「surface current」に関連した英語例文の一覧と使い方(48ページ目) - Weblio英語例文検索

To efficiently exhibit the characteristics of a superconducting coil by reducing components of magnetic field generated in a superconducting wire at the axial both ends of the superconducting coil, oriented orthogonal to a wide surface of the superconducting wire in order to prevent critical current drop.例文帳に追加

超電導コイルの軸線方向の両端位置の超電導線に発生する磁界のうち超電導線の幅広面に対して直交方向の成分を少なくして、臨界電流の低下を防ぎ超電導コイルの特性を効率良く発揮する。 - 特許庁

An inflow edge 5a of the blade 5 of this centrifugal fan 1 is provided with a projecting part formed by either one of a recessed part and a projecting part, and the separation of an air current at the suction surface of the blade is suppressed by a vertical vortex formed by the projecting part.例文帳に追加

遠心ファン１の羽根５の流入端５ａに、凹部および凸部のうち少なくともいずれか一方により形成された突出部を設け、突出部によって生成される縦渦により、羽根の負圧面における気流の剥離を抑制する。 - 特許庁

A current-carrying circuit element structure with a wholly or partially small thickness, which undergoes abrasion-resistant and electric leakage-resistant treatment, is installed on the inner surface of a bracket 2, so that an accident causing damage to the wiring can be prevented and so that labor for construction work and the space can be saved.例文帳に追加

ブラケット２，内面に、耐磨耗耐漏電処理を施した全面、又は部分的に厚みの少ない通電回路素子構造体（図７、図８、図１１等）を設置する事により、・配線損傷事故 ・工事省力化 ・少ペース化をはかる。 - 特許庁

To attain high performance, high functions, high reliability and a long life by a element structure and a simple/inexpensive producing method in a vertical cavity surface-emitting semiconductor light emitting element where a current element layer is formed by transverse oxidation.例文帳に追加

横方向酸化によって、電流素子層が形成された面発光型半導体発光素子において、素子構造、簡便かつ低コストな作製方法により高性能化、高機能化、高信頼性化、長寿命化を図ることを目的とする。 - 特許庁

To provide a highly reliable constricted oxide layer type surface emission semiconductor laser element, by reducing a stress being applied to the boundary of an Al oxide layer and a current injection region, i.e., the forward end of the Al oxide layer (central side of mesa post).例文帳に追加

Ａｌ酸化層と電流注入領域との境界、つまりＡｌ酸化層の先端部（メサポスト中央部側）に加わる応力を低減して素子信頼性の良好な酸化層狭窄型の面発光型半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

A controller 31 controls shot time of every subfield in accordance with the deflection point of a charged beam for lighting a reticle, based on the current value detected by the sensor 32, so that the amount of dose is kept at a constant level on the surface of a sensitive substrate 23.例文帳に追加

コントローラ３１は、感応基板２３面上でのドーズ量が一定になるように、検出センサ３２で検出された電流値に基づき、レチクルを照明する荷電ビームの偏向位置に応じて、サブフィールド毎のショットタイムを調整する。 - 特許庁

Since the stress from the insulating film 9 is centralized to the defective region 8 in the post-process, an occurrence of the defective region in the vicinity of an upper surface of the substrate 1 on which the current flows at the time of operation of the semiconductor element is prevented.例文帳に追加

後工程において絶縁膜９から受けるストレスを、欠陥領域８に集中させることができるので、半導体素子の動作時に電流が流れる基板１の上面近傍に欠陥領域が生じるのを防ぐことができる。 - 特許庁

A roughly plate-shaped electrically-conductive current path member 6 is supported by touching itself to a contact end surface 15a for feeding ultrasonic vibration of an ultrasonic bonding jig 15 by sucking with suction holes 16 formed in the ultrasonic bonding jig 15.例文帳に追加

略板形状の導電性の電流経路部材６を、超音波接合冶具１５に形成されている吸引孔１６より吸引して超音波接合冶具１５の超音波振動供給用の接触端面１５ａに接触させて支持する。 - 特許庁

A blowout port 7 and a suction port 8 for an air current F2 crawling on the floor surface of a passage floor 6 generated by the operation of a fan 9 for air jet are open opposingly on the side of body cases 2, 3 placed at both the sides of the passage floor 6.例文帳に追加

通路床６の両側に置かれる本体ケース２，３の側面には、エアジェット用ファン９の作動によって生じる通路床６の床面を這う気流Ｆ２のための吹出し口７と吸込み口８とが対向して開口している。 - 特許庁

A permanent magnet 23 is arranged in the vicinity of an end surface on the opposite side of a core 13 of the plunger 14, and when the electric current is not carried, vibration in the axial direction of the plunger 14 is restrained when the permanent magnet 23 attracts and holds the plunger 14.例文帳に追加

プランジャ１４のコア１３と反対側の端面近傍に永久磁石２３を配置し、非通電時には、永久磁石２３がプランジャ１４を吸引保持することで、プランジャ１４の軸線方向の振動を抑制するようにした。 - 特許庁

A magnetic field producing source having the angle of line of magnetic force and an arc current value which are set to confine an arc spot into a nearly elliptic discharge region extending in the axial direction of a columnar evaporation material is provided on the evaporation surface of the columnar evaporation material.例文帳に追加

柱状蒸発物質の蒸発面に、柱状蒸発物質の軸方向に伸びる略長円状の放電領域にアークスポットを閉じ込めるように、磁力線の角度とアーク電流値を設定した磁場発生源を備えている。 - 特許庁

The surface of a screen structural body 1, through which the seawater passes, is covered with a conductive rubber panel 2 and connected to a direct-current power source 3 having a reference electrode and a potential controller so that the conductive panel is used as a positive electrode while the screen structural body is used as a negative electrode.例文帳に追加

海水が通過するスクリーン構造体（１）の表面を導電性ゴムパネル（２）で覆い、これを陽極としスクリーン構造体を陰極とするように、照合電極および電位制御装置を備えた直流電源（３）と接続する。 - 特許庁

Even when the armature is in the position far from each electromagnet by the extended yoke part in the outer circumferential part, magnetic resistance is low, and since the end of the armature is faced to the end surface of the yoke in seating of the armature, the armature is held at low holding current.例文帳に追加

外周部の伸延ヨーク部によってアマチャが各電磁石から離れた位置にあるときにも磁気抵抗が小さく、かつアマチャの着座時にはアマチャの端部がヨークの端面に対面するので、小さな保持電流でアマチャを保持する。 - 特許庁

Since the recessed part 17 is provided on the upper surface 16A of the second conductivity type semiconductor layer 16, a current density difference between currents flowing in an optical semiconductor layer can be reduced to improve the emission unevenness.例文帳に追加

このように第２導電型半導体層16の上面16Ａに凹部17が設けられていることから、光半導体層に流れる電流の電流密度の差を小さくすることができ、発光ムラを改善させることができる発光素子１を提供する。 - 特許庁

The ferrite magnet 1 is composed of a pair of magnets, which are arranged vertical with respect to the axial direction of a laminated winding, so as to enable the magnetic path of a magnetic field generated by applying a current to the laminated winding to not to pass through the ferrite magnet but to be arranged on the surface of an inductor.例文帳に追加

フェライト磁石１は、前記積層巻線に通電することによって生ずる磁界の磁路が当該フェライト磁石を貫通せず、素子表面に配置されるよう、前記積層巻線の軸方向における上下に一対形成される。 - 特許庁

The pressure in a vacuum chamber 12 is maintained under 0.01 to 0.5 Pa by a vacuum pump 16 and the ion current density to the surface of treated objects 58 and 58 by generation of plasma 38 is specified to 0.1 to 5 mA/cm^2.例文帳に追加

そして、真空槽１２内の圧力は、真空ポンプ１６によって０．０１Ｐａ〜０．５Ｐａに維持され、プラズマ３８の発生による被処理物５８，５８，・・・の表面に対するイオン電流密度は、０．１ｍＡ／ｃｍ^２〜５ｍＡ／ｃｍ^２とされる。 - 特許庁

A contact layer 7 is formed on the upper reflective layer 6, an annular p-type electrode 8 having a central current injection region is arranged on the contact layer 7, and an n-side electrode 9 is arranged on the lower surface of the substrate 1.例文帳に追加

上部反射層６上にはコンタクト層７が積層され、コンタクト層７上には、中央に電流注入領域を備えた円環形状からなるｐ側電極８が配置され、基板１下面にはｎ側電極９が配置されている。 - 特許庁

Conductor lands 21 to 23 are formed on an upper surface of the ceramic substrate 11 while a thick-film resistor 24 is formed spanning two conductor lands 21, 22, and the resistance the thick-film resistor 24 is adjusted by laser trimming to its rated current.例文帳に追加

更に、セラミック基板１１の上面に導体ランド２１〜２３を形成すると共に、２つの導体ランド２１，２２に跨がって厚膜抵抗体２４を形成し、この厚膜抵抗体２４の抵抗値を、定格電流に応じてレーザトリミングにより調整する。 - 特許庁

Lightening surge current entered from a lighting rod is introduced into the bottom of the earth electrode 11 through the grounding electrode 12, let to flow from the bottom to the top through the grounding conductor 11, and phased from the surface of the earth electrode 11 into the ground.例文帳に追加

避雷針等から侵入した雷サージ電流は、接地線１２を介して接地電極１１の下端に導かれ、この接地電極１１の中を下端から上端に流れつつ、接地電極１１の表面から地中に放出される。 - 特許庁

To provide a semiconductor radiation detector that uses a surface-barrier type or pn junction type InSb single crystal, which has small leakage current at a temperature of 10K or higher, has few electron or hole trappings, and has large amount of charge formation.例文帳に追加

１０Ｋ以上の温度でも漏洩電流が小さく、電子あるいは正孔のトラッピングが少なく電荷生成量の多い表面障壁型あるいはｐｎ接合型のＩｎＳｂ単結晶を用いた半導体放射線検出器を製作する。 - 特許庁

In order to restrict the electromagnetic wave to be generated when a large current flows, at least two or more reactors 20 and 21 or 22 and 23 are used, and the reactors are fitted to a partition plate 11 inside the outdoor unit so that they are opposite to each other in the top plate or the bottom surface thereof.例文帳に追加

大電流が流れることで発生する電磁波を抑制するために、少なくとも２以上のリアクタ２０，２１または２２，２３を用い、互いに天板または底面を対向するように室外機内部の仕切り板１１にリアクタを取付ける。 - 特許庁

A high-concentration impurity layer, which is at least an ohmic contact surface for a gate electrode M1b of a base layer (a P-type base region and a P-type semiconductor region P1) that is a path of a gate trigger current I_GT, is formed by a high-melting-point metal silicide layer LM.例文帳に追加

少なくとも、ゲートトリガ電流Ｉ_ＧＴの経路となるベース層（Ｐ型ベース領域、Ｐ型半導体領域Ｐ１）のゲート電極Ｍ１ｂとのオーミック接触面である高濃度不純物層を、高融点金属シリサイド層ＬＭで形成する。 - 特許庁

To provide a permanent magnet motor having a permanent magnet in a rotor in which a high response comparable to a surface magnet motor, centrifugal force resistance comparable to the embedded magnet motor and a low eddy current loss are satisfied.例文帳に追加

回転子に永久磁石を有する永久磁石モータにおいて、表面磁石形モータ並の高応答性と埋込磁石形モータ並の耐遠心力と低渦電流損失を両立する永久磁石モータを提供できるようにする。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor high electron mobility transistor and a manufacturing method thereof, achieving excellent contact resistance and current characteristics by preventing surface oxidation and carbon-contamination of an epitaxially grown layer and corrosion of an ohmic electrode.例文帳に追加

エピタキシャル成長層の表面酸化やカーボン汚染を防ぐとともに、オーミック電極の腐食を防ぐ事で、コンタクト抵抗や電流などの特性に優れた、ＩＩＩ族窒化物半導体高電子移動度トランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

AC electromagnets 12a and 12b are installed to face each other on both sides of an ideal traveling surface of the non-magnetic material 2 being carried, and AC currents to be supplied to the AC electromagnets 12a and 12b are controlled by a current controller 14.例文帳に追加

搬送する非磁性体材２の理想的な走行面を中心として、交流電磁石１２ａおよび１２ｂを対向設置し、交流電磁石１２ａおよび１２ｂに供給する交流電流を電流コントローラ１４によって制御する。 - 特許庁

Because of this, when oxidant gas is supplied to the flow passage groove 25, the oxidant gas impinges against the protrusion parts 50, becomes a turbulent current, guided toward the cathode electrode 16 side, and water or methanol adhered on a surface of the cathode electrode 16 are swept away.例文帳に追加

そのため、流路溝２５に酸化剤ガスを供給すると、酸化剤ガスが突出部５０に当たって乱流状態になると共にカソード電極１６側に案内され、カソード電極１６の表面に付着している水やメタノールが押し流される。 - 特許庁

To provide a field-emission electron source and a manufacturing method of its carbon nanotube, that can reduce work function on the nanotube surface and increase emission current, by causing vapor-deposition of lithium on the carbon nanotube and using it as a cathode.例文帳に追加

カーボンナノチューブにリチウムを蒸着させ陰極として用いることにより、ナノチューブ表面の仕事関数を下げ、放出電流の増大を図ることができる電界放出型電子源及びそのカーボンナノチューブの製造方法を提供する。 - 特許庁

Enzyme tyrosinase is immobilized to the surface of a gold/black electrode via a gold mercaptide coupling organic group, and the existence of the phenol and alkyl substituted phenol can be detected and measured based on the oxidation current value of a phenolic hydroxyl group or its variation.例文帳に追加

金黒電極の表面に金メルカプチド結合有機基を介して酵素チロシナーゼが固定化されて、フェノール性水酸基の酸化電流値、またはその変化によりフェノールまたはアルキル置換フェノールの存在を検出測定可能とする。 - 特許庁

In a semiconductor device, gallium nitride semiconductor layers are stacked on a high-concentration silicon substrate, and an active region to which main current flows is surrounded by a non-doped gallium nitride compound semiconductor layer on the surface at the gallium nitride semiconductor layers side.例文帳に追加

高濃度シリコン基板の上に窒化ガリウムの半導体層を積層し、窒化ガリウム半導体層側の表面には、主電流の流れる活性領域の周囲がノンドープ窒化ガリウム化合物半導体層により方位される構成の半導体装置とする。 - 特許庁

In a condition where the ridge part is turned sideways to line contact with an outer circumferential surface of an intermediate electrode and the ridge part of the lead wire is pressed on the intermediate electrode, a current for resistance welding is applied between the welding electrode 12 and the welding electrode 13 to perform resistance welding.例文帳に追加

この稜部を横向きにして中間電極外周面に線接触させ、中間電極にリード線の稜部を押圧した状態で溶接電極１２と溶接電極１３の間に抵抗溶接の電流を流して抵抗溶接する。 - 特許庁

A voltage is impressed directly to an upper lid outline part of a seal part and the whole closely contacting under-face in a container flange outline part by the first electrode, the second flat electrode is brought into contact with an upper surface of the upper lid, and the flash current between the both electrodes is observed therein.例文帳に追加

第１電極でシール部の上蓋外形部と容器鍔外形部の密着下面全体に直接電圧を印加し、また、上蓋の上表面に平板状の第２電極を接触させ、これら両電極間の閃絡電流をみる。 - 特許庁

To provide a laminate and a wiring substrate, wherein the laminate comprises a resin substrate, a rubber layer and a conductive layer joined firmly by molecular adhesion and the wiring substrate has a smooth surface metal wiring superior in insulating characteristics and transmits electric signal of even a high-frequency current.例文帳に追加

分子接着により、樹脂基板、ゴム層及び導電層が強固に接着してなる積層体、及び絶縁特性に優れ、高周波電流でも電気信号が伝播される平滑表面の金属配線を有する配線基板を提供する。 - 特許庁

When the logical state generating the difference of the current values of the specified value or above is reproduced, a surface temperature measuring device 60 measures the temperature distributions of the devices 2 and 4, determines the position data of the portions having different temperatures, and outputs them to a display device 70.例文帳に追加

また、表面温度測定装置６０は、規定値以上の電流値の差を発生させる論理状態を再現したときに、各デバイス２，４の温度分布を測定し、温度が異なる部分の位置データを求めて表示装置７０に出力する。 - 特許庁

To provide a portable terminal device which can compensate the current consumption of a battery and prolong a continuous use time by receiving loss light from an end surface of a back light illumination unit and external light by a solar battery cell array and photoelectrically converting them.例文帳に追加

バックライト照明ユニットの端面からの損失光、および外部光を太陽電池セルアレイで受光し、光電変換することで、電池の電流消費を補い、連続使用時間を延長することのできる携帯端末機器を提供する。 - 特許庁

A process computing portion 15 calculates a polishing rate estimated value by substituting the polishing pressure, the table rotating motor current, the surface temperature of the polishing pad, and the polishing pad remaining thickness recorded in the data recording portion 14 into a predetermined model expression.例文帳に追加

プロセス演算部１５は、データ記録部１４に記録された研磨圧力、テーブル回転モータ電流、研磨パッドの表面温度および研磨パッド残厚の平均値を、予め作成されたモデル式に代入して研磨レート予測値を算出する。 - 特許庁

To provide a solid state imaging device in which a second conductivity type epitaxial layer is formed on a first conductivity type semiconductor substrate and which can suppress a leakage current generated in a chip end surface and to provide a method of manufacturing it.例文帳に追加

第１導電型の半導体基板上に第２導電型のエピタキシャル層が形成された基板構造をもち、かつ、チップ端面に発生するリーク電流を抑制することができる固体撮像装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of producing a semiconductor device disposed apart from a second insulating film by a predetermined distance on a self-alignment, and reducing a generation of leak current in an upper part of a boundary surface between the second insulating film and a single crystal layer.例文帳に追加

第２絶縁膜からセルフアラインに所定の距離だけ離して半導体素子を形成可能で、第２絶縁膜と単結晶層との界面の上部でのリーク電流の発生の低減が可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a copper plating method on a wafer in which a plating solution is less in pollution, the disturbance of current distribution is not caused by the change in shape of an anode surface, and which uses an anode less in oxidizing decomposition of an additive.例文帳に追加

ウェーハに銅めっきする場合において、めっき液の汚染が少なく、陽極表面の形状変化による電流分布の乱れを引き起こさず、しかも添加剤の酸化分解の少ない陽極を用いた銅めっき方法を提供すること。 - 特許庁

When the plunger 88 is driven by supplying a current to the solenoid 86, a lift pulley 74 is drawn up by the tension of the wire 90 and the arm 32 falls on the leading end side thereof and the tip of a writing utensil 36 is brought into contact with a paper on the upper surface of a placing stand under pressure.例文帳に追加

ソレノイド（８６）に電流が供給されてプランジャ（８８）が駆動されると、ワイヤ（９０）のテンションによって昇降プーリ（７４）が引き上げられ、アーム（３２）の先端側が下降し、筆記具（３６）の先端が載置台上面の用紙に圧接する。 - 特許庁

To provide a wiring structure for a self-scanning light-emitting element array, where variations in the optical output due to fluctuations in current distribution of a light-emitting element as well as reduced in image resolution due to the reflected light on a mesa surface of the light-emitting element are suppressed.例文帳に追加

発光素子の電流分布の変動による光出力のばらつき、および発光素子のメサ面による反射光による画像解像度の低下を抑えることができるようにした、自己走査型発光素子アレイの配線構造を提供する。 - 特許庁

In addition, an electrolytic polishing system for the inner surface of the tank has a pump to send electrolytic polishing liquid to the electrode part 20, a power supply unit to supply a current to the electrode part 20, and an electrolytic polishing device control part to control the operation of the electrolytic polishing device.例文帳に追加

また、タンク内面の電解研磨システムは、電極部２０に電解研磨液を送液するポンプと、電極部２０に電流を供給するための電源部と、電解研磨装置の運転制御をする電解研磨装置制御部とを有する。 - 特許庁

A plurality of oxidant gas passages 7a are formed on the surface facing the oxidant electrode 5 of the oxidant electrode current collector 7, and a plurality of water passages 7b extending in the direction perpendicularly crossing to the oxidant gas passages 7a are formed on the opposite side.例文帳に追加

酸化剤極集電板７の酸化剤極５に対向する面には、複数の酸化剤ガス通路７ａを設け、反対側の面には、酸化剤ガス通路７ａに対して直交する方向に延びる複数の水通路７ｂを設ける。 - 特許庁

The inspection device is provided with an eddy-current test coil 11 which can be inserted into the groove 107 and move in the direction Y perpendicular to the bridge axis, and a bogie 10 which supports the coil 11 and can move along with the surface of a joint 100.例文帳に追加

検査装置は、溝１０７内に挿入可能で橋軸直角方向Ｙに沿って移動可能な渦流探傷用のコイル１１と、継手１００の表面に沿って移動可能で且つコイル１１を支持する台車１０とを備える。 - 特許庁

When the semiconductor apparatus is put in an ON-state wherein a prescribed voltage is applied to the gate electrode 70, a degenerate region appears on the surface of the n^--type extended drain region 20 under the gate electrode 70, and a tunnel current flows through a border between a drain electrode 50 and a source electrode 80.例文帳に追加

ゲート電極７０に所定の電圧を印加するオン時には、ゲート電極７０下のＮ^-型延長ドレイン領域２０の表面に縮退領域が現れ、ドレイン電極５０とソース電極８０との境界部をトンネル電流が流れる。 - 特許庁

To prevent a low voltage Zener diode from deteriorating in ESD strength due to reduction in impurity concentration of the outermost surface (with a depth of about 0 to 1 μm) of a guard ring, a leakage current from increasing due to the formation of an inversion layer, and the Zener diode from deteriorating in product characteristics, such as Zener breakdown voltage.例文帳に追加

ガードリング最表面部（深さ約０〜１μｍ）の不純物濃度低下によるＥＳＤ耐量の低下、および反転層の形成によるリーク電流の増加、ツェナー降伏電圧の低下等製品特性の劣化を防止する。 - 特許庁