「surface element」に関連した英語例文の一覧と使い方(343ページ目) - Weblio英語例文検索

A flexible printed wiring board 14 is provided with an insulator layer 1, conductor wiring 9 formed on one surface of the insulator layer 1, and a bonding pad 22 constituted by including at least a portion of the conductor wiring 9 and connected to a semiconductor element 16 mounted to one surface via a bonding wire 17 and a metallic body 7 for bonding packed in a hole put through the insulator layer 1 immediately under the bonding pad 22.例文帳に追加

フレキシブルプリント配線板１４は、絶縁体層１と、絶縁体層１の一方の面に設けられた導体配線９と、導体配線９の少なくとも一部を含んで構成され、前記一方の面に搭載される半導体素子１６とボンディングワイヤー１７で接続されるボンディングパット部２２と、ボンディングパット部２２の直下において絶縁体層１を貫通する孔に充填されたボンディング用金属体７とを有する。 - 特許庁

The joint prosthesis is provided with: a stem including a bone engaging part and a container having a tapered part defined by a tapered wall structure; the head including a bearing surface and a connecting part; and a mounting element including a proximal portion which is configured to fit with the connecting part of the head and a distal portion which defines a spherical bearing surface positioned continuously in contact with the contiguous periphery of the container.例文帳に追加

補綴具組立体において、骨係合部、およびテーパー壁構造体により画定されるテーパー部を有する容器を含む、幹状部と、支持表面および連結部を含むヘッド部と、前記ヘッド部の前記連結部と嵌合するように構成された近位部、および前記容器の周縁部全体の周りに連続的に接触して位置付けられる球状の支持表面を画定する遠位部を含む、取付要素と、を備える、補綴具組立体である。 - 特許庁

The light emitting element is characterized by having: a semiconductor laminated material having a light-emitting layer; a transparent electrode having a first plane with a protruded area in a shape of island or net and a second plane in ohmic contact with the semiconductor laminated material; and a pad electrode provided at least in any one of the upper surface of the protruded area and the bottom surface in the circumference of the protruded area on the first plane.例文帳に追加

発光層を有する半導体積層体と、島状または網状の凸部が設けられた第１の面と、前記半導体積層体との間でオーミックコンタクトを可能とする第２の面と、を有する透明電極と、前記第１の面における前記凸部の上面および前記凸部の周囲の底面のうちの、少なくともいずれかの上に設けられたパッド電極と、を備えたことを特徴とする発光素子が提供される。 - 特許庁

This laser emission spectrophotometer for conducting analysis of constitutive elements in an analyzed sample using an emission spectrophotometer, by irradiating a surface of the analyzed sample with high energy density of laser using giant pulse laser to excite the element on the surface of the analyzed sample and to emit light is provided with an optical system for irradiating diagonally the analyzed sample with the high energy density of laser beam provided by converging the giant pulse laser.例文帳に追加

ジャイアントパルスレーザーを用いて、被分析試料表面に高エネルギー密度のレーザーを照射することにより被分析試料表面の構成元素を励起、発光させ、発光分光分析装置を用いて、被分析試料の構成元素分析を行うレーザー発光分光分析装置において、ジャイアントパルスレーザーを集光して得られる高エネルギー密度のレーザー光を、被分析試料に対し斜めに照射する光学系を備えたこと。 - 特許庁

This surface-modified lithium nickel compound oxide is used as the positive electrode active material for the lithium secondary battery, and it is manufactured by calcinating the lithium nickel compound oxide after making a compound of a specific element among the elements of groups 4B-6B of the periodic table whose oxide has a melting point of 750°C or more exist on the surface of a lithium nickel compound oxide.例文帳に追加

リチウム二次電池の正極活物質として用いる表面修飾リチウムニッケル複合酸化物であって、リチウムニッケル複合酸化物の表面に、周期表４Ｂ〜６Ｂ族の元素のうち、前記元素の酸化物の融点が７５０℃以上である所定の元素の化合物を存在させた後に、前記リチウムニッケル複合酸化物を焼成することによって製造されることを特徴とする表面修飾リチウムニッケル複合酸化物。 - 特許庁

The organic electroluminescence element comprises a substrate on which a first electrode is provided, a hydrophilic surface provided on the substrate on which hydrophilic graft chains exist, an organic luminous layer or a plurality of organic compound layers including the organic luminous layer locally provided on the hydrophilic surface, and a second electrode provided on the organic luminous layer or the plurality of organic compound layers including the organic luminous layer, in sequence.例文帳に追加

第一の電極が設けられた基板と、該基板上に設けられた親水性グラフト鎖が存在する親水性表面と、該親水性表面上に局所的に設けられた有機発光層又は有機発光層を含む複数の有機化合物層と、該有機発光層又は有機発光層を含む複数の有機化合物層上に設けられた第二の電極と、を順次備えてなることを特徴とする有機電界発光素子である。 - 特許庁

The ring seat portion 32 as an approximately planar seat formed on the end face of the valve element 3 in the moving direction has a sharp seat surface abutting portion 32a provided at the outer peripheral edge in the form of somewhat sloping to a seat surface 34 for increasing bearing pressure.例文帳に追加

２位置３方弁である増圧制御弁１の弁体３は、増圧制御室４４とコモンレール１０から増圧室４６の間を開閉するテーパシート部３１と、増圧制御室４４とリターン通路１ｃの間を開閉するリングシート部３２を備え、弁体３の移動方向の端面に形成される略平面シートであるリングシート部３２は、面圧を上げるために、座面３４に対して僅かに傾斜させてその外周端縁に尖り形状の座面当たり部３２ａを設けている。 - 特許庁

Consequently, contact regions 13a-13e for selectively increasing the dopant concentration in the surface, a polycrystalline silicon 14 and an oxide silicon film 14a, formed inside trenches T2 for demarcating magnetism detecting portions HP inside the substrate, and the silicon 14 and the silion film 14a formed inside trenches T1 for isolating the Hall element from other elements, are selectively exposed on the surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

これにより、同半導体基板の表面には、同表面の不純物濃度を選択的に高めるコンタクト領域１３ａ〜１３ｅと、同基板内に磁気検出部ＨＰを区画形成するトレンチＴ２内の多結晶シリコン１４および絶縁膜の酸化シリコン膜１４ａと、当該ホール素子を他の素子と素子分離するトレンチＴ１内の多結晶シリコン１４および絶縁膜の酸化シリコン膜１４ａとが選択的に露出される。 - 特許庁

Namely, the method of manufacturing the semiconductor device includes the steps of: directly attaching the photosensitive adhesive layer 10 with the above performance onto the semiconductor mounted surface 6a of the support member 6; patterning the photosensitive adhesive layer 10 on the semiconductor mounted surface 6a through exposure and development; and directly adhering the semiconductor element 8a to the patterned photosensitive adhesive layer (insulating layer) 10a.例文帳に追加

すなわち、本発明に係る半導体装置の製造方法は、支持部材６の半導体搭載面６ａ上に上記性能を有する感光性接着剤層１０を直接付設する工程と、半導体搭載面６ａ上の感光性接着剤層１０を露光及び現像によってパターニングする工程と、パターニングされた感光性接着剤層（絶縁層）１０ａに半導体素子８ａを直接接着する工程とを備える。 - 特許庁

To provide an electrochromic mirror having no incomplete erasing, even when coloring is continued for a long time, and which has superior responsiveness, regardless of the size of element and hardly generating initial coloring deviation, even when a reflection conductive substrate having a surface resistance value lower than that of a transparent conductive substrate is used.例文帳に追加

長時間着色を継続した場合でも消え残りが発生することなく、また素子の大きさにかかわらず応答性に優れ、さらに透明導電性基板に比べて表面抵抗値の低い反射性導電性基板を使用した場合でも着色初期の偏りが生じにくいエレクトロクロミックミラーを提供する。 - 特許庁

A flat display device includes a plurality of scanning lines Y, a plurality of signal lines X, a plurality of display pixels PX located at cross positions of the scanning lines Y and the signal lines X and including a surface conduction type electron emission element, a video processing circuit 4, a scanning line driver 3, and a signal line driver 2.例文帳に追加

平面表示装置は複数の走査線Ｙと、複数の信号線Ｘと、これら走査線Ｙおよび信号線Ｘとの交差位置に配置され表面伝導型電子放出素子を含む複数の表示画素ＰＸと、映像処理回路４と、走査線ドライバ３と、信号線ドライバ２とを備える。 - 特許庁

A circuit module, which includes at least one application specific integrated circuit (ASIC) 504 and a plurality of vertical cavity surface-emitting laser (VCSEL) array module 520, is formed by using a standard ceramic or organic multi-chip module (MCM) package substrate 500 , thereby, the element of a high density, having a foot print is attained.例文帳に追加

少なくとも１つの特定用途向け集積回路（ASIC）504及び複数の垂直共振器型面発光レーザ（VCSEL）アレイモジュール520を含む回路モジュールが、標準的なセラミック又は有機マルチチップモジュール（MCM）パッケージ基板500を使用して形成され、その結果として小さなフットプリントを有する高密度の素子が得られる。 - 特許庁

When a mode related to an optical axis adjusting function is commanded by a mode changeover switch 18, the control circuit 21 controls the drive of the shift lens 13 via the shift lens drive circuit 23 so as to uniformize pixel variations per unit time on an image surface of the image pickup element 15 irrelevant to a focal distance of the zoom lens 12.例文帳に追加

制御回路２１は、モード切替スイッチ１８によって光軸調整機能に係るモードが指示された場合、ズームレンズ１２の焦点距離に関わらず撮像素子１５の像面上における単位時間当りの画素変化量が一定になるように、シフトレンズ駆動回路２３を介してシフトレンズ１３の駆動制御を行う。 - 特許庁

In this surface acoustic wave element, an electrode 6 serving as an inter-digital transducer is formed on a piezoelectric substrate 1, and the electrode 6 includes the laminate structure of a conductive layer 2 made of metal, and an electronic diffusion suppressing layer 3 constituted of a semiconductor whose potential barrier should be formed on its interface with the conductive layer 2.例文帳に追加

本発明に係る弾性表面波素子は、圧電基板１上にインターディジタルトランスデューサとなる電極６が形成されており、該電極６は、金属からなる導電層２と、該導電層２との界面にポテンシャル障壁を形成すべき半導体からなる電子拡散抑制層３の積層構造を有している。 - 特許庁

At least the molding face 1a of the die for an optical element is subjected to ion implantation with argon ions 10 progressing in the direction at 70° to 110° angle θ from the tangential plane (A) in the center of the molding face 1a to form a film having minute crystal grains on the surface of the molding die face 1a.例文帳に追加

光学素子成形用型の少なくとも成形面１ａに対し、この成形面１ａの中心における接平面Ａとのなす角度θが７０°〜１１０°である方向から進行するアルゴンイオン１０によってイオン注入を施こし、成形面１ａの表面に微細な結晶粒が存在する膜を形成する。 - 特許庁

The piezoelectric element formed on the surface of a diaphragm opposite to a pressure chamber 12 has a multilayered structure provided with a piezoelectric layer 31 consisting of an upper layer piezoelectric material 34 and a lower layer piezoelectric material 35 which are alternately laminated, and electrode layers 36, 37, 35 for generating an electric field to be applied to the layer 31.例文帳に追加

圧力室１２とは反対側の振動板表面に形成された圧電素子は、互いに積層された上層圧電体３４及び下層圧電体３５からなる圧電体層３１と、この圧電体層３１に付与される電場を発生する電極層３３，３６，３７とを備えた多層構造とする。 - 特許庁

In order to attain the purpose, the substrate for an EL element is structured so as to have a substrate, a first electrode layer formed on the substrate in a patterned form, a light emitting part formed on the first electrode layer, and a protective layer formed so as to cover the surface of the light emitting part.例文帳に追加

上記目的を達成するために、本発明は、基板と、前記基板上にパターン状に形成された第１電極層と、前記第１電極層上に形成された発光部と、前記発光部の表面を覆うように形成された保護層とを有することを特徴とするＥＬ素子形成用基板を提供する。 - 特許庁

Moreover, a gate oxide film 13 is formed on the surface of the layer 3 between the regions 9 and 10, a polysilicon layer 14 is formed on the film 13 and an insulated-gate transistor, which uses the region 9 as its source region and uses the region 10 as its drain region, is formed in the one element region.例文帳に追加

また、Ｐ^+ ベース領域９、Ｐ^+ 過剰キャリア除去用領域１０の間のＮ^- 層３の表面にゲート酸化膜１３が形成され、その上にポリシリコン層１４が形成されて、Ｐ^+ ベース領域９をソース領域としＰ^+ 過剰キャリア除去用領域１０をドレイン領域とする絶縁ゲート型トランジスタが形成されている。 - 特許庁

To provide an optical semiconductor device including an optical element that does not degrade transmission of a light due to discoloration of a light-receiving surface even in the optical semiconductor device receiving high-density output light with high energy such as blue-violet laser or the like and that can be easily manufactured at low cost, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

青紫色レーザなどの、高エネルギーで高密度の出力の光を受光する光半導体装置でも、受光面が変色して光の透過率を低下させることなく、また、容易に製造することができて安価に得られる受光素子を有する光半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The magnetoresistive element 1 includes a structure in which an insulating layer 15 is laminated on a magnetization fixed layer 14 and a free magnetic layer 16 is laminated on the insulating layer 15, the magnetization fixed layer 14 having an oxygen-bonding layer having a thickness of two oxygen atoms or less, formed on its upper surface.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子１は、磁化固定層１４の上に絶縁層１５が積層され、絶縁層１５の上に自由磁性層１６が積層される構造を有する磁気抵抗効果素子であって、磁化固定層１４は、上面に酸素原子２原子分の厚さ以下の酸素結合層が形成される。 - 特許庁

The optical device controls the phase difference due to polarization direction of incident light in a scale equal to or below wavelength by utilizing structural birefringent effect locally caused by nearly periodical rugged structure, wherein the height or depth of the rugged structure is not uniform in surface of the optical element.例文帳に追加

波長以下のスケールの、局所的にみてほぼ周期的な凹凸構造によって生じる構造性複屈折効果を用いて、入射光の偏光方向による位相差を制御する光学素子であって、前記凹凸構造の高さ又は深さが素子の面内において一様でないことを特徴とする光学素子。 - 特許庁

The semiconductor device is provided, on the principal surface of a substrate, with a group III nitride semiconductor layer formed by epitaxial growth, an active element arranged on the group III nitride semiconductor layer, and an insulated region provided to include at least a part of the interface between the group III nitride semiconductor layer and the substrate.例文帳に追加

基板の主面上に、エピタキシャル成長により形成された３族窒化物半導体層と、前記３族窒化物半導体層上に配置された能動素子と、絶縁性であり、前記３族窒化物半導体層と前記基板との界面の少なくとも一部を含むように設けられた絶縁化領域と、を具備する。 - 特許庁

The surface-mounting temperature sensing element 1a has a first terminal electrode 3 and a second terminal electrode 4 formed to the sides of a glass epoxy substrate 2 and the thermistor 7a in which one terminal is connected to the first terminal electrode 3 while the other terminal is connected to the second terminal electrode 4 through a resistor 6a.例文帳に追加

表面実装型温度検出素子１ａは、ガラスエポキシ基板２の辺部に形成される第１の端子電極３及び第２の端子電極４と、一方の端子が第１の端子電極３に接続されるとともに、他方の端子が抵抗６ａを介して第２の端子電極４に接続されるサーミスタ７ａを有する。 - 特許庁

In the semiconductor device in which the thin film (106) containing the metal oxide is formed on a semiconductor element, the thin film (106) is an aggregate of crystal particles formed of the metal oxide, and each of the crystal particles is bonded to an adjacent one of each at a part of its surface.例文帳に追加

半導体デバイスは、半導体素子上に、金属酸化物を含む薄膜(106)が形成されてなる半導体デバイスであって、薄膜(106)は、金属酸化物よりなる複数の結晶粒子(106a)の集合体であり、複数の結晶粒子(106a)の各々は、表面の一部において、隣接する結晶粒子と結合している。 - 特許庁

Each organic EL element 11 has laminated structure formed by laminating an anode 29, a light emitting organic EL luminescent layer 30, and a transparent cathode 31 in order on the one surface 15a of the first substrate 15, and a common transparent electrode 33 of the cathode 31 is a common layer of all organic EL elements.例文帳に追加

各有機ＥＬ素子１１は、第一基板１５の一方の面１５ａにアノード電極２９、発光する有機ＥＬ発光層３０、透明なカソード電極３１が順に積層された積層構造となっており、カソード電極３１の共通透明電極３３は全ての有機ＥＬ素子１１の共通層となっている。 - 特許庁

The first and the second electrode pads 3a, 5a each includes a part having substantially the same shape as that of the corresponding back electrode 23 or the corresponding surface electrode 25, and four projecting parts projecting outward by a distance D_1 from a location corresponding to four corners of the part along a diagonal line of the semiconductor element 20.例文帳に追加

第１および第２電極パッド３ａ、５ａは、対応する裏面または表面電極２３、２５と実質的に同一の形状を有する部分と、該部分の四隅に相当する位置から半導体素子２０の対角線に沿って外向きに距離Ｄ_１だけ突出した４つの突出部分とからなっている。 - 特許庁

Further, the semiconductor package has a semiconductor element mounted on the interposer, and the method of manufacturing the interposer includes a step of forming the conductor pattern on a metal foil of the prepreg formed by bonding the metal foil to the one surface by etching and a step of forming the coating layer so as to cover at least the part of the conductor pattern.例文帳に追加

また、半導体パッケージは、上記インターポーザに半導体素子を搭載しており、インターポーザの製造方法は、片面に金属箔を接合してなるプリプレグの金属箔にエッチングにより導体パターンを形成する工程と、前記導体パターンの少なくとも一部を覆うように被覆層を形成する工程とを有する。 - 特許庁

In the method of forming the element isolation trench, the upper end of the liner 14 composed of the silicon nitride film is exposed by downwardly retreating the top surface of a first embedded insulating film 17 packed in a groove 2a formed into a silicon substrate 1, after the liner 14 is caused to deposit on the internal wall of the groove 2a.例文帳に追加

本発明による素子分離溝の形成方法は、シリコン基板１に形成した溝２ａの内壁に窒化シリコン膜ライナー１４を堆積した後、溝２ａの内部に充填した第１の埋め込み絶縁膜１７の上面を下方に後退させ、窒化シリコン膜ライナー１４の上端部を露出させる。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer for compound semiconductor element provided with a nearly ideal n-type InGaAs non-alloy layer not resulting in any influence on the characteristics of transistors, by solving the problems of surface flatness, diffusion into the lower layers and memory effect resulting from an n-type dopant on the InGaAs non-alloy layer of the uppermost layer.例文帳に追加

最上層のＩｎＧａＡｓノンアロイ層へのｎ型ドーパントが及ぼす表面の平坦性、下層への拡散、及びメモリー効果といった課題を解決して、トランジスタの特性に影響が無い、理想に近いｎ型のＩｎＧａＡｓノンアロイ層を具備する化合物半導体素子用エピタキシャルウェハを提供すること。 - 特許庁

A return light flux SP1 from a recording surface is inputted to a hologram element 57 which has a diffraction area equal to or smaller than a diameter of an opening matching wavelength of an output light flux obtained at a diffraction objective lens, and a photodetector receives a diffracted light from the diffraction areas of the hologram elements 57a to 57c.例文帳に追加

記録面からの戻り光束ＳＰ１は、回折型の対物レンズで得られる出射光束の波長に対応した開口径に対応する径以下の外径を有する回折領域を備えるホログラム素子５７に入射され、ホログラム素子の回折領域５７ａ〜５７ｃからの回折光は光検出器で受光される。 - 特許庁

Aluminum pad electrodes are provided on a semiconductor element, metal electrodes are formed thereon, a photosensitive thermosetting resin layer is provided, the resin layer on the metal electrodes is removed through a mask and in an exposure-developing process, and an anisotropically conductive resin layer is formed on the metal electrodes surfaces and the photosensitive thermosetting resin layer surface.例文帳に追加

半導体素子上にアルミパッド電極を設けさらにこの上に金属電極を形成した上に、感光性熱硬化性樹脂層を設け、マスクと露光現像工程とによって金属電極上の樹脂層が除去し、金属電極表面と感光性熱硬化性樹脂表面に異方導電性樹脂層を形成する。 - 特許庁

The ferroelectric memory element 1A is configured in a way that there are stacked an organic ferroelectric layer 12 made of an organic ferroelectric, and an organic semiconductor layer 13 made of an organic semiconductor on at least one surface of the organic ferroelectric layer 12 between first and second electrodes 11, 14 facing each other.例文帳に追加

本発明に係る強誘電体記憶素子１Ａは、互いに対向する第１及び第２電極１１、１４間に、有機強誘電体から成る有機強誘電体層１２と該有機強誘電体層１２の少なくとも一方面に有機半導体から成る有機半導体層１３とが積層されている構造である。 - 特許庁

The piezoelectric element of the present invention includes a substrate having a pair of opposed main surfaces, a lower electrode layer disposed on one main surface of the substrate, a piezoelectric layer disposed on the lower electrode layer, and an upper electrode layer disposed on the piezoelectric layer, the lower electrode layer being made of nickel acid lanthanum-based ceramics.例文帳に追加

本発明の圧電体素子は、一対の対向する主面を有する基板と、その基板の一方の主面上に配置した下部電極層と、その下部電極層上に配置した圧電体層と、その圧電体層上に配置した上部電極層とを有しており、下部電極層はニッケル酸ランタン系セラミックスからなる。 - 特許庁

To improve controllability for an etching process, crystallinity at the time of regrowth and luminous efficiency in a surface emitting laser element of a selective oxidation current constrictive with a controlling system in an oxidation shape by arranging each semiconductor layer with different compositions in a current path and an oxidation area by means of etching and regrowth.例文帳に追加

エッチング及び再成長により電流通路と酸化領域にそれぞれ組成の違う半導体層を設けて酸化形状の制御を行う方式の選択酸化電流狭窄型の面発光型レーザ素子において、エッチング工程の制御性，再成長時の結晶性、および発光効率を向上させる。 - 特許庁

In the noise absorbing element having a conductor 2 through a magnetic compact 3 composed of the mixture of metallic magnetic powder and an electrically insulated polymeric material, the magnetic compact 3 is flexible and a cut part for folding/bending 5 is formed on the outer surface of the magnetic compact 3.例文帳に追加

金属磁性粉と電気絶縁性高分子材との混合物からなる磁性成形体３内に導体２が貫通したノイズ吸収素子において、前記磁性成形体３が柔軟性を有し、その磁性成形体３の外側面に折り曲げ用切開部５が形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

A light receiving element 14-1 is fixed to a side 13a of an integrated circuit 13 so that a light reception surface becomes vertical to the light axis of an optical fiber 12.例文帳に追加

受光素子１４−１を受光面が光ファイバ１２の光軸に垂直になるように集積回路１３の側面１３ａに固定し、集積回路１３と受光素子１４−１とをボンディングワイヤ接続することにより、配線長がサブキャリア２の電極分だけ短縮することができ、インダクタンスの増加を抑えることができる。 - 特許庁

The semiconductor device (100) includes an external connecting terminal (2) formed on an active surface of a semiconductor element (1), the pedestal (10a) formed on the external connecting terminal, and the solder ball (7) fixed on the pedestal, wherein the pedestal is provided with a selection plating layer (6).例文帳に追加

半導体素子（１）の能動面上に形成される外部接続端子（２）と、前記外部接続端子上に形成される台座（１０ａ）と、前記台座上に固着される半田ボール（７）と、を有する半導体装置（１００）であって、前記台座が選択メッキ層（６）を備えることを特徴とする半導体装置。 - 特許庁

Alternatively, on the active material layer, at least part of a surface of a particle of Mg_2A or LaA_2 and a particle of the element A are coated with a metal material with low forming ability of a lithium compound, as well as a gap is preferably formed between the particles coated with the metal material.例文帳に追加

あるいは、活物質層においては、Ｍｇ_2Ａ又はＬａＡ_2の粒子及び元素Ａの粒子の表面の少なくとも一部が、リチウム化合物の形成能の低い金属材料で被覆されているとともに、該金属材料で被覆された該粒子どうしの間に空隙が形成されていることが好ましい。 - 特許庁

The surface conduction type electron emission element is manufactured in such a way that a photocatalyst material film 6 is formed on an electron emission part forming thin film 3, an electron emission part 2 is formed by foaming treatment, and an activation process for depositing carbon films in an electron emission part 2 under the existence of oxygen gas while light is irradiated is applied.例文帳に追加

電子放出部形成用薄膜３上に光触媒材料膜６を形成し、フォーミング処理により電子放出部２を形成した後、光照射しながら酸素ガスの存在下で電子放出部２にカーボン膜を堆積する活性化工程を行って表面伝導型電子放出素子を製造する。 - 特許庁

To provide a boron phosphide semiconductor light emitting element in which a boron phosphide semiconductor layer is provided as a barrier layer and which has a surface electrode for supplying an operating current over a wide range to a light emitting unit of a region convenient to output a light.例文帳に追加

リン化硼素系半導体層を障壁層として備えたリン化硼素系半導体発光素子にあって、動作電流を、表面電極の直下の領域よりむしろその領域以外の、発光を取り出すに好都合な領域の発光部へ広範囲に流通させられる構成の表面電極を備えた発光素子を提供する。 - 特許庁

This paper is obtained by fixing natural radioactive rare element mineral fine particles containing thorium oxide and its isotope within the range of total amount of 0.1-2 wt.% and having 0.1-1 μm average particle diameter onto fiber surface with a water-soluble polymer and an emulsion type binder and making the fiber into paper.例文帳に追加

酸化トリウム及びその同位体を合計０．１〜２重量％の範囲内で含有し、平均粒子径が０．１〜１μｍの範囲内の天然放射性希有元素鉱物微粒子を水溶性ポリマー及びエマルジョン型バインダーにより繊維の表面に定着させ、その繊維を抄紙して得られるものである。 - 特許庁

Accordingly, the exposure preventive films 122 in minute film coupling structure are formed between the sidewall insulating films 120 and the insulator buried in films 130 so that any exposing trenches of the surface of the semiconductor substrate 100 may not be formed between the active region wherein the gate electrodes 162 are formed and the trench element isolating region.例文帳に追加

従って、膜の結合構造が緻密な露出防止膜１２２を側壁絶縁膜１２０と絶縁物埋込層１３０との間に形成することにより、ゲート電極１６２が形成される活性領域とトレンチ素子分離領域との間に半導体基板１００の表面を露出する溝が形成されないようにする。 - 特許庁

To provide a CMOS image sensor and its manufacturing method, capable of improving light receiving characteristics such as low illuminance characteristics, by implanting impurity ion in the part where the silicon lattice structure of a trench inner wall in an element separation region is damaged, to prevent a photodiode from being damaged, for protecting the surface of a photodiode region.例文帳に追加

素子分離領域のトレンチ内壁のシリコン格子構造が損傷された部分に不純物イオンを注入してフォトダイオードが損傷されるのを防止してフォトダイオード領域の表面を保護し、低照度特性などの受光特性を向上させることができるＣＭＯＳイメージセンサ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The surface side of a base region 4, constituted of the well region 8 and a section interposed between the well region 8 and the collector region 6 in the element forming region 3a, is formed with a reconnection region 7 constituted of an n-type impurity diffusion region functioning as the reconnection center of the minority carriers in the base region 4.例文帳に追加

ウェル領域８と、素子形成領域３ａのうちウェル領域８とコレクタ領域６との間に介在する部分で構成されるベース領域４の表面側に、ベース領域４中の少数キャリアの再結合中心として働くｎ形の不純物拡散領域からなる再結合領域７を形成してある。 - 特許庁

In the method of forming wirings of a semiconductor element in which ultra-fine electronic circuit wirings are formed, the electronic circuits are formed by embedding conductor materials including at least Cu layer into the substrate material and only the open surface of the electronic circuits is covered with a material for preventing movement by thermal diffusion of the conductor material.例文帳に追加

微細な電気回路配線を形成する半導体素子の配線形成方法において、基材中に少なくともＣｕ層を含む導電体材料の埋め込みにより電気回路を形成し、該導電体材料の熱拡散移動を防止する材料によって、前記電気回路の開放表面のみを被覆する。 - 特許庁