「マスク」に関連した英語例文の一覧と使い方(621ページ目) - Weblio英語例文検索

水中用マスクのストラップに取り付け可能な水中用オーディオプレーヤーであって、水中用オーディオプレーヤーをストラップに取り付けるための取り付け部と、取り付け部に取り付けられ且つオーディオプレーヤー本体を内蔵した耐水圧容器と、オーディオプレーヤー本体と電気的に接続された骨伝導スピーカーと、振動防止部材とを備え、骨伝導スピーカーが振動防止部材を介して耐水圧容器に取り付けられていることを特徴とする水中用オーディオプレーヤーを提供することにより上記課題を解決する。例文帳に追加

The underwater audio player attachable to a strap of an underwater mask has an installation part for installing the underwater audio player to the strap, a water pressure resistant container which is installed at the installation part and has a built-in audio player body, a bone conduction speaker electrically connected to the audio player body and a vibration prevention member and the bone conduction speaker is installed to the water pressure resistant container via the vibration prevention member. - 特許庁

素子内にトレンチ構造を有する半導体装置の製造方法において、素子内に第１のトレンチを形成した後に、フォトリソグラフィ工程を有する場合、マスク合わせのため、半導体基板にアライメントマークを第２のトレンチにより形成し、この第２のトレンチ内に埋め込み膜を形成したとき、この第２のトレンチ内にボイドが発生するのを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device by which the voids in a second trench can be suppressed when an embedded film is formed in the second trench after an alignment mark is formed for positioning on a semiconductor substrate by using the second trench, in the case where a photolithographic step is performed after a first trench is formed in an element at the time of manufacturing a semiconductor device having a trench structure in the element. - 特許庁

本発明は、ブラックマトリックスパターンが形成された第１マスクを利用してカバーフィルム、ブラックマトリックスドライフィルム及びベースフィルムを含む第１グリーンシートを露光するステップと、前記カバーフィルムを除去して基板上に前記第１グリーンシートをラミネーティングするステップと、前記ベースフィルムを除去して前記基板上にブラックマトリックスを形成するステップと、を含むことを特徴とする。例文帳に追加

The manufacturing method of a plasma display panel and the green sheet include a step exposing a first green sheet containing a cover film using a first mask on which a black matrix pattern is formed, a black matrix dry film and a base film, a step removing the cover film and laminating the first green sheet on a substrate, and a step removing the base film and forming a black matrix on the substrate. - 特許庁

この方法は、これらのクリティカルな幅のセグメントに整列し、かつこれらクリティカルな幅のセグメントの少なくとも一部の端部を越えて延長する本質的に平行な交互位相シフト領域を生成することと、集積回路レイアウトおよび交互位相シフト領域をバウンダリで取り囲むことと、交互位相シフト領域をこのバウンダリのエッジまで延長することと、その後、これらの交互位相シフト領域に基づいて交互位相シフト・マスクを生成することとを含む。例文帳に追加

The method includes the steps of: creating essentially parallel alternating phase shift regions aligned with the critical width segments and extending beyond ends of at least some of the critical width segments; enclosing the integrated circuit layout and the alternating phase shift regions with a boundary; extending the alternating phase shift regions to an edge of the boundary; and creating the alternating phase shift/mask based on the alternating phase shift regions. - 特許庁

位相シフトマスクに於ける位相シフター膜のドライエッチング工程に於いて、エッチング処理中に観測されるプラズマ電流−電圧間の位相差の平均値と位相シフター膜のエッチング速度の相関関係と位相差出力の経時変化とを用いて次回処理基板に於けるエッチング速度を予測し、然る後、最適エッチング時間を設定してエッチング処理を行なう過程が含まれてなることを基本とする。例文帳に追加

A dry etching step of a phase shifter film in a phase shift mask essentially comprises predicting an etching rate in the next process substrate by using a correlation between an average phase difference in a plasma current-voltage and the etching rate of the phase shifter film observed during the etching process and using changes in the phase difference output with time, and then setting an optimum etching time to carry out the etching process. - 特許庁

半導体基板１１上に金属膜１３を形成する工程と、金属膜１３の上に絶縁膜１４を形成する工程と、絶縁膜１４上に所定の形状にパターニングされたレジスト１５を形成する工程と、レジスト１５をマスクとして絶縁膜１４に孔１４ａを形成する工程と、フロロカーボンガスと、フロロカーボンガスを分解するための、触媒その他の分解促進物とを用いてレジスト１５をアッシングする。例文帳に追加

The method includes the stages of forming a metal film 13 on a semiconductor substrate 11, forming an insulating film on the metal 13, forming a resist 15 patterned in a specified shape on the insulating film 14, forming a hole 14a in the insulating film 14 by using the resist 15 as a mask, and ashing the resist 15 by using a catalyst and other decomposition accelerators for decomposing fluorocarbon gas. - 特許庁

第１の柱状スペーサーと、この第１の柱状スペーサーよりも厚さの薄い第２の柱状スペーサーを形成するための露光方法であって、フォトマスクの開口率を変更したり、光透過率の低減処理を施すことなく、膜厚及び線幅の均一性に優れた第２の柱状スペーサーを形成することを可能とする露光方法、露光装置、及び液晶表示装置の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide an exposure method for forming a first columnar spacer and a second columnar spacer thinner than the first columnar spacer, the method for forming the second columnar spacer with excellent uniformity of film thickness and line width without changing an aperture ratio of a photomask or subjecting a photomask to a process of reducing the transmittance for light, and to provide an exposure device and a method for manufacturing a liquid crystal display device. - 特許庁

ホトレジストパターン（マスクパターン）を有する基板上に被覆形成剤を被覆してパターン形成を行う微細パターンの形成方法において、パターン寸法の制御性に優れるとともに、良好なプロフィルおよび半導体デバイスにおける要求特性を備えた微細パターンを得ることができ、さらにデバイスの汚染の原因となり得るパーティクルの発生を防止した、微細パターンの形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of forming a fine pattern to form the pattern by covering, with a cover forming agent, a substrate including a photoresist pattern (mask pattern) in which pattern size can be well controlled, a fine pattern satisfying the excellent profile and requested chararacteristic for a semiconductor device can be obtained and moreover generation of particles which can result in contamination of device can be prevented. - 特許庁

食刻対象層１２の上部にフォトレジストパターン１４を形成する段階と、プラズマ処理を行いフォトレジストパターン１４の側壁に食刻対象層１２の食刻速度を増加させるための食刻速度増加膜を一定の厚さで形成する段階と、食刻速度増加膜が形成されているフォトレジストパターンを食刻マスクとして用いて食刻対象層を食刻することによりコンタクト用のウィンドウを形成する段階とを備えることを特徴とする。例文帳に追加

A method for fabricating a semiconductor device comprises a step for forming a photoresist pattern 14 on a layer 12 to be etched, a step for forming an etching rate increasing film of the layer 12 on the side wall of the photoresist pattern 14, and a step for forming a contact window by etching the layer 12 using the photoresist pattern on which the etching rate increasing film is formed as an etching mask. - 特許庁

ＷＡＮに適用されるネットワークトラフィック監視システムであり、ＴＡ２−ＤＳＵ３間のＴ点にて分岐ケーブルを接続し、インターネットトラフィックのモニタを行うトラフィックモニタ装置５と、トラフィックモニタ装置５に対し、集計処理の開始／停止などの制御、集計単位を定めるサブネットマスクの設定、及び、集計結果としてトラフィックモニタ装置５よりトラフィック情報をＳＮＭＰで取得する監視装置６より構成される。例文帳に追加

It is a network traffic monitor system applied to WAN, and comprises a traffic monitor 5 connecting a branch cable at point T between TA 2 and DSU 3 and monitoring Internet traffic, and a monitor 6 controlling an initiation/stop of an accumulating process, setting a subnet mask defining an accumulation unit, and acquiring traffic information from the traffic monitor 5 by SNMP from the traffic monitor 5. - 特許庁

ＭＯＳＦＥＴのソース・ドレイン拡散層を形成するにあたって、まず側壁を有するゲート電極１３を形成し、これをマスクとし且つ基板１１の配向面と整合した方向からＩｎ又はＡｓイオン注入を行って、基板深さ方向に濃度勾配が小さなチャネリングテールを有するディープＳＤ領域２４を形成し、次いで、Ｂ又はＡｓの通常のイオン注入によってソース・ドレイン領域２５を形成する。例文帳に追加

When the source-drain diffusion layer of an MOSFET is formed, a gate electrode 13 having a sidewall is formed at first and In or As ions are implanted from a direction aligned with the orientation face of a substrate 1 using the gate electrode 13 as a mask thus forming a deep SD region 24 having a channeling tail of small concentration gradient in the depth direction of the substrate. - 特許庁

光透過性の基材上に、ｉ）重合可能な不飽和結合を有するアルカリ可溶性樹脂バインダー、ii）少なくとも１個の重合可能な不飽和結合を有するモノマー、iii）４０５ｎｍ以上の波長領域に感光性を有する光重合開始系、及びiv）重合可能な分散剤で表面処理された着色材、を含む感光性層を有し、かつ該感光性層が塗布形成されてなることを特徴とするフォトマスク材料である。例文帳に追加

The photomask material has, on a light transmitting substrate, a photosensitive layer comprising i) an alkali-soluble resin binder having polymerizable unsaturated bonds, ii) a monomer having at least one polymerizable unsaturated bond, iii) a photopolymerization initiation system having photosensitivity in a wavelength region of ≥405 nm and iv) colorant surface-treated with a polymerizable dispersant, wherein the photosensitive layer is formed by coating. - 特許庁

シリコン基板１上に形成されたポリシリコン膜１３及びＷＳ膜１５を配線形状にパターニングして当該ポリシリコン膜１３及びＷＳ膜１５からなるゲート配線１０を形成する方法であって、ポリシリコン膜１３及びＷＳ膜１５の上方にＢＡＲＣ膜２１を形成し、このＢＡＲＣ膜２１上にフォトレジストを塗布し、このフォトレジストを配線形状に露光し、現像処理してレジストパターン３２を形成し、このレジストパターン３２をマスクにＢＡＲＣ膜２１をＣＨＦ_３ガスとＣＦ_４ガスとＯ_２ガスとからなる第１混合ガスでドライエッチングする。例文帳に追加

The wiring forming method is the one wherein a formed polysilicon film 13 and a formed WS film 15 on a silicon substrate 1 are so patterned into a wiring shape as to form a gate wiring 10 comprising the polysilicon film 13 and the WS film 15. - 特許庁

導電性膜１３が成膜されたシリコン基板上に非導電性材料をパターニングする工程と、パターニングされた非導電性材料を型として利用し電鋳法によって導電性膜上に金属部材１１を形成する工程と、前記金属部材をマスクとして利用しシリコン基板の所定の位置をウェットエッチングする工程とで製造され、内周形状が四角形であり、平面に対して約５５度の角度で傾いた側壁面からなる貫通孔と、円形の内周形状であり平面に対してほぼ垂直な側壁面からなる貫通孔とが一直線上に連通して形成される構造をなしている。例文帳に追加

In this plate, through holes having square inner peripheral shapes and sidewalls inclined from a horizontal plane by about 55° and through holes having circular inner peripheral shapes and vertical side walls are continuously formed on straight lines. - 特許庁

基板１上に感光性樹脂組成物層３を積層し（工程１）、パターンマスクを介して露光（工程２）、現像（工程３）を行ってレジスト画像を形成（工程４）した後、該形成されたレジスト画像の凹部に低融点ガラスペースト等のパターン形成材料を埋め込み（工程５）、感光性樹脂組成物の硬化レジストをサンドブラスト加工により除去（工程６）した後、焼成炉を通して焼結することにより基板上にパターンが形成される（工程７）。例文帳に追加

A photosensitive resin composition layer 3 is laminated on a substrate 1 (step 1), exposed through a patterned mask 4 (step 2) and developed (step 3) to form a resist image (step 4). - 特許庁

絶縁層２１にポジ型の感光性ポリイミド樹脂材料を使用することで、フォトリソグラフィー法によって同一の樹脂に対して複数回の製版を行うことが可能であり、従来の製造方法における半田ボール形成工程、裏面エッチング工程時のレジストによるマスク形成を省略することができるので、工程を簡略化でき、かつ使用する材料を減らすことができるので、製造コストの大幅な低減を図ることができる。例文帳に追加

An insulating layer is formed of a positive photosensitive polyimide resin material, the same resin can undergo photoengraving a few times through a photolithographic method, and the formation of resist masks in a solder ball forming process and a rear etching process in a conventional manufacturing process can be dispensed with, so that a semiconductor device circuit member can be simplified in manufacturing process markedly reducing the manufacturing cost. - 特許庁

本発明は、基板上若しくは回路素子上に設けられた第１の金属拡散防止膜上に、シード層の形成に続いて、フォトレジストマスクを用いて選択的に無電解メッキ法、又は電解メッキ法により、金属配線層を形成し、シード層及び第１の金属拡散防止膜の不要領域除去と、シード層及び金属配線層及び第１の金属拡散防止膜の側面を含む表面を覆うように無電解メッキ法による第２の金属拡散防止膜の選択的な形成と、により形成される配線及び電極及び、これらの形成方法である。例文帳に追加

Wirings, an electrode, and a method for forming the same are provided which comprises removing unwanted region of the seed layer and a first metal diffusion-preventing film, and selectively forming a second metal diffusion-preventing film, by the electroless plating method so as to cover the surfaces including the side surfaces of the seed layer, the metal wiring layer and the first metal diffusion-preventing film. - 特許庁

対象を撮影した時系列画像中の参照画像と注目画像との間に高精度なレジストレーションを行う画像レジストレーション方法であって、参照画像上の所定の領域を注目領域に設定し、レジストレーションを行う際に、設定された注目領域内で、平面射影変換によって正確にレジストレーションできる領域を表すマスク画像の画素に基づき、モーションパラメータを推定する。例文帳に追加

The image registration method for performing accurate registration between a reference image and an attentive image in a time-series image of an object comprises setting a predetermined area on the reference image an attention area; and estimating, at the time of registration, a motion parameter based on the pixel of a mask image showing an area accurately registrable by planar projection conversion within the set attention area. - 特許庁

基板上に少なくとも１層の磁性薄膜を設けてなる磁気記録媒体に対し、マスク手段を介してエネルギー線を照射する工程と外部磁場印加手段により外部磁場を印加する工程とにより磁化パターンを形成する方法であって、該外部磁場印加手段の磁場強度を該媒体の半径方向で異ならせる磁気記録媒体の磁化パターン形成方法、磁化パターン形成装置、及びそれにより磁化パターンを形成した磁気記録媒体並びにそれを用いた磁気記録装置。例文帳に追加

The method for forming the magnetization pattern of the magnetic recording medium which makes differ the magnetic field strength of the external magnetic field applying means in the radial direction of the medium, the device for forming the magnetization pattern, the magnetic recording medium on which the magnetization pattern is formed thereby, and the magnetic recorder using it are provided. - 特許庁

光源１と、マスク５に描かれたパターンを光源光で照明する照明光学系６と、照明されたパターンを基板１３に投影する投影光学系１１を有する露光装置であって、光源１から基板１３までの全体または一部を外気から遮蔽する容器７、１４、１７と、容器に接続された不活性ガスの供給ラインおよび排出ラインと、容器上若しくは容器と圧力的に等価な位置および／または供給若しくは排出ライン上若しくは供給若しくは排出ラインと圧力的に等価な位置に圧力調整手段２１〜２３を具備する。例文帳に追加

This aligner has a light source 1, an illumination optical system 6 for illuminating a pattern drawn on a mask 5 by a light source light, and a projection optical system 11 for projecting the illuminated pattern to a substrate 13. - 特許庁

本発明の一態様に係るマスク検査光源１０１'は、レーザ光を発生するモードロック型チタンサファイアレーザ発振器１１１と、モードロック型チタンサファイアレーザ発振器１１１から発生するレーザ光を連続動作のグリーンレーザ光で励起させるチタンサファイア再生増幅器１１２とを備えるレーザ装置と、レーザ装置から取り出されるレーザ光の第四高調波を発生する波長変換装置とを有するものである。例文帳に追加

The mask inspection light source 101' includes: a laser device with a mode-lock titanium sapphire laser oscillator 111 that generates a laser beam and a titanium sapphire regenerative amplifier 112 that excites the laser beam generated from the mode-lock titanium sapphire laser oscillator 111 with a green laser beam in continuous operation; and a wavelength converting device that generates fourth harmonics of the laser beam extracted from the laser device. - 特許庁

この半導体装置の製造方法では、シリコン窒化膜層１５およびメタル層１４が部分的にエッチングされて上側ゲート部１６が形成され、その上側ゲート部１６の側壁部にシリコン窒化膜の上側サイドウォール１７が形成され、その上側サイドウォール１７をマスクとして、ポリシリコン層１３およびゲート酸化膜１２がエッチングされるとともに、残留しているポリシリコン層１３の側壁酸化が行われる。例文帳に追加

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of forming an upper gate 16 by partly etching a silicon nitride film layer 15 and a metal layer 14, forming an upper sidewall 17 of a silicon nitride film on a sidewall of the gate 16, etching the layer 13 and the film 12 with the sidewall 17 as a mask, and conducting a sidewall oxidation of the remaining layer 13. - 特許庁

健康甦生保険手袋（テオリーくん３０号）健康甦生保険容器（テオリーくん３７号）健康甦生保険ハップリ（テオリーくん３１号）健康甦生保険水筒（テオリーくん３８号）健康甦生保険襟巻（テオリーくん３２号）健康甦生保険マスク（テオリーくん３９号）健康甦生保険シャツ（テオリーくん３３号）健康甦生保険襟カラー（テオリーくん３４号）健康甦生保険ネクタイ（テオリーくん３５号）健康甦生保険取外し庇（テオリーくん３６号）例文帳に追加

HEALTH REVIVAL INSURANCE GLOVE, HEALTH REVIVAL INSURANCE CONTAINER, HEALTH REVIVAL INSURANCE HAPPURI (HAIR-HEAD WIG, e.g. IN KABUKI), HEALTH REVIVAL INSURANCE WATER CYLINDER, HEALTH REVIVAL INSURANCE SCCARF, HEALTH REVIVAL INSSURANCE MASK, HEALTH REVIVAL INSURANCE SHIRT, HEALTH REVIVAL INSURANCE COLLAR, HEALTH REVIVAL INSURANCE NECKTIE AND HEALTH REVIVAL INSURANCE VISOR - 特許庁

機能液を基板上に所定のパターンで配置することにより薄膜パターンを形成する際用いられるマスクであって、基板上の機能液が配置されるパターンと同じ形状、大きさの開口パターンを有する薄膜パターン形成部と、第１のアライメントマークを形成する第１のアライメントマーク形成部と、第２のアライメントマークを形成する第２のライメントマーク形成部が具備されるとともに、前記第１のアライメントマーク形成部の最大寸法は、前記第２のアライメントマーク形成部の最大寸法より大きいことを特徴とする。例文帳に追加

The maximum dimension of the first alignment mark forming section is made larger than that of the second alignment mark forming section. - 特許庁

製造工程では、透明基板への遮光膜等の成膜作業と、描画作業と、エッチング作業とを高真空のクリーンルーム内に配置し、透明基板へのレジスト塗布作業と、現像作業と、剥膜作業とを低真空のクリーンルーム内に配置され、前記工程のパターン形成時、作業の工程が、共用ボックスの固有番号毎に、製造の順番を搬送経路指示書に従って、製造条件を加工処理指示書に従って各々の作業が行われるフォトマスク製造ライン。例文帳に追加

In the process of forming a pattern, the working steps are carried out for each specific number of a common box in the order of manufacture according to a routing instruction sheet under the manufacture conditions according to a process instruction sheet. - 特許庁

石英基板上にモリブデン−シリコンの酸化物、モリブデン−シリコンの窒化物、モリブデン−シリコンの酸窒化物、シリコンの窒化物およびシリコンの酸窒化物のいずれかからなる被膜を形成する工程と、前記被膜を塩素ガスを含むエッチングガスを用いた反応性イオンエッチングにより選択的にエッチング除去することにより位相シフトマスクパターンを形成する工程とを具備したことを特徴とする。例文帳に追加

The production method includes a process of forming a film consisting of any of an oxide of molybdenum silicon, nitride of molybdenum silicon, oxide nitride of molybdenum-silicon, nitride of silicon and oxide nitride of silicon on a quartz substrate, and a process of forming a phase shift mask pattern by reactive ion etching to selectively etch and remove the film by using an etching gas containing gaseous chlorine. - 特許庁

ヘッドユニットのアライメントマスクおよびこれがセット可能なヘッドユニットの組立装置、並びに液晶表示装置の製造方法、有機ＥＬ装置の製造方法、電子放出装置の製造方法、ＰＤＰ装置の製造方法、電気泳動表示装置の製造方法、カラーフィルタの製造方法、有機ＥＬの製造方法、スペーサ形成方法、金属配線形成方法、レンズ形成方法、レジスト形成方法および光拡散体形成方法例文帳に追加

ALIGNMENT MASK OF HEAD UNIT, ASSEMBLY DEVICE OF HEAD UNIT SETTABLE THEREOF, METHODS FOR MANUFACTURING LIQUID CRYSTAL DISPLAY, ORGANIC EL DEVICE, ELECTRON EMISSION DEVICE, PDP DEVICE, ELECTROPHORETIC DISPLAY DEVICE, COLOR FILTER AND ORGANIC EL, AND METHODS FOR FORMING SPACER, METAL WIRING, LENS, RESIST, AND OPTICAL DIFFUSER - 特許庁

炭素ナノチューブの表面に、ラジカル重合への参加が可能な二重結合を有する作用基を導入し、前記炭素ナノチューブを光開始剤と共に有機溶媒に分散させて基材上にコーティングし、その後フォトマスクに介してＵＶに露光させて露光部で炭素ナノチューブのラジカル重合を誘発した後、非露光部を現像液で取り除くことにより、炭素ナノチューブのネガティブパターンを形成する。例文帳に追加

A negative pattern of carbon nanotubes is formed by introducing double bond-containing functional groups participating in radical polymerization into surfaces of carbon nanotubes, dispersing the carbon nanotubes with a photo-initiator in an organic solvent, applying the dispersion liquid on a substrate to form a coating, exposing the coating to UV rays through a photomask to induce radical polymerization of the carbon nanotubes in an exposed part, and removing an unexposed part with a developer solution. - 特許庁

ホログラフィックＲＯＭシステムは、ホログラフィックに求められるレーザー光を発生させる光源と、レーザー光を拡大させるビーム拡大器と、拡大されたレーザー光の一部を変調させてホログラフィック媒体に投影される信号光を生成し、拡大されたレーザー光の残り部分を通過させて参照光を生成し、ホログラフィック媒体に向くように参照光を反射させる円錐ミラーに参照光を提供するマスクとを備えている。例文帳に追加

The holographic ROM system is provided with a light source for generating a laser light necessary for holography, a beamexpander for expanding the laser light, and a mask which modulates part of the expanded laser light to produce a signal light projected on a holographic medium, passes the remainder of the expanded laser light to produce a reference light, and provides the reference light to a conical mirror which reflects the reference light toward the holographic medium. - 特許庁

複数のコンポーネントから構成される入力画像データを圧縮符号化する画像符号化方法において、前記入力画像データに、画像の合成に用いるマスク情報を画素毎に記録されたアルファチャンネルを新たなコンポーネントとして追加し、前記複数のコンポーネントと前記新たなコンポーネントとを含む画像データを、その解像度を階層化して符号化処理し、一体化した画像ファイルを生成する。例文帳に追加

The image coding method of compressing and coding input image data, composed of a plurality of components comprises a step of adding an alpha channel having mask information recorded per pixel for forming a composite image to the input image data as a new component, coding image data, containing a plurality of components and the new component after converting the resolutions thereof in an hierarchical form, thereby forming an integrated image file. - 特許庁

ガラス基板１０１の上に、例えば膜厚３０μｍ程度の非晶質フッ素樹脂層１０２が形成された状態とし、次に、非晶質フッ素樹脂層１０２の上に下層に貫通する溝部１０３ａを備えたレジストパターン１０３が形成された状態とし、レジストパターン１０３をマスクとして非晶質フッ素樹脂層１０２を選択的にエッチングし、非晶質フッ素樹脂層１０２に溝１０２ａが形成された状態とする。例文帳に追加

An amorphous fluoro resin layer 102 with a thickness, for example, about 30 μm is formed on a glass substrate 101; a resist pattern 103 having groove parts 103a penetrating the layer thereunder is formed on the amorphous fluoro resin layer 102; and the amorphous fluoro resin layer 102 is selectively etched using the resist pattern 103 as a mask to form grooves 102a in the amorphous fluoro resin layer 102. - 特許庁

半導体基板に第１の側面に反対される第２の側面を有して突出した壁体）を形成し、壁体の第１の側面の一部を選択的に開口する開口部を有する片側コンタクトマスクを形成した後、開口部に露出した第１の側面部分に互いに拡散度が異なる不純物を拡散させて第１の不純物層及び該第１の不純物層を覆う第２の不純物層を形成することを特徴とする。例文帳に追加

A projection wall having a second side surface opposed to a first side surface is formed on a semiconductor substrate, a single side contact mask having an opening part selectively opening a part of the first side surface of the wall, is formed, then a first impurity layer and a second impurity layer covering the first impurity layer by diffusing impurities having different diffusion degrees into a first side surface exposed to the opening. - 特許庁

位相シフトマスクの製造において、非回路位相シフトアライメント領域を形成するとき、前記非回路位相シフトアライメント領域を形成するために材料をエッチングする前で、基板上にフォトレジストがあるときに、前記基板上に受け入れられる前記フォトレジストに形成されるパターンのアライメントを決定するために、少なくとも一部空間イメージ測定装置を用いて、アライメント精度を測定する。例文帳に追加

In the step of forming a non-circuitry phase shift alignment region is formed in the manufacture of a phase shift mask, alignment accuracy is measured at least partially by using an aerial image measurement equipment so as to determine the alignment of patterns to be formed in a photoresist applied a substrate before the material is etched to form the non-circuitry phase shift alignment region and while the photoresist is present on the substrate. - 特許庁

遠紫外光、とくにＡｒＦエキシマレーザー光を使用する上記ミクロフォトファブリケ−ション本来の性能向上のための技術における課題を解決したポジ型レジスト組成物を提供することにあり、より具体的には、マスク被覆率依存性が小さく、塗布後の経時安定性（ＰＣＤ）、露光後の経時安定性（ＰＥＤ）が大きいポジ型レジスト組成物、更に加えてプロセスマージンにも優れたポジ型レジスト組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a positive resist composition which solves problems in a technique for improving performance proper to microphotofabrication using far ultraviolet light, particularly ArF excimer laser light, to specifically provide a positive resist composition having small mask coverage dependence, high post-coating delay stability (PCD) and high post-exposure delay stability (PED), and to further provide a positive resist composition excellent also in process margin. - 特許庁

基板を用意する段階と、前記基板上に、下部半導体層、活性層及び上部半導体層を順次形成する段階と、前記上部半導体層上に、その側壁が前記基板の上部面に対して傾斜するように、フォトレジストパターンを形成する段階と、前記フォトレジストパターンをエッチングマスクとして使用し、前記上部半導体層、活性層及び下部半導体層を順次にエッチングする段階とを有する。例文帳に追加

A method includes the steps of: preparing a substrate; sequentially forming a lower semiconductor layer, an active layer, and an upper semiconductor layer on the substrate; forming a photoresist pattern on the upper semiconductor layer so that its side wall is inclined to an upper surface of the substrate; and sequentially etching the upper semiconductor layer, the active layer, and the lower semiconductor layer by using the photoresist pattern as an etching mask. - 特許庁

そして、基板の生産工程では、スクリーン印刷装置２においてハンダ印刷時の基板とマスクシートとの相対位置データを取得して第１実装装置３に送信し、第１実装装置３では前記搭載座標データをさらにこの相対位置データに基づいて補正することにより最終的な部品の搭載座標を演算し、この搭載座標に従って実装用のヘッドを駆動制御することにより基板に部品を実装する。例文帳に追加

In the stage of producing the substrate, the screen printer 2 acquires relative position data between the substrate and mask sheet in solder printing and transmits it to the first mounting device 3, which computes final mounting coordinates of the components by further correcting the mounting coordinate data on the basis of the relative position data, and controls driving of a mounting head according to the mounting coordinates to mount the component on the substrate. - 特許庁

原子力事業者による防災対応の実施原子炉設置者は、事業所内に、特定事象の通報を行う上で必要となる放射線測定設備を設置、維持しているほか、汚染防護服、呼吸用ボンベや防護マスクなどの放射線障害防護用器具、携帯電話やファクシミリなどの非常用通信機器、建物の外部に放出される放射性物質を測定するための固定式測定器や線量計、可搬式測定器などの計測器、その他の原子力防災資機材を備え付けている。例文帳に追加

Emergency preparedness and response activities by licenseesLicensees equip and maintain radiation measuring equipment on nuclear sites that is necessary in reporting of a Specific Event, and also prepare radiation protection equipment such as an anticontaminant suit, a respiratory oxygen tank, and a protective mask, emergency communication equipment such as a cell phone and a facsimile machine, measuring equipment such as a fixed measuring instrument or dose meter and a portable measuring instrument for measuring radioactive materials released outside a building, and other materials and equipment for nuclear disaster response. - 経済産業省

岩手、宮城、福島の３労働局が、本格化しているがれき処理作業における労働災害を防止するための集中パトロールを実施（平成23年7月6日～7月8日、8月24日～8月26日）また、がれき処理作業を請け負う地元の建設事業者を対象として、①安全衛生教育の実施の徹底、②熱中症予防対策の徹底、③防じんマスクの着用の徹底等を内容とする集団指導を実施岩手県：宮古市（平成23年7月14日）、釜石市（平成23年7月15日）、陸前高田市（平成23年7月15日）宮城県：気仙沼市（平成23年7月15日）例文帳に追加

3 Labour Bureaus of Iwate, Miyagi, and Fukushima Prefectures carried out intensive patrols to prevent work-related injuries during the work of the clearing of rubbles that had been going into full-scale operation. (From July 6 to 8; from August 24 to 26, 2011) In addition, group guidance is planned to be given to local construction companies contracted to work on the clearing of rubbles, regarding the: 1) full implementation of education on safety and health; 2) full enforcement of prevention measures against heat stroke; and 3) full implementation of wearing of anti-dusk masks. - 厚生労働省

本方法は、光透過率が互いに異なる複数の領域を含むフォトマスクを用いて、半導体基板に塗布されたフォトレジストを露光する露光工程と、フォトレジストを現像して、フォトレジストの露光量に依存した互いに異なる膜厚を有する複数の領域を含むレジストパターンを形成する現像工程と、レジストパターンの膜厚が互いに異なる複数の領域を通して半導体基板に不純物イオンを注入して、半導体基板の表面からピーク位置までの深さが互いに異なる複数の不純物領域を形成する注入工程とを有し、ピーク位置までの深さは、注入される不純物イオンが通るレジストパターンの膜厚に依存することを特徴とする。例文帳に追加

The depth to the peak position depends on the film thickness of the resist pattern through which the impurity ions to be implanted pass. - 特許庁

縁部に沿ってフレームにより支持されて、複数のパターン化した開口部を具備して上記開口部を通じて蒸着源から赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の組合わせよりなる複数の画素を有する有機発光膜を透明基板に蒸着させるものであって、上記開口部は上記透明基板側幅が上記蒸着源側幅より大きく形成されており、上記透明基板側開口部の幅をＷｓ１、上記蒸着源側開口部の幅をＷｓ２、上記有機発光膜の互いに隣接する画素間の距離をＰｐ、上記蒸着される有機発光膜のうち一画素の発光膜幅をＷｅｌとする時、上記Ｗｓ１はＷｓ１＝Ｐｐ＝Ｗｅｌの式を満足する少なくとも２つの単位マスクを具備する。例文帳に追加

This mask is provided with at least two unit masks supported by a frame along the edge part and provided with a plurality of patterned opening parts, and a plurality of pixels constructed of a combination of red R, green G, and blue B are deposited on a transparent board from a deposition source via the opening parts. - 特許庁