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surface stepの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 6410件
The method of subjecting the acoustic resonator to batch processing includes a process step of depositing a first electrode on the surface of a substrate, a process step of depositing a layer of a dielectric material on the first electrode and depositing a second electrode on the layer of the piezoelectric material and a process step of reducing the thickness of the substrate (200) by removing the material from the base surface of the substrate (200).例文帳に追加
本発明による音響共振器をバッチ処理するための方法は、基板の表面上に第1の電極を堆積させる工程と、第1の電極上に圧電材料の層を堆積させ、圧電材料の層上に第2の電極を堆積させる工程と、基板(200)の底面から材料を除去して基板(200)の厚さを少なくする工程を含む。 - 特許庁
The method of producing the dyed optical component comprises: a first step of dyeing one surface of a film made of transparent resin; and a second step of using the dyed film obtained in the first step to obtain a semi-lens integrally molded with the film by film insert molding, the dyed film being set to make a dyed surface of the dyed film contact with the lens material.例文帳に追加
染色光学部品の製造方法において、透明樹脂からなるフィルムの一方の面を染色する第1ステップと、第1ステップにて得られた染色済みフィルムを用いてフィルムインサート成形によりフィルムが一体成形されたセミレンズを得るステップであって,フィルムの染色面がレンズ材料と接触するようにフィルムインサート成形を行う第2ステップと、を有する。 - 特許庁
The production method of an electro-optical device comprises a step for sticking a semiconductor substrate to the surface of a supporting substrate 500, step (A) for forming a semiconductor layer 220 by separating the semiconductor substrate in a hydrogen ion implantation layer, and step (B) for melting the surface layer part of the semiconductor layer 220 by irradiating it with a laser beam having an absorption wavelength of the semiconductor layer 220.例文帳に追加
支持基板500の表面に半導体基板を貼り合わせる工程と、(A)半導体基板を水素イオン注入層において分離することにより、半導体層220を形成する工程と、(B)半導体層220による吸収波長のレーザを半導体層220に対して照射することにより、半導体層220の表層部を溶融させる工程とを有する。 - 特許庁
The manufacturing method has a step for connecting a plurality of electrodes arrayed two-dimensionally on the entire surface of the semiconductor chip to a corresponding conductive area on a substrate, a step for injecting liquefied resin for underfill between the entire surface of the semiconductor chip and the substrate, and a step for melting and curing the resin for underfill under constant pressure at temperature of glass transition temperature or above.例文帳に追加
半導体チップの一面に2次元的に配列された複数の電極を、基板上の対応する導電性領域に接合するステップと、半導体チップの一面と基板との間に液状化されたアンダーフィル用樹脂を注入するステップと、一定の圧力下においてアンダーフィル用樹脂をガラス転移温度以上の温度で溶融しキュアするステップとを有する。 - 特許庁
The method for analyzing the cell includes a step (a) of providing a plate immobilizing antibodies corresponding to the surface antigens, a step (b) of making the cell contact with the antibodies on the plate under a condition enough to cause specific interactions to occur between the antibodies and the surface antigens of the cell, and a step (c) of analyzing the level of the interactions between the antibodies and the cell.例文帳に追加
細胞を分析する方法であって、(a)表面抗原に対する抗体が固定されたプレートを提供する工程;(b)該プレート上の該抗体と、細胞とを、該細胞の表面抗原と該抗体とが特異的な相互作用をするに十分な条件下で接触させる工程;および(c)該抗体と該細胞との相互作用のレベルを分析する工程、を包含する、方法。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing semiconductor wafers in which semiconductor wafers with high flatness can be efficiently obtained from wafers passed through a surface grinding step by enabling planarization through suppressing deterioration of flatness occurring in the vicinity of the center and in the peripheral edge portion of surface ground wafers and through correcting the deterioration of flatness easily in a planarization step or a grinding step.例文帳に追加
平面研削されたウェーハの中心付近や外周縁部に生じるこのような平坦度の低下を極力抑制し、平坦化ないし研磨工程においてこれらを容易に修正し平坦化し得る様にすることで、平面研削工程をへたウェーハから、高い平坦度を有する半導体ウェーハを効率よく製造することができる半導体ウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁
The method for producing the liquid developer has: a first chemical modification step of chemically modifying the surface of a toner base particle by using polycarboxylate; a second chemical modification step of chemically modifying the polycarboxylate-modified surface of the toner base particle by using polyalkylene imine to obtain the chemically modified toner particle; and a step of dispersing the obtained toner particle in an insulating liquid.例文帳に追加
本発明の液体現像剤の製造方法は、トナー母粒子の表面をポリカルボン酸塩で化学修飾する第1の化学修飾工程と、トナー母粒子の表面をさらにポリアルキレンイミンで化学修飾しトナー粒子を得る第2の化学修飾工程と、トナー粒子を絶縁性液体中に分散させる工程とを有することを特徴とする。 - 特許庁
This testing method comprises a step to irradiate light on surface of the display panel and photograph the above display panel for obtaining the first image, a step to irradiate light on surface of the above display panel with pattern impressed on the display panel for obtaining the second image, and a step to compare the first image with the second image for determining whether the display panel is defective.例文帳に追加
ディスプレーパネルの表面に光を照射し、前記ディスプレーパネルを撮影して第1画像を得る段階と;前記ディスプレーパネルにパターンを印加した状態で前記ディスプレーパネルに光を照射し、前記ディスプレーパネルを撮影して第2画像を得る段階と;前記第1画像と前記第2画像を比較し、前記ディスプレーパネルが不良であるか否かを判断する段階とを含む。 - 特許庁
A method of operation of an object recognition lock device (10) includes a step for scanning the texture of at least one surface of the object (14), a step for comparing the texture thereof to the standard texture, and a step for operating a lock assembly (20) when the texture of the surface of the object matches the reference texture.例文帳に追加
物体認識ロック装置(10)を動作させる方法において、物体(14)を、該物体の少なくとも1つの表面テクスチャについてスキャンするステップと、該物体の該少なくとも1つの表面テクスチャを基準テクスチャと比較するステップと、該物体の該少なくとも1つの表面テクスチャが該基準テクスチャと一致する場合、ロックアセンブリ(20)を作動させるステップと、を備えることを特徴とする方法。 - 特許庁
In the method for manufacturing the toner, a step of simultaneously carrying out surface modification and classification is carried out using a simultaneous surface modification-classification apparatus to obtain toner particles, and in a step of externally adding an inorganic fine powder to the toner particles to obtain toner, mixing and surface modification of the toner particles with the external additive are carried out using a simultaneous mixing-surface modification apparatus with impellers to obtain the objective toner.例文帳に追加
トナーの製造方法において、表面改質処理及び分級処理を同時に行う工程を分級同時表面改質処理装置を用いて行いトナー粒子を得、次いで前記トナー粒子に無機微粉体を外添してトナーを得る工程を、撹拌羽根を有する混合同時表面改質処理装置を用いてトナー粒子と外添剤の混合及び表面改質を行い、トナーを得る。 - 特許庁
The process comprises a step of providing a component 10 with at least one surface 24 to be coated, and a step of depositing at least one layer of powder coating material onto the at least one surface 24 using a non-oxidizing carrier gas so that the powder coating material plastically deforms without melting and bonds to the at least one surface 24 upon impact with the at least one surface 24.例文帳に追加
プロセスは、被覆する少なくとも一つの表面24を有する部品10を用意し、粉末被覆材料が、少なくとも一つの表面24との衝突の際に溶融せずに塑性変形しかつ少なくとも一つの表面24に結合するように、非酸化性キャリヤーガスを用いて少なくとも一つの表面24上に少なくとも一層の粉末被覆材料を堆積させる、各ステップを含む。 - 特許庁
The method for removing hydroxy groups and adsorbed water on an oxide fine structure is a method for removing hydroxy groups and adsorbed water existing on the surface of an oxide fine structure and includes a first step of modifying the surface of the oxide fine structure with a surface treating agent, and a second step of subjecting the oxide fine structure modified with the surface treating agent to microwave irradiation.例文帳に追加
酸化物微小構造体の表面に存在する水酸基及び吸着水を除去する方法であって、当該酸化物微小構造体の表面に表面処理剤を修飾する第1工程と、当該表面処理剤により修飾された酸化物微小構造体にマイクロ波を照射する第2工程と、を含む酸化物微小構造体の水酸基及び吸着水の除去方法である。 - 特許庁
The method for forming a circuit pattern includes steps of: exfoliating resist by dissolving the resist film on the circuit board after forming patterns by an exfoliating solution including dodecylbenzenesulfonic acid; surface activating the surface of a substrate by cyanide sodium after alcohol-defatting the substrate after the resist exfoliation step; and cleaning the circuit board with its surface activated by the surface activation step.例文帳に追加
ドデシルベンゼンスルホン酸を含む剥離液により、パターン形成工程後の回路基板に対し、レジスト膜を溶解するレジスト剥離工程、上記レジスト剥離工程後の回路基板をアルコール脱脂した後、青化ソーダにより基板表面を活性化する表面活性化工程、上記表面活性化工程により表面の活性化された回路基板を洗浄する洗浄工程、により回路パターンを形成する。 - 特許庁
The method of polishing a semiconductor wafer W pressed to and slid along a polishing surface comprises a first polish step of planarizing a surface of the wafer W and a second polishing step of finish-polishing the wafer surface with feeding an abrasives liquid Q, containing elastic grains 3 to the polishing surface at the start or the midway of the polishing process.例文帳に追加
半導体ウェハWを研磨面に押圧しつつ摺動することで半導体ウェハWの研磨を行なう研磨方法において、半導体ウェハWの被研磨面を平坦化する第1の研磨工程と、弾性体粒子3を含有する研磨液Qを研磨処理の開始時から又は研磨処理の途中から研磨面に供給しつつ仕上げ研磨を行なう第2の研磨工程とを有する。 - 特許庁
A method comprises a step of providing a print medium having a printing surface; a step of measuring at least one parameter of the print medium; a step of calculating an optimal configuration for a radio frequency identification (RFID) transponder circuit for obtaining a desired RFID transponder resonant frequency; a step of configuring the RFID transponder circuit; and a step of printing the RFID transponder circuit to the print medium.例文帳に追加
印刷表面を備えた印刷媒体を提供するステップと、前記印刷媒体の少なくとも1つのパラメータを測定するステップと、所望のRFIDトランスポンダ共鳴振動数を得るためのラジオ周波識別(RFID)トランスポンダ回路に関する最適な構成を計算するステップと、前記RFIDトランスポンダ回路を構成するステップと、前記印刷媒体上に前記RFIDトランスポンダ回路を印刷するステップにより形成する。 - 特許庁
The lid block 3 includes the first upper surface 11 constructing the drainable pavement on the whole surface, the second upper surface 12 formed by providing a step section 13 to a position higher than the first upper surface 11 and without constructing any drainable pavement and a collecting hole 14 communicated with the first upper surface 11 and the drain 21 inside of the side ditch.例文帳に追加
蓋ブロック3は、排水性舗装が全面に施される第1の上面11と、この第1の上面11よりも高い位置に段差部13を設けて形成され、排水性舗装が施されない第2の上面12と、第1の上面11と側溝1内部の排水路21とを連通する集水孔14とを有する。 - 特許庁
On the transparent board un-facing surface 31d of a light guide body 31, plural flat parts 34 parallel to its transparent board facing surface 31b are formed in a step-like shape by interlaying tilting surfaces 35 tilting toward a tip surface 31c so as to be sequentially lowered from its point-like light source facing surface 31a toward the tip surface 31c.例文帳に追加
導光体31の透明基板反対向面31dには、透明基板対向面31bに対し平行の平坦部34が、点状光源対向面31aから先端面31cに向けて順次低くなるように、先端面31cに向けて傾斜する傾斜面35を介して階段状に複数個形成されている。 - 特許庁
In the simulation method of simulating a processing form of a substance surface, using an algorithm of repeating the steps of calculating the surface growing rate and skipping the calculation of the surface growing rate, the surface growing rate is calculated at the step of passing the substance surface across the substance interface.例文帳に追加
物質表面の加工形状のシミュレーションを行うシミュレーション方法であって、表面成長速度の計算を行うステップと、前記表面成長速度の計算をスキップするステップと、を繰り返すアルゴリズムを用い、物質界面を前記物質表面が横切ったステップに、前記表面成長速度を計算することを特徴とするシミュレーション方法が提供される。 - 特許庁
The resist pattern forming method includes: at least a resist film forming step of forming a resist film by applying and heating the resist composition on a surface to be processed; an irradiation step of selectively irradiating the resist film with ionizing radiation; a heating step of hating the resist film irradiated with the ionizing radiation; and a development step of developing the resist film.例文帳に追加
本発明のレジストパターンの形成方法は、被加工面上に、本発明の前記レジスト組成物を塗布し加熱してレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、該レジスト膜に対して、電離放射線を選択的に照射する電離放射線照射工程と、電離放射線が照射された該レジスト膜を加熱する加熱工程と、現像する現像工程とを少なくとも含む。 - 特許庁
The method to adjust the orientation of the camera installed into the vehicle includes a step to set the vehicle to a place which has parallel markings on the land-surface, a step to detect the markings l1, l2, a step to calculate a vanishing point P based on the markings, and a step to match the vanishing point to a positioning point according to angular displacement of the camera.例文帳に追加
車両内に搭載されているカメラの向きを調整する方法であって、地表面上に平行なマーキングを備えた場所に、前記車両を据えるステップと、それらのマーキングl1、l2を検出するステップと、それらのマーキングに基づいて、消失点Pを算出するステップと、前記カメラの角度変位によって、前記消失点と位置決め点とを一致させるステップとを含む。 - 特許庁
The process for manufacturing a semiconductor device comprises a step for forming a resist 6 containing a thermally crosslinking material on the surface of a semiconductor substrate 5, a step for pressing a mold 1 provided with a pattern 4 against the resist 6, a step for heating the resist 6 while pressing the mold 1 against the resist 6, and a step for patterning the resist 6 by removing it.例文帳に追加
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板5の表面上に、加熱により架橋する材料を含むレジスト6を形成する工程と、パターン4の形成されたモールド1をレジスト6に押し付ける工程と、モールド1をレジスト6に押し付けた状態で、レジスト6を加熱する工程と、レジスト6を除去することにより、レジスト6をパターニングする工程とを備えている。 - 特許庁
The method for manufacturing sheet glass includes: a step of preparing sheet glass by cutting thin sheet-like glass; a step of cleaning the surfaces of the sheet glass; a step of forming a water-soluble protective film with surface irregularity on the cleaned sheet glass; and a step of layering the sheet glass on which the water-soluble protective film has been formed on the laminate of sheet glass.例文帳に追加
シートガラスの製造方法は、薄板状のガラスを切断することによりシートガラスを作製する工程と、前記シートガラスの表面を洗浄する工程と、洗浄された前記シートガラスに、表面に凹凸を有する水溶性保護膜を形成する工程と、前記水溶性保護膜が形成された前記シートガラスをシートガラスの積層体に積層する工程と、を有する。 - 特許庁
The method is used for manufacturing the plasma display panel, including: a coating step of coating a solvent including microcrystal of components of a dielectric protective film on a front plate; a drying step of drying the front plate; a pressing step of pressing unevenness on a surface of a film including the microcrystal via a liquid using a roller after being dried; and a burning step of burning the film including the microcrystal.例文帳に追加
プラズマディスプレイパネルの製造方法であって、誘電体保護膜の構成材料の微結晶を含む溶媒を前面板に塗布する塗布ステップと、前記前面板を乾燥する乾燥ステップと、乾燥後、ローラを用いて、前記微結晶を含む膜の表面の凹凸に液体を介して圧力をかける加圧ステップと、前記微結晶を含む膜を焼成する焼成ステップと、を備える。 - 特許庁
The film formation method of the nanoparticle sintered film, includes: an application step of applying a metal particle contained paste to a surface of the base material 10 to form an application layer 20; and a sintered film formation step of forming a sintered film 25 from the application layer 20 through a heating step of heating the base material 10 and an energy irradiation step of locally adding an energy to the application layer 20.例文帳に追加
本発明に係るナノ粒子焼結膜の成膜方法は、金属粒子を含むペーストを基材10表面に塗布し、塗布層20を形成する塗布工程と、基材10を加熱する加熱工程、及び塗布層20に局所的にエネルギーを加えるエネルギー照射工程とにより塗布層20から燒結膜25を形成する焼結膜形成工程とを備える。 - 特許庁
The dry etching method of a glass substrate masked by a silicon substrate comprises: a step of bonding a silicon substrate 11 to a surface of a glass substrate 12; a step of forming a silicon mask 11M comprising the silicon substrate 11 on the glass substrate 12; a step of etching the glass substrate 12 through the silicon mask 11M; and a step of removing the silicon mask 11M from the glass substrate 12.例文帳に追加
シリコン基板をマスクとするガラス基板のドライエッチング方法において、ガラス基板12の表面にシリコン基板11を接合する工程と、ガラス基板12上でシリコン基板11からなるシリコンマスク11Mを形成する工程と、シリコンマスク11Mを介してガラス基板12をエッチングする工程と、シリコンマスク11Mをガラス基板12から除去する工程とを有する。 - 特許庁
In the plating film deposition method, a plating film is deposited in the order of a step 1 of degreasing and cleaning a surface of a member formed of synthetic resin, a step 2 of coating primer coating containing catalyst, a step 3 of depositing a copper plating film by an electroless plating method, and a step 4 of depositing a rustproof agent film through benzotriazole treatment.例文帳に追加
本発明にかかるメッキ膜形成方法は、合成樹脂材よりなる部材の表面を脱脂・洗浄する工程1と、触媒を含むプライマ塗料を塗布する工程2と、無電解メッキ法により銅メッキ膜を形成する工程3と、ベンゾトリアゾール処理による防錆剤膜を形成する工程4の順序によってメッキ膜を形成することを特徴とするものである。 - 特許庁
The sugar-free hard dragee-coating process for creating a hard coating on the surface of a core, includes at least one cycle comprising: a step of applying a polyol syrup with a concentration of greater than 80%, a step of drying the cores, wherein this cycle does not comprise a standing time between the step of applying the polyol syrup and the step of drying the cores.例文帳に追加
80%より高濃度のポリオールシロップを適用する工程、コアを乾燥させる工程、を含む少なくとも一つのサイクルを含み、かつ、コアの表面に硬いコーティングを形成するための、糖を含まない硬いドラジェのコーティング方法であって、前記サイクルが、前記ポリオールシロップを適用する工程と、前記コアを乾燥させる工程との間に停止時間を含まないことを特徴とする。 - 特許庁
The manufacturing method for the anisotropic polymer film containing a polymerized liquid crystal material having plane orientation comprises a step of coating the substrate material having the texturized surface with a polymerizable liquid crystal or mesogene material, a step of arranging the material and a step of polymerizing the material and includes a step of removing the polymerized film from the substrate material according to circumstances.例文帳に追加
平面配向を有する重合した液晶材料を含む異方性ポリマーフィルムを製造する方法であって、重合性の液晶またはメソゲン材料を、構造を持つ表面を有する基材上にコーティングするステップと、その材料を配列するステップと、その材料を重合するステップとを含み、重合したフィルムを基材から取り除くステップを場合により含む。 - 特許庁
The method of cleaning silicon for semiconductor materials includes: a step for preparing silicon for semiconductor materials; a step for preparing pure water by performing reverse osmosis purification treatment and ion exchange purification treatment; a step for cleaning the silicon for semiconductor materials using the pure water; and a step for obtaining silicon for semiconductor materials wherein amounts of aluminum and iron remaining on the surface of the silicon are reduced by the cleaning.例文帳に追加
半導体材料用シリコンを用意する工程と、逆浸透精製処理と、イオン交換精製処理とを行った純水を用意する工程と、前記純水を用いて半導体材料用シリコンを洗浄する工程と、前記洗浄によって、純水洗浄後のシリコン表面に残留するアルミニウムおよび鉄が低減された半導体材料用シリコンを得る工程と、を含む。 - 特許庁
The method includes a step of rubbing a surface of a long substrate film, and a step of coating the rubbed substrate film with a liquid crystal polymer solution, etc., and also includes a step of continuously heating the long substrate film while conveying it before the step of coating the substrate film with the liquid crystal polymer solution.例文帳に追加
長尺の基板フィルムの表面に対してラビング処理を施す工程と、ラビング処理が施された基板フィルムに液晶高分子溶液を塗布する工程等を備える液晶高分子フィルムの製造方法において、液晶高分子溶液を基板フィルムに塗布する工程よりも前に、長尺の基板フィルムを搬送しながら連続的に加熱する工程を備える、製造方法。 - 特許庁
The manufacturing method of a capacitor comprises a step for forming a lower electrode 35 of a capacitor on a semiconductor substrate 31 by using an electrochemical deposition method, a step for carrying out wet cleaning for removing impurities on a surface of the lower electrode, a step for forming a dielectric layer 40 on the lower electrode, and a step for forming an upper electrode 41 on the dielectric layer.例文帳に追加
キャパシタの製造方法は、半導体基板31上に電気化学蒸着法を用いてキャパシタの下部電極35を形成するステップと、前記下部電極の表面の不純物を除去するため湿式洗浄するステップと、前記下部電極上に誘電体層40を形成するステップと、前記誘電体層上に上部電極41を形成するステップとを含む。 - 特許庁
A substrate-cleaning step of the method includes a first cleaning step of heating a compound semiconductor substrate 1, containing impurities of a first conductivity-type to a temperature range of 250°C and lower and etching a surface of the substrate with a gas of hydrochloric acid, and a second cleaning step after the first cleaning step, of subjecting the compound semiconductor substrate etched with the hydrochloric acid gas to a radical hydrogen treatment.例文帳に追加
第1導電型不純物を含む化合物半導体基板1の温度を250℃以下の温度域に加熱にしてその表面を塩酸ガスでエッチングする第1クリーニング工程と、第1クリーニング工程の後、塩酸ガスでエッチングされた化合物半導体基板に対してラジカル水素処理を行う第2クリーニング工程と、を含む基板クリーニング工程を備える。 - 特許庁
The method of manufacturing the substrate 1 has an exposure step of exposing the substrate 31 having the photosensitive uncured resin layers 33 which are half-cured near the surface by exposure and made insoluble in the developer, a developing step of developing the substrate 31, a heating process step of heating the substrate 31 and a projecting part removing step for breaking off the projecting parts 37 by jetting liquid to the substrate 31.例文帳に追加
基板1の製造方法は、露光により表面近傍が半硬化し現像液に不溶となる感光性の未硬化樹脂層33を有する基板31を露光する露光工程と、基板31を現像する現像工程と、基板31を加熱する加熱工程と、基板31に液体を噴射し突出部37を折り取る突出部除去工程とを備える。 - 特許庁
A magnetic material shield 62 is formed on the surface of an insulating layer 40c laminated on a substrate (first seed forming step), and a conductive material seed 54 is further formed on the magnetic material seed 62 (second seed forming step).例文帳に追加
基板上に積層された絶縁層40cの表面に、磁性材料シード62を形成し(第1シード形成工程)、磁性材料シード62上にさらに導電性材料シード54を形成する(第2シード形成工程)。 - 特許庁
An end plate 13a surface of a lap 13c side of a turning scroll 13 consists of a center part and a step part 13e which is one step lower than the center part, and the lap part 13c of the turning scroll 13 is constructed at the center part.例文帳に追加
旋回スクロール13のラップ13c側の鏡板13a面を、中心部と、中心部に比べて一段低い段差部13eとで構成し、中心部に旋回スクロール13のラップ13c部を構成したものである。 - 特許庁
The manufacturing method of the thermal spreading sheet according to the present invention comprises a step of mixing graphite powder with a binder and a step of applying the mixture of graphite powder and binder onto one surface of a reflective sheet to form a thermal sheet with a predetermined thickness.例文帳に追加
本発明に係る放熱シートの製造方法は、黒鉛粉末をバインダーと混合する段階、黒鉛粉末とバインダーとの混合物を反射シートの一面に塗布して所定厚さの放熱シートを形成する段階と、を含む。 - 特許庁
Then, the surface area of the heat exchanging region becomes larger toward a cooling passage down-stream side from the cooling passage upstream side where air as a cooling medium passes by arranging the protrusions more on an upper step than a lower step.例文帳に追加
また、下段より上段の方が多くなるように設けることで、熱交換領域の表面面積は、冷却媒体として空気が通過する冷却流路上流側から冷却流路下流側に向けて大きくなる。 - 特許庁
This method for producing the culturing medium used for the cell culture of neurons, etc., is provided by comprising a step of providing a carbon nanotube structure, and a step of forming a hydrophilic layer on the surface of the carbon nanotube structure.例文帳に追加
神経細胞等の細胞培養に用いられる培養用基体の製造方法において、カーボンナノチューブ構造体を提供するステップと、前記カーボンナノチューブ構造体の表面に親水層を形成するステップとを含む方法。 - 特許庁
The piston side clearance gradually changing part 20J sets the piston side step height part Kp as a starting point Vs, and sets a position of the predetermined distance L3 toward the top surface opposite side end part 20Bt of the piston 20 from the piston side step height part Kp as a final point Vf.例文帳に追加
ピストン側クリアランス徐変部20Jは、ピストン側段差部Kpを起点Vsとし、ピストン側段差部Kpからピストン20の頂面反対側端部20Btへ向かって所定の距離L3の位置を終点Vfとする。 - 特許庁
The method includes: a cleaning step of cleaning the cermet substrate 11; and a subsequent oxidation-resistant-film-forming step of forming an oxidation-resistant film 12 formed from a complex oxide containing titanium, on the surface of the cermet substrate 11.例文帳に追加
本方法は、サーメット基材11を洗浄する洗浄工程と、その後、前記サーメット基材11の表面に、チタンを含む複合酸化物によって構成される耐酸化膜12を形成する耐酸化膜形成工程とを含む。 - 特許庁
The detection method according to this invention includes a step of bringing the specimen into contact with the plasmon excitation sensor and a step of detecting generation of an analyte-ligand complex formed in the plasmon excitation sensor by using surface plasmon resonance.例文帳に追加
また、本発明の検出方法は、上記プラズモン励起センサに検体を接触させる工程、および該プラズモン励起センサに形成したアナライト−リガンド複合体の生成を表面プラズモン共鳴を利用して検出する工程を含む。 - 特許庁
The pattern forming method comprises a step for forming an etching mask 2 on the surface of a substrate 1 of a sintered body material and a step for dry-etching the material through the etching mask 2 as a mask, wherein the cross sectional area of the etching mask 2 is a trapezoid.例文帳に追加
焼結体素材の基板1の表面にエッチングマスク2を形成する工程と、前記エッチングマスク2をマスクとしてドライエッチングする工程を含むパターン形成方法において、前記エッチングマスク2の断面形状が台形をなす。 - 特許庁
Printing data are printed on the other side of the printing paper, whose one side is treated by printing (step S6), and, further, a data for discrimination is printed on the printing paper to discriminate a surface on which the printing data are printed (step S6).例文帳に追加
一方の面に印刷処理がなされた印刷用紙の他方の面に対して印刷データを印刷し(ステップS6)、さらに、印刷データが印刷された面を判別するための判別用データを印刷用紙に印刷する(ステップS7)。 - 特許庁
The manufacturing technology includes a step for forming a plurality of gas-phase cell dies 302 on a first wafer 300 provided with an inner surface area 306 and an outer peripheral part 308, and a step for forming a plurality of ventilation channels 304 to be mutually connected.例文帳に追加
内部表面領域306および外周部308を備える第1ウェハ300に複数の気相セルダイ302を形成するステップと、複数の相互接続される通気チャネル304を形成するステップと、を有する。 - 特許庁
Support strength of the lifting step 7 is set so that the lifting step 7 descends on a road surface 30 from a predetermined position by a downward load acting from the rotating front tire 9 in the tire abutting state.例文帳に追加
昇降用ステップ7の支持強度は、タイヤ当接状態において回転中のフロントタイヤ9から作用する下方への荷重によって昇降用ステップ7が所定位置から路面30上へ下降するように設定されている。 - 特許庁
To provide a step cleaning device for a passenger conveyor capable of facilitating transportation and storage owing to its miniaturization and moving the position of a brush to clean the whole surface of a step of any size.例文帳に追加
小型化することで運搬収容が容易となり、また、ブラシの位置を移動可能にすることでどのようなサイズの踏み段に対しても全面を清掃することができる乗客コンベアの踏み段清掃装置を提供するものである。 - 特許庁
The control signal output part reads a correction value of light exposure corresponding to the surface potential from a table, produces a control signal corresponding to the correction value (step S4), and transmits the control signal to a scanning unit (step S5).例文帳に追加
制御信号出力部は、この表面電位に対応する露光量の補正値をテーブルから読み出し、この補正値に対応する制御信号を生成し(ステップS4)、該制御信号をレーザ走査ユニットに伝える(ステップS5)。 - 特許庁
The method for producing a rubber composition includes (a) a step of kneading a rubber component with silica and a silane coupling agent to give a kneaded product and (b) a step of irradiating the kneaded product with microwave so as to regulate the surface temperature of the kneaded product at 125-165°C.例文帳に追加
(a)ゴム成分、シリカ及びシランカップリング剤を混練し、混練物を調製する工程、(b)上記混練物にマイクロ波を照射し、混練物の表面温度を125〜165℃にする工程を含むゴム組成物の製造方法に関する。 - 特許庁
After temperature of the substrate W is equalized as explained above, a temperature adjustment solution removing step is conducted to remove the temperature adjustment solution from the substrate W and a resist solution coating step is conducted to coat the resist solution at the upper surface of the substrate W.例文帳に追加
こうして基板Wの温度を均一化した後,基板Wから温調用液体を除去する温調用液体除去工程を行い,基板Wの上面にレジスト液を塗布するレジスト液塗布工程を行った。 - 特許庁
After a compression layer and non-compression layer are formed on a glass substrate in a polishing process step 4, the glass substrate undergoes etching treatment in an acidic solution where a hydrofluoric acid and fluoride salt are made to coexist in a texturing treatment process step 5 (first surface treatment 5a).例文帳に追加
研磨工程4でガラス基板上に圧縮層と非圧縮層を形成した後、テクスチャ処理工程5でフッ酸とフッ化物塩を共存させた酸性溶液でエッチング処理を行う(第1の表面処理5a)。 - 特許庁
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