「せいじゅんぶんぷ」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

基板を順次処理して薄膜デバイスを形成する薄膜デバイスの製造工程において同一の検査工程にて時系列に得られた欠陥の前記基板面内での分布情報を解析する方法において、前記欠陥の基板面内での分布の局所的な粗密変動を判定基準として前記製造工程において異常が発生したことを判定するようにした。例文帳に追加

In a method for analyzing time-series distribution information of defects within the surface of a wafer obtained in an identical inspection process of a manufacturing process of a thin film device for forming the thin film device by sequentially processing the wafer, the occurrence of abnormality in the manufacturing process is determined on the basis of a judgement of local variations in distribution of the defects within the wafer. - 特許庁

成膜工程と活性化アニール工程の間で行われる不純物導入工程で使用されるイオン注入機において、前記成膜工程のデータと前記活性化アニール工程のデータを加えた制御用データに基づいて、前記基板が所望の不純物密度分布を持つように、イオン電流密度分布及び基板の移動、又は、ビーム進行角を制御する。例文帳に追加

In the ion implantation apparatus which is used in the impurity introducing process executed between the film forming process and activating annealing process, ion current density distribution, movement of substrate or beam progressing angle are controlled so that the substrate has the desired impurity density distribution on the basis of the control data to which the data of the film forming process and activating annealing process are added. - 特許庁

また、その製法は、特定の重合方法により得られた高度に架橋されてかつ、保持容量が高く、ゲル層膨潤圧が３５．０kdyne/cm^2以上である吸水性樹脂を、さらに特定の粒度分布（８５０μｍ未満で１０６μｍ以上の粒子が全体の９５重量％以上、粒度分布の対数標準偏差（σζ）が０．２５〜０．４５）に制御した後、表面架橋を行い、液透過性向上剤を混合する。例文帳に追加

Thereafter, surface crosslinking is performed and the liquid permeability improver is added. - 特許庁

樹脂溶液中に放射性同位元素を含む溶液を硬化剤とともに均一混合して硬化させ、放射能分布が均一な樹脂製の校正用標準線源を製造する方法。例文帳に追加

In the method, a solution containing a radioactive isotope in a resin solution is uniformly mixed with a curing agent for curing, and a standard radiation source for calibration that has uniform radioactivity and is made of resin is manufactured. - 特許庁

Ｎ型ドレイン領域１９はＡｓイオン注入で形成しその不純物濃度分布を高精度に制御できるので、フォトダイオードの飽和特性のばらつきを抑え、オーバーフロードレイン機能の向上を図れる。例文帳に追加

The n-type drain region 19 can be formed by As ion implantation and its impurity concentration distribution can be accurately controlled to suppress the variations in the saturation characteristic of the photodiode, improving the overflow drain function. - 特許庁

その後、エンジン停止要求が発生したときに、基準タイミングのエンジン回転速度の頻度分布に基づいてオルタネータ３３のトルク特性の変化によるトルクずれを補正するためのトルクずれ補正量を算出する。例文帳に追加

Thereafter, when an engine stop request occurs, a torque deviation correction amount is calculated which is for correcting torque deviation due to change of the torque characteristic of the alternator 33 based on the frequency distribution of the engine revolution speeds at the reference timing. - 特許庁

短時間で極めて高純度、かつ極めて粒度分布が狭い光調整粒子を選択的に得ることが可能で、作業性に優れた光調整粒子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing light adjusting particles with good operability by which the light adjusting particles having extremely high purity and an extremely narrow particle size distribution are selectively obtained. - 特許庁

粒子分布が狭く、微粉が発生せず、真球状に近い形状のため、生産性および取り扱い性に優れ、不純物の少ないビスフェノールＡのポリオキシエチレンエーテル（Ａ）の造粒方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a granulation method for a polyoxyethylene ether (A) of bisphenol A having a small amount of impurities, and having excellent productivity and handleability because of a narrow particle distribution, non-occurrence of fine powder, and a nearly truly spherical shape. - 特許庁

多結晶シリコンＴＦＴのチャネル領域内の不純物濃度分布を精密に制御して、ゲート長を短くした場合でも短チャネル効果を抑制し、かつ、閾値電圧を制御する。例文帳に追加

To restrain short channel effects even if the gate length is reduced and to control a threshold voltage by controlling the concentration distribution of impurities inside a channel region of a polycrystalline silicon TFT precisely. - 特許庁

情報処理装置により、チェッカーパターンが撮影された校正用画像の輝度分布に関する標準パターン情報として、正弦波状の曲面を表す関数が生成される。例文帳に追加

An information processing apparatus generates a function representing a sinusoidal curved surface as standard pattern information on a luminance distribution of a calibration image obtained by imaging a checker pattern. - 特許庁

横軸の値が０の付近における立ち上がりが緩和された画素値補正関数を用いるとともに、画素値補正関数の最大画素値補正量を補正値算出基準物体の輝度分布に応じて変更すること。例文帳に追加

A pixel value correction function, in which rise at a part where the value of a horizontal axis is close to zero is mitigated, is used, and the maximum pixel value correction amount of the pixel value correction function is changed corresponding to the luminance distribution of a correction value calculation reference object. - 特許庁

血管内部を塞ぎ、血流の閉塞に使用する塞栓形成用材料の製造方法として、粒子径分布が狭く粒子径の揃った粒子を製造することができ、その表面に不純物のない製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a material for embolization formation, which occludes the inside of a blood vessel and is used for occlusion of blood flow, and by which particles having a narrow particle diameter distribution and uniform particle diameters and no impurities on the surfaces are produced. - 特許庁

中空管の中に重合性組成物を注入後、重合させて層を形成させる工程を繰り返し行い、径の外側から中心に向かって屈折率の高低分布を有する第１〜第ｎ層３０〜３３を順に形成する。例文帳に追加

A process of injecting polymerizable composition into a hollow tube, thereafter, polymerizing the composition so as to form a layer is repeatedly carried out, and first to n-th layers 30 to 33 having high/low distribution of refractive index are successively formed from the outside of the diameter to the center. - 特許庁

良好なシリサイド／シリコン界面の形成、低抵抗のソース・ドレイン領域及びコンタクトの形成、及び急峻な不純物分布の形成を可能とする薄膜半導体素子を製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a thin film semiconductor device which makes it possible to form a good silicide/silicon interface, to form a low resistance source, drain region, and a contact, and to form an abrupt impurity distribution. - 特許庁

制御手段は、第２の光電変換セル群の配置に基づいて決まる特定周波数を基準とした画像の周波数成分の分布に応じて第１のフォーカス制御と第２のフォーカス制御とを切り換える。例文帳に追加

The control means switches the first focus control and the second focus control in accordance with distribution of the frequency component of the image with specified frequency decided based on the arrangement of the second photoelectric conversion cell group as a standard. - 特許庁

高比表面積で熱安定性に優れ、細孔の大きさが精密に制御され、かつ、その細孔分布がシャープな高純度多孔質酸化チタン及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a fine-porous titanic oxide of high purity which is relatively high in specific surface area, excellent in heat stability, capable of controlling size of pores, and having narrow distribution of the size of the pores, and to provide a method of manufacturing the same. - 特許庁

レジストを「焦げ」の発生を防ぎつつ除去し、さらにプラズマ酸化珪素膜を半導体ウェハ内部の不純物の再分布を抑制しながら高速に形成する半導体素子の製造方法及び半導体素子を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor element wherein a resist is removed while preventing generation of "burnt deposits" and furthermore, a plasma oxidation silica film is formed at high speed controlling redistribution of dopant inside a semiconductor wafer, and to provide a semiconductor element. - 特許庁

そのため、最低基準電流（Ｉ_R3）の固有特性が、直前のメモリセル分布（Ｉ_M3）の特性近く又は特性上にあり、異なる論理レベルの間における識別可能性を低減する。例文帳に追加

Thus, an intrinsic characteristic of the minimum reference current IR3 is near a characteristic of a memory cell distribution IM3 or in the characteristic, possibility of discrimination among different logic levels is reduced. - 特許庁

分子量分布が狭く、金属不純物量を低減したＰＰＳ樹脂により溶融製膜性、電気絶縁破壊特性に優れるポリフェニレンスルフィドフィルム、およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a polyphenylenesulfide film excellent in a melting film-forming property and an electric insulation breakage characteristic formed by a PPS resin having narrow distribution of molecular weight and a reduced amount of metal impurity, and its manufacturing method. - 特許庁

多ゾーンの温度分布帯が構成されたヒータを有する結晶製造装置であって、装置自体が安価で、かつ、高純度の結晶を成長することができる、結晶製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide an inexpensive crystal production unit having a heater afforded with temperature distribution multizone and enabling a high-purity crystal to be grown. - 特許庁

所定の基準位置と所望の撮像対象を含む複数枚の画像データから、基準位置の移動量と第１補正パラメータに基づいて予測補正誤差を算出し、予測補正誤差の空間的分布を表す誤差マップを生成・表示する。例文帳に追加

An estimated correction error is calculated from two or more sheets of image data including a desired reference position of a desired imaging object based on the moving amount of the reference position and a first correction parameter to generate and display an error map showing a spatial distribution of estimated correction errors. - 特許庁

数の物理パラメータに対応する第１の乱数生成関数を生成し、各第１の乱数生成関数間の相関係数を算出して決定してから、標準正規分布を有し、かつ、相関を有する複数の第２の乱数生成関数を物理パラメータごとに生成する。例文帳に追加

First random number generating functions corresponding to physical parameters for numbers are generated, and a plurality of second random number generating functions having standard normal distributions and having a correlation are also generated after a correlation coefficient between the first random number generating functions is calculated and determined. - 特許庁

適応スキャン制御部１２１は、可逆符号化部１０６から量子化された直交変換係数を取得し、その値が非ゼロである非ゼロ係数の分布を観測し、その分布の様子に応じて、可逆符号化部１０６における量子化された直交変換係数のスキャン順を決定する。例文帳に追加

An adaptive scan control unit 121 acquires quantized orthogonal transform coefficients from a reversible coding unit 106, observes distribution of non-zero coefficients having non-zero values, and then determines the scanning order of the quantized orthogonal transform coefficients in the reversible coding unit 106. - 特許庁

基体上に形成された構造体に注入され、構造体の側面から基体に再注入される再注入ドーズを算出し、分布関数と再注入ドーズの再注入条件とから、基体に注入される不純物の濃度分布を算出するイオン注入のシミュレーションを行う。例文帳に追加

An ion injection simulation method includes: calculating a reinjection dose injected into a structure formed on a substrate and reinjected from a side face of the structure to the substrate; and calculating concentration distribution of impurities injected into the substrate from a distribution function and reinjection conditions of the reinjection dose. - 特許庁

タンデム型太陽電池に応用した場合には、各タンデム光電変換素子に対し、太陽光を最大効率で利用できるように光吸収波長特性を割り当てることができ、太陽光の波長分布が標準の分布から大きく偏る場合でも、光電エネルギー変換効率が低下することがない。例文帳に追加

When this is applied to a tandem solar cell, light absorption wavelength characteristics can be allocated so as to utilize the solar light to the maximum efficiency, and even when the wavelength distribution of the solar light is largely deviated from the standard distribution, the photoelectric energy conversion efficiency is not lowered. - 特許庁

本発明の半導体集積回路評価方法においては、評価セルアレイ中の被評価トランジスタの閾値Ｖｔｈの電圧が、閾値Ｖｔｈ電圧の正規分布曲線に対して、５σ（σは標準偏差）以内の分布から外れたものを選別する。例文帳に追加

The semiconductor integrated circuit evaluating method includes selecting a transistor to be evaluated in an evaluation cell array which has a threshold voltage Vth deviating from distribution of 5σ (σ: standard deviation) with respect to the normal distribution curve of threshold voltages Vth. - 特許庁

本発明の半導体評価回路においては、評価セルアレイ中の測定対象トランジスタの閾値Ｖｔｈの電圧が、閾値Ｖｔｈ電圧の正規分布曲線に対して、例えば、５σ（σは標準偏差）以内の分布から外れたものを選別する。例文帳に追加

In the semiconductor evaluation circuit, such transistors are sorted out from among measuring object transistors in an evaluation cell array that the threshold voltages Vth thereof fall outside 5σ, for example, (σ is the standard deviation) as to the normal distribution curve of threshold voltages Vth. - 特許庁

従来のように簡略な近似式を用いることなく、半導体の拡散過程における半導体内部の電界分布をポアソン方程式を用いて正確に求め、これによって得られた電界値を拡散方程式内の電界効果項に用いて不純物分布のシミュレーション計算を行なう。例文帳に追加

The electric field distribution in the semiconductor in the course of diffusing the impurities in the semiconductor is found accurately by using the Poisson equation, without having to use the conventionally used simple approximate expression, and the distributions of the impurities are simulated by using electric field values, obtained from the electric field distribution in the electric-field effect term of a diffusion equation. - 特許庁

メモリ配置情報は、共通するエリアに順次部分プログラムが上書きされる形でロードされるように設定されているので、特定の部分プログラムがメモリ上に長時間存在することはなく、その分、不正参照されにくくなる。例文帳に追加

Since the memory arrangement information is set so as to successively load the partial programs in a shared area in an overwriting form, a specified partial program is never present on the memory for a long time, and the illicit reference becomes difficult by this portion. - 特許庁

サンドブラスト研削材として、体積基準の粒度分布において、累積％径がそれぞれＤ_50＝１０〜１５μｍ、Ｄ_90＜２５μｍ、且つＤ_10＞２μｍの分布を有するジルコニア又はジルコニア化合物を主成分とした粉体からなる研削材を使用する。例文帳に追加

An abrasive composed of powder composed mainly of zirconia or a zirconia compound having an accumulative % diameter having respectively the distribution of D50=10 to 15 μm, D90<25 μm and D10>2 μm in the grain size distribution of a volume reference is used as a sand blast abrasive. - 特許庁

基準となる翼の前縁と後縁とを結ぶ翼弦方向に垂直な方向であって羽根車の回転方向とは逆の方向に移動させるのを正の移動とするダイヘドラル分布が、ハブ側端部から翼高さの中間部にむけて非一様な分布となっている。例文帳に追加

The dihedral distribution in which moving in the direction opposite to the rotation direction of the impeller and vertical to the wing chord direction for connecting the leading edge and the trailing edge of the reference wing is set as positive movement, becomes the nonuniform distribution toward an intermediate part of a wing height from a hub side end part. - 特許庁

サンドブラスト研削材として、体積基準の粒度分布において、累積％径がそれぞれＤ_50＝１０〜１５μｍ、Ｄ_90＜２５μｍ、且つＤ_10＞２μｍの分布を有する低融点ガラスを主成分とした粉体からなる研削材を使用する。例文帳に追加

An abrasive composed of powder composed mainly of low melting point glass having an accumulative % diameter having respectively the distribution of D50=10 to 15 μm, D90<25 μm and D10>2 μm in the grain size distribution of a volume reference is used as a sand blast abrasive. - 特許庁

膜厚分布測定装置１００は、センサ１１０によって検知された帯状基材１０の幅方向端部１１の位置を基準として、帯状基材１０の幅方向に沿って、帯状基材１０に形成された塗膜２０の膜厚分布を測定する。例文帳に追加

A film thickness distribution measurement apparatus 100 measures, with reference to the position of an across-the-width end 11 of a strip-shaped substrate 10 as detected by a sensor 110, a distribution of thickness of a film 20 so formed on the strip-shaped substrate 10 as to extend along the across-the-width direction of the strip-shaped substrate 10. - 特許庁

本発明の光学積層体は、ｎｘ＞ｎｙ＝ｎｚの屈折率分布を有する第１の位相差層と、ｎｚ＞ｎｘ＝ｎｙの屈折率分布を有する第２の位相差層と、ポリエチレンイミンを主成分として含有する易接着層とをこの順に有する。例文帳に追加

The optical laminate includes a first retardation layer having a refractive index profile of nx>ny=nz, a second retardation layer having a refractive index profile of nz>nx=ny, and an adhesion enhancement layer containing polyethyleneimine as a main component in the state order. - 特許庁

そして、個数Ｍ、平均値Ｘ及び最大値ｘ_ｍａｘに基づいて、集合の上側部分が第１の正規分布の上側部分に従って分布していると仮定したときの第１の標準偏差σ_１を算出する（ステップＳ１６）。例文帳に追加

Based on the number M, the average value X and the maximum value x_max, a first standard deviation σ_1 when assuming that the upper part of the set is distributed according to the upper part of a first normal distribution is computed (step S16). - 特許庁

本設計支援手法では、セルＣｉのリーク電流を表現する関数モデルに含まれるバラツキパラメータα_i、βの平均、標準偏差を調整して、設計対象回路のリーク電流の見積リーク歩留分布と実測リーク歩留分布との誤差を最小化する。例文帳に追加

In a design support method, an error between an estimated leak yield distribution and a measured leak yield distribution of leak current of a circuit to be designed is minimized by adjusting average and standard deviations of dispersion parameters αi and β included in a function model expressing leak current of a cell Ci. - 特許庁

集積回路内の電源電位分布及び基準電位分布に応じたクロック配線を設計することによりクロックスキューを低減し、時間的な電源電圧変動が発生している状況下でもクロック分配の安定供給が可能になる。例文帳に追加

Thus, the clock wiring corresponding to the power supply potential distribution and reference potential distribution in the integrated circuit is designed so that clock skew can be reduced, and that the stable supply of clock distribution can be realized even under conditions that temporal power voltage fluctuation is generated. - 特許庁

本発明の光学積層体は、ｎｘ＞ｎｙ＝ｎｚの屈折率分布を有する第１の位相差層と、ｎｚ＞ｎｘ＝ｎｙの屈折率分布を有する第２の位相差層と、ポリチオフェンを主成分として含有する易接着層とをこの順に有する。例文帳に追加

The optical laminate includes: a first retardation layer having a refractive index profile of nx>ny=nz; a second retardation layer having a refractive index profile of nz>nx=ny; and an adhesion enhancement layer containing polythiophene as a main component in the state order. - 特許庁

単純共晶組成を形成する複数化合物、例えば光学異性体のラセミ混合物の溶液から、粒度分布等の異なる複数の種晶を少量用い、所望化合物、例えば各異性体を高純度で且つ高回収率で取得する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for acquiring a desired compound, for example, each optical isomer of high purity with high recovery from a solution of a plurality of compounds which form a simple eutectic composition, for example, a racemic mixture of optical isomers using a small amount of a plurality of seed crystals different in particle size distribution or the like. - 特許庁

また，ヒータ制御装置１６０は，設定温度に基づく基準抵抗値を温度センサ２５０の検出温度に基づく補正値で補正し，補正された基準抵抗値に各ヒータの温度分布定数を乗算して目標抵抗値を求める。例文帳に追加

The heater control device 160 corrects a reference resistance based on a set-up temperature by means of a correction factor based on a temperature detected by a temperature sensor 250, and finds target resistance by multiplying the corrected reference resistance by the temperature distribution constants of the respective heaters. - 特許庁

新たなパラメーターによって半導体層内における不純物分布を制御して電界効果型トランジスターを形成することのできる電気光学装置の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of an electrooptical device capable of forming a field effect transistor by controlling an impurity distribution in a semiconductor layer with new parameters. - 特許庁

形成されるＬｉＭｎ_2Ｏ_4粉体生成物はすべてスピネル構造を有し、不純物を含まず、また、粒子寸法の分布が均一で良好な結晶品質を有するという特徴を有する。例文帳に追加

The LiMn2O4 particle products formed are all characterized, having a spinel structure with impurities removed and an excellent crystalline quality with an even distribution of particle diameters. - 特許庁

注入された不純物の均一な分布特性を確保し、低い動作電圧のトランジスタ又はフラッシュメモリセルを製造することが可能な半導体素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method for a semiconductor device that can maintain uniform distribution characteristics of impurities injected and manufacture a low working voltage transistor or flash memory cell. - 特許庁

本発明は、不純物が少なくシャープな粒度分布を有すると共に、優れた成形性を有する炭化ケイ素粉末を安価に得ることのできる改良された炭化ケイ素粉末の製造法を提供する。例文帳に追加

To provide an improved method for manufacturing a silicon carbide powder at a low cost, wherein the silicon carbide powder contains few impurities, shows a sharp particle size distribution and is excellent in moldability. - 特許庁

トップコート層における潤滑剤分布のバラツキを防止することにより、走行耐久性に優れた磁気記録媒体を歩留よく製造することができる磁気記録媒体の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of magnetic recording medium by which a magnetic recording medium being excellent in travelling durability can be manufactured with good yield by preventing dispersion of distribution of lubricant in a top coat layer. - 特許庁