「surface electron」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an electron beam curable releasing sheet for processing with good heat resistance and a required stable surface gloss.例文帳に追加

耐熱性が良好で、かつ所望の安定した表面光沢を有する電子線硬化型工程用剥離シートを提供する。 - 特許庁

Thus, hydrogen can penetrate to a silicon surface damaged by electron beam irradiation or the like during hydrogen annealing.例文帳に追加

これにより、水素アニールの際に、電子線照射等によってダメージを受けたシリコン表面に水素が到達するようにできる。 - 特許庁

To provide a photocathode capable of obtaining a large amount of emission current even if a chemically stable material is used for an electron emitting surface.例文帳に追加

化学的に安定な物質を電子放出面に用いても、大きな放射電流が得られる光電陰極を提供する。 - 特許庁

APPARATUS AND METHOD FOR REMOVAL OF SURFACE OXIDE VIA FLUXLESS TECHNIQUE INVOLVING ELECTRON ATTACHMENT AND REMOTE ION GENERATION例文帳に追加

電子付着及び遠隔イオン発生を伴うフラックスレス技術によって表面酸化物を除去するための装置及び方法 - 特許庁

The substrate is radiated by electron beams in air and heated in a vacuum so that the surface of the substrate is cleaned by ions.例文帳に追加

被覆物を大気中において電子ビームで洗浄した後、真空下において加温し、イオンで被覆物表面を洗浄する。 - 特許庁

To prevent, by a simple structure, moisture in the atmosphere outside an electron microscope from being deposited on a sample surface as frost.例文帳に追加

電子顕微鏡の装置外の大気中の水分が霜となって試料表面に付着するのを簡単な構造により防ぐ。 - 特許庁

The negative electrode (149) and the positive electrode surface (92) face each other and are aligned and positioned mutually along the electron beam axis (82).例文帳に追加

陰極（１４９）及び陽極表面（９２）は互いに面し、電子ビーム軸（８２）に沿って互いに対して位置合わせされる。 - 特許庁

METHOD FOR MAINTAINING CHARACTERISTIC OF ANTISTATIC FILM FORMED ON SURFACE OF SPACER ARRANGED IN COLD CATHODE FIELD ELECTRON EMISSION DISPLAY DEVICE例文帳に追加

冷陰極電界電子放出表示装置に配設されたスペーサの表面に形成された帯電防止膜の特性維持方法 - 特許庁

BALLISTIC ELECTRON SURFACE-EMITTING DEVICE EMITTER, FIELD EMISSION DISPLAY DEVICE AND FIELD EMISSION TYPE BACKLIGHT ELEMENT USING THE SAME例文帳に追加

弾道電子の表面放出装置エミッタ、それを採用した電界放出表示装置及び電界放出型バックライト素子 - 特許庁

To measure electron energy relative to a chemical bond localized on each atom or molecule existing on the sample surface.例文帳に追加

試料表面に存在する１つ１つの原子または分子に局在する化学結合に関する電子のエネルギを測定する。 - 特許庁

Electron beams deflected by the scan electrostatic deflector 6 are irradiated to the surface of a sample 8 through a second objective lens 7.例文帳に追加

走査用静電偏向器６で偏向された電子線は、第２対物レンズ７を通して試料８の表面に照射される。 - 特許庁

To collect and analyze outgas discharged from a resist film, when the entire surface of the resist film is irradiated with an electron beam.例文帳に追加

電子線をレジスト膜に全面に照射したときにレジスト膜から放出されるアウトガスを捕集して分析できるようにする。 - 特許庁

Fine particles 3a-3f comprising an electric conductor and having ≤100 nm diameter are formed on the stepped part by vapor-depositing the electric conductor on the surface of the substrate 8 by electron beam vapor deposition.例文帳に追加

段差部に導電体からなり１００ｎｍ以下の直径を有する微小粒子３ａ〜３ｆを形成する。 - 特許庁

The field electron emission source having higher electron emission capability is manufactured by forming a layer of field electron emission material 103 containing carbon nano twists on the surface of the negative electrode substrate 100, applying atmospheric plasma 261 generated at a pressure of 0.1 atm -2 atm onto the surface of the negative electrode substrate 100, and raising carbon nano twists in the field electron emission material 103.例文帳に追加

カーボンナノツイストを含む電界電子放出材料１０３を陰極基板１００表面に形成し、陰極基板１００の表面に０．１ａｔｍから２ａｔｍの圧力範囲で発生させた大気圧プラズマ２６１を照射して、電界電子放出材料１０３に含まれるカーボンナノツイストの起毛処理を行い、電子放出能力を向上させた電界電子放出源を製造する。 - 特許庁

A method for manufacturing an antireflection structure includes steps of: preparing a substrate 27 having a rough surface 27p with a surface roughness larger than a predetermined wavelength; and forming a plurality of finely rugged portions 29 having an average pitch equal to or less than the predetermined wavelength on the rough surface 27p of the substrate 27 by electron beam lithography using a surface electron source 23.例文帳に追加

本発明の製造方法は、所定の波長よりも大きい表面粗さの粗面２７ｐを有する基板２７を準備する工程と、面電子源２３を用いた電子ビームリソグラフィによって、所定の波長以下の平均ピッチを有する複数の微小凹凸部２９を基板２７の粗面２７ｐに形成する工程とを含む。 - 特許庁

Two or more split patterns are produced by splitting a whole- surface arranging pattern ranging over the whole surface of an electron-source substrate and/or a face plate 58, the split patterns are screen-printed by using a screen plate 55, and the whole-surface arranging pattern is formed over the whole surface of the electron-source substrate and/or the face plate 58 by screen- printing.例文帳に追加

電子源基板及び/又はフェースプレート５８の全面に亙る全面配列パターンを分割して2以上の分割パターンを生成し、前記分割パターンをスクリーン版５５によりスクリーン印刷し、前記スクリーン印刷により前記電子源基板及び/又はフェースプレート５８の全面に前記全面配列パターンを形成するようにしている。 - 特許庁

An electron supply layer 17 consisting of a nitride semiconductor, and an electron transit layer 19 consisting of a nitride semiconductor are laminated, in order, on the (0001) plane of an underlying layer 15 consisting of a nitride semiconductor, and a gate electrode 21, a source electrode 23, and a drain electrode 25 are provided on the surface of the electron transit layer 19 opposite from the electron supply layer 17.例文帳に追加

窒化物半導体からなる下地層１５の（０００１）面上に、窒化物半導体からなる電子供給層１７、窒化物半導体からなる電子走行層１９の順に積層され、電子走行層１９における電子供給層１７と反対の面上に、ゲート電極２１、ソース電極２３、及びドレイン電極２５が設けられている。 - 特許庁

A column electron microscope combined device has a structure of arranging: an electron microscope capable of beam tilting for obtaining images by irradiating charged particle beams on an observation defect and detecting electrons emitted from a surface of the observation defect; and compact column electron microscopes enabling imaging from an arbitrary angle on a column of the electron microscope.例文帳に追加

本発明は、上記目的を達成するために、荷電粒子ビームを観察欠陥に照射し、観察欠陥の表面から放出される電子を検出して画像を取得するビームチルトが可能な電子顕微鏡と、当該電子顕微鏡カラムに任意の角度から撮像可能とする小型カラム電子顕微鏡を複数配置した構造とする。 - 特許庁

In an electron beam projection aligner for irradiating a substrate 6 retained on a stage 9 in the sample chamber 10 with electron beams 3 discharged from an electron gun 2 via lenses 4, 5, a conductive shielding film 12, having a through hole through which the electron beams 3 pass, is removably provided on the inner surface of the sample chamber 10 opposite to the substrate 6.例文帳に追加

電子銃２から放出された電子ビーム３をレンズ４，５を介して、試料室１０内のステージ９上に保持された基板６に照射する電子線露光装置であって、基板６と対向する試料室１０の内壁面に、電子ビーム３が通過する貫通穴を有する導電性遮蔽膜１２を着脱可能に設けた。 - 特許庁

An electron gun 1, a focusing lens 2, a deflector 4, a blanker 13, an excimer beam source 21 are provided, and a reflection mirror 23 having an electron beam passage hole 23H, and having a reflection surface 23R to reflect the excimer beam to radiate the excimer beam from an excimer beam source 21 along an electron beam passage to a sample is provided on the electron beam passage.例文帳に追加

電子銃１、集束レンズ２、偏向器４、ブランカー１３、エキシマ光源２１を備え、更に、電子ビーム通過孔２３Ｈを有し、且つ、エキシマ光源２１からのエキシマ光が電子ビーム通路に沿って試料上に照射されるようにエキシマ光を反射する反射面２３Ｒを有する反射ミラー２３を電子ビーム通路上に設ける。 - 特許庁

Thereby, since the electron emitting source has the carbon system substance and a metal carbide coating film formed on its surface, or a metal carbide layer is formed at the interface between the carbon system substance and the metal coating film, the electron emitting source having an improved electron emission lifetime characteristics without deteriorating electron emission characteristics can be obtained.例文帳に追加

これにより、電子放出源は、カーボン系物質とその表面に金属炭化物コーティング膜が形成されるか、またはカーボン系物質と金属コーティング膜との界面に金属炭化物層が形成されているので、電流放出特性の低下なしに電子放出寿命特性が改善された電子放出源を得ることができる。 - 特許庁

The system for generating a free electron laser comprises a unit (11) for generating a variable speed electron beam 5, a metallic grating 6, and a slit 8 wherein a laser 7 is emitted by passing the electron beam 5 along the surface of the grating 6 and a pulse laser is obtained by varying the speed of the electron beam 5 periodically and passing the laser 7 through the slit 8 while being pulsed.例文帳に追加

速度を可変に電子ビーム５を発する電子ビーム発生装置（１１）と、金属製のグレーティング６と、スリット８とを有し、グレーティング６の表面に沿つて電子ビーム５を通過させてレーザ７を放出させると共に、電子ビーム５の速度を周期的に変えて、レーザ７をスリット８を通過させてパルス化させて、パルス・レーザを得る。 - 特許庁

A conductive thin film of the electron emission element on an electron source substrate 83 is composed of a particulate film of Sp^3-bonding boron nitride, or a thin film in which a fine projection shape is provided on the front surface of Sp^3-bonding boron nitride, and provided with extremely superior electron emission characteristics.例文帳に追加

電子源基板８３上の電子放出素子の導電性薄膜は、Ｓｐ^３結合性窒化ホウ素の微粒子膜、もしくは、Ｓｐ^３結合性窒化ホウ素の表面が微小突起形状を有する薄膜からなり、極めて良好な電子放出特性を持つ。 - 特許庁

By controlling the surface electric field intensity of a specimen and the scanning method of primary electron beam during image acquisition, charge produced by primary electron beam irradiation is mitigated or stabilize and the effects of dynamic charge produced by primary electron beam irradiation are made hardly occur.例文帳に追加

試料の表面電界強度や画像取得時の一次電子ビームの走査方法を制御する事で、一次電子ビーム照射によって生成される帯電を緩和若しくは安定化し、一次電子ビームの照射によって生成される動的な帯電の影響を受けにくくする。 - 特許庁

The interior of the sealed device body 100 is provided with an electron gun 200 and an anticathode, an electron ejected from the electron gun 200 is made to be collided with the anticathode, and the X-ray beam generated from the surface of the anticathode at that point is ejected from an extraction window 112 to the exterior.例文帳に追加

密閉された装置本体１００の内部に電子銃２００と対陰極とを備え、電子銃２００から発射した電子を対陰極に衝突させ、その際に該対陰極の表面から発生するＸ線束を取出窓１１２から外部へ出射する。 - 特許庁

To provide an electron tube capable of avoiding the adsorption of gas to the surface of an emitter by the discharge of gas produced in an electron tube manufacturing process by supplying, for heating, a current to a heater installed in the electron tube without installing a new stem pin for potential supply.例文帳に追加

電子管内に設けたヒーターに対して、新たな電位供給用のステムピンを設けることなく電流を供給して発熱させ、電子管の製造工程中に発生するガス放出によるエミッタ表面へのガス吸着を回避できる電子管を提供する。 - 特許庁

By relatively moving the first substrate 12 and the second substrate 13 on the substrate flat surface in a state where the lead 2 of the electron device 1 is inserted into the corresponding through hole 14 and penetrating hole 16, contact of the lead 2 of electron device 1 with the electron device 1 is made through its pressing contact to the through hole 14.例文帳に追加

電子デバイス１のリード２を各々対応するスルーホール１４と貫通穴１６に挿入した状態で第１基板１２と第２基板１３を基板平面上で相対移動させ、電子デバイス１のリード２をスルーホール１４に押圧接触して電子デバイス１とのコンタクトを取る。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a cathode substrate, capable of forming an electron emission source in a simple method, increasing adhesive force between the electron emission source and the substrate, and carrying out electron emission without any special surface treatment, and also to provide a flat panel display device including the cathode substrate manufactured by the method.例文帳に追加

電子放出源を単純な方法で形成し，電子放出源と基板との接着力を増加させ，別途の表面処理をしなくても電子放出が可能な，カソード基板の製造方法及びその方法で製造されたカソード基板を含む平板ディスプレイ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a technique for obtaining accurate energy spectral for obtaining a sharp electron image by suppressing the charging or potential strain on the surface of an insulator sample, caused when the insulator sample is observed in the field of an photoemission electron microscopic technique, and to provide a photoemission electron microscope that applies this technique.例文帳に追加

放射電子顕微鏡技術の分野において、絶縁物試料を観察した際に生じる試料表面の帯電や電位歪みを抑制し、鮮明な電子像を得て正確なエネルギースペクトルを得るための手法と、それを応用した放射電子顕微鏡の提供。 - 特許庁

In this electron beam device, an electron beam, within thermal field emission electron beams emitted from the cathode 21 formed of carbide of a transition metal such as Ta, having a relatively larger angle formed between an optical axis and itself is entered into openings 32, and each reduced image of the openings is reductively projected on the surface of a sample.例文帳に追加

電子線装置は、Ｔａ等の遷移金属の炭化物からなるカソード２１から放出される熱電界放出電子線のうち、光軸とのなす角度が大きい方の電子線を開口３２に入射させ、該開口の縮小像を試料面に縮小投影する。 - 特許庁

A main control system 34 previously forms the voltage map indicating the quantity of the focal point displacement of the secondary electron beam B2 in a detecting surface of an electron beam detecting unit 30 in response to the quantity of the charge up generated when a sample 4 is irradiated with the primary electron beam B1, and stores this voltage map in a memory device 43.例文帳に追加

主制御系３４は、試料４上に一次電子ビームＢ１を照射した際に生ずるチャージアップ量に応じ、電子ビーム検出器３０の検出面における二次電子ビームＢ２の焦点ずれ量を示す電圧マップを予め作成し記憶装置４３に記憶する。 - 特許庁

The ridge region where the surface on which the group of surface conduction type electron-emitting elements is formed and the surface in the direction of thickness which is perpendicular to the surface cross are subjected to chamfers of Cl (front), Cr (front), Cl (back), Cr (back).例文帳に追加

この前記表面伝導型電子放出素子群が形成されている領域の面と該面に垂直方向の厚さ方向の面とが交差する稜線領域に面取りＣｌ（表），Ｃｒ（表）Ｃｌ（裏），Ｃｒ（裏）が施されている。 - 特許庁

A semiconductor surface layer, surface characteristics, or interface characteristics are measured and evaluated, by selectively having an electron energy irradiated to a semiconductor so that carriers are excited in the surface layer of the semiconductor and detecting the carrier behavior of the surface layer.例文帳に追加

半導体の表面層にキャリアを励起するように電子エネルギーを選択的に前記半導体に照射し、前記表面層のキャリア挙動を検知することにより半導体表面層、表面特性又は界面特性を測定評価する。 - 特許庁

A channel layer 4 is grown from a principal surface of a substrate 2 having a nonpolar surface as the principal surface and an electron confinement layer 5 is further grown on the channel layer 4 to form a nitride semiconductor stack structure portion 3 on one surface side of the substrate 2.例文帳に追加

非極性面を主面とする基板２の主面からチャネル層４を成長させ、このチャネル層４上にさらに電子閉じ込め層５を成長させることによって、基板２の一方側に窒化物半導体積層構造部３を形成する。 - 特許庁

To provide a surface modification method and apparatus converting a low pressure ionized gas in a housing into plasma and irradiating a body to be irradiated with an electron beam from a cathode electrode, the method and apparatus being adapted to modify the inside surface of a cavity or a hole in the body to be irradiated by electron beam irradiation.例文帳に追加

ハウジング内の低圧電離ガスをプラズマ化して、カソード電極から電子ビームを照射する表面改質方法及び装置として、被照射体のキャビティまたは孔の内側面に対して照射改質ができる方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide a stereoscopic shape measuring method by a scanning electron microscope (SEM) and its device capable of highly-accurate stereoscopic shape measurement even in the case of a flat surface or a nearly vertical surface, by utilizing tilt angle dependency of a secondary electron image signal quantity.例文帳に追加

ＳＥＭの２次電子画像信号量の傾斜角依存性を利用して平坦な面や垂直に近い面についても高精度な立体形状計測を可能にしたＳＥＭによる立体形状計測方法およびその装置を提供することにある。 - 特許庁

To add to a semiconductor nanoparticle a surface treating material giving at least one of electron donating groups, to accelerate a reaction to arrange the electron donating groups on a core surface of the semiconductor nanoparticle, and to sharply shorten a time and a period required to the reaction.例文帳に追加

半導体ナノ粒子に１種以上の電子供与性基を与える表面処理材料を加え、半導体ナノ粒子コア表面に電子供与性基を配列させる反応を促進させ、該反応に要する時間及び期間を大幅に短縮する。 - 特許庁

Regarding the heat-sensitive recording medium in which the surface of a support is provided with a heat-sensitive recording layer containing an colorless or light-colored electron-donating leuco dye and an electron-accepting developer, the outermost surface layer contains a phosphoric ester compound.例文帳に追加

支持体上に、無色ないし淡色の電子供与性ロイコ染料および電子受容性顕色剤を含有する感熱記録層を設けた感熱記録体において、最表層にリン酸エステル化合物を含有することを特徴とする感熱記録体。 - 特許庁

Since the surface of the sample can easily be cleaned like this and thus, the surface of the sample can be cleaned in advance every time the secondary electron emission quantity of the sample 21 is measured, the secondary electron emission quantity of the sample 21 can accurately be provided.例文帳に追加

このように、容易に試料の表面をクリーニングすることができるので、試料２１の二次電子放出量を測定するごとに、前もって試料の表面をクリーニングすることができるため、試料２１の二次電子放出量を正確に求めることができる。 - 特許庁

The surface of the sample is inspected by irradiating the electron beams on the surface S of the sample, and after extracting defective sites of the sample according to the inspection, the electron beams are irradiated again on the extracted defective sites to carry out enlargement or detailed observation of the same.例文帳に追加

電子ビームを試料表面Ｓに照射して試料表面の検査を行い、その検査に基づいて試料の欠陥部位を抽出した後、抽出された欠陥部位に再度電子ビームを照射して欠陥部位の拡大または詳細観察を行う。 - 特許庁

In a manufacturing method of an electron emitting element having a pair of element electrodes 2, 3 formed face to face on a substrate 1 and a thin film containing an electron emitting part 5, a voltage is applied so as to make a potential of the surface of the substrate higher than a potential of the back surface.例文帳に追加

基板１上に形成された対向する一対の素子電極２，３と、電子放出部５を含む薄膜４とを有する電子放出素子の製造方法において、基板１の表面の電位を裏面の電位より高くなるよう電圧を印加する。 - 特許庁

To solve a problem that in order to realize an electron optical system in which a surface electric field control electrode is installed and a primary electron beam diameter is reduced, the surface electric field control electrode needs to be adjacent to a wafer, and for that reason, it becomes impossible to carry out height detection for focusing.例文帳に追加

表面電界制御電極を設け，かつ一次電子ビーム径を縮小させた電子光学系を実現するには，表面電界制御電極をウェハに近接させる必要があり，このため，焦点あわせ用の高さ検出が行えなくなる。 - 特許庁

In one embodiment, the present method includes a step of generating an electron beam by operating an negative electrode, a step of orientating the electron beam from the negative electrode to pass through an aperture having selectable shape of an acceleration electrode, and a step of making the electron beam to hit a surface of a positive electrode at small angle to form the focal spot on the surface of the positive electrode.例文帳に追加

１つの実施形態では、本方法は、陰極を作動させて電子ビームを発生させる段階と、陰極からの電子ビームを加速電極の選択可能な形状の開口を通して配向する段階と、電子ビームを小角度で陽極表面上に衝突させて陽極表面上に焦点を形成させる段階とを含む。 - 特許庁

The electron beams EB are radiated from an outgoing window 40g of an electron beam generation unit 40A, 40B to a substrate surface while being scanned in a scanning direction (a first direction) Y, and a substrate W concerned is moved in a horizontally moving direction (a second direction) X and the electron beams EB are radiated to the substrate surface Wf two-dimensionally.例文帳に追加

電子ビーム発生ユニット４０Ａ，４０Ｂの出射窓４０ｇから電子ビームＥＢがスキャン方向（第１方向）Ｙに走査されながら基板表面に照射されるとともに、当該基板Ｗが水平移動方向（第２方向）Ｘに移動して基板表面Ｗｆに対して電子ビームＥＢが２次元的に照射される。 - 特許庁

In a manufacturing method of an electron source having plural surface conduction electron emission elements arranged on a substrate, conductivity forming is carried out for the plural surface conduction electron emission elements by dividing them in plural groups electrically opened, and electrical connections are made among respective groups after the conductivity forming process which is carried out for these respective groups.例文帳に追加

基体上に配置された複数の表面伝導型電子放出素子を有する電子源の製造方法において、複数の表面伝導型電子放出素子を、電気的に開放した複数群に分けて通電フォーミングを行い、これら各群に対して行われる通電フォーミング工程の後に、各群間を電気的に接続する。 - 特許庁