「surface current」に関連した英語例文の一覧と使い方(49ページ目) - Weblio英語例文検索

The road surface μ estimating part 100 of the central processing device (CPU) 21 of the control device 20 sets a right side steering evaluation function ratio αr and a left side steering evaluation function ratio αl based on a steer angle θ, a vehicle speed V, steer torque Th, and a motor current Im.例文帳に追加

制御装置２０の中央処理装置（ＣＰＵ）２１の路面μ推定部１００は、操舵角θ、車速Ｖ、操舵トルクＴｈ、モータ電流Ｉｍに基づいて右操舵評価関数比αｒ、左操舵評価関数比αｌを設定する。 - 特許庁

To provide a picture tube device enabled to form a cross over with small diameter at all time without variation of the cross over when beam current is modulated, as a result, enabled to display an image with high resolution, by making a beam spot on a fluorescent surface small.例文帳に追加

ビーム電流変調を行なったときに、クロスオーバーが変動することなく、常に小径のクロスオーバーを形成することができ、その結果、蛍光面上の電子ビームスポットを小さくして高い解像度の画像を表示することができる受像管装置を提供する。 - 特許庁

In a circuit board 1 on which components 8 constituting a circuit are loaded, a power supply wiring pattern 12 for feeding a power supply current is formed on at least one side of the front surface side and the backside of the circuit board 1 while avoiding a loading region for the components 8.例文帳に追加

回路を構成する部品８が搭載されている回路基板１において、回路基板１の表面側と裏面側の少なくとも一方側には、部品８の搭載領域を避けて、電源電力通電用の電源配線パターン１２を形成する。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging apparatus improving transmittance of light in a transparent insulation film on a light entering surface side of a substrate, and having a dark current suppressing function and a quantum efficiency loss prevention function, in a back face irradiation type solid-state imaging apparatus.例文帳に追加

裏面照射型の固体撮像装置において、基板の光入射面側の透明絶縁膜における光の透過率を向上させることができ、かつ、暗電流抑制機能と量子効率ロスの防止機能を備えた固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

For example, by performing the gold plating under the conditions that gold plating liquid temperature is 60 to 65 degrees and gold plating current density is 0.4 to 0.8 A/dm^2, the formation of the bump having a surface condition free from a level difference is made possible regardless of the level difference in a polyimide film as a substrate.例文帳に追加

例えば金めっき液温度を６０〜６５度、金めっき電流密度を０．４〜０．８Ａ／ｄｍ^２の条件で金めっきを行うことで、バンプ表面状態が下地であるポリイミド膜の段差に関係なく表面段差の無いバンプの形成が可能になる。 - 特許庁

In this PoMOSFET 1, in order to correspond to high current, a large number of FET cells 9 are formed with a prescribed shape and pitch in the state of a matrix on the side of a front surface, and a gate electrode 10 and a source electrode 11 are connected to the FET cells 9.例文帳に追加

本発明のＰｏＭＯＳＦＥＴ１は、大電流に対応するために、表面側に多数のＦＥＴセル９が所定の形状とピッチでマトリクス状に形成され、ＦＥＴセル９には、ゲート電極１０とソース電極１１が接続されている。 - 特許庁

Such an electrode, on the surface of which the oxide film 13 is formed in advance, is used as the tungsten electrode 14, whereby resistance value rarely varies and variation of welding conditions such as welding current and voltage can be restrained as much as possible.例文帳に追加

タングステン電極１４として、予め表面に酸化膜１３を形成したものを用いることにより、抵抗値がほとんど変化しないようになり、溶接電流や電圧などの溶接条件が変動することを極力抑えることが可能になる。 - 特許庁

The semiconductor device comprises an MOS transistor supplying a surge current between a source and a drain in order to protect a main circuit wherein the MOS transistor has a first conductivity type well 2 of a first impurity concentration formed on the surface of a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

主回路を保護するためにソースとドレインとの間にサージ電流を流すＭＯＳトランジスタを有する半導体装置であって、ＭＯＳトランジスタは、半導体基板１の表面に形成された第１不純物濃度の第１導電型のウェル２を有する。 - 特許庁

The coating layer 34 of the core material 32 is welded to the base material 36 of the metal plate 31 by running the welding current between the wire 30 and the metal plate 31 clamped by a pair of electrodes, heating and melting the plating layer 33 and the surface layer 37.例文帳に追加

素線３０と金属板３１を一対の電極間に挟んで溶接電流を通電して発熱させて鍍金層３３及び表面層３７を溶融させることで芯材３２の被覆層３４と金属板３１の母材３６とを互いに溶接する。 - 特許庁

To provide an n-type ohmic electrode having excellent reliability to heat treatment in a manufacturing process, and to use conditions under which large current flows, and having low contact resistance in an n-type ohmic electrode formed on the surface of a nitride semiconductor.例文帳に追加

窒化物半導体表面に形成されるｎ型オーミック電極に関して、製造工程における熱処理や高電流が流れる使用条件に対して信頼性に優れており、かつ低い接触抵抗が得られるｎ型オーミック電極を提供する。 - 特許庁

In the negative electrode for non-aqueous electrolytic solution secondary battery, a first covering layer containing tin, tin alloy, aluminum, or aluminum alloy is formed on the current collector surface and a second covering layer containing a metal that has low formation ability of lithium compound is formed on the top of it.例文帳に追加

集電体表面に、スズ、スズ合金、アルミニウム又はアルミニウム合金を含む第１被覆層が形成され、その上に、リチウム化合物の形成能の低い金属を含む第２被覆層が形成されていることを特徴とする非水電解液二次電池用負極。 - 特許庁

When the small animal 11 crosses the pair of the electrodes 13 during movement along the surface of a horticultural article, a current flows from a positive pole 14 through a secreting fluid of the small animal 11 to a negative pole 15 to provide an electrical shock to the small animal 11.例文帳に追加

小動物１１が園芸用品の表面に沿って移動する際に、一対の電極１３を横切ると、正極１４から負極１５へ小動物１１の分泌液を介して電流が流れ、小動物１１に電気的な衝撃を与える。 - 特許庁

The rice R is washed by the function of the current of the circulating water and ultrafine bubbles generated at the time of release to the atmospheric pressure adhere to components in the polishing water and foreign substances and lead them to the water surface and separate them.例文帳に追加

米Ｒは、その循環流の流れ作用によって洗浄されるとともに、前記空気溶解加圧水が大気開放された際に発生する微細気泡が研ぎ汁成分や異物に付着して、これらをタンク３内の水面の方へ導いて分離させる。 - 特許庁

To provide a coating liquid capable of forming a backward electron preventive layer of high backward current preventive effect having high durability against an electrolyte, on a surface of an electrode substrate used in a dye-sensitized solar battery, by screen printing of high production efficiency.例文帳に追加

色素増感太陽電池に使用される電極基板の表面に、電解質に対して高い耐性を有していると同時に、逆電流防止効果の大きな逆電子防止層を、生産効率の高いスクリーン印刷により形成し得るコーティング液を提供する。 - 特許庁

Firstly, electrolytic plating of copper is performed by using an underlying metal layer 6 as a deposition current path, thereby forming a re-wiring layer 7 on an upper surface of the metal layer 6 in an opening 12 of a first plating resist film 11 composed of positive type liquid resist of novolac system resin.例文帳に追加

まず、下地金属層６をメッキ電流路として銅の電解メッキを行うことにより、ノボラック系樹脂のポジ型の液状レジストからなる第１のメッキレジスト膜１１の開口部１２内における下地金属層６の上面に再配線７を形成する。 - 特許庁

To provide a backside irradiation type solid-state imaging apparatus which can improve the transmittance in a transparent insulation film on the light incident surface side of a substrate and has a dark current suppressing function and a quantum efficiency loss preventing function.例文帳に追加

裏面照射型の固体撮像装置において、基板の光入射面側の透明絶縁膜における光の透過率を向上させることができ、かつ、暗電流抑制機能と量子効率ロスの防止機能を備えた固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

Thereby, a current flowing from a semiconductor layer 20 to the support substrate 10 easily flows to the rear surface electrode 30 through the embedded electrode 14, and thus a resistance component of the support substrate 10 is substantially reduced to reduce loss of the semiconductor element.例文帳に追加

これにより、半導体層２０から支持基板１０に流れ込んだ電流が埋め込み電極１４を介して裏面電極３０に流れやすくなるため、実質的に支持基板１０の抵抗成分を低減でき、半導体素子の低損失化を図ることができる。 - 特許庁

The lower electrode arranged with a substrate 19 is applied with an rf electric current such as MF, HF or VHF so that negative self-bias voltage is generated on the lower electrode for taking out ionized sputter atoms filling a contact hole on the surface of the substrate.例文帳に追加

基板１９が配置される下部電極は、基板の表面上のコンタクトホールを満たすイオン化されたスパッタ原子を取り出すため、下部電極上に負の自己バイアス電圧を生成するようにＭＦ，ＨＦまたはＶＨＦのｒｆ電流が与えられる。 - 特許庁

A switching semiconductor chip 1 is surface-mounted on an insulating board 4 fixed on a heat dissipating board 5, and a shunt resistor 14 for detecting the main current or voltage of the switching semiconductor chip 1 is annexed on the insulating board 4.例文帳に追加

放熱用基板５に固着した絶縁性基板４上にスイッチング用半導体チップ１を面実装すると共に、前記絶縁性基板４上に前記スイッチング用半導体チップ１のメイン電流または電圧を検出するためのシャント抵抗１４を付設する。 - 特許庁

To provide a group-III nitride semiconductor laser element having a laser resonator exhibiting high quality for a resonator mirror and allowing a low threshold current, on a semipolar surface of a support base body in which a c-axis of hexagonal group-III nitride is tilted toward an m-axis.例文帳に追加

六方晶系III族窒化物のｃ軸がｍ軸の方向に傾斜した支持基体の半極性面上において、共振器ミラーのための高品質を示し低しきい値電流を可能にするレーザ共振器を有するIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

A second semiconductor laser element 20 via an electrode 8 for a wiring and a metallic wire 35, or the like, via a pad electrode 6 are jointed on the surface of the current blocking layer 5 (a region 5b) that corresponds to the region, forming at least the adherence layer 30.例文帳に追加

そして、少なくとも密着層３０が形成された領域に対応する電流ブロック層５（領域５ｂ）の表面上に、配線用電極８を介して第２半導体レーザ素子２０や、パッド電極６を介して金属線３５などが接合される。 - 特許庁

The dielectric film 8 has an opening for injecting current into the upper surface of the ridge part 6a, is formed with a first electrode 9 to contact the contact layer 7 exposed to the opening, and is formed with a second electrode 10 on the first electrode 9.例文帳に追加

誘電体膜８は、リッジ部６ａの上面に電流を注入するための開口部を有し、当該開口部に露出したコンタクト層７に接するように第一電極９が形成され、第一電極９上に第二電極１０が形成されている。 - 特許庁

To provide a rotor of a rotary electric machine in which outer peripheral surface consisted of laminated steel plates is welded for preventing peel off of the laminated steel plates, capable of suppressing eddy-current loss arising on the weld zone and improving rotation efficiency of the rotary electric machine.例文帳に追加

積層鋼板から成るロータの外周面が積層鋼板の剥がれ防止のため溶接された構造において、その溶接部分に生じる渦電流損を抑制して回転電機の回転効率を向上させることができる回転電機のロータを提供する。 - 特許庁

To provide a surface-emitting semiconductor laser which can reduce an increase in a threshold current affected by the separation of In, and is provided with at least one semiconductor layer containing Al, In, and P as main components on a GaAs substrate.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板上にＡｌ、Ｉｎ、Ｐを主成分として含む半導体層が少なくとも１層設けられている面発光型半導体レーザにおいて、Ｉｎの分離の影響による閾値電流増加を抑制できる面発光型半導体レーザを提供する。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor laser element having a laser resonator that obtains a low-threshold current on a semipolar surface of a hexagonal group III nitride, and to provide a method of manufacturing the group III nitride semiconductor laser element.例文帳に追加

六方晶系ＩＩＩ族窒化物の半極性面上において、低しきい値電流を可能にするレーザ共振器を有するＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子と、このＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子を安定して作製する方法とを提供する。 - 特許庁

A current detector such as a hall element 14 or a CT is incorporated in a plug unit equipped with plug terminals 4 on its bottom part and a connection bar 7 for connecting a power terminal 11 of a breaker 3 attached to the upper surface of a body 1 to the plug terminals 4.例文帳に追加

底部にプラグ端子４を備えるとともに、本体１の上面に取り付けられるブレーカ３の電源端子１１とプラグ端子４とを接続する接続バー７を備えたプラグユニットに、ホール素子１４やＣＴなどの電流検出器を内蔵させる。 - 特許庁

Since the generated electromotive force is divided into the internal resistor between the electrodes depending on the concentration of the snow melting agent, and load resistor, the concentration of the snow melting agent on the road surface can be known by measuring the voltage applied to the load resistor or the current flowing through the load resistor.例文帳に追加

発生した起電力が融雪剤濃度に依存する電極間の内部抵抗と負荷抵抗に分圧されるので、負荷抵抗にかかる電圧または負荷抵抗を流れる電流を測定することにより路面の融雪剤濃度を知ることができる。 - 特許庁

An arc extinguishing chamber 10 of deion grid type is installed at a current cut-off part of a circuit breaker, and the arc extinguishing chamber 10 includes a grid which is arranged along the opening movement route of a movable contactor 3 and has a V-shape cut-out groove 12a formed in the center of the plate surface.例文帳に追加

回路遮断器の電流遮断部にデアイオングリッド式の消弧室１０を装備し、当該消弧室１０は可動接触子３の開極移動経路に沿って配列され、板面中央にＶ形切欠溝１２ａを形成したグリッド１２を備える。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an electrode for a lithium secondary battery, preventing an adverse influence of a projection attached on the surface of the electrode on the battery in the electrode for the lithium secondary battery formed by depositing a thin film of an active material on a current collector.例文帳に追加

集電体上に活物質の薄膜を堆積させ形成されたリチウム二次電池用電極において、電極の表面に付着した突起が電池に及ぼす悪影響を解消するための、リチウム二次電池用電極の製造方法を提供する。 - 特許庁

The respective radial ribs 3C are formed arcuately bending in the rotation direction of the disk 4 to the radiation direction and function to suppress surface waving of the disk 4 by producing an air current radially as the disk 4 rotates.例文帳に追加

各放射状リブ（３Ｃ）は、放射方向に対してディスク（４）の回転方向に屈曲する円弧状に形成されており、ディスク（４）の回転に伴ってその半径方向に空気流を発生させ且つディスク（４）の面振れを抑制する機能を備えている。 - 特許庁

To provide a pressure contact type semiconductor device which can uniformize a pressure contact stress distribution within a surface of a semiconductor element, can prevent a current concentration of the semiconductor element, and can enhance electric reliability by preventing a breakdown of the semiconductor element.例文帳に追加

半導体素子面内の圧接応力分布を均一化することができ、半導体素子の電流集中を防止することができ、半導体素子の破壊を防止することにより、電気的信頼性を向上することができる圧接型半導体装置を提供する。 - 特許庁

This is destaticized while applying a high voltage alternating current to an electroconductive fiber bundle 1 in which electroconductive fibers are made braid-like or thread-like and these plural strands are bundled, as this electroconductive fiber bundle is slide-contacted with or drawn near to the surface subjected to destaticization of the plastic mold 5.例文帳に追加

導電性繊維を紐状又は糸状としてその複数本を束ねた導電性繊維束１に交流高電圧を印加しながら、この導電性繊維束をプラスチック成型品５の除電対象面に摺接又は近接させて除電する。 - 特許庁

The image forming apparatus enters an image carrier deterioration-detection mode, when an input current value to the optical sensor, adjusted to make the output voltage of the optical sensor with respect to the surface reflection light of the intermediate transfer belt a predetermined value by process control exceeds the predetermined value.例文帳に追加

プロセスコントロールで中間転写ベルトの表面反射光に対する光学式センサの出力電圧を所定の値にするために調整される光学式センサへの入力電流値が所定の値を超えた場合に、像担持体劣化検知モードに入る。 - 特許庁

To provide an electrode for electrolytic inprocess dressing and grinding, facilitating attachment/detachment and clearance adjustment, and stably performing the sticking formation of an electrolytic film on a grinding wheel surface by sufficient current application with sufficient filling and refilling of an electrolyte between electrodes.例文帳に追加

取り付け、取り外し、間隙調整が容易であり、電極間の電解液の充満・更新も十分であって、十分な通電による砥石表面への電解皮膜の付着・形成が安定に行える電解インプロセス・ドレッシング研削用電極を提供する。 - 特許庁

The current value and the irradiation energy of the charged particle beams, the electric field on the surface of the substrate to be inspected, the emission efficiency of the secondary electrons and back scattered electrons, etc., all taken into consideration, the electrical resistance and the electrical capacity are determined so as to match with those of the inspection image.例文帳に追加

一方で、荷電粒子ビームの電流値および照射エネルギー、被検査基板表面での電場、二次電子および後方散乱電子の放出効率等を考慮し、検査画像と一致させるように電気抵抗や電気容量を決定する。 - 特許庁

To provide a plasma generating device and a surface cleaning method using this, which keeps the temperature of an electrode and its periphery at an appropriate temperature where a high-temperature plasma current is always normally generated and at which a burnout caused by generation of overheating of the electrode can be avoided.例文帳に追加

電極およびその周辺の温度を高温プラズマ流が常時正常に生成されるとともに、電極の過熱の発生による焼損を回避できる適正温度に保持できるプラズマ発生装置及びこれを用いた表面清掃方法を提供する。 - 特許庁

Voltage is applied to the exposed conductive layer 116 and the electrolyte 126 for allowing a current to flow through an electrochemical cell, thus removing a copper ion from the electrolyte or the anode, and depositing copper onto a cathode surface, namely the conductive layer 116.例文帳に追加

露呈された導体層１１６と電解質１２６に電圧を引加して電流が電気化学的セルを通じて流れ、その結果、電解質から、又は、陽極から銅イオンが取り除かれ、陰極表面、すなわち、導電層１１６上に銅が堆積される。 - 特許庁

This leakage indicator first has an integrated structure capable of simultaneously detecting both current and voltage only grasping the cable by being provided with a converter structure in which the voltage detecting conductor P is formed of a semi-cylindrical thin conductive plate and stuck to one side of the inner surface of the converter ZCT.例文帳に追加

第一に電圧検出導体Ｐを半円筒状の薄い導板としこれをこの変流器ＺＣＴの内面片側に張り付けた変流器構造とし，ケーブルを把握するのみで電流も電圧も同時に検出できる一体化した構造とした。 - 特許庁

The magnetic thin film 15 comprises a pair of magnetic layers 7, 9 and a nonmagnetic intermediate layer 8 sandwiched between the pair of magnetic layers 7, 9, and is configured that sense current flows in the direction perpendicular to the pair of magnetic layers 7, 9 and a surface of the nonmagnetic interlayer 8.例文帳に追加

磁性薄膜１５は、一対の磁性層７，９と、一対の磁性層７，９の間に挟まれた非磁性中間層８と、を有し、センス電流が一対の磁性層７，９、及び非磁性中間層８の膜面に対して直交方向に流れるようにされている。 - 特許庁

To provide a field electron emitting source having an irregular shape on a carbon fabric film surface, capable of emitting a high current, a method for easily manufacturing the field electron emitting source at a low cost, and a magnetron using this field electron emitting source.例文帳に追加

炭素繊維膜表面に凹凸形状をもつ大電流放出が可能な電界電子放出源およびその電界電子放出源を容易で低コストに製造する方法又はその電界電子放出源を用いたマグネトロンを提供することを目的とする。 - 特許庁

The linear structure light source 4 is fed in steps by the step drive 3 from one end of a solar cell light receiving surface to the other end, and the current-voltage characteristics of the light irradiated part of the integrated thin film solar cell 5 is measured at every stop position of the linear structure light source 4.例文帳に追加

ライン構造光源４は、ステップ駆動部３により、太陽電池受光面の端から端までステップ状に送られ、ライン構造光源４の停止位置毎に集積型薄膜太陽電池５の光照射部分の電流−電圧特性が測定される。 - 特許庁

This method comprises the first-fourth processes, and is arranged with a plurality of potential difference measuring terminals with a prescribed interval on a surface to be measured, and measures potential differences generated between the respective terminals, while supplying a current, to detect easily the presence of the damage and an occurrence position thereof.例文帳に追加

第一〜第四の工程からなり、被測定物表面に複数の電位差測定用端子を所定の間隔で配置し、電流を供給しながら、各端子間に生じる電位差を測定して損傷発生の有無、発生位置を簡便に検出する。 - 特許庁

To provide an optical communications system that utilizes a surface light-emitting type semiconductor laser device chip capable of reducing an operating voltage and an oscillation threshold current as a light-emitting source and can improve the productivity of a laser chip module and the overall yield of a manufacturing process.例文帳に追加

動作電圧、発振閾値電流等を低くできる面発光型半導体レーザ素子チップを発光光源として利用するシステムで、レーザチップモジュールの生産性の向上、しいては製造プロセス全体の歩留まり率向上が可能な光通信システムを提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a battery and a joining device for battery manufacture which hardly generate sputter, and deformation and shrinking caused by heat while keeping joining strength when joining an end surface part of an electrode body to a current collection plate.例文帳に追加

電極体における極板の端面部と集電板との接合において、接合強度を維持しながら、スパッタの発生やセパレータの熱による変形および収縮を生じ難い電池の製造方法および電池製造用の接合装置を提供する。 - 特許庁

To improve generation of a dark current at a part below a light shield film without exceeding the limit of a thermal budget by enabling a formation part for the light shield film to be selectively annealed even when pixel structure of rear surface irradiation type is employed.例文帳に追加

裏面照射型の画素構造を採用する場合であっても、遮光膜の形成部分に対して選択的なアニール処理を可能にして、サーマルバジェットによる制限を超えることなく当該遮光膜の下方部分における暗電流発生を改善する。 - 特許庁