「マスク」に関連した英語例文の一覧と使い方(615ページ目) - Weblio英語例文検索

デジタルカメラとコンピュータを接続して行うリモート撮影時のコンピュータ側のライブビュー表示画面にフォーカス領域を表示するフォーカスマスク表示制御において、コントラスト評価に伴うリモートライブビュー表示の速度低下を抑えるため、評価対象のライブビュー画像を間引いて評価する。例文帳に追加

In focus mask display control for displaying a focus area on a live view display screen on a computer side in remote photographing performed while a digital camera and the computer are connected, in order to suppress a decrease in the speed of remote live view display associated with contrast evaluation, live view images to be evaluated are decimated and evaluated. - 特許庁

マスクパターンは、孤立線状の遮光領域であるメインパターン３０３と、メインパターン３０３の一側方に配置された複数の微小位相シフターから構成されるアシストパターン３０１と、メインパターン３０１の他側方に配置された開口領域３０２とを有するパターン群を含む。例文帳に追加

The mask pattern includes a pattern group having a main pattern 303 that is a light-shielding region in an isolated line form, an assist pattern 301 composed of a plurality of minute phase shifters disposed on one side of the main pattern 303, and an opening region 302 disposed on the other side of the main pattern 301. - 特許庁

金属コロイド粒子、この金属コロイド粒子の分散媒及び有機金属化合物を含むフォトマスク補修用インキ組成物において、前記金属コロイド粒子を、金属ナノ粒子（Ａ）とこの金属ナノ粒子（Ａ）を被覆する保護コロイド（Ｂ）とで構成し、かつ前記保護コロイド（Ｂ）が、アミン類（Ｂ１）とカルボン酸類（Ｂ２）とで構成する。例文帳に追加

This ink composition for repairing the photomask contains a metal colloidal particle, a dispersant for the metal colloidal particle, and an organometallic compound, the metal colloidal particle is constituted of a metal nano particle A and a protection colloid B for coating the metal nano particle A, and the protection colloid B is constituted of an amine B1 and an carboxylic acid B2. - 特許庁

半導体層１と、ゲート絶縁膜２と、ゲート電極３と、オフセットスペーサ層４と、ゲート電極３およびオフセットスペーサ層４をマスクとしてイオン注入されたＳＤエクステンション拡散層６とを有する半導体装置を、オフセットスペーサ層４の膜厚を変化させて形成し、それぞれのリーク電流値を測定する。例文帳に追加

A semiconductor device comprising a semiconductor layer 1, a gate insulation film 2, a gate electrode 3, an offset spacer layer 4, and an SD extension diffusion layer 6 subjected to ion implantation using the gate electrode 3 and the offset spacer layer 4 as a mask is manufactured by varying the thickness of the offset spacer layer 4 and each leak current level is measured. - 特許庁

透明基板１の上に、ハーフトーン材料膜３と、このハーフト−ン材料膜３上に形成された金属膜４及び反射防止膜５からなる遮光膜とを有するハーフトーン型位相シフトマスクブランク１において、前記遮光膜を当該膜厚が５０ナノメートル〜７７ナノメートルの範囲となるように成膜した。例文帳に追加

The halftone type phase shift mask blank 1 having the halftone material film 3 on a transparent substrate 1 and the light shielding film consisting of a metallic film 4 and antireflection film 5 formed on the halftone material film 3 is formed by depositing the light shielding film in such a manner that the film thickness thereof attains a range from 50 to 77 nanometers. - 特許庁

周期性のあるパターン、特にＣＣＤ／ＣＭＯＳイメージャー用フォトマスクのようにセルピッチやパターンの方向性が多岐にわたるような被検査体に対し、数ｎｍオーダーの寸法ズレや位置ズレによって生じるムラを高精度に撮像、検出可能な周期性パターンのムラ検査装置、および方法を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus and method for inspecting irregularity of a periodic pattern that accurately images and detects the irregularity caused by dimension shift and position shift of several nm order in the periodic pattern, especially in an inspecting object such as a photo-mask for a CCD/CMOS imager where the directivity of the cell pitch or pattern varies. - 特許庁

マスクレイアウトエディタ装置１の制御部２１は、読み込んだ原ＩＣレイアウトデータを表示制御部２３に表示させている間に、原ＩＣレイアウトデータを所定のフォーマットに変換する変換処理を行い、操作受付部２２により所定操作が受け付けられると、変換後のＩＣレイアウトデータを表示制御部２３に表示させる。例文帳に追加

A control section 21 of a mask layout editor device 1 performs conversion processing for converting original IC layout data to a prescribed format while the read original IC layout data is displayed with a display control section 23, and causes the display control section 23 to display the converted IC layout data when an operation reception section 22 receives the prescribed operation. - 特許庁

基盤上にレジストを塗布した後、レベンソン位相シフトマスクに設けられたパターンにおける線幅方向の両側のスリット溝３とスリット溝４とをそれぞれ透過する光の干渉を用いて、ランダムに配置されたパターン形状を有するロジック部の形成領域に対して１回目の露光を行う。例文帳に追加

After resist is applied on a substrate, a region where a logic with patterns arranged at random is formed is subjected to a first exposure process, using the interference of light penetrating through slit grooves 3 and 4 located on each side of the line of a pattern provided on a Levenson phase shift mask. - 特許庁

また本発明は、配線層若しくは電極を形成する導電層や、所定のパターンを形成するためのマスクなど半導体装置を作製するために必要なパターンのうち、少なくとも一つ若しくはそれ以上を、選択的にパターンを形成可能な方法により形成して、液晶表示装置を作製することを特徴とするものである。例文帳に追加

Moreover, among the patterns required to form a liquid crystal display, such as a conductive layer for wiring layer or electrode, a mask for forming a predetermined pattern and the like, at least one or more of them is formed by a method, by which a pattern can be formed selectively, and a liquid crystal display is manufactured. - 特許庁

回路基板１１の導体ランド１２上に導電性接着剤１４を塗布する塗布工程では、開口部１７の内周面から回路基板１１側となる面にかけての部位がフッ素樹脂１９で覆われてなるマスク１５を使用することによって、導電性接着剤１４が、糸引き現象が発生することなく塗布されるようになる。例文帳に追加

In a step of coating a conductive adhesive 14 on conductor lands 12 of a circuit board 11, the conductive adhesive 14 is coated, without causing the cobwebbing, using a mask 15 having a fluoro-resin 19 covering the inside faces of openings 17 to a plane facing the circuit board 11. - 特許庁

無機材料膜をマスクとして有機材料膜をエッチングする場合に、エッチングパターンに対応して、高いエッチングレートを維持しつつ、良好なエッチング形状で、良好な面内均一性でかつ無機材料膜の膜剥がれが生じずにエッチングすることができるエッチング方法を提供すること。例文帳に追加

To provide an etching method applicable in a process for etching an organic material film with an inorganic material film serving as a mask, capable of maintaining a high etching rate according to a pattern to be etched with a superior result in shape and in in-plane uniformity, and which is free of inorganic material film exfoliation. - 特許庁

蒸着材料３０２とマザー基板３５との間に、スリット孔２１０が形成されたマスク２００を配設し、マザー基板３５を所定の距離間隔で間欠的に移動させて、スリット孔２１０を介してマザー基板３５を蒸着材料３０２側に露出することで、マザー基板３５上に一定間隔で配列された所定形状の斜方配向蒸着膜を形成する。例文帳に追加

The manufacturing method includes intermittently moving the mother substrate 35 at a predetermined distance interval to expose the mother substrate 35 to the evaporation material 302 side through the slit hole 210 and to make a vapor-deposited film having a predetermined shape and an oblique orientation arrayed on the mother substrate 35 at a predetermined space. - 特許庁

本発明による半導体レーザの製造法によれば、第１マスク層形成工程において形成されたリッジ形成領域Ａに、第１成膜工程において各半導体層を選択成長することで半導体レーザのリッジ部１１０を形成するため、リッジ部１１０を高い寸法精度で形成することができる。例文帳に追加

According to the semiconductor laser manufacturing method, by forming a first film-forming step of selectively growing semiconductor layers to form a ridge 110 of the semiconductor laser on a ridge forming region A, formed by a first mask layer forming step, the ridge 110 can be formed with high accuracy. - 特許庁

また、その製造方法において、前記リードと半導体チップとの間を絶縁体によって埋め、前記リードの接続部分と半導体チップの接続部分とを覆い両接続部分間で連続する接続パターンに対してネガパターンとなるパターンマスクを形成し、前記接続パターンに導電性ペーストを形成し、この導電性ペーストによって前記リードと半導体チップとを電気的に接続する。例文帳に追加

Further the conductive paste is formed in the connecting pattern and the lead and the semiconductor chip are electrically connected by the conductive paste. - 特許庁

フェースダウン実装工法により、半導体チップを回路基板に実装するような場合に必要な突起電極の形成に際して、狭ピッチにおいても高精度のマスクや実現が困難なプロセスを必要とすることなく、突起電極を回路基板上の電極パターン上に精度よく形成することができる半導体実装用基板における突起電極形成方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for forming bump electrodes required at the time of mounting a semiconductor chip on a circuit board by facedown mounting, in which the bump electrodes can be formed accurately on an electrode pattern formed on the circuit board without requiring a highly accurate mask or a process hard to implement even in the case of fine pitch. - 特許庁

分子相溶性を有する少なくとも２種類の高分子化合物を含み、このうち、少なくとも１種類は光感応性部位を有している高分子フィルム２０に対して、１μｍ以上５０μｍ以下の幅の開口部を有するフォトマスク２１を配置して、光照射２２を行って相分離領域を有する光学材料を得る。例文帳に追加

The optical material having a phase separation region is obtained by arranging a photomask 21 having an aperture of a width 1 to 50 μm on a polymeric film 20 which contains at least the two polymeric compounds having molecule compatibility and at least one of which has a photosensitive area and by subjecting the film to photoirradiation 22. - 特許庁

十分なプロセスマージンを有し、光重合開始剤成分の昇華による焼成炉やフォトマスクなどの汚染を抑制でき、保護膜材料に必要とされる密着性、透明性、耐熱性とスペーサー材料に必要とされる解像性、圧縮特性とを十分に併せ持つ感光性樹脂組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a photosensitive resin composition having a sufficient process margin, capable of suppressing contamination of a kiln, a photomask, etc., due to sublimation of a photoinitiator component, and having adhesion, transparency and heat resistance required for a protective film material, and resolution and compression property required for a spacer material. - 特許庁

ハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、位相シフター部が、主に露光光の透過率を制御する機能を有する少なくとも一層の透過率調整層と、主に露光光の位相を制御する少なくとも一層の位相調整層とを有し、前記位相調整層は、少なくとも炭素を含む材料からなることを特徴とする。例文帳に追加

In the halftone phase shifting mask blank, a phase shifter portion has at least one transmittance adjusting layer having a function to chiefly control the transmittance of exposure light, and at least one phase adjusting layer which chiefly controls the phase of exposure light, wherein the phase adjusting layer comprises a material containing at least carbon. - 特許庁

第１の窒化物半導体層上に、制御電極形成領域を被覆するように絶縁膜からなるマスク材を形成し、露出する第１の窒化物半導体層上に、不純物として鉄、炭素、亜鉛あるいはマグネシウムの少なくとも１つを含む窒化物半導体層からなり、かつアルミニウムを含まない第２の窒化物半導体層を選択的に形成する。例文帳に追加

A mask material formed of an insulating film is formed on a first nitride semiconductor layer to coat a control electrode formation region, and a second nitride semiconductor layer which consists of a nitride semiconductor layer comprising at least one of iron, carbon, zinc or magnesium as impurity and does not comprise aluminum is selectively formed on the exposed first nitride semiconductor layer. - 特許庁

選択エッチング可能であり、マスクパターンとの密着性の良好な半導体材料を含むＨＢＴ層構造を採用し、ガードリング形成工程の容易さを損なうことなくガードリングを再現性よく形成し、ＨＢＴ素子特性の再現性が良好なヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびその作製方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a heterojunction bipolar transistor that can be selectively etched, can adopt an HBT layer structure containing a semiconductor material with improved adhesion with a mask pattern, forms a guard ring with improved reproducibility without losing the easiness of a guard ring formation process, and has the improved reproducibility of HBT element characteristics, and its manufacturing method. - 特許庁

従来の高加速イオンビームを用いるイオンビーム露光装置における、光学系の大規模化の問題、また高加速電圧ではレジスト感度が低いことや、マスクやウェハの損傷の問題を解決するため、イオンビーム近接投影露光方式として低加速電圧のイオンビーム露光装置を提供する。例文帳に追加

To provide a low acceleration voltage ion beam projection aligner as an ion beam proximity projection exposure system for solving the problem of increase in the scale of an optical system, the decrease in resist sensitivity at a high acceleration voltage, and the problem of damage in masks and wafers in the ion beam projection aligner using the conventional high-acceleration ion beam. - 特許庁

透明基板上に前記位相シフター部を形成するための位相シフター膜を有するハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、前記位相シフター膜が、金属を１０原子％以下含有する、金属、珪素、酸素、及び窒素を主構成要素とする膜、及び、前記膜と透明基板との間に形成されたエッチングストッパー膜とからなることを特徴とする。例文帳に追加

In the halftone phase shifting mask blank having a phase shifter film for forming a phase shifter portion on a transparent substrate, the phase shifter film comprises a film containing ≤10 at.% metal and using the metal, silicon, oxygen and nitrogen as principal constituent elements and an etching stopper film formed between the above film and the transparent substrate. - 特許庁

半導体装置の製造プロセスにおいて、下地バリアメタル層の上に、３μｍ以上の厚さのアルミニウム合金層が積層された積層配線層を所望のパターンに成形するにあたり、エッチングマスクとなるレジストのパターニングを１回で済ませ、下地バリアメタル層のエッチング寸法のばらつきを小さくすること。例文帳に追加

To lessen dispersion in etched dimensions in a base barrier metal layer by completing with one patterning of a resist into an etching mask when an aluminum alloy wiring layer not less than 3 μm in thickness deposited on the base barrier metal layer is patterned as desired in a semiconductor device manufacturing process. - 特許庁

パターンデータはフォトマスクと一対一で対応した描画データのみならず、設計段階で用いられるような、半導体製品を作成に必要なすべての層（レイヤ）のデータを含んだ描画データ、ならびに一つの半導体製品のすべてのレイヤで共通して描画するデータを取り扱うことが可能なことを特徴とする。例文帳に追加

As pattern data, not only drawing data corresponding to the photomask in a one-to-one relationship, but also drawing data, including data in all layers required for creating a semiconductor product used in a design stage and data to be drawn commonly to all layers of one semiconductor product, can be handled. - 特許庁

半導体素子上にアルミパッド電極を設けさらにこの上に金属電極を形成した上に、感光性熱硬化性樹脂層を設け、マスクと露光現像工程とによって金属電極上の樹脂層が除去し、金属電極表面と感光性熱硬化性樹脂表面に異方導電性樹脂層を形成する。例文帳に追加

Aluminum pad electrodes are provided on a semiconductor element, metal electrodes are formed thereon, a photosensitive thermosetting resin layer is provided, the resin layer on the metal electrodes is removed through a mask and in an exposure-developing process, and an anisotropically conductive resin layer is formed on the metal electrodes surfaces and the photosensitive thermosetting resin layer surface. - 特許庁

第１食刻工程を通じてマスクであるフォトレジストパターンの構造的な安定性を保持しながら、第１寸法を有するトレンチを形成した後、半導体基板または絶縁膜の種類により相異する組成を有する食刻溶液を使用する第２食刻工程を通じてトレンチの寸法を拡張させることができる。例文帳に追加

While holding the constitutive stability of the photoresist which is the mask through the first etching process, the dimensions of the trench can be expanded through a second etching process, using an etchant provided with a composition which is different according to the type of the semiconductor substrate or the insulating film, after forming the trench having the first dimension. - 特許庁

シリコン酸化膜１１１およびシリコン窒化膜１１２からなる絶縁膜をマスクにして、選択エピタキシャル成長により、トレンチ１１４を形成した部分に、ボロンをドープしたエピタキシャル層１１５を形成すると同時に、エピタキシャル層１１５を通じてボロンを拡散させてボロン拡散層１１６を得る。例文帳に追加

An insulating film composed of the silicon oxide film 111 and the silicon nitride film 112 is used as a mask, and an epitaxial layer 115 having doped boron is formed in a portion where the trench 114 is formed by a selective epitaxial growth, and simultaneously, boron is diffused through the epitaxial layer 115 to obtain a boron diffusion layer 116. - 特許庁

本発明のフォトマスクは、ガラス板１上に、酸溶解性の紫外線遮光層２、耐酸性の感光性樹脂層３が順次形成され、紫外線遮光層２にはエッチングにより紫外線遮光性の画像２ａが形成され、感光性樹脂層３には画像２ａと同一パターンの画像３ａが形成されていることを特徴とする。例文帳に追加

This photomask is constituted by successively forming an acid soluble UV light shielding layer 2 and an acid resistant photosensitive resin layer 3 on a glass plate 1, forming UV shieldable images 2a by etching on the UV light shielding layer 2 and forming images 3a of the same patterns as the patterns of the images 2a on the photosensitive resin layer 3. - 特許庁

フォトマスクの残留欠陥をレーザ加工法によって除去するレーザ加工方法において、被加工面を下向きにして、下方からレーザ光を照射する構成として、ハロゲン化炭化水素ガス（一例として沃化エチルガス）を含む雰囲気中でレーザ光を照射して、残留欠陥の除去を行う。例文帳に追加

In the laser processing method of removing the residual defect of the photomask, the substrate is set so as to make its surface to be processed face downward, and the surface of the substrate is irradiated with a laser beam from below in an atmosphere containing halogenated hydrocarbon gas (e.g. ethyl iodide gas) to remove the residual defect. - 特許庁

このサブトラクション処理と並列に、ダイナミックレンジ圧縮画像作成部３７は、マスク画像またはライブ画像のいずれか一方の画像を用いて、その画像に含まれる低周波数成分と高周波数成分の内、低周波数成分だけにダイナミックレンジ圧縮を行ってダイナミックレンジ圧縮画像を作成する。例文帳に追加

In parallel with the subtraction processing, a dynamic range compressed image creating section 37 creates a dynamic range compressed image using one of the mask image and live image and carrying out dynamic range compression only to low frequency components out of the low frequency components and high frequency components included in the image. - 特許庁

本発明に係る低酸素気体の発生装置は、圧力変動ガス分離法を採用して空気から高濃度酸素気体を分離すると共に低濃度酸素気体を排気する酸素分離装置２と、酸素分離装置２に空気を供給するコンプレッサー３とを有し、酸素分離装置２から排気された低濃度酸素気体を室１又は低酸素マスク８に供給し得るように構成する。例文帳に追加

The low oxygen gas generator has an oxygen separator 2 which separates high concentration oxygen gas from air by employing a pressure fluctuation gas separation method and discharges low concentration oxygen gas, and a compressor 3 which supplies air to the oxygen separator 2, supplying the low concentration oxygen gas discharged from the oxygen separator 2 to a chamber 1 or a low oxygen mask 8. - 特許庁

異方性エッチング方法は、表面に所定形状のマスクを有した基板に対して、ＳＦ_６とＣ_４Ｆ_８とを含む混合ガス、又は、ＳＦ_６とＣ_４Ｆ_８とＯ_２とを含む混合ガスを用いた反応性イオンエッチングによって、所定条件下で結晶異方性エッチングを行う結晶異方性エッチング工程を有している。例文帳に追加

The anisotropic etching method includes a crystal anisotropic etching step for performing crystal anisotropic etching of a substrate having a mask of a prescribed shape on the surface under prescribed conditions, by reactive ion etching using a mixed gas containing SF_6 and C_4F_8, or a mixed gas containing SF_6 and C_4F_8 and O_2. - 特許庁

塗膜性に十分優れ、且つ、ＦＰＣのカバーレイのようなフィルム状の基材上に形成される永久マスクとして要求される特性を十分満足することのできる感光性樹脂組成物を調製できる変性エポキシ樹脂、その製造方法及びその感光性樹脂組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a modified epoxy resin capable of preparing a photosensitive resin composition which is excellent in film-forming properties and can sufficiently satisfy properties required for a permanent mask formed on a substrate in the form of film such as an FPC cover lay, and to provide a method for producing the same and a photosensitive resin composition thereof. - 特許庁

マスクブランクの製造方法において、透明基板１４上に少なくとも１層のレーザ光を吸収する性質を有する光吸収膜を形成し、この光吸収膜を形成した透明基板１４に前記光吸収膜が吸収を有する波長のレーザ光１２を照射することを特徴とする。例文帳に追加

In the method for manufacturing a mask blank, at least one layer of a light-absorbing film having the property to absorb laser light is formed on a transparent substrate 14, and the transparent substrate 14 with the light-absorbing film is irradiated with laser light 12 of the wavelength at which the light-absorbing film shows absorption. - 特許庁

マスク材料を用いることなしに、表面が平坦で低転位な窒化物系化合物半導体層を形成可能とすることによって高品質な窒化物系化合物半導体を製造することができ、その平坦な表面上に形成される窒化物系化合物半導体デバイスの特性を向上させることができる窒化物系化合物半導体の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a nitride-based compound semiconductor which can manufacture a high quality of nitride-based compound semiconductor by forming a nitride-based compound semiconductor layer having a flat surface and fewer dislocations without using a mask material, and which can enhance characteristics of a nitride-based compound semiconductor device formed on the flat surface of the semiconductor. - 特許庁

支持体の上に、少なくとも（Ａ）エラストマ−性バインダ−、エチレン性不飽和化合物および非赤外の活性光線に感光性を有する光重合開始剤を含有する光重合性層、（Ｂ）赤外線照射により非赤外の活性光線に実質的に不透明となるマスク形成層、必要により（Ｃ）カバ−フィルムの順序で積層されていることを特徴とする感光性印刷用原版およびその印刷版の作成方法。例文帳に追加

This photosensitive plate is formed by laminating at least (A) a photopolymerizable layer containing an elastomer binder and an ethylenically unsaturated compound and a photopolymerization initiator, (B) a mask forming layer to be opacified to noninfrared activated rays, and when needed, (C) a cover film in this order on a support. - 特許庁

誘電体マスクは、上記第１の領域におけるパターン幅が上記第２の領域におけるパターン幅より狭い、該第１および第２の領域を規定する一対の誘電体膜２ａ、２ｂと、上記第１の領域において、誘電体膜２ａ、２ｂの両側に設けられた誘電体膜４ａ、４ｂとからなる。例文帳に追加

The dielectric mask comprises a pair of dielectric films 2a, 2b specifying the first and the second regions where a pattern width at the first region is narrower than a pattern width at the second region, and dielectric films 4a, 4b provided at both sides of the dielectric films 2a, 2b at the first region. - 特許庁

基材面に設けた感光性樹脂組成物層にパターンマスクを介して露光を行った後、未露光部分又は未露光部分と該未露光部分の下部の基材面をサンドブラスト加工して凹凸模様を形成させるにあたり、カルボキシル基を含有しないウレタンアクリル系樹脂を、ベースポリマーとして含む感光性樹脂組成物層を使用する。例文帳に追加

When a photosensitive resin composition layer disposed on the surface of a substrate is exposed through a pattern mask and either the unexposed regions or the unexposed regions and the surface of the substrate under the unexposed regions are sandblasted to form a rugged pattern, a photosensitive resin composition layer containing a urethane-acrylic resin having no carboxyl group as a base polymer is used. - 特許庁

印刷機構部１４は、アクセス制御アドレスとアクセス制御マスクの２つのアドレスからなるアクセス制御データを複数組記憶しておくデータ領域を持ち、それらの複数組のアクセス制御データすべてと、印刷をしようとする端末装置２，３のアドレスを比較することで、端末装置２，３に対して印刷制限を行う機能を有する。例文帳に追加

The printing mechanism part 14 has a data area for storing plural pairs of access control data consisting of an access control address and two addresses of an access control mask and a function for limiting printing to terminal equipment 2, 3 by comparing all the access control data with the addresses of the equipments 2, 3 trying to print out data. - 特許庁

第２の層間絶縁膜１０８及び第１の層間絶縁膜１０７に対してレジストパターン１０９をマスクにドライエッチングを行なってコンタクトホール１１０を形成した後、レジストパターン１０９を除去し、その後、フッ酸を含む洗浄液を用いてコンタクトホール１１０を洗浄する。例文帳に追加

After the second interlayer insulating film 108 and the first interlayer insulating film 107 are dry etched with a resist pattern 109 as a mask to form a contact hole 110, the resist pattern 109 is removed, and thereafter the contact hole 110 is cleaned by using a cleaning liquid containing a hydrofluoric acid. - 特許庁

フォーカス測定用の露光マスクとして、＋１次光と−１次光とで回折効率の異なる非対称回折格子パターン１０と、非対称回折格子パターン１０の像のずれを測定する際の基準となる像を得るための基準パターン２０とで構成されたテストマーク７を含むものを用いる。例文帳に追加

The exposure mask including a test mark 7 composed of an asymmetric diffraction grating pattern 10 varying in diffraction efficiency with +1st order light and -1st order light and a reference pattern 20 for obtaining an image which is a reference when measuring the deviation of the image of the asymmetric diffraction grating pattern 10 is used as the exposure for focus measurement. - 特許庁

ＳｉＣ膜６１と、その上に形成された有機Ｓｉ系低誘電率膜６２とを有する構造において、有機Ｓｉ系低誘電率膜６２をマスクとしてＳｉＣ膜６１をエッチングガスのプラズマによりエッチングするに際し、エッチングガスとして、ＣＨ_２Ｆ_２を含有するガスまたはＣＨ_３Ｆを含有するガスを用いる。例文帳に追加

In structure having the SiC film 61 and the organic Si low dielectric constant film 62 which is formed on the film, gas including CH_2F_2 or gas including CH_3F is used as etching gas when the SiC film 61 is etched by the plasma of etching gas with the organic Si low dielectric constant film 62 as the mask. - 特許庁

基板ステージに搭載される基板の端面の位置をレーザー測長器で直接計測することにより、マスクに対する基板の相対位置を高精度で位置決めできるようにして、基板端面からパターンまでの距離のバラつきを防止して高精度の露光を行うことができる露光装置を提供する。例文帳に追加

To provide an exposure device capable of performing high accuracy exposure while preventing variance in the distance from a substrate end face to a pattern by directly measuring the position of the end face of a substrate mounted on a substrate stage with a laser length measuring device so as to determine a relative position of the substrate with respect to the mask with high accuracy. - 特許庁

論理変更済の機能レベルの論理データ１１１と、あらかじめゲートレベルの論理データ中に組み込まれているダミーセルの論理情報１１２と、ダミーセルやその他の論理セルのマスクレイアウト上での配置情報１１３を入力して、修正回路からダミーセルまでの直線距離演算を実行する（ステップ１０４）。例文帳に追加

The straight distance from a correcting circuit to a dummy cell is computed (step 104) by inputting logic data 111 of function level having logic corrected, logic information 112 on the dummy cell previously incorporated in logic data of gate level, and information 113 on the arrangement of the dummy cell or another logic cell in a mask layout. - 特許庁

本発明は、透明基板、上記透明基板上に形成された略正多角形または略円形の遮光部、および上記透明基板上の上記遮光部の外周に形成された解像限界以下の大きさの補助遮光部を有することを特徴とするプロキシミティ露光用フォトマスクを提供することにより、上記目的を達成する。例文帳に追加

The photomask for proximity exposure has a transparent substrate, a light-shielding part in an approximately regular polygonal or circular shape formed on the transparent substrate, and an auxiliary light-shielding part in a size equal to or smaller than the resolution limit formed in an outer circumference of the light-shielding part on the transparent substrate. - 特許庁