「マスク」に関連した英語例文の一覧と使い方(616ページ目) - Weblio英語例文検索

III-Ｖ族化合物半導体からなる基板１上に活性層３、エッチング停止層４、およびキャップ層５を順に成長させた後、メサエッチングを施して素子領域を分離形成し（第１の工程）、上記メサ上にゲート電極Ｇの幅を規定する開口部を有するマスク１１を形成する。例文帳に追加

After an active layer 3, an etching stopping layer 4, and a cap layer 5 are successively grown on a substrate 1 composed of a III-V compound semiconductor, an element region is separately formed by subjecting it to mesa etching (first process), and a mask having an opening for controlling the width of a gate electrode G is formed on the formed mesa. - 特許庁

ＵＳＢデバイスサーバ１０５は、Ｓ５０１の接続要求を受信し、サーバ側デバイス選択手段は、デバイス検出手段により検出されたＭＦＰに備えられる各デバイス（プリンタ，スキャナ，ストレージ）の内、任意の手段により予め設定されている情報に基づき特定のデバイス情報をマスクする。例文帳に追加

A USB device server 105 receives a connection request given from an S501, and a server side device selection means masks specific device information based on information previously set by an optional means among respective devices (a printer, a scanner, and a storage) provided in the MFP and detected by a device detection means. - 特許庁

半導体ウエハー１０に感光性絶縁樹脂付き銅箔１を積層し、金属レジスト１２により銅箔１をエッチングして回路１３を形成し、形成した回路を感光性絶縁樹脂２に埋没させた後、感光性絶縁樹脂２をマスク露光、現像、硬化することにより、ワイヤボンド用開口部を一括形成する。例文帳に追加

A copper foil 1 with a photosensitive insulation resin is laminated on a semiconductor wafer 10, the copper foil 1 is etched by a metal resist 12 to form a circuit 13, and after the formed circuit is buried in the photosensitive insulation resin 2, wire bond opening parts are collectively formed by mask- exposing, developing and curing the photosensitive insulation resin 2. - 特許庁

その後、該ラインパターンと交差するようにライン状のレジストパターン８を形成し、該レジストパターン８をマスクにして、電極形成材料６によるラインパターンをエッチングするで、該ラインパターンとレジストパターン８とが交差する部分に電極形成材料６からなる電極を形成する。例文帳に追加

Thereafter, since a line-like resist pattern 8 is formed so as to cross the line pattern, the line pattern, mask by the electrode formation material 6 is etched with the resist pattern 8 as a mask and an electrode composed of the electrode formation material 6, is formed at a part where the line pattern and the resist pattern 8 cross. - 特許庁

周期性のあるパターン、特に、ＬＣＤ製造用フォトマスクのような基板において、回折光量差によるコントラストからパターン変動発生箇所を精度良く識別し、かつ、その変動発生周期を簡便に導出することによって、むら検査を実施することができるむら検査装置、むら検査方法およびむら判定方法を提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide an unevenness inspection device, an unevenness inspection method and an unevenness determination method capable of precisely discriminating a pattern change production place from the contrast caused by the difference in the quantity of diffracted light in a pattern having periodicity, especially a substrate like an LCD manufacturing photomask, and also performing an unevenness inspection by simply leading out the change production period thereof. - 特許庁

溝１ａを形成する工程は、例えば半導体基板１上に窒化シリコン膜３を形成する工程と、窒化シリコン膜３上にレジストパターン５０を形成する工程と、レジストパターン５０をマスクとして窒化シリコン膜３及び半導体基板１を異方性エッチングすることにより、溝１ａを形成する工程とを具備する。例文帳に追加

The step of forming the groove 1a comprises steps of forming a silicon nitride film 3, for example, on the semiconductor substrate 1, forming a resist pattern 50 on the silicon nitride film 3, and forming the groove 1a by using the resist pattern 50 as a mask and by carrying out the anisotropic etching of the silicon nitride film 3 and the semiconductor substrate 1. - 特許庁

透明導電性膜が形成された透明ガラス基板７をステージ上に載置し、１セル分の電極パターンに対応し、放電ギャップ部１１に対応する部分が中央部に設けられた孔が形成されているマスク５を介して、透明ガラス基板７上に形成された透明導電性膜にレーザ光を照射する。例文帳に追加

A transparent glass substrate 7 formed with a transparent conductive membrane is placed and set on a stage, and a laser beam is irradiated on the transparent conductive membrane formed on the transparent glass substrate 7 corresponding to an electrode pattern for one cell through a mask 5 with a hole formed having a part corresponding to a discharge gap 11 formed at a center. - 特許庁

トランジスタの駆動能力の設計値が均一であれば、隣接セルとの距離が大きくなるに連れて、マスク作製やリソグラフィによってトランジスタの駆動能力は低くなるが、上述の様な比率の調整によって、設計時の所望通りの駆動能力を有するトランジスタを実現することができる。例文帳に追加

When the design value of the driving capacity of the transistor is uniform, the driving capacity of the transistor declines by mask production and lithography as the distance from the adjacent cell is increased; however, by the adjustment of the ratio mentioned above, the transistor having the driving capacity desired in designing is realized. - 特許庁

陽極酸化工程において半導体基板１０の上記他表面側に対向配置される陰極２５が、半導体基板１０の上記他表面に所望のレンズ形状に応じた光強度分布を形成するように設計されてタングステンランプからなる光源３０と半導体基板１０の上記他表面との間に配置されるマスクを構成するようにパターン設計されている。例文帳に追加

The cathode 25 arranged opposite on the other surface side of the semiconductor substrate 10 in the anodizing step is so pattern-designed as to constitute a mask arranged between a light source 30 composed of a tungsten lamp designed to form a light intensity distribution corresponding to the desired lens shape on the other surface of the semiconductor substrate 10 and the other surface of the semiconductor substrate 10. - 特許庁

半導体製造等におけるパターン転写の際に使用されるＥＵＶ露光用反射型マスクにおいて、ＥＵＶ光を反射する多層膜上に成膜されＥＵＶ光を吸収するパターンの刻まれるＥＵＶ光吸収体層において、吸収体層の膜厚を厚くすることなく、パターンのコントラストを上げる。例文帳に追加

To raise the contrast of an EUV light absorbing pattern without increasing the thickness of an EUV light absorbing layer which is formed on an EUV light reflecting multilayered film and into which the pattern is engraved in a reflection type mask for EUV exposure used for pattern transfer at manufacturing of a semiconductor, etc. - 特許庁

素子分離領域１３により画素部間が分離された固体撮像装置１０、１０Ａまたは１０Ｂを製造する際に、能動領域となる部分をパターニングして、このアクティブパターンをマスク１９として半導体基板１１上にイオン注入を行うことにより、イオン注入領域の一部または全域を素子分離領域１３とする。例文帳に追加

When solid-state imaging devices 10, 10A, or 10B having pixel portions separated by an element area region 13 is manufactured, a part to become an active region is patterned and ion injection using the active pattern as a mask 19 is performed on a semiconductor substrate 11 to form a part or the whole of the ion injection region as the element separation region 13. - 特許庁

厚さ方向を貫通する開口パターン１０が形成されたステンシルマスク４の表裏を反転させる反転手段を設け、荷電粒子の照射を受けた面４ａを被処理基板５に対向する側に、被処理基板５に対向していた面を荷電粒子の入射を受ける側に位置変換できるようにした。例文帳に追加

An inversion means for inverting both sides of a stencil mask 4 wherein an opening pattern 10 passing through the thickness direction is formed is provided for performing position change for a surface 4a irradiated with charged particles to the side opposite a treatment substrate 5, and for facing the treatment substrate 5 to the side subjected to incidence of charged particles. - 特許庁

マスク２のパターンを基板５に投影する投影光学系３と前記投影光学系３と前記基板５との間に液体を供給する液体供給装置６とを備え、前記液体供給装置６は前記液体に二酸化炭素を注入する注入装置１９を有することを特徴とする構成とした。例文帳に追加

The exposing device comprises a projection optical system 3 projecting the pattern of a mask 2 to a substrate 5, and a liquid feeder 6 feeding liquid to between the projection optical system 3 and the substrate 5, and the liquid feeder 6 has an injector 19 for injecting a carbon dioxide to the liquid. - 特許庁

有機ＥＬ材料を用いたディスプレイを製造する際に使用する真空蒸着装置やメタルマスク、るつぼ等に付着した有機ＥＬ材料を洗浄するための洗浄剤であって、洗浄力に優れ、特別な洗浄装置も不必要で、かつ、人体や環境への悪影響も少ない洗浄剤を提供する。例文帳に追加

To provide a cleaning agent that is used for cleansing a vacuum evaporator, a metal mask, a crucible, etc. to be used for producing a display using an organic EL material, and that is excellent in detergency and does not need any special cleaning equipment, and has little bad influence upon the human body and environment. - 特許庁

投影照射線に対して透明なガスで洗浄しなければならない容積を減少させるために、リソグラフ投影装置は、マスクホルダーおよび基板ホルダーの少なくとも１つを密接に取り囲んでいるが、照明システムあるいは投影システムのいずれかを取り囲んでいない少なくとも１つの隔壁を有している。例文帳に追加

A lithography projection system surrounds at least either of a masking holder or a base plate holder closely and comprises at least one of partitions, which do not surround either a illuminating system or a projection system in order for reduce a transparent gas volume, with which the system must be cleaned for projected radiation. - 特許庁

ＴＦＴアレイ基板１０を多数取りできる大型基板３１０と対向基板２０を、電気光学装置に分割したときに画像表示領域１０ａを囲むように塗布した紫外線硬化樹脂からなるシール材５２で貼り合わせた後、露光マスク２００を介してシール材５２に紫外線照射を行なう。例文帳に追加

After a large substrate 310 capable of holding many TFT array substrates 10 and a counter substrate 20 are stuck to each other by using the sealing material 52 consisting of the UV curing resin applied so as to enclose a picture display region 10a when it is divided into the electrooptical device, the sealing material 52 is irradiated with UV through an exposure mask 200. - 特許庁

送信ダイバーシティを有する無線通信システムにおける無線受信装置は、無線送信装置からの送信の送信アンテナ毎の固有シンボルごとの受信情報レベルを測定し、その受信情報レベルから送信アンテナ数を推定し、推定された送信アンテナ数に対する復調を優先的に行い、ＣＲＣマスクパターンを使ってＣＲＣ検査を行い、送信アンテナ数を検出する。例文帳に追加

The radio receiver in a radio communication system having a transmission diversity measures a reception information level inherent to symbol by antenna of transmission from the radio transmitter, estimates the number of transmission antennas from the reception information level, performs demodulation of the estimated number of transmission antennas preferentially, performs a CRC test by using a CRC mask pattern, and detects the number of transmission antennas. - 特許庁

フォトレジストをパターニングし、これを用いて被加工材２を加工する工程を有する半導体装置の製造方法において、 レジストについてこれをパターニングしたのち、該レジスト又はレジストにより形成されたマスク材料を等方性エッチング６を用いて処理することにより、先のパターニングよりも微細なパターニングを行う工程を具備する。例文帳に追加

When a photoresist is patterned and a material 2 to be worked is worked using the photoresist to produce a semiconductor device, (1) the resist is patterned, and this resist or a mask material formed from the resist is treated by isotropic etching 6 to carry out finer patterning than the former patterning. - 特許庁

また、上記課題を解決するためのエッチング方法としては、各マスクの膜質に対応した反応性ガスを予め用意し、前記反応性ガスを連続して切り替えて吐出すると共に、当該反応性ガス雰囲気中に前記反応性ガスを溶解可能な液体を供給することを特徴とするものであっても良い。例文帳に追加

Furthermore, in the etching method, reactive gases corresponding to the respective membranes of the masks may be prepared in advance and discharged continuously in a switching manner as well as reactive gas-soluble liquid may be provided in the atmosphere of the reactive gases. - 特許庁

クロック選択回路１０１により、制御信号１０２，１０３に基づいて、入力クロック信号のクロックパルスをそのまま非反転で出力するか、反転して出力するか、マスクして出力しないか、のいずれかの出力動作を選択して実行することにより、出力クロック信号を生成する。例文帳に追加

A clock selecting circuit 101 selects and executes one of output operations for outputting clock pulses of the input clock signal as they are without inverting them, for inverting and outputting the clock pulses, and for masking and not outputting the clock pulses based upon the control signals 102 and 103, thereby outputting the output clock signal. - 特許庁

そこで、第２のイオン注入工程によってマスク１８０を用いたイオン注入を行うことにより、オフセット領域１１４の幅が大きくなった欠損部分を含む領域に不純物イオンを注入し、転送電極１６０Ａ、１６０Ｂ側へのはみ出し領域１１３Ａを有する正孔蓄積領域１１３を形成する。例文帳に追加

Therefore, by performing ion implantation using a mask 180 in a second ion implantation process, an impurity ion is implanted into a region including the defective portion where the width of the offset region 114 is enlarged, to form the hole storage region 113 including a protruding region 113A to the transfer electrode 160A, 160B sides. - 特許庁

凸版印刷において、従来のネガフィルムおよびその代替品を用いた場合の問題点と、感光性樹脂層表面に直接インク組成物によりマスクパターンを形成する場合の問題点とを同時に解決することのできる凸版印刷用原版と、該凸版印刷用原版を用い凸版印刷版の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an original plate for letterpress printing with which the problems with the use of the conventional negative film and its alternative and the problems with formation of a mask pattern by an ink composition directly on the surface of a photosensitive resin layer can be simultaneously solved and a method for manufacturing a letterpress printing plate using the original plate for letterpress printing. - 特許庁

半導体素子搭載部およびリード部からなるリードフレームを選択的に被覆する部分めっき用マスクにおいて、半導体素子搭載部及びリード部のめっき領域以外の部分をカバーする弾性材をリード端部に向かって突出形状に形成することにより、側面側へのめっき液漏れを防ぐことができる。例文帳に追加

In the mask for partial plating selectively coating the lead frame composed of a semiconductor element loading part and a lead part, the leakage of the plating solution to the side surface side can be prevented by forming an elastic material for covering the portion except the plating range of the semiconductor element loading part and the lead part. - 特許庁

マスクの設計方法は、チップ領域を定義するステップと、前記チップ領域を縮小して母ダミーパターンを形成するステップと、メッシュ（Ｍｅｓｈ）ダミーパターンを形成するステップと、前記母ダミーパターンと前記マッシュダミーパターンとの重なる部分を除去して子ダミーパターン１５０，２３０を形成するステップと、を含む。例文帳に追加

The method for designing a mask includes steps of: defining a chip region; reducing the chip region to form a parent dummy pattern; forming a mesh dummy pattern; and forming offspring dummy patterns 150, 230 by removing portions of the parent dummy pattern and the mesh dummy pattern where they overlap each other. - 特許庁

前記マスクを利用すると、セル領域にスレッショルド電圧調節不純物イオンを注入する段階と、高電圧領域の素子分離膜にチャネルスドーピング不純物イオンを注入する段階と、セル領域に低電圧ゲート導電膜と低電圧ゲート絶縁膜とを除去する段階などとを併合して進行することができる。例文帳に追加

If the mask is used, steps and others can be performed in parallel, the steps of implanting threshold voltage adjustment impurity ions into the cell region, implanting channels doping impurity ions into the device isolation film of the high voltage region, and removing a low voltage gate conductive film and a low voltage gate insulated film to the cell region. - 特許庁

紅麹黒酢と梅果汁を含む紅麹黒酢ドリンク、及び、紅麹黒酢2.5％以上20％未満、梅果汁を5％以上20％未満含むことを特徴とする紅麹黒酢ドリンクであり、紅麹黒酢に由来する独特の味、刺激臭をマスクすることができ、よって、健康飲料として継続的に抵抗なく飲用可能としたものである。例文帳に追加

The drink is continuously drinkable as a health drink without a fight owing to masking peculiar taste and stimulating smell derived from red yeast black vinegar. - 特許庁

メタルマスクを使用して発光層を含む層１８を塗り分ける必要がないため、ディスプレイサイズの大型化が可能になると共に、色変換用の高濃度かつ厚めのカラーフィルタのみを利用して白色光を３色の光ＥＲ、ＥＧ，ＥＢに変換する必要がないため、光の利用効率が確保される。例文帳に追加

Since it is not necessary to color-code the layer 18 including a luminescent layer by using a metal mask, a display size can be increased and, since it is not necessary to convert white light to three color light rays ER, EG and EB by using only a high-concentration and relatively thick color filter for color conversion, utilization efficiency of light is secured. - 特許庁

確定値マップ生成部１３は、入力画像Ｉに対応するアルファマスク画像Ａについて、α値が最大値、または最小値の近傍の値の場合、画素を前景オブジェクト画像、または、背景画像に確定した画素とみなして１に設定し、α値がそれ以外の場合、画素を未確定領域画素とみなして０に設定した確定値マップ画像Ｓを生成する。例文帳に追加

A determinate value map generating unit 13 generates a determinate value map image S in which pixels are set to 1 as pixels determined in a foreground object image or a background image when an α value of an alpha mask image A corresponding to an input image I is close to a maximum or minimum, or set to 0 as indeterminate area pixels when the α value is other than that. - 特許庁

圧電材ウエハ上に逆メサ構造で複数個形成された圧電基板１のそれぞれの凹部面側に蒸着によって電極金属膜２を蒸着する際に、ウエハ上のそれぞれの基板凹部のレジスト溜りが形成される部分（回転外縁端面）３にマスク４を施して電極金属膜２を蒸着する。例文帳に追加

When electrode metallic films 2 are vapor-deposited by vapor deposition on each concave surface of a plurality of piezoelectric substrates 1 of the inverse-mesa structure formed on a piezoelectric material wafer, the electrode metallic films 2 are vapor-deposited by providing a mask 4 on a portion (rotating external edge end surface) 3 where the resist reservoir of each substrate concave on the wafer is formed. - 特許庁

導電性膜上に第１領域１Ａｓを覆い、第１領域と隣接する第２領域１Ａｄを開口したマスク膜を形成し、導電性膜中に不純物イオンを注入し、導電性膜を選択的に除去することにより、第１領域と第２領域との境界を含む領域にゲート電極ＧＥ１を形成する。例文帳に追加

A method is provided, which includes steps of: covering a first region 1As over a conductive film, forming a mask film with an opening of a second region 1Ad adjacent to the first region, implanting impurity ions into the conductive film, and forming a gate electrode GE1 in a region including a boundary between the first region and second region by selectively removing the conductive film. - 特許庁

回路基板にアンダーフィル材を供給し、供給されたアンダーフィル材で回路基板表面を被覆する半導体パッケージの製造方法において、アンダーフィル材を注入する領域と対応する開口領域を有するマスク材を介して回路基板にアルゴンプラズマを照射し、アルゴンプラズマが照射された領域にアンダーフィル材を塗布する。例文帳に追加

The process comprises supplying an under fill material to a circuit board and covering the surface of the circuit board with the supplied under fill material, wherein argon plasma is irradiated on the circuit board through a masking material having an open region corresponding to the area where the under fill material is charged, and the under fill material is coated on the region where the argon plasma is irradiated. - 特許庁

フローテーブルのエントリに基づき、フロー識別を行うパケット中継装置におけるエントリ圧縮伸長方法において、新たに登録する新規パターンがエントリのフロー識別パターンに対しインクリメンタルパターンであるか判定し、インクリメンタルパターンであった場合、エントリのマスクパターンを変更する。例文帳に追加

In an entry compressing/extending method in a packet relay device which performs flow identification based on entries in a flow table, it is determined whether a new pattern to be newly registered is an incremental pattern with respect to a flow identification pattern of an entry; and if it is the incremental pattern, a mask pattern of the entry is changed. - 特許庁

真空容器中に、ＨＢｒを含有するガス、Ｏ_２を含有するガス、ＮＦ３及び／又はＳＦ_６を含有するガスとともに、Ｆ／Ｓｉ比が０を超えて４未満であるフッ化シリコン系ガスを含有するガスを導入し、所定パターンの絶縁膜８をマスクとして、単結晶シリコン膜１をエッチングする工程を備える。例文帳に追加

The method is provided with a process of introducing gas containing fluorinated silicon-based gas whose F/Si ratio is larger than 0 and smaller than 4 to a vacuum container with gas containing HBr, gas containing O_2 and gas containing NF_3 and/or SF_6 for etching a single crystal silicon film 1 with an insulation film 8 of a prescribed pattern as a mask. - 特許庁

冷間圧延工程にて最終板厚に調整されるシャドウマスク用あるいはアパーチャグリル用薄板の製造方法であって、その冷間圧延工程の中には、お互いの圧延方向が３０°以上の関係となる個々の冷間圧延の組合わせを導入し、その後に焼鈍を行なう、平均結晶粒径が１０μｍ以下の薄板の製造方法である。例文帳に追加

A method for manufacturing the think steel plate, having an average grain size of 10 μm or less, for shadow masks or aperture grills adjusted to the final wall thickness in the cold rolling process and after introducing a combination of individual cold rolling whose mutual rolling directions are different more than 30 degrees in the cold rolling process, an annealing process follows. - 特許庁

アウターレンズ１４の製造に際して、レジスト塗布、露光及び現像の各工程からなるフォトリソグラフィ工程を、平面基板２１及びフレキシブル基板２２からなる二層基板２３上で行うことにより、フォトマスク２５のドットパターンをレジスト層２４に正確に転写し、形成精度の確保されたレジスト微細構造体２４ａを製作する。例文帳に追加

When manufacturing an outer lens 14, a photolithography process comprising respective processes of resist coating, exposure and development is performed on a bilayer substrate 23 consisting of a flat surface substrate 21 and a flexible substrate 22, thereby, a dot pattern of a photomask 25 is accurately transferred to a resist layer 24 and a resist fine structure 24a assured of forming accuracy can be manufactured. - 特許庁

一方、この三角波信号ＳＬ１、ＳＬ２を電圧／電流変換した後の三角波信号Ｌ１，Ｌ２の振幅Ｉｐをｎ：１に分割することによって基準電流値Ｉｓ＝Ｉｐ／ｎを求め、三角波信号Ｌ１、Ｌ２と基準電流値Ｉｓをコンパレートすることによってノイズマスク信号を生成する。例文帳に追加

The motor driver determines a reference current value Is=Ip/n, by dividing the amplitude Ip of the triangular signals L1 and L2, after the voltage-to-current conversion of these triangular wave signals S1 and S2 into n:1, and generates a noise mask signal, by comparing the triangular wave signals L1 and L2 with a reference current value Is. - 特許庁

次に、図２（ａ）に示すように、同一のホトレジスト層１１６をマスクとして、第１のポリシリコン層１１５ｂ及び第１の酸化膜１１３を貫通し、第２の酸化膜１１４を貫通しないような加速エネルギーで、ｐ型不純物をイオン注入し、所望の抵抗値のP型抵抗層１１８を形成する。例文帳に追加

Then, as shown in Figure 2 (a), P-type impurity ions are implanted with an accelerating energy using the same photoresist layer 116 as a mask so as to penetrate through the first polysilicon layer 115b and the first oxide film 113 but not to penetrate through the second oxide film 114, by which a P-type resistive layer 118 of prescribed resistance is formed. - 特許庁

マスク基体２の外周面の微細パターン３が形成された円弧形状部分をこの微細パターン３を露光転写しようとする感光性樹脂層に押し当てることにより、微細パターン３と感光性樹脂層との間隔を露光光の波長以下に抑えることができ、露光光として近接場光を用いた露光転写を行うことができ、微細パターン３の露光転写を良好に行うことができる。例文帳に追加

By pressing this circular arc with a fine pattern 3 formed for the circumstance of the mask substrate 2 to a photosensitive resin layer to which this fine pattern 3 is transferred by exposure, the interval between the fine pattern 3 and photosensitive resin layer can be controlled to be shorter than the wavelength of exposure light so that the fine pattern 3 can be transferred satisfactorily by exposure. - 特許庁

ＤＲＡＭ装置５とメモリ混載ロジック装置９ａとのパターンが設けられ、メモリ混載ロジック９ａに対するＤＲＡＭ装置５の占有するパターン比率が、基板４をエッチングする際のＤＲＡＭ装置の開口率とほぼ等しくなるよう設定したマスク３を用いることによりＤＲＡＭ装置のエッチングレシピの共有化をはかる。例文帳に追加

The patterns for a DRAM device 5 and the memory hybrid logic device 9a are arranged, and by using a mask 3 where the occupation ratio of the pattern of the DRAM device 5 to the memory consolidation logic device 9a is set almost equal to the aperture ratio of the DRAM device at etching a substrate 4, the etching recipe of the DRAM device is used in common. - 特許庁

第１のドライフィルムレジストを利用して第１の金属膜メッキを形成した後、第１のドライフィルムレジストを積極的に除去することにより、第２のドライフィルムレジストを第１金属膜上に形成する場合の追従性を著しく改善して、極微細でかつ高精細なパターンの要求に答えられるスクリーン印刷用メタルマスクの製造方法を得る。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a metal mask for screen printing which can meet the requirements of an ultrafine and high definition pattern by significantly improving the followability in case a second dry film resist is formed on a first metallic film through the procedure to positively remove a first dry film resist after the first metallic film is formed by plating using the first dry film resist. - 特許庁

露光機の解像度と遮光、非遮光部の大きさと膜厚平坦性の関係を明らかにし、フォトマスクの遮光部と非遮光部の面積割合から平均露光量を算出することで、露光量—膜厚曲線より膜厚推測を可能とし、またグレートーン露光の信頼性を向上させることが可能となった。例文帳に追加

Clarifying the relationship among the resolution of an exposure apparatus, the sizes of shading parts and unshading parts, and film flatness, and by calculating an average exposure amount from the area ratio between the shading parts and unshading parts of the photomask, film-thickness prediction is made possible using an exposure amount-film thickness curve and the reliability of gray-tone exposure can be improved. - 特許庁

次に、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ形成領域１０６およびＰチャネルＭＯＳＦＥＴ形成領域１０７に第一金属層１１２を形成し、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ形成領域１０７から第一金属層１１２および第一マスク１１１を除去することにより、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ形成領域１０７に形成されたゲート絶縁膜１１０Ｂを露出させる。例文帳に追加

Next, a first metal layer 112 is formed in an N-channel MOSFET forming region 106 and the P-channel MOSFET forming region 107 and the first metal layer 112 and the first mask 111 are removed from the P-channel MOSFET forming region 107, thereby exposing the gate insulating film 110B formed in the P-channel MOSFET forming region 107. - 特許庁

レーザー光を電子部品のパッケージ７表面に照射形成するためのレーザーマーキング用フォントマスク１として、ガラス基板４上に形成された文字「Ａ」の文字輪郭２の外部が、レーザー光に対する不透明膜５になっており、文字輪郭２の内部に不透明膜から成る多数の島状部１３を設けたものにする。例文帳に追加

A font mask 1 for laser marking for irradiation of a laser beam on a surface of a package 7 of an electronic part is made of a glass substrate 4 and film 5 formed thereon opaque to a laser beam, a contour 2 of the letter 'A' is made of the opaque film, and an inside area of the contour 2 is provided with a multiplicity of island-like parts 13. - 特許庁

半導体素子表面に有機ポリマー樹脂層を設け、パターン加工及び硬化処理を施したのち、この樹脂パターンをマスクとしてエッチング処理し、開口部の導通層を露出させ、次いで１００℃以上の温度で酸素プラズマ処理を行い、上記開口部の導通層をクリーニングすることにより、半導体装置を製造する。例文帳に追加

An organic polymer resin layer is provided on the surface of a semiconductor device, after pattern processing and hardening treatment are performed, the resin pattern is etched as a mask, the conduction layer of the opening part is exposed, next, oxygen plasma treatment is performed at a temperature of 100°C or higher, and the semiconductor device is manufactured by cleaning the conduction layer of the opening part. - 特許庁

透光性基板上に、遮光性膜、及び透過量を調整する機能を有する半透光性膜、のうちのを少なくとも一方を有するＦＰＤデバイスを製造するためのマスクブランクであって、 前記遮光性膜、及び前記半透光性膜は、膜表面の二乗平均平方根粗さＲｑが２．０ｎｍ以下であることを特徴とする。例文帳に追加

The mask blank for manufacturing an FPD device includes at least one of a light shielding film, and a semitransmitting film having a function of controlling the transmitted light quantity on a light transmitting substrate, wherein the light shielding film and the semitransmitting film show a square root average roughness Rq of 2.0 nm or less on the film surface. - 特許庁