「マスク」に関連した英語例文の一覧と使い方(611ページ目) - Weblio英語例文検索

次に、図２（ａ）に示すように、同一のホトレジスト層１１６をマスクとして、第１のポリシリコン層１１５ｂ及び第１の酸化膜１１３を貫通し、第２の酸化膜１１４を貫通しないような加速エネルギーで、ｎ型不純物をイオン注入し、容量素子の下部電極１１８を形成する。例文帳に追加

Then, as shown in Figure 2 (a), N-type impurity ions are implanted with an accelerating energy using the same photoresist layer 116 as a mask, so as to penetrate through the first polysilicon layer 115b and the first oxide film 113 but not to penetrate through the second oxide film 114, and the lower electrode 118 of a capacitive element is formed. - 特許庁

相対移動に伴い変化する基板９またはマスク６に関する位置を示す位置情報の信号ｐまたはｒが相対移動の加速度に比例した周期で検出されるごとに、照射タイミングの信号ｑが出力されて検出された位置情報に対応する基板９の所定照射位置にレーザビームが照射される。例文帳に追加

Whenever a signal p or r for position information indicating a position regarding the substrate 9 or the mask 6 changed due to their relative movement is detected at a cycle proportional to the acceleration of their relative movement, a signal q at an irradiation timing is output, and a prescribed irradiation position on the substrate 9 corresponding to the detected position information is irradiated with the laser beam. - 特許庁

低コスト且つ誤謬の少ない欠陥探索並びにその型分類を自動的に行なう基板検査装置とその方法、特にマスク・レチクル等の基板に於いて欠陥粒子及び設計者の意図とは異なる欠陥図形を探索発見する自動検査と、それ等欠陥の型の自動分類とを行なう基板検査装置及びその自動検査方法を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus and a method for inexpensively performing defect inspection with fewer errors and for automatically classifying defects, especially to provide: an automated inspection for automatically inspecting and detecting detect particles and defect patterns different from patterns that a designer intends to be; an automated inspection apparatus for automatically classifying the defects; and to provide the automated inspection method for the same. - 特許庁

露光装置からの露光光を遮断する遮光領域６１と、露光光を完全に透過させる透過領域６２と、露光光を部分的に透過させる半透過領域６３とを有するハーフトーンマスク６０を通して、１光子吸収レジストであるフォトレジストＰ１に露光光を照射し、現像処理する。例文帳に追加

Exposure light is irradiated to the photoresist P1 serving as one-photon absorbing resist through a half tone mask 60 having a light shielding region 61 for shielding the exposure light from a lithography device, a transmitting region 62 for completely transmitting the exposure light and a semi-transmitting region 63 for partially transmitting the exposure light, and development takes place. - 特許庁

画像処理手段１２１は、マイクロフィルムスキャナ１１０が有する光学系に関する情報（投影レンズのタイプ又はズーム倍率等）に基づいて、マイクロフィルムスキャナ１１０で得られた読取画像に対する画像処理方法を変更（画像処理としてのエッジ強調処理で使用するマスクパターンの変更等）する。例文帳に追加

An image processing means 121 changes a method of processing an image (such as changing the mask pattern used in the edge emphasizing process as the image processing) for a read image obtained by a microfilm scanner 110 based on the information on the optical system (such as about the type or the zoom magnification of a projection lens, etc.), of the microfilm scanner 110. - 特許庁

表面で凹凸を著しく増加させるようなエッチングとポリマーの生成が同時に起きるような水素プラズマ量の領域を避けるように、プラズマ条件（拡散距離または圧力）とマスク形状（開口部幅）を設定することにより、表面の凹凸を抑制して同一面内でエッチング深さが異なる形状を加工することができる。例文帳に追加

By setting a plasma condition (a diffusion distance or a pressure) and a mask shape (the opening width) so as to avoid a region with a hydrogen plasma amount in which etching and polymer generation that drastically increase the unevenness occur simultaneously on its surface, a shape with different etching depths can be processed in the same plane while suppressing the unevenness on the surface. - 特許庁

エッチング領域の側面に第２絶縁層に対してエッチング選択比を有する物質からなる第１スペーサを形成した後、第１スペーサをマスクとして利用して第２絶縁層及び第１絶縁層をエッチングしてキャパシターコンタクト領域を露出するストレージノードコンタクトホールを形成する。例文帳に追加

After a first spacer made of a material, having an etching selection ratio to a second insulating layer, is formed on the side of an etching region, a storage node contact hole is made, where the first spacer is utilized as a mask and the second insulating layer, and a first one are etched for exposing a capacitor contact region. - 特許庁

感光性ドライフィルムレジストを使用する場合には、フィルムマスクまたは直描装置にて埋める穴部のみを遮光し全面露光することで、現像処理にて埋める穴部のドライフィルムレジストが除去され、パターン形成技術と同等の高精度で埋めたい穴のみを選択的に露出させることができる。例文帳に追加

When using the photosensitive dry film resist, by light-shielding only the holes to be filled by a film mask or a straight drawing device and executing full exposure, the dry film resist of a hole part to be filled is removed in development processing, and only the holes desired to be filled are selectively exposed with high accuracy equivalent to a pattern forming technology. - 特許庁

奇数パスの双方向マルチパス記録において、所定の２種類のインクを異なる方向の走査で記録可能な画素の割合が上記２種類のインクを同じ方向の走査で記録可能な画素の割合よりも高くなるように記録許容画素と非記録許容画素が配列されたマスクパターンを用いる。例文帳に追加

In bidirectional multi-pass recording of odd-numbered passes, a mask pattern wherein recording permission pixels and non recording permission pixels are arranged so that a proportion of pixels in which predetermined two kinds of ink can be recorded by scan in different directions becomes higher than a proportion of pixels in which the two kinds of ink can be recorded by scan in the same direction. - 特許庁

レジストマスク法によってガラス基板上に形成した溝やピットのパターンを利用してニッケルスタンパを製造する装置において、フォトレジスト除去〜洗浄・乾燥までの一連の工程を、いちいちガラス基板を除去薬液中に浸漬して超音波除去させる必要なく、低欠陥で且つ効率よく行うことができる。例文帳に追加

To provide a photoresist layer removing device wherein a series of stages until cleaning and drying stages after photoresist is removed can be efficiently performed with low defect without immersing a glass substrate in a removing liquid chemical to ultrasonically remove the photoresist one by one, in a device for manufacturing a nickel stamper utilizing patterns of a groove and a pit formed on the glass substrate by a resist mask method. - 特許庁

この方法は、自動車用の襞付きの流体および空気フィルタ２１、襞付きの加熱および／または空調フィルタ、成形された呼吸用マスク・フィルタ、およびバクテリア用フィルタを含む広汎のさまざまな製品、クリーニング・モップ・ヘッドに嵌まるように成形されたモップ・ワイパー形状のような超吸収性の中間層を有する積層クリーニング用製品、および他の製品の製造に使用できる。例文帳に追加

The method may be used in production a variety of products, including automotive pleated fluid and air filters 21, pleated heating and/or air conditioning filters, shaped breathing mask filters and bacterial filters, laminated cleaning products with super-absorbent middle layers, such as a mop wipe shape to fit a cleaning mop head, and other products. - 特許庁

保護用製品、衣類、人工補装具、加熱ラップ、パッド及び／又はパック、冷却ラップ、保護用フェイスマスク、装飾用製品若しくは眼用ウェア、又は皮膚に物質を提供する化粧用若しくは薬学的デリバリー製品等の機能的製品を皮膚に取り付けるために使用できる局所用接着剤と基体との組み合わせ。例文帳に追加

Provided is a combination of a substrate with a topical adhesive for attachment of functional articles such as clothing, prosthesis, heat wraps, pads, and/or packs, cold wraps, protective face masks, ornamental articles, or eye wear, or cosmetic or pharmaceutical delivery articles which provide substances to the skin. - 特許庁

ウェハ上にマスクパタンを複数の露光ショットにより露光する際に、予め測定されたエッチング後の各露光ショット内のパタン寸法分布に基づき、各露光ショット内の補正露光量を求め、各露光ショットにおいて、それぞれの補正露光量で露光し、露光されたウェハをエッチングすることにより、ウェハにパタンを形成する。例文帳に追加

When a wafer is exposed to a mask pattern through a plurality of exposure shots, a correction exposure amount in each exposure shot is found based upon a previously measured pattern size distribution in each exposure shot after etching, exposure is carried out with respective correction exposure amounts in the respective exposure shots, and the exposed wafer is etched to form the pattern on the wafer. - 特許庁

照明光学系２の開口数はプロキシミティ露光を行う露光機における光源からの照明光の平行度調整に必要とされる範囲において設定可能で、対物レンズ系４は、前側焦点面がフォトマスク３のパターン面から露光機におけるプロキシミティギャップに対応する距離だけ移動可能である。例文帳に追加

The numerical aperture of the illumination optical system 2 is variable in a range necessary to adjust a parallel degree of the illumination light from the light source in an exposure machine carrying out the proximity exposure; and the front focal plane of the objective lens system 4 is moved from the pattern surface of the photomask 3 within a distance corresponding to the proximity gap in the exposure machine. - 特許庁

１ビットに対するフローティングゲート型トランジスタ数をコンタクト数により任意に構成することによって、あらかじめ不揮発性領域内に固定データを格納することができ、ローダプログラム等を格納したマスクＲＯＭに兼用することができてチップ面積を削減した不揮発性メモリアレイを実現することができる。例文帳に追加

Fixed data can be stored previously in a non-volatile region by constituting arbitrarily the number of transistors of a floating gate type for one bit by the number of contacts, the memory array can be also used for a mask ROM storing the loader program or the like, then the non-volatile memory array in which the chip area is reduced can be realized. - 特許庁

乾式エッチング方法は、被エッチング膜質上にフォトレジストパターンが形成された半導体基板を反応器内に配置する段階と、反応器内にＣＯガスを供給してフォトレジストパターンの上部にポリマーを選択的に蒸着してポリマー層を形成する段階と、フォトレジストパターン及びポリマー層をマスクとして被エッチング膜質をエッチングする段階と、を含む。例文帳に追加

The dry etching process comprises a step of disposing a semiconductor substrate where the photoresist pattern is formed on an etched membranous object in a reactor, a step of selectively depositing polymer on an upper section of the photoresist pattern by supplying the CO gas into the reactor to form a polymer layer, and a step of etching the etched membranous object with the photoresist pattern and polymer layer as the masks. - 特許庁

この状態で、基板２とレジスト３を同時にエッチング可能なエッチング方式を使用し、基板２とレジスト３を同時にエッチングすると、（ｃ）に示すように、（ｂ）のレジストパターンが基板２に転写され、マスク１のパターンに対応した凹凸を有する基板２が得られ、これが拡散板として使用できる。例文帳に追加

In this state, the substrate 2 and resist 3 are etched together by using an etching system capable of etching the substrate 2 and resist 3 at the same time to transfer the resist pattern in (b) to the substrate 2 as shown in (c), and the substrate 2 has unevenness corresponding to the patterns of the mask 1 and is usable as a diffusion plate. - 特許庁

光透過性基板の片面に遮光膜パターンが形成され、この遮光膜パターンによって光透過部が画定されているフォトマスクを作製するにあたり、光透過部と平面視上重なるようにして、光触媒とフッ素系化合物とを含有するフッ素含有光触媒活性層を形成することによって、上記課題を解決した。例文帳に追加

When the photo mask is manufactured by forming a light shielding film pattern on one side of a light transmitting substrate and demarcating a light transmitting part by the light shielding film pattern, a fluorine-containing photocatalyst active layer containing a photocatalyst and a fluorine-based compound is formed in a manner that it can be overlapped on the light transmitting part on the plane view. - 特許庁

開口パターンを連続的に離散配置したマスクレイアウトにおいて、パターンピッチＰを０．６９λ／ＮＡ≦Ｐ≦０．８５λ／ＮＡ（ここで、λは露光光波長、ＮＡは投影レンズの開口数）とすることで、選択的に大開口部を有するシェブロンパターンを有するデバイスパターンを制御性よく形成することができる。例文帳に追加

In a mask layout having aperture patterns continuously and discretely disposed, a device pattern having a chevron pattern selectively having a large aperture part can be formed with high controlling property by specifying the pattern pitch P to satisfy 0.69λ/NA≤P≤0.85λ/NA, wherein λ is the exposure light wavelength and NA is the numerical aperture of a projection lens. - 特許庁

露光パラメータ決定装置は、露光マスク上の複数の領域に対応する光強度分布情報及び所定の露光パラメータを用いてリソグラフィシミュレーションを実行し、予測パターン形状を算出するシミュレーション実行部１１２と、前記予測パターン形状の評価値を算出する評価値算出部１１３と、を備える。例文帳に追加

A light exposure parameter deciding device comprises a simulation execution part 112 for executing a lithography simulation using light strength information and a predetermined light exposure parameter corresponding to a plurality of regions on a light exposure mask and calculating a prediction pattern shape; and an evaluation value calculation part 113 for calculating an evaluation value of the prediction pattern shape. - 特許庁

耐擦過性、耐溶剤性、ガラス板等の透明板に対する密着性、画像の切れ等に優れ、しかも、寸法精度の安定化、高精細な部品作製のための高解像度化、量産化に伴う耐久性等の諸要求を同時に満足させることができるフォトマスク及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a photomask which is excellent in scratching resistance, solvent resistance, adhesion property to a transparent plate, such as a glass plate, cutting of images, etc., and simultaneously satisfies various requirements, such as the stabilization of dimensional accuracy, higher resolution for manufacturing of components of high fineness and the durability accompanying mass production and a method of manufacturing for the same. - 特許庁

長尺の金属基材の両面にフォトレジストを塗布し、乾燥チャンバーで乾燥してレジスト膜を形成するレジスト塗布工程において、金属基材の両面に形成されたレジスト膜の幅方向の感度を均一化して現像処理後のレジストパターン寸法のバラツキを抑えたシャドウマスクの製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a shadow mask in which fluctuation in resist pattern dimensions after development treatment is suppressed by making uniform the sensitivity in width direction of a resist film formed on both sides of a metal substrate, in the resist coating process for forming the resist film by coating a photoresist on both sides of the long metal substrate and drying in a drying chamber. - 特許庁

金属配線の配線幅と、該金属配線の上面と接続されるビアホールの径とが同一寸法に設計される半導体装置の製造方法において、ビアホールを形成するためのマスクパターンにアライメントずれが発生しても、ビアコンタクトが金属配線に対して位置ずれしないようにする。例文帳に追加

To prevent the position of a via contact from deviating with repeat to metal wiring, even if deviation of alignment occurs in a mask pattern for forming a via hole in the case of designing the wiring width of the metal wiring and the diameter of the via hole which is connected with the upper surface of that metal wiring into the same dimension. - 特許庁

パッシベーション膜６を成膜し、電極取り出し用コンタクトホールｃを形成した後、デプレッション型トランジスタ側をレジスト材ｒで被覆し、ゲート電極５ｅをマスクにしてエンハンスメント型トランジスタ側に不純物イオンを打ち込み、ｎ型のソース領域７とドレイン領域８を形成する。例文帳に追加

After a passivation film 6 is formed and a contact hole c for taking out an electrode are formed, the depression type transistor side is coated with a resist material r, impurity ions are implanted into the enhancement type transistor side using the gate electrode 5e as a mask, and thus an n-type source region 7 and a drain region 8 are formed. - 特許庁

本発明は、水分に非常に弱い特性を有する低分子有機半導体物質をシャドーマスクを利用しないで数μｍまで調節可能な微細パターンで形成することができ、微細パターンされた低分子有機半導体層の損傷なしに低分子有機半導体物質を利用した液晶表示装置用アレイ基板の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of an array substrate for a liquid crystal displaying apparatus that can form a low molecular organic semiconductor material with very weak moisture resistance, without using a shadow mask, by a micro pattern that is adjustable up to several μm, and then utilizes the low molecular organic semiconductor material without damaging a micro patterned low molecular organic semiconductor layer. - 特許庁

マスクのパターンを投影光学系を介して基板上に転写する際に、先ず、所定のタイミングで、環境条件と投影光学系の所定の結像特性とを計測し、該計測結果に基づいて結像特性の環境条件による変化を補正するための環境補正係数を算出する（ステップ４０９）。例文帳に追加

When transferring a mask pattern to a wafer via a projection optical system, first, a prescribed imaging properties of the environmental conditions and the projection optical system with a prescribed timing are measured, and environmental correction coefficients for correcting the variation varied by the environmental conditions of the imaging property are calculated, based on the measured result (step 409). - 特許庁

様々な要因により変化する、マスクパターンの疎密差に起因して生じる寸法差を確実に制御して当該寸法差を可及的に低減させ、形成される半導体装置のパターンを疎密差に依存することなく高精度に形成することを可能とし、信頼性の高い半導体装置を実現する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device with high reliability, wherein a size difference which varies with a variety of factors and is generated owing to a sparse/dense difference of a mask pattern is securely controlled to be reduced as much as possible, and a pattern of the semiconductor device to be formed is formed with high precision without depending upon the sparse/dense difference. - 特許庁

Ｐウェル１０２、Ｎウェル１０３の形成された基板上にポリシリコン層１０５を形成し、フォトレジストパターン１０６をマスクとして、Ｐウェル１０２上にゲート電極１０５Ａを形成した後、フォトレジストパターン１０６が残存した状態でイオン注入を行ってＮチャネルＭＯＳのＬＤＤ領域を形成する。例文帳に追加

A polysilicon layer 105 is formed on a wafer, with which a P well 102 and an N well 103 are formed, and after a gate electrode 105A is formed on the P well 102 with a photoresist pattern 106 as a mask, the LDD region of N-channel MOS is formed by conducting ion implantation, in a state of the photoresist pattern 106 being left. - 特許庁

指示制御手段６６は、旧場面の画像データをテクスチャとして、新場面を表わす画像より視点側に設定された平面ポリゴンに貼り付けることにより、新場面の画像が旧場面の画像によってマスクされるような画像データを生成する描画用コマンドを所定周期毎に作成する。例文帳に追加

An indication control means 66 forms a command for plotting generating image such data that the image of a new scene is masked by the image of the former scene every prescribed period by maping the image data of the former scene to the planar polygon set on the visual point side more than the image expressing the new scene as a texture. - 特許庁

ＴＭＣＣマスク回路１８から出力されるＴＭＣＣ信号中には、カウントダウン発生回路１６からのカウントダウン信号が挿入されており、そのカウントダウン信号はフェージング等により受信ＴＭＣＣ信号に誤りが生じるような場合はエラーフラグが”１”になることから、強制的に通常値の”１５”とされる。例文帳に追加

A count down signal from a count down generating circuit 16 is inserted to a TMCC signal outputted from a TMCC mask circuit 18, and the count down signal is forcibly set to a usual value '15' because an error flag is set to '1' in the case that the received TMCC signal has an error due to fading or the like. - 特許庁

このフォトマスク５を用いてフォトレジストを露光する際の露光量（十分大きい開口パターンへの露光エネルギ）は、露光によりフォトレジストが現像液に対して溶解性から不溶解性になる境界の露光量または不溶解性から溶解性になる境界の露光量の４倍以上２０倍以下である。例文帳に追加

The quantity of exposure (exposure energy to a sufficiently large opening pattern) at exposure of a photoresist by the use of the photomask 5 is more than four times and less than twenty times of the exposure quantity at the boundary, in which the photoresist reaches insolubility from solubility to a developing solution by exposure, or the exposure quantity at the boundary in which the photoresist reaches solubility from insolubility. - 特許庁

へら部材６４は、セラミック積層体の積層方向の一方向のみにおいてマスク板５４に接触しながら移動し、ノズル６３から吐出される外部電極材料を上記一方向のみに平坦に延ばしながら貫通穴５４１を介してセラミック積層体の側面に塗布するよう構成されている。例文帳に追加

The knife member 64 moves while it is brought into contact with the mask plate 54 only in one direction of a lamination direction of the ceramic laminate, flattens the external electrode material discharged from the nozzle 63 only in one direction, and applies it to a side of the ceramic laminate through the through hole 541. - 特許庁

粒子充填部材の構成する弾性シート部材として厚さが２ｍｍ以下の弾性シート部材を用いた場合であっても、弾性シート部材とマスク表面との平行度調整を精確に行うことができ、粒子充填不良による不良パネルの発生のない情報表示用パネル製造時の粒子配置方法を提供する。例文帳に追加

To provide a particle arrangement method when manufacturing an information display panel, capable of precisely performing adjustment of parallelism between an elastic sheet member and a mask surface without any occurrence of failed panel due to failed particle packing even if an elastic sheet member with a thickness of 2 mm or less is used as the elastic sheet member constituting a particle packing component. - 特許庁

レジストに対してエッチング選択比が高い、即ちレジストに対してエッチングスピードが速い反射防止膜の材料を提供し、且つこの反射防止膜材料を用いて基板上に反射防止膜層を形成するパターン形成方法及び、この反射防止膜を基板加工のハードマスクとして用いるパターン形成方法も提供する。例文帳に追加

To provide a material of an antireflection film ensuring high etching selectivity to a resist, that is, a high etching speed to a resist, to provide a pattern forming method for forming an antireflection film layer on a substrate using this antireflection film material, and to also provide a pattern forming method using this antireflection film as a hard mask for substrate working. - 特許庁

本発明は、カラムスペーサの中でもスリットや半透過マスクを用いて同時に２つの異形状のカラムスペーサを作製する特殊な場合において、ラジカル重合禁止剤の種類や量を変更することにより、感度は小幅減少しても２つのパターン(飽和パターン、半透過パターン)の差を自由に調節できるカラムスペーサ組成物を提供することができる。例文帳に追加

To provide a column spacer composition enabling simultaneous formation of a saturated pattern and a semi-transmissive pattern as column spacer patterns having different shapes, whose difference in thickness is controllable as desired although the sensitivity is slightly reduced, through a slit or semi-transmissive mask by varying the kind and amount of the radical polymerization inhibitor. - 特許庁

本発明は、少ないマスク工程で製作される液晶表示装置用アレー基板の形成方法に係り、特に、データ配線、ソース電極、ドレーン電極及び画素電極を透明電極で形成する場合、抵抗を低めるためにデータ配線及びソース電極に低抵抗金属膜を形成する方法に関する。例文帳に追加

This invention relates to a method for forming an array substrate for a liquid crystal display device to be manufactured in less masking processes, and relates to a method for forming a low resistance metallic film on the data wiring and source electrodes for lowering the resistance especially when the data wiring, the source electrodes, drain electrodes, and pixel electrodes are formed of transparent electrodes. - 特許庁

充分な遠赤外線輻射効果及びマイナスイオン・静電気効果を発揮すると共に、発汗・老廃物排出・血行等の促進、細胞の活性化等の作用により顔肌自体を効果的に活性化させることができ、しかも貼付部位への高い密着性を有するトリートメントマスク及びパッドとその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a treatment mask and a pad exhibiting sufficient far-infrared radiation effects and minus ion static electricity effects, effectively activating the face skin itself by actions such as sweating, excretion of waste products, facilitation of the blood flow and activation of the cells, and having high adhesion property to an adhesion object portion, and to provide their manufacturing method. - 特許庁

フラグメント処理部１１４は、３Ｄグラフィックスではデプスバッファ、ベクターグラフィックスではマスクバッファとして用いる第１の補助バッファ１１６と、３Ｄグラフィックスではステンシルバッファ、ベクターグラフィックスではシザーバッファとして用いる第２の補助バッファ１１７と、共通に用いるカラーバッファ１１５を用いて、フラグメント処理を行う。例文帳に追加

A fragment processing part 114 performs fragment processing using a first auxiliary buffer 116 which is used as a depth buffer in the 3D graphics and as a mask buffer in the vector graphics, a second auxiliary buffer 117 used as a stencil buffer in the 3D graphics and as a scissor buffer in the vector graphics, and a shared color buffer 115. - 特許庁

画像データファイルをＰＣに転送するときには、画像データファイルを選択し、転送先を指定することにより、代表プレーンとなるマスクプレーンに対してＴＣＰが設定され、バックプレーン及びフロントプレーンに対してＵＤＰが設定され、転送データが生成される（ステップ１００〜１０８）。例文帳に追加

When the image data file is transferred to a PC, the image data file is selected, and a transfer destination is designated to set the TCP to a mask plane acting like a representative plane and to set the UDP to a back plane and the front plane, and transfer data are generated (steps 100 to 108). - 特許庁

高段差で大面積のパターンが形成される場合でも、ウェハ全面でのマスクパターン寸法の均一性をさらに向上させることができるとともに、コンタクト窓形成の際にウェハ全面でコンタクト窓の開口幅ばらつきを低減することができ、製品歩留を改善しかつ製品品質をより向上させることができる半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device capable of further improving uniformity of a mask pattern size on the entire wafer surface and lowering variation in opening width of a contact window on the entire wafer surface when forming the contact window to improve the product yield and quality even when a higher step and a large area pattern are formed. - 特許庁

反応性を用いないスパッタエッチングにおいて、被エッチング膜１０２上に形成された段差の内側にマスク材としてのフォトレジスト層１０６を形成してエッチングする工程と、前記フォトレジストを露光現像後、１８０〜２００℃の温度でベークする工程と、反応性を用いないスパッタエッチング工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。例文帳に追加

A non-reactive sputtering etching method includes a step for etching after a photoresist layer 106 as a mask material is formed on an inner side of a step formed on an etching film 102, a step for baking at 180 to 200°C after the photoresist is exposed and developed, and a step for etching without reactive sputtering. - 特許庁

マスクＲＯＭ（メモリ）３０は、誘電率ε_１を有するＳｉＮ膜５を含む第１キャパシタ１１により構成された第１メモリセル１０と、ＳｉＮ膜５の誘電率ε_１よりも大きい誘電率ε_２を有するＳＢＴ膜４を含む第２キャパシタ２１により構成された第２メモリセル２０とを備えている。例文帳に追加

A mask ROM (memory) 30 includes a first memory cell 10 constructed of a first capacitor 11 having an SiN film 5 with a permittivity of ε_1, and a second memory cell 20 constructed of a second capacitor 21 having a SBT film 4 with a permittivity of ε_2 higher than the permittivity of ε_1 of the SiN film 5. - 特許庁

共取り方式によりサイズの異なる２種類のカラーフィルタを同一基板上に形成するカラーフィルタの製造方法であって、２色の着色層を形成するためのフォトマスクを共通版にし、ＰＳ及びサブＰＳの高さの差を調整して各カラーフィルタを形成できる製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a color filter manufacturing method of forming two kinds of color filters different in size on a same substrate by composite mold that uses a common photomask for forming color layers of two colors and can form color filters by adjusting difference in heights of a PS and a sub PS. - 特許庁

小領域の境界線にパターンの振り分けに関する第１および第２の情報を付加し、相補分割されたパターンのうち、境界線に接するパターンについては、第１および第２の情報を参照してパターンの振り分けを行うことにより、小領域単位での並列処理と問題パターンの発生防止を可能とするマスクパターン作成方法。例文帳に追加

First and second information on allocation of patterns are added to boundary lines among small regions, and the patterns which are kept in contact with the boundary Lines and selected out of the complementarily divided patterns are allocated as referring to the first and second information, so that parallel processing can be realized by small region unit, and a troublesome pattern can be prevented from occurring in the mask pattern forming method. - 特許庁

評価対象である光送信器より出力される強度変調光のビットレートＢと、その光が伝送される光伝送路である光ファイバの累積波長分散Ｄとが、所定の関係を満たすように設定された上で、その光ファイバにより伝送された後の光波形とパルスマスクＭとの間の位置関係に基づいて、光送信器の性能が評価される。例文帳に追加

After a bit rate B of intensity modulated light outputted from the optical transmitter being an evaluation object and a cumulative wavelength distribution D of an optical fiber being an optical transmission line on which the light is transmitted are set so as to satisfy a prescribed relation, the performance of the optical transmitter is evaluated on the basis of a position relation between an optical waveform after transmission on the optical fiber and a pulse mask M. - 特許庁