transferred as it is, and a process wherein an inverted image of the pattern formed on the mask 6 is transferred.例文帳に追加

光源１からの光を光学系２、２ａを介しての、ウエハＷ上への照射は、マスク６に形成されているパターンをそのまま転写する工程と、マスク６に形成されているパターンの反転像を転写する工程とを選択自在におこなえるようにした。 - 特許庁

The method of manufacturing a ZnO-based compound semiconductor layer has a process (a) for preparing a substrate and a process (b) for so forming the ZnO-based compound semiconductor layer as to feed to the upside of the substrate simultaneously at least Zn, O which act as source gases, and S which acts as a surfactant.例文帳に追加

ＺｎＯ系化合物半導体層の製造方法は、（ａ）基板を準備する工程と、（ｂ）前記基板の上方に、少なくともソースガスとしてＺｎ、Ｏ、及びサーファクタントとしてＳを同時に供給してＺｎＯ系化合物半導体層を形成する工程とを有する。 - 特許庁