「step pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(27ページ目) - Weblio英語例文検索

Then, the data for determining variation patterns is set corresponding to the types of variation pattern determined (step S274) to determine more detailed variation patterns (steps S275 and S276).例文帳に追加

そして、決定した変動パターン種別に応じた変動パターン判定用データをセットし（ステップＳ２７４）、より詳細な変動パターンを決定する（ステップＳ２７５、Ｓ２７６）。 - 特許庁

To provide a method for forming a fine uneven pattern on a substrate using a resin film, which can form the uneven pattern accurately at a position at which the uneven pattern is to be formed on the substrate even when the dispersion in shrinking ratios of the resin film, the change in temperature in an alignment step or the like occurs.例文帳に追加

樹脂製フィルムを用いて基板上に微細な凹凸パターンを形成する方法であって、樹脂製フィルムの収縮率のバラつきや位置合わせ工程における温度変化等があっても、基板上の凹凸パターンを形成すべき位置に精確に凹凸パターンを形成する方法を提供する。 - 特許庁

This reciprocating pattern type flow path selector valve, constituted by a cylinder with connection end to a plurality of pipes and a piston, internally having a flow path pattern corresponding to the concerned connection end in a plurality of steps, switches at a stroke a straight pipe and/or curved pipe flow path as a pattern step of narrow space not by rotation but by piston reciprocating motion.例文帳に追加

複数配管の接続端付きシリンダーと、当該接続端に対応する流路パターンを複数段に内有するピストンとから構成される、回転によらないピストン往復動で、狭い間隔のパターン段として直管及び又は曲管流路を一挙に切換える往復パターン式流路切換え弁とする。 - 特許庁

A reference pitch pattern SP having substantially fixed pitch and extending in the direction of its width (direction X of main scanning) and a variable pitch pattern VP whose pitch is changed at substantially fixed ratio are formed to overlap mutually while conveying the print sheet P1, thereby forming a gradation pattern GP in which shading is changed in the direction of paper width (step S4).例文帳に追加

プリントシートＰ１を搬送しながら、その幅方向（主走査方向Ｘ）に延びる略一定ピッチの基準ピッチパターンＳＰと、略一定の割合でピッチの変化する変更ピッチパターンＶＰとを、互いに重なるようにして形成し、これにより、ペーパ幅方向に濃淡の変化するグラデーションパターンＧＰを形成する（ステップＳ４）。 - 特許庁

In step S404, a plurality of bar intervals of the magnetic pattern are calculated from the plurality of measured peak intervals, and each of the calculated bar intervals is converted into a "wide" interval or a "narrow" interval of the bar interval pattern based on pattern conversion consisting of two steps, S405 and S412.例文帳に追加

ステップＳ４０４において、測定した複数のピーク間隔から磁気パターンの複数バー間隔を算出し、算出した複数のバー間隔のそれぞれをステップＳ４０５及びステップＳ４１２の２段階からなるパターン変換に基づいて、バー間隔パターンの「広い」間隔または「狭い」間隔に変換する。 - 特許庁

In addition, it is manufactured through a step for forming a photo resist in plane-symmetrical manner to the glass cloth on both surface of the glass cloth, evenly exposing both surface thereof by means of a mask with a specified pattern, developing the photo resist and forming a specified photo resist pattern on both surfaces thereof, and applying electrolytic plating to form a conductor pattern.例文帳に追加

この電子部品は、ガラスクロスの両面にガラスクロス面対称にフォトレジストを形成する工程、所定のパターンのマスクを介してガラスクロスの両面を同じに露光し、現像してガラスクロスの両面に所定のフォトレジストパターンを形成する工程、及電解メッキを施して導体パターンを形成する工程を用いて製造される。 - 特許庁

The method comprises the steps of forming an insulation spacer on a conductive layer pattern and a sidewall of the conductive layer pattern by a predetermined pattern through an ordinary step, removing an insulation film spacer formed on a region other than a region where a contact plug is to be formed, and entirely forming an interlayer insulation film on an upper part.例文帳に追加

通常の工程を経て所定のパターンで導電層パターン及び導電層パターンの側壁に絶縁膜素ぺーサを形成する段階と、コンタクトプラグが形成される領域以外の領域に形成された絶縁膜スペーサを除去する段階と、全体上部に層間絶縁膜を形成する段階とを含んでなる。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device includes a step of forming a conductor pattern 7a on a main surface of a multilayer wiring substrate 6, covering the conductor pattern 7a with an insulating thin film 9, and adhering a semiconductor chip 1 oppositely to a rear surface of the conductor pattern 7a via this insulating thin film 9 with a conductive adhesive 10.例文帳に追加

多層配線基板６の主面に導体パターン７ａを形成し、さらに導体パターン７ａを絶縁性薄膜９によって覆った後、この絶縁性薄膜９を介在して、導体パターン７ａ上にその裏面を対向させて半導体チップ１を導電性接着剤１０により接着する。 - 特許庁

The pattern display control means performs two-step stop display control by temporarily stopping an adjoining region W1b adjacent to the central region W1a of a high dividend pattern W1, thereafter stopping the central region W1a on the prize line L1 to display at a standstill the high dividend pattern W1 on the prize line L1.例文帳に追加

図柄表示制御手段は、高配当図柄Ｗ１の中央領域Ｗ１ａに隣接する隣接領域Ｗ１ｂを一時停止させた後に、中央領域Ｗ１ａを入賞ラインＬ１上に停止させて、高配当図柄Ｗ１を入賞ラインＬ１に停止表示させる二段階停止表示制御を行う。 - 特許庁

To provide a photosensitive paste capable of ensuring a long paste stabilization period (in which the paste is kept in a usable state without gelling), a thick film pattern forming method using the photosensitive paste, and a method for producing an electronic component including a step of forming a thick film pattern by the thick film pattern forming method.例文帳に追加

長いペースト安定期間（ゲル化せず使用可能な状態が保たれる期間）を確保することが可能な感光性ペースト、該感光性ペーストを用いた厚膜パターンの形成方法、および、該厚膜パターンの形成方法により厚膜パターンを形成する工程を備えた電子部品の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a pattern forming material capable of pattern formation without carrying out a developing step after exposure and capable of forming definite two regions having a great difference between hydrophilicity and hydrophobicity by a polarity change and to provide an image forming material using the pattern forming material and capable of forming a high resolution image.例文帳に追加

露光後、現像工程を行うことなくパターン形成が可能であり、かつ、極性変化により親水性と疎水性の差が大きく明確な２つの領域を形成することが可能であるパターン形成材料、及びそれを用いた高解像度の画像形成が可能な画像形成材料を提供することを目的とする。 - 特許庁

This device is provided with a test pattern generating section generating a test pattern consisting of plural steps, a test pattern applying section, a test deciding section, an address conversion section, and plural expansion fail memory section storing pass/fail map information consisting of plural steps converted by the address conversion section distributing for each step.例文帳に追加

本発明は、複数のステップからなるテストパターンを生成するテストパターン生成部と、テストパターン印加部と、テスト判定部と、アドレス変換部と、該アドレス変換部で変換された複数のステップからなるパス／フェイルマップ情報をステップ毎に振り分けて記憶する複数の拡張フェイルメモリ部とを備えたことを特徴とする。 - 特許庁

By the configuration, in the formation of a desired three-dimensional structure pattern on the substrate, the hard mask layer is the material of a high etching selection ratio to the substrate, so that the step of the hard mask layer corresponding to the three-dimensional structure pattern to be formed can be made smaller than the desired three-dimensional structure pattern.例文帳に追加

本発明の構成によれば、所望する３次元構造パターンを基板に形成する場合、ハードマスク層は基板に対してエッチング選択比が高い材料であるため、形成する３次元構造パターンに対応するハードマスク層の段差は、所望する３次元構造パターンよりも小さくすることが出来る。 - 特許庁

The phase shift reticle 100 includes a semi-transmission circuit pattern region 1 and a peripheral region 2 surrounding the circuit pattern region 1, wherein the oblique boundary line of a chamfered portion 5 in the boundary line partitioning the circuit pattern region 1 and the peripheral region 2 is formed as a step-like boundary line 51.例文帳に追加

半透光化された回路パターン領域１と、該回路パターン領域１を取り囲む周辺部領域２とを有し、該回路パターン領域１と周辺部領域２とを区画する境界線のうら、面取り部５の斜め境界線が階段状境界線５１になっているように位相シフトレチクル１００を構成する。 - 特許庁

Consequently, the device can previously relate the sewing pattern program to the external device control program (Step S4) not only for the sewing pattern program to be executed soon but also for the other sewing pattern programs to be executed after the program, and can reduce the probability of causing the selection error of the external device control program.例文帳に追加

これより、直近実行予定の縫製パターンプログラムだけでなく、その後に実行予定の他の縫製パターンプログラムについても縫製パターンプログラムと外部機器制御プログラムとを予め関連付けることができ（ステップＳ４）、外部機器制御プログラムの選択ミスを誘発させる確率を減少させる。 - 特許庁

When corresponding to the road, the road is replaced with a specified road pattern stored preliminarily (step S4), deformation processing is carried out using the linearization and orthogonalization processing when not corresponding thereto (stepS5), and the abridged map is prepared thereby to be displayed (step S9).例文帳に追加

これらの道路である場合は、予め記憶している特定の道路形状パターンに置き換え（ステップＳ４）、そうでない場合は直線化、直交化処理を用いたディフォルメ処理を実行して（ステップＳ５）、要約地図を作成して表示する（ステップＳ９）。 - 特許庁

The image processing method for structured optical profile comprises a step for sampling the image (28) of a structured optical pattern (18) in order to obtain intensity distribution (36), and a step for selecting two or more sets of the points (43) sampled from the intensity distribution.例文帳に追加

構造化光プロファイルに関する画像処理方法は、強度分布（３６）を得るために構造化光パターン（１８）の画像（２８）をサンプリングすることと、強度分布からサンプリングされたポイント（４３）の複数の集合を選択することとを含む。 - 特許庁

The production method of the sheet with the magnetic pattern includes the step of applying the magnetic ink produced by the magnetic ink by the production method of the magnetic ink including the step of mixing the magnetic colloid with the silver colloid to one surface of the white sheet substrate.例文帳に追加

磁性体コロイドと銀コロイドを混合する工程を有する磁気インクの製造方法によって製造された磁気インクを、白色系のシート基材の一方の面に塗布する工程を有する磁気パターンを有するシートの製造方法。 - 特許庁

To provide a footwear which can be used in a stable posture at an early time, can easily adjust inclination angle step by step as the footwear, that stimulates and strengthens leg muscles, if it gets used, and can obtain a suitable usage pattern matched with the present condition of the user.例文帳に追加

初期に安定姿勢で使用でき、慣れれば、脚筋に対して刺激を与え、強化する履物として、その傾斜角度を容易に段階的に調節できるようにし、使用者の現況に合わせた好適使用形態が得られるようにすること。 - 特許庁

The process for fabricating an electronic device comprises a step for forming a recess along a circuit pattern to be formed on a substrate, and a step for forming a high polymer film having anisotropy in the conducting direction by using high molecular ink.例文帳に追加

本発明に係る電子装置の製造方法は、基板の上に、形成すべき回路パターンに沿って、凹部を形成する工程と、前記凹部の上に、高分子インクを用いて電導方向の異方性を有する高分子膜を形成する工程と、を含む。 - 特許庁

When special patterns ('HDK' or '560') being different from a big hit pattern is stopped at the three display positions of a main display unit(step S7: YES), a held number obtaining game mode is performed which holds change operations for the portion of several times (step S11).例文帳に追加

メイン表示器の３つの表示位置に大当たり図柄とは異なる特別図柄（「ＨＤＫ」または「５６０」）が停止された場合（ステップＳ７でＹＥＳ）、多数回分の変動動作を保留可能な保留数取得遊技モードを実行する（ステップＳ１１）。 - 特許庁

If the plum small winning combination in the ready-to-win state is winnable, the plum small winning combination is won for termination in step S250, and if it is not winnable, a special pattern is displayed to set an RT1 state for termination in step S260.例文帳に追加

リーチ状態となったプラム小役が入賞可能であればステップＳ２５０でプラム小役を入賞させて終了する一方、入賞不可であればステップＳ２６０で特殊図柄を表示し、ＲＴ１状態にして終了する。 - 特許庁

The CPU refers to a chaining rule table stored in a chaining rule table ROM to retrieve a chain pattern about 'the classification' of the input word (step S4) and updates a first reference date in accordance with a corresponding interpretation rule (step S5).例文帳に追加

ＣＰＵは、連鎖ルールテーブルＲＯＭに記憶されている連鎖ルールテーブルを参照して、入力単語の「種別」についての連鎖パターンを検索し（ステップＳ４）、さらに対応する解釈ルールから第１の基準日時を更新する（ステップＳ５）。 - 特許庁

While using the said separated data, a sewing order, partial pattern and thread color name are displayed (step S26), further, the color display data are synthesized according to the sewing order (step S27), and similar processing is repeated concerning all the thread colors (steps S28 and S29).例文帳に追加

上記分離後のデータを用いて、縫製順、部分模様、糸色名称を表示し（ステップＳ２６）、更にカラー表示データを縫製順に従って合成し（ステップＳ２７）、全ての糸色に対して同様の処理を繰り返す（ステップＳ２８、ステップＳ２９）。 - 特許庁

The invention relates to the method for manufacturing of the mechanical part including a step providing a substrate 53 made of micro-machinable material, and a step etching, with help of photo-lithography, a pattern that includes the mechanical part over the entire substrate 53.例文帳に追加

マイクロ機械加工可能材料から構成される基板５３を用意するステップと、フォトリソグラフィを用いて、前記基板５３の全体にわたって機械パーツを含むパターンをエッチングするステップとを含む、機械パーツを製造する方法に関する。 - 特許庁

The photomask has a mask substrate, a step for placing an offset at an optimum focus position arranged on the mask substrate, and a monitor pattern having the properties of varying the size of the step region by focus variation of the exposure light.例文帳に追加

本発明のフォトマスクは、マスク基板と、前記マスク基板上に配置された最適フォーカス位置にオフセットを載せるための段差と、前記段差領域に露光光のフォーカス変動により寸法を変化させる性質を持つモニターパターンを有するものである。 - 特許庁

The step of preparing the plurality of masks includes a step of distributing a layout pattern group LPG1 into a plurality of masks in consideration of sizes of the layout patterns LP1 to LP4 according to the characteristics of exposure steps using the respective masks.例文帳に追加

複数枚のマスクを準備する工程は、複数枚のマスクのそれぞれを用いる露光工程の特性に応じて、レイアウトパターンＬＰ１〜ＬＰ４のサイズを考慮して、レイアウトパターン群ＬＰＧ１を複数枚のマスクに分配する工程を含む。 - 特許庁

The set temperature of a heater 62 being built in a heating plate 61 is adjusted from the correlation between the previously found step and the final line width of a pattern consisting of a coating film on the substrate in after continuous treatments on the substrate so that the step is confined within the prescribed extent.例文帳に追加

予め求められている前記段差と一連の基板処理後の最終線幅との相関関係から，前記段差が所定の範囲内に納まるように，熱板６１に内蔵されているヒータ６２の設定温度を調節する。 - 特許庁

When prescribed stopped symbols are displayed on a part or the whole of a plurality of reels (a step S203/Yes), a sub-control board selects the presentation pattern for announcing the information related to set values and announces the information (steps S205-207, and a step S209).例文帳に追加

サブ制御基板は、複数のリールのうちの一部又は全部が所定の停止図柄となった場合に（ステップＳ２０３／ＹＥＳ）、設定値に係る情報を報知するための演出パターンを選択し、報知する（ステップＳ２０５〜ステップＳ２０７、ステップＳ２０９）。 - 特許庁

The pattern forming apparatus 100 carries out the steps of: scanning a base material 303 with a CCD camera 302 to acquire the image data or the like of an alignment mark (step 502); and subjecting the image data to image processing to acquire the measurement data relating to the base material length (step 503).例文帳に追加

パターン形成装置１００は、ＣＣＤカメラ３０２により基材３０３上を走査し、アライメントマークの画像データ等を取得し（ステップ５０２）、画像データについて画像処理を行い、基材長に関する測定データを取得する（ステップ５０３）。 - 特許庁

When the value of Dev run is lower than the threshold Th (N in step S23), since the image is considered to be a natural image, the image data are quantized by a truncated pattern for a natural image, and is encoded by the JPEG2000 algorithm (step S25).例文帳に追加

ＤｅｖＲｕｎの値が閾値Ｔｈより小さい場合は（ステップＳ２３のＮ）、画像は自然画像的なものとみなされるため、画像データは自然画像用のトランケートパターンで量子化し、ＪＰＥＧ２０００アルゴリズムで符号化する（ステップＳ２５）。 - 特許庁

A plurality of leads formed in specific pattern on an insulating base material 1 (e.g. resin film) each have a step part 5 formed at one end and on the insulating base material 1, an insulating resin layer 3 is formed covering step parts 5.例文帳に追加

絶縁基材１（例えば、樹脂フィルム）上に所定パターンに形成された複数のリード２のそれぞれの一端に段部５が形成されていると共に、この段部５を被覆するように絶縁基材１上に絶縁樹脂層３が形成されている。 - 特許庁

On the basis of the equivalent circuit 21 using the updated adjustable parameters, a voltage drop ΔV when a battery 12 is made to discharge in a prescribed current pattern is estimated (step S8) to determine the discharge capacity of the battery 12 (step S9).例文帳に追加

そして、更新された調整パラメータを用いた等価回路２１に基づき、所定の電流パターンでバッテリ１２から放電させたときの電圧降下ΔＶを推定し（ステップＳ８）、バッテリ１２の放電能力を判定している（ステップＳ９）。 - 特許庁

A primary etching step forms contact holes (symbol 200 in Figure 4) on the interlayer insulating film 105 as well as removes the spacer film 109, followed by a secondary etching step for removing the hard mask film pattern 106a.例文帳に追加

第１のエッチング工程で層間絶縁膜１０５にコンタクトホール（図４中の符号２００）を形成し、スペーサ膜１０９も第１のエッチング工程にて除去し、ハードマスク膜パターン１０６ａを除去するための第２のエッチング工程を実施する。 - 特許庁

When decoding of RSS_Limited is normally completed ("Yes" in step A15), a control circuit of a bar code reader determines whether a character code of UPC-A/EAN-13 exists at least at one of both ends of a code pattern of RSS_Limited (step A18).例文帳に追加

バーコード読取装置の制御回路は、RSS＿Limitedのデコードが正常に終了した場合は（ステップＡ１５：「ＹＥＳ」）、RSS＿Limitedのコードパターン両端部の少なくとも一方に、ＵＰＣ−Ａ／ＥＡＮ−１３のキャラクタコードが存在するか否かを判定する（ステップＡ１８）。 - 特許庁

A manufacturing method of a printed circuit board includes a step of forming an electroless plating layer on an insulating layer and a step of forming a circuit pattern by applying conductive ink on the electroless plating layer by making use of an ink jet system.例文帳に追加

本発明による印刷回路基板の製造方法は、絶縁層に無電解メッキ層を形成する工程と、無電解メッキ層にインクジェット方式で導電性インクを塗布して回路パターンを形成する工程と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

In the optical communication system, a light transmitter 1s of a master station 1 becomes an error measuring mode after starting, transmits a test pattern signal memorized in a mode slave station 3 side by the maximum output, and repeatedly transmits decreasing the transmission output step by step by a predetermined level difference.例文帳に追加

親局１の光送信器１ｓは、起動後、エラー測定モードになり、モード子局３側が記憶したテストパターン信号を最大出力から送信し、所定のレベル差で１段ずつ送信出力を下げて繰り返して送信する。 - 特許庁

The method of manufacturing the pattern form includes a step in which an agent for transforming the surface material of a substrate is attached to the surface material of the substrate in the shape of a pattern by the use of a pattern, so as to chemically transform the surface material of the substrate, thereby forming a pattern of a region chemically transformed on the surface material of the substrate.例文帳に追加

上記目的を達成するために、本発明は、基材の表面材料を化学的に変性するために、版を用いて基材の表面材料に前記表面材料を変性する変性剤をパターン状に付着させ、基材の表面材料に化学的に変性された領域のパターンを形成する工程を含むことを特徴とするパターン形成体の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor device, using a damascene wiring forming method of forming a wiring pattern by selectively burying a metal film in a trench or hole pattern formed on an insulation film, comprises a step of forming a metal film on the entire surface including the trench or hole pattern, forming a film on the metal film, and polishing off this formed film and the metal film outside the trench or hole pattern.例文帳に追加

絶縁膜に形成された溝もしくは孔パターン内に選択的に金属膜を埋め込むことにより配線パターンを形成するダマシン配線形成法を用いた半導体装置の製造方法において、前記溝もしくは孔パターンを含む全面に金属膜を形成し、前記金属膜上に皮膜を形成し、この皮膜と溝もしくは孔パターン外の金属膜とを研磨除去する。 - 特許庁

The method for designing the layout of a semiconductor device using a standard cell comprises steps (S10, S20) for preparing a standard cell having a capacitor electrode basic pattern at the end, steps (S30, S40) for forming a function circuit pattern by combining a plurality of standard cells, and a step (S50) for forming a capacitor electrode pattern by deforming the capacitor electrode basic pattern.例文帳に追加

スタンダードセルを用いた半導体装置のレイアウト設計方法であって、端部にキャパシタ電極基礎パターンを有するスタンダードセルを準備する工程（Ｓ１０、Ｓ２０）と、スタンダードセルを複数個組合せて機能回路パターンを構成する組合せ工程（Ｓ３０、Ｓ４０）と、キャパシタ電極基礎パターンを変形することにより、キャパシタ電極パターンを形成する工程（Ｓ５０）とを備える。 - 特許庁

Injection velocity pattern data are produced in a step 20 producing the injection velocity pattern data based on the parameter information 18 such as a barrel cross sectional area, filling time, an injection stroke and the like and the cross sectional area information, and the result is stored in a memory.例文帳に追加

バレル断面積、充填時間、射出ストローク量等のパラメータ情報１８と前記断面積情報に基づいて射出速度パターンデータを生成する段階２０により射出速度パターンデータを生成しその結果をメモリへ格納する。 - 特許庁

After a sheet 16 is stuck to the whole surface of a semiconductor Si wafer 11 on the pattern forming side, chemical etching is performed to the no-pattern forming side (rear surface side) of the Si wafer 11 to the bottom face of a step 15 formed by performing reactive ion etching.例文帳に追加

半導体Ｓｉウエハ１１のパターン形成側全面に、シート１６を貼り付けた後、半導体Ｓｉウエハ１１の非パターン形成側（裏面側）に対して、リアクティブイオンエッチングを行って形成した段差１５の底面までケミカルエッチングを行う。 - 特許庁

Specifically, a dual damascene structure corresponding to a design pattern figure can be formed by means of one exposure, development and etching step using a high resolution gray scale mask, which reduces a production process of a dual damascene structure and enhances the pattern accuracy.例文帳に追加

具体的には、高分解能グレーマスクを用いて、１回の露光、現像及びエッチング工程により、設計パターン形状に対応したデュアルダマシン構造を形成可能とし、デュアルダマシン構造の作製工程の短縮化及びパターン精度を向上させる。 - 特許庁

This method for manufacturing a resist pattern for a printed circuit board comprises a step of exposing a specific pattern to a roll sheet type laminated material based on digital data, and cutting the laminated material to a specific size before or after the exposure.例文帳に追加

ロールシート状の積層材を用い、デジタルデータに基づいて所定のパターンの露光を行い、その露光の前後いずれかで所定のサイズに積層材の切断を行うようにしてプリント配線板用レジストパターンを作製する事により解決される。 - 特許庁

Since a hard mask layer is formed of a material having a high etching selection ratio relative to a substrate, in a step of the hard mask layer corresponding to the three-dimensional structure pattern to be formed, the depth can be made smaller than that of the desired three-dimensional structure pattern.例文帳に追加

本発明によれば、ハードマスク層は基板に対してエッチング選択比が高い材料であるため、形成する３次元構造パターンに対応するハードマスク層の段差は、所望する３次元構造パターンよりも、深さを小さくすることが出来る。 - 特許庁