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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > upper stepの意味・解説 > upper stepに関連した英語例文

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upper stepの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 1660



例文

Reflectivity or transmittance is measured in this step, and there is formed a wavelength adjusting layer 16 for wavelength adjustment on the first upper DBR layer 15A so as to ensure desired oscillation wavelength.例文帳に追加

その段階で反射率または透過率を計測し、所望の発振波長になるように、第1の上部DBR層15A上に波長調整をするための波長調整層16を形成する。 - 特許庁

According to the oxidation step, the fine buried porous layer is changed into a buried oxide layer, and the coarse upper surface layer is fused into a solid Si containing over-layer due to surface migration of Si atoms.例文帳に追加

続く酸化ステップにより、この微細な埋め込み多孔質層は埋め込み酸化膜に変えられ、粗い上面層は、Si原子の表面マイグレーションによって固体のSi含有オーバ層に融合する。 - 特許庁

The upper widening roll 5 to be used in the second step has tilting grooves 51 having reversed tilting angles with respect to the central portion in the width direction, and guides the workpiece W so as to be widened.例文帳に追加

第2工程における上拡幅ロール5には、幅方向の中央部に対して反対方向に傾斜方向を有する傾斜溝51を形成してワークWを広げるように案内する。 - 特許庁

The pin part 2 is advanced until an end part of a shoulder part 1 is located between an intermediate part of a step formed by the thin plate 3 and the thick plate 4 and an upper surface of the thin plate 3.例文帳に追加

このとき、ショルダー部1の端部が、薄板材3及び厚板材4により形成された段差の中間部と薄板材3の上面との間に位置するまでピン部2を進入させる。 - 特許庁

例文

A positioning pin 14 is inserted in a through hole 13 of the protect ring 9 in the radial direction, and the head section 14a is fitted into the positioning groove 15 provided in the upper edge of the ring-like step section 8 to prevent the rotation of a protect ring 9.例文帳に追加

プロテクトリング9の径方向貫通穴13に位置決めピン14を挿入し、その頭部14aを環状段部8の上縁に設けた位置決め溝15に嵌め込んで、プロテクトリング8の回転を防止する。 - 特許庁


例文

Further, a socket 541 in which the end part of a pipe 3 to be connected is inserted is arranged at a cylinder body 54, and a stopper step part 542 is formed only at the upper part of the inner periphery on the deep side thereof.例文帳に追加

また、前記円筒体54には被接続管3の端部が挿入される受口541が設けられると共に、その奥側の内周上部にのみストッパー段部542が設けられている。 - 特許庁

When a horn starts ultrasonic vibration, a displacement sensor continuously detects the amount of depression of an upper metallic plate, and a detection signal is output to the controller of the ultrasonic metal welder (step S1).例文帳に追加

ホーンが超音波振動を開始すると、変位量センサは上側の金属板の沈み込み量を連続的に検出して、検出信号を超音波金属接合機コントローラに出力する(ステップS1)。 - 特許庁

Thereafter, a turntable 6 is provided at an optional position on the table upper surface, and a rotating table storage box 14, a handle 11 and a vertical step lever 13 are provided on the lower side of the turntable 6.例文帳に追加

次に、テーブル上面の任意の位置に回転テーブル(6)を設け、この回転テーブル(6)下側に回転テーブル収納ボックス(14)及び、ハンドル(11)と上下ステップレバー(13)を設けたことを特徴とする。 - 特許庁

In addition, the connection pin 20 insets a small diameter shaft part 20C in the pin hole 16A of the bracket part 16, and a step part 20B provided on the upper end side of the pin shaft part 20A is contacted on the bracket part 16.例文帳に追加

また、連結ピン20は、小径軸部20Cをブラケット部16のピン穴16A内に挿通すると共に、ピン軸部20Aの上端側に設けた段部20Bをブラケット部16に当接する。 - 特許庁

例文

The outer container 3 has engaging projections 10 and 11 to be elastically engaged with the respective engaging grooves 6 and 7 of the inner container 2 on the inner periphery, and the upper end terminates right below the step part 8 of the inner container 2.例文帳に追加

外容器3は、内容器2の各係合溝6,7に弾性的に係合する係合突起10,11を内周に持ち、上端は、内容器2の段部8の直下で終結する。 - 特許庁

例文

In addition, each chamfer 42a of the prescribed shape is held by a holding section 52 and the upper blade 40 which are adjacent in the FD downstream side of a lower receiving blade 38 while shaping the chamfer 42a for each step.例文帳に追加

又、各段毎の切り起し42aの成形と同時に、下受刃38のFD方向下流側に隣接する挟持部52と上刃40とで、所定形状の切り起し42aを挟持する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a fin transistor and a method for manufacturing a saddle-type fin transistor capable of preventing the upper portion of a fin from being lost in a formation step of a recess of a field oxide film.例文帳に追加

フィールド酸化膜のリセス形成工程において、フィンの上部が損失することを防止することができるフィントランジスタの製造方法及びサドル型フィントランジスタの製造方法を提供すること。 - 特許庁

The electrode section of the solid-state image pickup element 3 housed in the recess 2 of the package 1 is connected to the plated wiring film 8 on the upper step section 7 formed in the package 1 through bonding wires 9.例文帳に追加

ボンディングワイヤ9により、中空パッケージ1の収納凹部2に収納される固体撮像素子3の電極部と、パッケージ1内部の上側段差部7にあるめっき配線膜8とを接続する。 - 特許庁

To provide a cover, a handle and a step not only enabling equipments in a machine-cab of an upper swing body to be easily checked and maintained from the ground, but also being unbreakable in case of swinging a hydraulic shovel.例文帳に追加

上部旋回体のマシンキャブ内の機器等の点検、整備を地上から容易に可能とし、また旋回時に破損し難い油圧ショベルのカバーと取っ手とステップを提供することを目的とする。 - 特許庁

When a sheet workpiece is carried by a feed conveyor part 2 from an upstream process step down to a clamping feed part where it is stopped, an upper clamp 13 and a lower clamp 15 hold the leading end of the sheet workpiece.例文帳に追加

前工程より搬送コンベア部2で搬送される薄板状ワーク1をクランプ搬送部17にて停止後、上クランプ13及び下クランプ15にて薄板状ワーク1の前端を把持する。 - 特許庁

In addition, this method also includes an upper resin- made insulating layer forming step of forming a second resin-made insulating layer 9 on the first resin-made insulating layer, and second conductor layer 29 of the cyanogen-treated substrate 41.例文帳に追加

さらに、シアン処理がされた基板41のうち第1樹脂絶縁層7及び第2導体層29上に、第2樹脂絶縁層9を形成する上部樹脂絶縁層形成工程を備える。 - 特許庁

A manufacturing process of an apparatus for fabricating a semiconductor device which processes a substrate to be processed mounted on a sample stand in a container comprises a step for forming a dielectric film on the upper surface of the sample stand by spraying and cleaning the dielectric film with fluid, and a step for mounting a wafer on the upper surface of the dielectric film and attracting the wafer electrostatically a plurality of times.例文帳に追加

容器の内部の試料台上に載置された被処理基板を処理する半導体デバイス製造装置の製造方法であって、前記試料台の上面に誘電体製の膜を溶射により形成した後にこの誘電体製の膜を流体を用いて洗浄する工程と、前記誘電体製の膜の上面にウエハを載せて静電吸着させる処理を複数回行う工程とを備えた。 - 特許庁

A manufacturing method of a semiconductor device in the present invention comprises the steps of: forming an Si layer 20 on an upper surface of a nitride semiconductor layer 11 including a channel layer of an FET; performing heat treatment during or after the step of forming the Si layer 20; and forming an SiN layer 22 on an upper surface of the Si layer after the step of forming the Si layer 20.例文帳に追加

本発明は、FETのチャネル層を含む窒化物半導体層11の上面にSi層20を形成する工程と、Si層20を形成する工程において、又はSi層20を形成する工程の後に、熱処理を行う工程と、Si層20を形成する工程の後にSi層の上面にSiN層22を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

In this control device, whether or not the NOx catalyst is abnormal is temporarily determined based on capturing capacity of NOx of the NOx catalyst (step 18), and the temporary determination is inhibited when a temperature TLNC of the NOx catalyst is an upper limit temperature TLMTH having a prescribed value as an initial value or more (step 11-13).例文帳に追加

制御装置では、NOx触媒のNOxの捕捉能力に基づいてNOx触媒が異常であるか否かが仮判定され(ステップ18)、NOx触媒の温度TLNCが所定値を初期値とする上限温度TLMTH以上のときに仮判定が禁止される(ステップ11〜13)。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor device 100 includes: a step in which an insulating layer formed on the upper surface of a silicide layer 104 containing Ni is dry-etched to expose the silicide layer 104 containing Ni; and a step for cleaning the silicide layer 104 containing Ni in a return flow having reducibility.例文帳に追加

半導体装置100の製造方法は、Niを含むシリサイド層104の上面に形成された絶縁層をドライエッチングして、Niを含むシリサイド層104を露出させる工程と、Niを含むシリサイド層104を還元性を有する還元水で洗浄する工程と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

In the solid-state image pickup element, a step is formed in the vicinity of a boundary between both parts that a front surface of a light receiving plane of the pixel part area is positioned lower than the upper surface of the multilayer wiring part area, and a sloped transparent resin layer whose surface protrudes downward is provided on a surface ranging from the step to the pixel part.例文帳に追加

固体撮像素子において、画素部領域の受光面表面が多層配線部領域の上面より低い位置となるように両部の境界付近に段差が形成され、段差から画素部にいたる表面上に、その表面が下に凸なスロープ状の透明樹脂層を設けた。 - 特許庁

A front edge 41c of the intermediate blade respectively forms a step height with the front edges 41b and 41c on an opposite side surface of the twisted direction, without respectively forming the step height with the front edges 41b and 41c on a side surface in the twisted direction of the upper blade and the lower blade in a crossing part with the front edges 41b and 41c.例文帳に追加

中間部翼の前縁部41cは、前縁部41b、41cと交わる部分において、上部翼と下部翼が捩れた方向の側面では前縁部41b、41cとそれぞれ段差を形成せず、捩れた方向と反対の側面では前縁部41b、41cとそれぞれ段差を形成する。 - 特許庁

The dimension of the average radial step difference between the projecting portions (17) and non-projecting portions (19) of the axial lower part (18B) of the knurl (18) disposed on the periphery of the skirt wall (10) is set smaller than that of the average radial step difference between the projecting portions and non-projecting portions of the axial upper part (18A) of the knurl.例文帳に追加

スカート壁(10)の外周面に配設されているナール(18)の軸線方向下部(18B)における突条部(17)と非突条部(19)との平均半径方向段差寸法を、ナールの軸線方向上部(18A)における突条部と非突条部との平均半径方向段差寸法よりも小さく設定する。 - 特許庁

This arrangement method includes; a step of arranging a lower pipe to be connected in a state of inserting it into the vertical hole in a spigot side part thereof and a state of appearing from the vertical hole in a receiver opening 2 side part thereof so that the receiver opening 2 is opened upward; and a step of inserting the spigot 5 of an upper pipe to be connected from over the receiver opening 2 opened upward.例文帳に追加

接続対象の下方の管を、その挿口側部分が縦穴に挿入され、受口2側部分が縦穴から出て受口2が上向きとなった状態に配設する工程と、接続対象の上方の管の挿口5を、前記上向きとなった受口2の上から挿入する工程とを有する。 - 特許庁

In a heat treatment device provided with a heat insulation tank 22 whose disc-shaped ceiling wall member 24 covers an upper edge opening of a cylindrical side wall member 23, the side wall member 23 and ceiling wall member 24 form a female step part 25 and a male step part 26 that fit each other.例文帳に追加

円盤形状の天井壁部材24が円筒形状の側壁部材23の上端開口部に被せられた断熱槽22を備えている熱処理装置において、側壁部材23と天井壁部材24との結合部分には互いに嵌合する雌形段差部25と雄形段差部26とを形成する。 - 特許庁

This manufacturing method of a semiconductor memory element is provided with a first step wherein the interlayer insulating film is formed in an upper part of a semiconductor substrate on which a capacitor is formed, and a second step wherein the interlayer insulating film is dry-etched under a condition that electron temperature of the plasma is maintained to 2.0 eV to 4.0 eV and the capacitor is exposed.例文帳に追加

本発明の半導体メモリ素子の製造方法は、キャパシタが形成された半導体基板上部に層間絶縁膜を形成する第1ステップ、及びプラズマの電子温度を2.0eVないし4.0eVに保持した条件下に前記層間絶縁膜をドライエッチングして前記キャパシタを露出させる第2ステップを備えている。 - 特許庁

Furthermore, the method for manufacturing a multilayer printed wiring board includes: a step of placing an upper substrate sheet 61' on the conductive bumps 71 and pressing the sheet to allow the conductive bumps 71 to penetrate the lower surface of the sheet; and a step of masking predetermined regions of the substrate sheets 61, 61' and removing a region other than the predetermined regions to form a circuit.例文帳に追加

多層プリント配線板製造方法は、さらに、導電性バンプ71上に上方基板シート61’を載置して押圧し、その下面に導電性バンプ71を貫入させる工程と、基板シート61,61’のうち、所定の領域をマスクし、この所定の領域以外を除去して回路を形成する工程と、を備えている。 - 特許庁

The step 2 for closing the clearance formed between a train 7 and an edge of the platform 1 is rotatably supported relative to the platform 1 through a hinge 4, the hinge 4 is positioned at an inner side more than the edge of the platform 1, and the upper surface of the platform 1 is removed by the sum of thicknesses of the step 2 and the hinge 4.例文帳に追加

列車7とプラットホーム1の縁との間に形成される隙間を塞ぐためのステップ2はプラットホーム1に対しヒンジ4を介して回転自在に支持されるとともに、ヒンジ4はプラットホーム1の縁よりも内側に位置し、更にステップ2とヒンジ4の厚さの分だけプラットホーム1の上面を削除する。 - 特許庁

The rinsing step includes a circulation/rinsing step for rinsing the inside of the tank T while circulating water in a circulation system in which water is injected from an injection part S arranged at an upper part of the inside of the tank T, water is discharged from a bottom part TB of the tank T and the discharged water is re-fed to the injection part S.例文帳に追加

すすぎ工程は、タンクTの内部の上方に配置された噴射部Sから水を噴射させるとともにタンクTの底部TBから水を排出させ、排出された水を再び噴射部Sに供給する循環系において水を循環させながらタンクTの内部をすすぐ循環すすぎ工程を含む。 - 特許庁

In the apparatus, a step of discharging a hydrogen peroxide water (in a spray state) from a hydrogen peroxide discharging mechanism 20 to the substrate W and thinning the water on the upper surface of the substrate W, and a step of thereafter simultaneously supplying ozone gas and pure water (spray state) from an ozone gas supply nozzle 30 and a pure water discharge mechanism 50 are repeated.例文帳に追加

そして、基板Wに過酸化水素水吐出機構20から過酸化水素水(噴霧状)を吐出して基板Wの上面で過酸化水素水を薄膜化させるステップと、その後、オゾンガス供給ノズル30と純水吐出機構50からオゾンガスと純水(噴霧状)が同時に供給されるステップと、を繰り返す。 - 特許庁

With the side wall and ceiling wall members being combined at the step part, even when the ceiling wall member curves in a baking step, a gap is prevented from occurring between a periphery of the ceiling wall member and upper edge opening of the side wall member, so that heat in the heat insulation tank is prevented from dissipating.例文帳に追加

側壁部材と天井壁部材とが段差部によって結合していることにより、天井壁部材が空焼きステップにおいて反ったとしても、天井壁部材の周辺部と側壁部材の上端開口部との間に隙間が発生するのを防止できるために、断熱槽内の熱が逃げるのを防止できる。 - 特許庁

The method for manufacturing an exposure mask includes: a step S1 of patterning a light shielding film 2 formed on a quartz substrate 1 to form a light shielding pattern 2c; and a step S4 of directly measuring the level difference H from the surface of the quartz substrate 1 to the upper face of the light shielding pattern 2c and obtaining the measured value of the level difference H.例文帳に追加

石英基板1上に形成された遮光膜2をパターニングして遮光パターン2cを形成するステップS1と、石英基板1の表面から遮光パターン2cの上面までの段差Hを直接測定して、該段差Hの実測値を得るステップS4と、を有することを特徴とする露光用マスクの製造方法による。 - 特許庁

When the sheet conveying route 25 of an image forming device is held between an upper guide plate 45 and a body guide 40, a step part 42 having a sheet guide surface 43 formed on the inside thereof is projectedly disposed at the side of the body guide having a rib 41, and an end guide 45 placed on the step part 42 is fixed with fixing screws 47.例文帳に追加

画像形成装置の用紙搬送路25を、上ガイド板45と本体ガイド40の間に規制するに際して、リブ41を設けている本体ガイド40の側部に、用紙案内面43を内側に設けた段差部42を突出配置し、前記段差部42の上にエンドガイド45を載せて固定ネジ47により固定する。 - 特許庁

When the sound volume data is made large and exceeds an upper prescribed value Vu (step 15), it is shifted to a live piano mode processing (step 17), the motors 44 and 51 are rotated reversely via the driving driver 74, the hammer stop rail 41 moves backward, the string sound generation is allowed, and the performance information is not transmitted to the tone generator 80 to inhibit the electronic sound generation.例文帳に追加

音量データが大きくされ上所定値Vuを越えると(ステップ15)、生ピアノモード処理になり(ステップ17)、駆動ドライバ74を通じて、モーター44、51が逆回転され、ハンマーストップレール41が後動して、弦発音が許容され、演奏情報がトーンジェネレータ80へ送られず、電子発音が禁止される。 - 特許庁

In addition, slots SL3 and SL4 at a lower step correspond to storage media wider than those of slots SL1 and SL2 at an upper step to thereby enable an operator to visually recognize all storage media inserted into the slots SL1 to SL4 even when a plurality of types of storage media are used at a time.例文帳に追加

また、下段のスロットSL3〜SL4は上段のスロットSL1〜SL2に比べて幅広の記憶媒体に対応していることにより、複数種類の記憶媒体を一度に使用する際であっても操作者からスロットSL1〜SL4に挿入されている全ての記憶媒体を視認することができる。 - 特許庁

Also a positioning part 136 where the step part 132 of hub 22 can be inserted at a central part of a lower flange 26, Positions in the height direction of the lower part of the resin ring 112 and the lower part of the metal ring 110 are deviated so that the step part 132 is plane-contacted to an upper plane of the positioning part 136.例文帳に追加

そして、下フランジ26の中央部には、ハブ22の段差部132が嵌め込み可能な位置決め部136を設け、該位置決め部136の上面に段差部132を面接触させるようにして、樹脂リング112の下端面と金属リング110の下端面の高さ方向の位置をずらしている。 - 特許庁

A homogeneous combustion jetting a fuel in an intake stroke mainly is enforced and the valve opening timing of an intake valve is slower than the valve closing timing of an exhaust valve and is after an intake upper dead point (step 103) and a fuel injection is started within the term from the valve closing timing of the exhaust valve to the valve opening timing of the intake valve at the homogeneous combustion time (step 105).例文帳に追加

燃料を主に吸気行程で噴射する均質燃焼を実施し、吸気弁の開弁時期は排気弁の閉弁時期より遅く吸気上死点以降とされ(ステップ103)、均質燃焼時には排気弁の閉弁時期から吸気弁の開弁時期までの期間内に燃料噴射を開始する(ステップ105)。 - 特許庁

A control gate electrode 4A is formed through a control gate insulation film 3A on the upper stage at the level difference step 1a and a floating gate electrode 6 is formed on the level difference step 1a to face the semiconductor substrate 1 through a tunnel insulation film 5B and to face the control gate electrode 4A through a capacitor insulation film 5A.例文帳に追加

段差部1aの上段にはコントロールゲート絶縁膜3Aを介してコントロールゲート電極4Aが形成され、段差部1aの上には、トンネル絶縁膜5Bを介して半導体基板1と対向し且つ容量絶縁膜5Aを介してコントロールゲート電極4Aと対向するフローティングゲート電極6が形成されている。 - 特許庁

The method of manufacturing the counterweight 10 is comprised of a filling step of filling the fillers 18 in the space section 17, and a water glass hardening step of pouring the water glass 19 in a molten state onto an upper portion of the fillers 18, decompressing a lower side of the space section 17, filling the water glass 19 in the fillers 18, and then hardening the same.例文帳に追加

その製造方法は、空間部17に充填材18を充填する充填工程と、充填材18の上部に溶融状態の水ガラス19を流し込み、空間部17の下側を減圧状態にして水ガラス19を充填材18の間に入れた後、これを固化させる水ガラス固化工程を有する。 - 特許庁

A method for operating an upper node in the wireless communication system employing relay includes a step for setting transmission/reception mode switching region information of a relay station, a step for transmitting a signal to a terminal located in a service region in a first section of a downlink subframe by using resource allocation information, and a step for transmitting mode switching region information and a signal in a second section of the downlink subframe.例文帳に追加

中継方式を用いる無線通信システムの上位ノードの動作方法であって、中継局の送受信モード切換領域情報を設定するステップと、資源割り当て情報によってダウンリンク・サブフレームの第1区間でサービス領域に位置する端末に信号を送信するステップと、ダウンリンク・サブフレームの第2区間でモード切換領域情報及び信号を送信するステップと、を含む。 - 特許庁

In a step of forming the semiconductor deposition layer 150 having the columnar parts, a predetermined pattern of isolating semiconductor layer 130 is formed in a boundary region of the chip; in a step of forming the embedded insulating layer 120, at least the upper surface of the isolating semiconductor layer 130 is exposed; and in a step of forming the chip, the isolation semiconductor layer 130 is used to realize this isolation.例文帳に追加

そして、柱状部を有する半導体堆積層150を形成する工程において、チップの境界領域に所定パターンの分離用半導体層130を形成し、埋込み絶縁層120を形成する工程において、分離用半導体層130の少なくとも上面を露出させ、かつ、チップを形成する工程において、分離用半導体層130を用いて前記分離が行われる。 - 特許庁

The method for manufacturing a ferroelectric memory 1000 includes a step (a) wherein a lower electrode layer 20, a ferroelectric layer 30, and a first upper electrode layer 40 are stacked in sequence on a substrate 10; a step (b) to anneal the ferroelectric lamination; and a step (c) to pattern the ferroelectric lamination into a specified shape.例文帳に追加

本発明にかかる強誘電体メモリ1000の製造方法は、(a)基体10の上方に下部電極層20、強誘電体層30、および第1の上部電極層40を順次積層することにより強誘電体積層体を形成する工程と、(b)前記強誘電体積層体にアニール処理を行う工程と、(c)前記強誘電体積層体を所定の形状にパターニングする工程と、を含む。 - 特許庁

An engaging groove 24 is made on the upper surface side along the circumferential fringe 23' of the mat body 2 and a stop face 27 is formed by forming a recessed step 26 at a lower part using the circumferential end face 25' as an inclining face.例文帳に追加

マット本体2の周端縁23′に沿って上面側に係合凹溝24を形成する一方、周端面25′を傾斜面として下部に凹段部26を形成することにより係止面27を形成する。 - 特許庁

On the other hand, when the used amount has reached the variation threshold (Step S510:No), the control part 100 executes a collection as necessary, assuming that the possibility that the used amount reaches the upper limit by the end of the month is large.例文帳に追加

一方、制御部100は、使用量が変動閾値に到達している場合(ステップS510:No)、月の終わりまでに使用量が上限に達する可能性が大きいとみなして、随時収集を実行する。 - 特許庁

If the objective optical characteristics are judged as out of the allowance, the step S5 is then carried change the film thickness of the upper layer than the layer having the changed film thickness so as to obtain desired optical characteristics.例文帳に追加

目的とする光学特性が許容範囲に入っていないと判断された場合は、ステップS5に移行し、膜厚を変更した層より上層の膜厚を変更して所望の光学特性が得られるようにする。 - 特許庁

Thus, the recessed container 2 has two parallel bottom surfaces which are not on the same plane, and comprise a first bottom surface configuring the bottom part of a recessed part 13 and a second bottom surface configuring the surface on the upper side of the step part 4.例文帳に追加

これにより凹状容器2は、凹部13の底部を構成する第1の底面と、段部4の上側の面を構成する第2の底面から成る同一平面にない平行な2つの底面を有している。 - 特許庁

The recess part 30 has a two-stage configuration of a hollow 40 on the bottom and a part on the upper side thereof, and a step part 36 extends from the top of a first side surface 34 of the hollow 40 on the bottom to the bottom of a second side surface 32.例文帳に追加

凹部30は、底側窪み40とその上側の部分との2段構成であり、底側窪み40の第1側面34の上端から第2側面32の下端にまで段差部36が拡がっている。 - 特許庁

The upper surface part of the knob 4 of a left cover 1 is attached in close-contact with the lower surface of a step part 6 provided at the outer peripheral part of the structural frame 5 holding various units such as paper supply, photoreceptor and fixing units in a laser printer.例文帳に追加

左カバー1の取手4の上面部を、レーザープリンタ内の給紙、感光体、定着等の各種ユニットを保持する構造フレーム5の外周部に設けた段部6の下面に密着させて取り付ける。 - 特許庁

The liquid crystal display device is made up so that an insulating film 17 is embedded between electrode fingers 6a, and a step difference between the upper face of a 2nd electrode 6 and that of the insulating film 17 is smaller than the film thickness of the 2nd electrode 6.例文帳に追加

電極指6aの間には、絶縁膜17が埋め込まれ、第2電極6の上面と絶縁膜17の上面との段差が、第2電極6の膜厚よりも小さい液晶表示装置とする。 - 特許庁

例文

The periphery of the flexible member 4 includes: a large diameter part 41 formed at the upper edge; a small diameter part 42 extended below this large diameter part 41; and a step part 43 formed between the large diameter part 41 and the small diameter part 42.例文帳に追加

軟質部材4の外周面が、上端部に形成された大径部41と、該大径部41より下方に延設された小径部42と、該大径部41と小径部42との間に形成された段部43とからなる。 - 特許庁




  
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