「step pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(30ページ目) - Weblio英語例文検索

A projection pattern is a combination of 7 kinds of luminance stripes formed by dividing 256 gradations into 6 steps, and arrangement is adopted so that each set of adjacent stripe does not have one-step level difference.例文帳に追加

投影パターンは２５６階調を６段階に分けた７種類の輝度ストライプの組み合わせであるが，隣り合うストライプ同士が１段階のレベル差にならないように配置する。 - 特許庁

At step S703, when they are alternately distributed into two reticles, the area rate of the pattern after division is further approximated to 1:1, and after the division a division wherein the improvement of strength is desired further can be performed.例文帳に追加

それを、ステップＳ703で、交互に２つのレチクルに分配していくと、分割後のパターンの面積比がより１：１に近く、分割後に強度の改善がより望める分割ができる。 - 特許庁

It also stops the driving of a drum motor based on the reception of the defining command (step S894) or the varying pattern command and the contents of the current figure area is copied onto the preceding figure area.例文帳に追加

また、確定コマンド（ステップＳ８９４）や変動パターンコマンドを受信したことにもとづいて、ドラムモータの駆動を停止し、今回図柄エリアの内容を前回図柄エリアに複写する。 - 特許庁

A method for providing a conductive pattern material includes a step of exposing to light and developing a photosensitive material having a silver salt containing layer, and subjecting the photosensitive material further to physical development and/or plating treatment.例文帳に追加

銀塩含有層を有する感光材料を露光し現像し、更に物理現像および／またはメッキ処理を行う工程を含むことを特徴とする導電性パターン材料。 - 特許庁

(Step 2) The crystal size of t is determined by a following equation from a half value width w of a peak observed when q of a scattering vector is in a range of 5<q<30 nm^-1 on the X-ray diffraction pattern acquired.例文帳に追加

（ステップ２）得られたＸ線回折図形で、散乱ベクトル：ｑが、５＜ｑ＜３０ｎｍ^-1の範囲に観察されるピークの半値幅：ｗより次式により結晶サイズ：ｔを求める。 - 特許庁

In the method of manufacturing the conductive film containing a conductive fiber and a polymer, the method includes a dissolution liquid applying step for applying dissolution liquid to the conductive film in pattern shape.例文帳に追加

導電性繊維及びポリマーを含有する導電膜を製造する方法であって、導電膜に溶解液をパターン状に付与する溶解液付与工程を含む導電膜の製造方法。 - 特許庁

The method includes a step of applying a coordinate shift component randomly generated in the X direction and/or the Y direction by coordinate of each design data constituting a drawing pattern.例文帳に追加

描画パターンを構成する各設計データの座標ごとに、ランダムに発生させたＸ方向および／またはＹ方向の座標シフト成分を印加する工程を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

To make it possible that a uniform film pattern having even a large area is formed, by preventing ununiformity of mechanical pressing power, deformation of a substrate itself and the like in a step of heating and pressing for junction.例文帳に追加

接合のための加熱加圧工程における機械的加圧力の不均一性や基板自体の変形などを防止し、大面積であっても均一な膜パターンの形成を可能とする。 - 特許庁

At this time, a direction to reciprocate the irradiation spot of the laser within the micro range is, for example, orthogonal to a main direction in which the light shielding film pattern is extended (step S1, inspection in a 0° direction).例文帳に追加

その際、微小範囲でレーザーの照射スポットを往復させる方向を、遮光膜のパターンが伸びる主たる方向に対して、例えば、直交させる（ステップＳ１、０°の向きでの検査）。 - 特許庁

The substrate is moved in the adjusted speed conditions and the paste is linearly discharged from the nozzle to perform application and formation of the linear finger wiring pattern on the substrate (Step S30).例文帳に追加

調整された速度条件で基板を移動させるとともにノズルからペーストを線状に吐出して基板上に線状のフィンガー配線パターンを塗布形成する（ステップＳ３０）。 - 特許庁

Instead of the steps (2) to (4), a step of removing the catalyst formed on a region, except for the region formed by the wiring pattern by using a laser or the like without forming the resist may be used.例文帳に追加

尚、（２）〜（４）の工程に代えて、レジストを形成せずに配線パターンが形成される領域以外の領域に形成された触媒をレーザ等を用いて除去するようにしても良い。 - 特許庁

Thereafter, the PEB processing is carried out at the corrected heating temperature, a light exposure processing is carried out based on the corrected light exposure quantity, and the predetermined resist pattern is formed on the wafer (step S10).例文帳に追加

以後、補正された加熱温度でＰＥＢ処理を行うと共に、補正された露光量で露光処理を行い、ウェハ上に所定のレジストパターンを形成する（ステップＳ１０）。 - 特許庁

In the step S3a, a push-in tool having a desired fine pattern shape corresponding to the nanodots to be formed is pushed in the thin metal film so as not to penetrate the thin metal film.例文帳に追加

ステップＳ３ａでは、形成すべきナノドットに対応する所望の微細パターン形状を有する押し込み工具を、金属薄膜が貫通しない程度に金属薄膜上に押し込む。 - 特許庁

The pattern forming method is characterized by forming a hard mask layer, providing the step in the hard mask layer and performing anisotropic etching on a substrate using the hard mask layer as an etching mask.例文帳に追加

本発明のパターン形成方法は、ハードマスク層を形成し、該ハードマスク層に段差を設け、該ハードマスク層をエッチングマスクとして基板に異方性エッチングを行うことを特徴とする。 - 特許庁

In a step S_3, an exposure simulation for using the first and second exposing methods is performed for all pattern of the mask patterns, to check the degree of a process margin (process tolerance).例文帳に追加

ステップＳ_３ では、第１及び第２の露光方法を使ったときの古老シミュレーションをマスクパターンの全パターンに対してそれぞれ行い、プロセスマージン（プロセス裕度）の大小を確認する。 - 特許庁

To provide a thin-film pattern formation apparatus and its formation process, which simplify a formation step of a metal thin-film line, shorten the time required for the process, and also simplify its production equipment.例文帳に追加

金属薄膜ラインの成形工程を簡単にし、その作業時間を短縮し、かつ、製造装備を簡素化する薄膜パターン成形装置及びその成形方法を提供する。 - 特許庁

A screen game control means 50 executes a pattern mating game as a first step of a screen game on a variable display means 20 when a ball gets a prize in a special prize hole 12.例文帳に追加

画面遊技制御手段５０は、特定入賞口１２に球が入賞したとき可変表示手段２０上で画面遊技の第１段階として図柄合わせゲームを実行する。 - 特許庁

The rear surface 14 of the head body 1 is formed into a step pattern stepped for each of the piezoelectric substrates 10A to 10D, so that flexible substrates 4A to 4C are easily and surely connected thereto.例文帳に追加

また、ヘッド本体の背面１４は、圧電体基板１０Ａ〜１０Ｄごとに段違いとなる階段状に形成され、フレキシブル基板４Ａ〜４Ｃが容易かつ確実に接続される。 - 特許庁

A printer control unit detects a pattern for detecting spot array inclination on an intermediate transfer belt and acquires inclination information of an optical spot array relative to the main direction (step S307).例文帳に追加

プリンタ制御装置は、中間転写ベルト上のスポット列傾き検出用パターンを検出し、主方向に対する光スポット列の傾き情報を取得する（ステップＳ３０７）。 - 特許庁

At the timing of detecting that the setting result of a special pattern is the combination of the big winning, a performance control circuit detects the setting state of a continuous performance flag in a step S231.例文帳に追加

演出制御回路は特別図柄の設定結果が大当りの組合せであることを検出すると、ステップＳ２３１で連続演出フラグの設定状態を検出する。 - 特許庁

The method further includes a step of floating a transfer film 16 made by printing a plurality of the patterns 13 on a water soluble film substrate 15 on a water surface W and spraying an adhesive on a top surface of the pattern 13.例文帳に追加

水溶性フィルム基体１５に複数の模様１３を印刷してなる転写フィルム１６を水面Ｗに浮かべて模様１３の上面に接着剤を噴霧する。 - 特許庁

To provide a photosensitive sheet which ensures pattern processability with a high aspect ratio without requiring a complicated step nor requiring a special exposing device.例文帳に追加

本発明は感光性シートに関して、複雑な工程を必要とせず、また特殊な露光装置も必要なく高アスペクト比のパターン加工性が得られる感光性シート提供することを課題とする。 - 特許庁

When discriminating that the defined command is received, the CPU discriminates a displaying result based on the varying starting command as a variation pattern command to decide whether to make a jackpot (step S265).例文帳に追加

確定コマンドを受信していると判別したときには、変動パターンコマンドとしての変動開始コマンドに基づいて表示結果を判定し、大当りとするか否かを決定する（ステップＳ２６５）。 - 特許庁

In the sheet lamination step, a unit laminated sheet 13 is formed that includes a ceramic green sheet 10 and an internal electrode pattern 12 positioned on a first main surface 10a of the ceramic green sheet 10.例文帳に追加

シート積層工程では、セラミックグリーンシート１０と、セラミックグリーンシート１０の第１の主面１０ａに位置する内部電極パターン１２と、を有する単位積層シート１３を形成する。 - 特許庁

The method for fabricating the information recording medium includes a step of forming nanorod recording layers on a substrate by sputtering using a mask having a prescribed aspect ratio and a nanorod pattern.例文帳に追加

基板に、所定の縦横比とナノロッドパターンとを有するマスクを利用し、スパッタリング法でナノロッドによるナノロッド記録層を形成する段階を含む情報記録媒体の製造方法である。 - 特許庁

A wiring pattern 30 electrically connected with the electrode 14 is formed in the area where the conductive particles 24 are exposed on the upper end surface of the layer 20 through an electroless plating step.例文帳に追加

無電解メッキ工程によって、層２０の上端面における導電粒子２４が露出した領域に、電極１４と電気的に接続された配線パターン３０を形成する。 - 特許庁

This method includes a step of performing a test in a domain and implementing a first subset of a domain of a plurality of circuits provided with a dynamic defect detection test pattern.例文帳に追加

１つの実施形態では、方法は、ドメイン内テストを実施して、動的欠陥検出テストパターンを実装する複数の回路のドメインの第１サブセットを実行する段階を含む。 - 特許庁

To provide a photomask and a method for manufacturing a semiconductor device capable of suppressing a difference in exposure amounts at a boundary between a circuit pattern area and a multiple exposure area when performing a step exposure.例文帳に追加

ステップ露光の際、回路パターン領域と多重露光領域との境界部の露光量の差を抑えることが可能なフォトマスク及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In step S7003, the width for each wiring of a wiring pattern of input layout data 7001 after wiring is sensed, and the wiring density for each wiring region is sensed.例文帳に追加

工程Ｓ７００３において、配線後の入力レイアウトデータ７００１の配線パターンの配線毎の配線幅を検出したり、配線領域毎の配線密度を検出する。 - 特許庁

The method for forming the silicon film includes a step where a silicon precursor or a solution containing a silicon precursor is applied like a pattern and it is processed thermally and/or optically.例文帳に追加

上記シリコン膜の形成方法は、シリコン前駆体又はシリコン前駆体を含有する溶液をパターン状に塗布し、次いで熱及び／又は光で処理する工程を含むものである。 - 特許庁

The test structure is fabricated in a single photolithography step or with a single reticle or mask and includes substructures 102 and 104a-g having a particular voltage potential pattern during a voltage contrast inspection.例文帳に追加

テスト構造は単一のフォトリソグラフィステップ、単一のレチクルまたはマスクで製造され、電圧コントラスト検査中に特定の電位パターンを有するサブ構造１０２、１０４ａ〜ｇを含む。 - 特許庁

To provide a photosensitive polyamic acid ester composition capable of shortening processing time in a development step in the production of a relief pattern and having high resolution and storage stability.例文帳に追加

レリーフパターン製造時の現像工程における処理時間を短縮可能で、かつ高い解像度と保存安定性を有する感光性ポリアミド酸エステル組成物を提供すること。 - 特許庁

The character aperture in the code book, which most closely resembles the LSI pattern in the extracted region is selected out of the data of character apertures in the selected code book (step S6).例文帳に追加

選び出されたコードブック中のキャラクタアパーチャのデータの中から、抽出された領域のＬＳＩパターンと最も似通ったコードブック中のキャラクタアパーチャを選択する（ステップＳ６）。 - 特許庁

Then, a step is included in which, after a conductive thin film for the lower electrode is formed continuously on the sidewall and bottom of the second contact hole, the second insulating film pattern is removed.例文帳に追加

そして、前記第２コンタクトホールの側壁及び底面に前記下部電極用導電性薄膜を連続的に形成した後、前記第２絶縁膜パターンを除去する段階を含む。 - 特許庁

To surely ground a frame ground pattern on a frame via a clamping screw, without complicating a manufacturing step in a printed board, and to provide a method for grounding the board.例文帳に追加

プリント基板及びそのアース方法に関し、製造工程を複雑化することなく且つ確実に、固定ビスを介してフレームグランドパターンをフレームにアースさせることを目的としている。 - 特許庁

Preferably, steps are formed on a top of the pattern termination portion, and two ridge-like protrusions are formed on a lower surface of a step at a front end side in the steps, so that a position of a solder ball is stabilized.例文帳に追加

好ましくは、パターン終端部の上面に段差を形成し、該段差のうちの先端側の低い面上には２本の尾根状突起部を形成し、半田ボールの位置を安定させる。 - 特許庁

To provide an etching method whereby, in selectively etching a polysilicon film on a lower layer film having steps to form a specified pattern, a part of the polysilicon film existing at a step region of the lower layer film can be perfectly removed and a pattern can be formed accurately with suppressing the side etching occurring at the sidewall of the pattern on the polysilicon film.例文帳に追加

段差を有する下層膜上に形成されたポリシリコン膜を選択的にエッチングして所定パターンを形成する際に、下層膜の段差部領域に存在するポリシリコン膜の一部を完全に除去でき、かつポリシリコン膜のパターンの側壁に発生するサイドエッチングを抑制しつつ精度良くパターンを形成可能なエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide an organic anti-reflective coating composition which can prevent a phenomenon that a photoresist pattern is damaged or collapsed by an acid excessively generated from an exposed portion and diffusing up to an unexposed portion by a photoacid generating agent included in a photoresist film in a step of forming a photoresist pattern by exposure, and to provide a method for forming a pattern by using the composition.例文帳に追加

露光を通じてフォトレジストパターンを形成する過程で、フォトレジスト膜に含まれた光酸発生剤により露光部位から過度に発生した酸が非露光部位まで広がることによって、フォトレジストパターンが損傷したり、崩れたりする現象を防止できる有機反射防止膜組成物及びこれを利用したパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

When a pattern formed through a developing step by utilizing a photoresist composition containing a thermal acid generator is reheated, acid is generated from the thermal acid generator, as a result the photoresist composition causes a crosslinking reaction under the action of the acid and pattern width slimming due to SEM beams for CD measurement in SEM after pattern formation can be prevented.例文帳に追加

熱酸発生剤（thermal acid generator）を含むフォトレジスト組成物を利用することにより、現像工程を経て形成されたパターンを再び加熱することにより熱酸発生剤から酸が発生し、これからフォトレジスト組成物が架橋反応を引き起こし、パターン形成後ＳＥＭでＣＤ測定時にＳＥＭビームによりパターンの幅のが減少を防ぐことができる。 - 特許庁

The micromachining method of the substrate includes each step for forming a magnetic film on the substrate, adding a desired magnetic pattern to the magnetic film, sprinkling magnetic powder onto the magnetic film where the magnetic pattern is given, selectively concentrating the magnetic powder according to the magnetic pattern, and performing reactive ion etching with the centrally arranged magnetic powder as a mask.例文帳に追加

基板の微細加工方法であって、基板上に磁性膜を形成し、磁性膜に所望の磁気パターンを付与し、磁気パターンの付与された磁性膜上に磁性粉を振りかけて、磁性粉を磁気パターンに応じて選択的に集中させ、集中配置された磁性粉をマスクとして反応性イオンエッチングを行なう各ステップを含んでいる。 - 特許庁

In a variable display pattern setting processing (step S42) "10H" or "11H"-"14H" are selected as a data of one byte (status) depending on whether addition time is added to the variation time of special symbols or not and combined with the data of 2 byte (mode) in a variable display pattern determined to set up a 2 byte structured variable display pattern command.例文帳に追加

変動表示パターン設定処理（ステップＳ４２）では、特別図柄の変動時間に加算時間を加算するか否かに応じて「１０Ｈ」または「１１Ｈ」〜「１４Ｈ」を１バイト目（ステータス）のデータとして選択し、決定された変動表示パターンの２バイト目（モード）のデータと組み合わせた２バイト構成の変動表示パターンコマンドをセットしている。 - 特許庁

In the area of a semiconductor device manufacturing mask 200 except for a real pattern 202, a square dummy pattern 204, for example, having one side of 0.25 μm or less is inserted and the pattern density is made uniform, and an etching processing can be performed without changing conditions for every semiconductor device manufacturing mask and the global step of a post-CMP interlayer insulation film is not increased.例文帳に追加

半導体製造用マスク２００内の実パターン２０２以外の領域に，例えば一辺が０．２５μｍ以下の正方形のダミーパターン２０４を挿入し，パターン密度を均一化して，半導体製造用マスク毎に条件を変えることなくエッチング処理を行えるとともに，ＣＭＰ後の層間絶縁膜のグローバル段差を増大させないようにする。 - 特許庁

The process for manufacturing a semiconductor device comprises a step for opposing the electrode 12 of a semiconductor chip 10 and a wiring pattern 22 each other through a solder 30 containing bismuth, and a step for forming a conductive portion 40 connecting the electrode 12 and the wiring pattern 22 electrically by thermally melting the solder 30 at a temperature between the melting point and 300°C and then hardening the solder.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、半導体チップ１０の電極１２と配線パターン２２とを、ビスマスを含有するはんだ３０を介して対向させること、及び、はんだ３０を、融点以上３００度未満の温度で加熱して溶融させ、その後硬化させて、電極１２と配線パターン２２とを電気的に接続する導電部４０を形成することを含む。 - 特許庁

This questionnaire evaluation method, which is provided with a response result table for collecting the response results of the questions and dummy questions of questionnaires, comprises a step for calculating a pattern showing mental tendency based on the answer results of one or both of the questions and the dummy questions in the response result table and a step for calculating coefficients corresponding to the pattern to correct the response results.例文帳に追加

アンケートの質問およびダミー質問の回答結果を収集する回答結果テーブルを設け、回答結果テーブル中の質問およびダミー質問の一方あるいは両方の回答結果をもとに心理的傾向を表すパターンを算出するステップと、パターンに対応した係数を算出して回答結果を補正するステップとを有するアンケート評価方法である。 - 特許庁

The process for manufacturing a photoelectric converter comprises step A for providing a bank pattern having an opening for exposing a part of the surface of one of two electrodes, and a bank surrounding the opening on the surface of one conductive layer; and step B for laminating a plurality of semiconductor layers in the opening along the thickness direction of the bank pattern.例文帳に追加

光電変換装置の製造方法が、２つの電極の一方の表面を部分的に露出する開口部と、前記開口部の周囲を囲むバンク部と、を有するバンクパターンを前記一方の電極の前記表面上に設ける工程Ａと、前記開口部内で前記複数の半導体層を前記バンクパターンの厚さの方向に沿って積層する工程Ｂと、を包含している。 - 特許庁