「マスク」に関連した英語例文の一覧と使い方(614ページ目) - Weblio英語例文検索

アレイ基板１００と対向基板２００との間に液晶組成物３００を挟持した液晶表示装置の製造方法において、アレイ基板１００上に着色されたフォトレジストを設け、マスクを介して着色フォトレジストを２００ｍＷ／ｃｍ^２以上の照度で露光し、露光された着色フォトレジストを現像することにより、所定のパターンの柱状スペーサ１８０を形成する。例文帳に追加

In this method for producing a liquid crystal display device which holds a liquid crystal composition 300 between an array substrate 100 and a counter substrate 200, a colored photoresist is disposed on the array substrate 100 and is exposed with illuminance of ≥200 mW/cm2 via a mask, the exposed colored photoresist is developed and a columnar spacer 180 of a prescribed pattern is formed. - 特許庁

通常、投影光学系ＰＬは露光光の波長に対して収差が殆どないように結像性能が調整されていることから、走査露光中に露光光を用いて殆ど無収差でマスク及び感応基板の少なくとも一方の位置又は両者の相対位置を高精度に検出することができる。例文帳に追加

The projection optical system PL normally has its imaging performance adjusted, so that hardly an aberration is generated with respect to the wavelength of the exposure beam, so that the position of at least one of the mask and sensitive substrate or the relative positions of the both can be detected in scan exposure with high accuray almost without aberrations by using the exposure beam. - 特許庁

金属−シリコンの酸化物、金属−シリコンの窒化物、金属−シリコンの酸化窒化膜のいずれかからなる半透明遮光層の単層膜、もしくは透明層と遮光層からなる多層膜で構成するハーフトーン型位相シフトマスクの基板表面の荒れや凹凸の発生を抑制した製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a manufacturing method to suppress roughening or production of a rugged pattern on the surface of a substrate of a halftone phase shift mask consisting of a single layer film of a translucent light shielding layer comprising one of metal-silicon oxide, metal-silicon nitride and metal-silicon oxynitride or consisting of a multilayer film comprising a transparent layer and a light shielding layer. - 特許庁

ＲＦ励起方式のレーザー発振装置から発振されたレーザービームが最終的に集光されるまでの間に、レーザーマスクを介在させ中央部と外周部でエネルギ−密度の異なるレーザービ−ムを発生させる事により、孔加工や溝加工において曲面付けすることを可能にする。例文帳に追加

During an interval from a time when laser beams are emitted from a RF exciting laser emitter to a time when the laser beams are finally condensed, a laser mask is interposed, and the laser beams which are different in an energy density between a center part and an outer peripheral part are emitted, whereby it is possible to form a curved surface in a hole processing or a groove processing. - 特許庁

本発明は、スクリーン線を作成するドットの核と、階調により変化するドットの核の形状と、スクリーン角を決めるドットの核の配置を決めるディザマトリクス設定部と、前記ディザマトリクスのドットの核の配置順をブルーノイズマスクとして生成するドット核配列生成部とを備えたことを特徴とする。例文帳に追加

Provided are a dither matrix setting part which determines the cores of dots forming screen lines, the shapes of cores of dots changing with gradations, and the arrangement of cores of dots determining a screen angle, and a dot core arrangement generation part which generates the arrangement order of the dots of a dither matrix as a blue noise mask. - 特許庁

受信バッファ部４２（メインメモリ）に格納されているランレングス圧縮された記録データの先頭のワードデータの下位アドレス（偶数アドレス）に記録データとは無関係なデータ（ＡＡＨ）が格納されている場合には、先頭のバイトデータを含むワードデータの下位アドレス（偶数アドレス）の無関係なバイトデータをマスクして無効にしてからデコード回路２８にて展開する。例文帳に追加

When data (AAH) irrelevant to recording data has been stored in a lower address (even address) of head word data of the run length compressed recording data stored in a receiving buffer section 42 (main memory), the irrelevant byte data of the lower address of the word data including the head byte data is nullified by masking to be developed by a decode circuit 28. - 特許庁

クロムからなる遮光性膜（上層）をクロムのエッチング液でウエットエッチングする際に、下層のタンタル系半透光性膜へのダメージを極力抑えることができ、しかもエッチングストッパも不要で膜構成が単純であるＦＰＤデバイスを製造するためのマスクブランクを提供する。例文帳に追加

To provide a mask blank for use in manufacturing of an FPD device, which is capable of suppressing the damage to a tantalum light-semitransmissive film of a lower layer as much as possible when wet-etching a light-shielding film (upper layer) made of chromium by a chromium etching solution and doesn't need an etching stopper and has a simple film configuration. - 特許庁

光の照射工程を有する半導体薄膜の形成方法において、光が光マスク上に形成したパターンを半導体薄膜上に投影露光して、半導体薄膜上の所定の領域を改質する工程と、上記半導体薄膜上に絶縁膜を連続的に形成する工程とを含ませる。例文帳に追加

In a semiconductor thin film forming method comprising a light irradiating process, a first process of projecting the image of a pattern formed on an optical mask onto the semiconductor thin film for exposing the thin film so as to modify the prescribed region of the semiconductor thin film and a second process of continuously forming insulating films on the semiconductor thin film are provided. - 特許庁

その後、第１のＣＭＰ処理を行い、第１のＣＭＰ処理後のポリシリコン膜６をマスクとしてシリコン酸化膜５に対するエッチング処理を実行して、凸部領域の上部領域のシリコン酸化膜５を除去した後、さらに第２のＣＭＰ処理を行って半導体基板１上を平坦化させる。例文帳に追加

Then the first CMP process is performed, and with the polysilicon film 6 after the first CMP process as a mask, etching process is performed for the silicon oxide film 5, and the silicon oxide film 5 which lies in the region over the projecting part region removed, and then a second CMP process is further performed to cause the top of a semiconductor substrate 1 to be flattened. - 特許庁

次に、光導波路方向に沿って所定の間隔で配置された第１部分４２ａと第２部分４２ｂを有し、第２部分４２ｂの光導波路方向における長さが第１部分４２ａの光導波路方向における長さより短いエッチングマスク４２を第１活性層３０ａ上に形成する。例文帳に追加

Next, an etching mask 42 which includes a first and second portions 42a and 42b disposed at a predetermined spacing along an optical waveguide and whose length in a direction of the optical waveguide of the second portion 42b is shorter than the length in a direction of an optical waveguide of the first portion 42a is formed on the first active layer 30a. - 特許庁

また本発明のパターン状金属酸化物薄膜の製造方法は、金属酸化物薄膜用組成物を基板に塗布する工程、形成された塗布膜にフォトマスクを通して光照射を行う工程、未感光部の塗布膜を溶剤によりエッチングする工程、エッチング後、焼成してパターン状金属酸化物薄膜とする工程とを含む構成とする。例文帳に追加

The method for producing the patterned metal oxide thin film comprises a step of coating the composition for the metal oxide thin film on a substrate, a step of irradiating light through a photomask on the coated film, a step of etching an unexposed part of the coated film with a solvent and a step of forming the patterned metal oxide thin film by burning after etching. - 特許庁

特に皮膚クレンジング製品、特に顔及び／又は首のケアを意図したピールオフマスクの形態のもの、を構成することができる化粧品組成物、特に、表面角質層の死細胞を除去することによって又は皮膚表面に過剰に存在する脂肪物質（例えば皮脂）を除去することによって、皮膚深くまでクレンジングするための化粧品組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a cosmetic composition affording especially a skin cleansing preparation, particularly a form of peel-off mask intended for care of the face and/or the neck, in particular designed to cleanse the skin to the depth through removing dead cells in the skin surface stratum corneum or removing fatty matter (e.g. sebum) existing in excess on the skin surface. - 特許庁

露光装置からの露光光を遮断する遮光領域６１と、露光光を完全に透過させる透過領域６２と、露光光を部分的に透過させる半透過領域６３とを有するハーフトーンマスク６０を通して、露光光の吸収係数が高いフォトレジストＰ１に露光光を照射し、現像処理する。例文帳に追加

Development is processed by irradiating exposure light onto a photoresist P1, high in the absorption coefficient of exposure light, through a half tone mask 60, having a light shielding region 61 for shielding exposure light from an exposure device, a transmission region 62, which transmits the exposure light completely and a half transmission region 63 which transmits the exposure light partially. - 特許庁

個片状基板の寸法分類が不要となって、従来のような個片状基板の寸法ランクに応じてマスクを交換するという工程をなくすることができ、かつ実装時におけるテーピングの収納部からの取り出しも容易に行え、しかも狭ピッチで実装した場合においても、隣り合う抵抗器間の絶縁距離を確保できる抵抗器を提供することを目的とするものである。例文帳に追加

To provide a resistor capable of eliminating a dimensional classification of each substrate sliced to a piece and a mask exchange process conventionally required depending on each dimensional rank of the substrate sliced, facilitating drawing out a taping from a storage at the time of mounting thereof, and securing an insulating distance between adjacent resistors even if they are mounted at a narrow pitch. - 特許庁

パターンの位置ずれ補正するために必要なＥＵＶマスクの裏面形状分布データのうち、前記ピンチャックのピンに接触する箇所の裏面形状分布データを抽出し、この抽出された裏面形状分布データのみから、前記位置ずれ量を算出する電子ビーム描画装置及び位置ずれ量補正方法を提供する。例文帳に追加

In the electron beam lithography device and the method for correcting the displacement amount, the backside shape distribution data of a place abutting on the pin of the pinch chuck are extracted from the backside shape distribution data of the EUV mask required for correcting the positional misalignment of a pattern, and the displacement amount is calculated only from the extracted backside shape distribution data. - 特許庁

減光体としての機能を有する薄膜パターン２ａと、位相調整用の感光性組成物としての機能を有するレジストパターン３ａとを有する半透明位相シフトパターンが形成されたハーフトン位相シフトマスクを用いた縮小投影露光法によって、ウエハ１１上のレジスト膜１２にパターンを転写する。例文帳に追加

A pattern is transferred to a resist film 12 on a wafer 11 with a reduced-projection exposure method, using a half-tone phase shift mask, formed by a translucent phase shift pattern comprising a thin film pattern 2a which has the function of dimmer body and a resist pattern 3a, having the function of photosensitive composite for adjusting the phase. - 特許庁

外面が平面からなるパネルの内面を適切な曲面にすることにより、真空外囲器の強度を確保し、かつパネルガラスにおいて光線が屈折することによる平坦度の視認性の劣化を抑制し、カラー受像管については、さらに色選別電極（シャドーマスク）の加工性を向上させることができる陰極線管を提供することにある。例文帳に追加

To suppress deterioration of visibility for flatness of a panel glass, by securing strength of a vacuum enclosure by forming the inner surface of a panel comprising a flat outer surface and an inner surface having a center part protruded toward the outer surface into a curved surface satisfying a relation with the shape of a phosphor screen. - 特許庁

スクリーン印刷装置と実装装置とを含む部品実装システムにおける部品実装方法であって、基板の生産工程前に、マスクシートの開口部の位置を画像認識すると共に当該画像データに基づき部品の搭載座標データを補正し、当該補正後の搭載座標データを予め各実装装置３〜５に格納しておく。例文帳に追加

A component mounting method of a component mounting system including a screen printer and a mounting device includes image-recognizing the position of an opening of a mask sheet and correcting mounting coordinate data of a component on the basis of the image data, and prestoring the mounting coordinate data having been corrected in respective mounting devices 3 to 5 before a step of producing a substrate. - 特許庁

本発明による光基板製造方法は、（a）第１光導波路クラッド層の上面に光導波路コア層を積層する段階と、（ｂ）レーザーをマスクで回折させて前記光導波路コア層の一部を除去することにより傾斜面を形成する段階と、（ｃ）前記傾斜面に反射層を積層する段階と、を含むことを特徴とする。例文帳に追加

The method of manufacturing an optical board may include (a) a stage of stacking an optical waveguide core layer over a first optical waveguide cladding layer, (b) a stage of forming an inclined surface by diffracting a laser with a mask to remove a portion of the optical waveguide core layer, and (c) a stage of stacking a reflective layer over the inclined surface. - 特許庁

光反射型マスク１００は、基板１０１上に設けられ、かつ光を反射する反射層１０２と、反射層１０２上に設けられ、かつ光を吸収する吸収層１０５と、吸収層１０５の第１の領域に形成されたデバイスパターンと、吸収層１０５の第２の領域に形成された反射率測定パターンとを含む。例文帳に追加

A light reflecting mask 100 includes a reflecting layer 102 which is provided on a substrate 101 and reflects light, an absorbing layer 105 which is provided on the reflecting layer 102 and absorbs light, a device pattern which is formed in a first region of the absorbing layer 105, and the reflectance measuring pattern which is formed in a second region of the absorbing layer 105. - 特許庁

透明基板上に単層の薄膜もしくは２層以上の薄膜が形成されたフォトマスクブランクスにおいて、前記単層の薄膜もしくは２層以上の薄膜の最表面層が、アルミニウム化合物と該アルミニウム化合物に添加した金属アルミニウムとで構成され、前記金属アルミニウムの含有率が６０原子％以下であることを特徴とする。例文帳に追加

The photomask blank has a thin film of a single layer or two or more layers formed on a transparent substrate, and is characterized in that: the outermost surface layer of the thin film of a single layer or two or more layers comprises an aluminum compound and metal aluminum added to the aluminum compound; and the rate of content of the metal aluminum is ≤60 atomic%. - 特許庁

一方基板２は、透光性を有するプラスチック基板１０の一方表面１０ａにカラーフィルタ形成用透明電極１１を形成した後、該電極１１を用いて電着法によってカラーフィルタ１２を形成し、形成したカラーフィルタ１２をマスクとして基板１０の他方表面１０ｂにフォトリソグラフィ法によって表示用透明電極１３をパターン形成して作製される。例文帳に追加

The one substrate 2 is manufactured by forming transparent electrodes 11 for forming the color filters on one surface 10a of a plastic substrate 10 having translucency, then forming the color filters 12 by an electrodeposition method using these electrodes 11 and patterning and forming transparent electrodes 13 for display by a photolithography method on the other substrate 10b of the substrate 10 with the formed color filters 12 as a mask. - 特許庁

マスク１７は、白色レーザ光１２の照射により生じた照射点１９からの表面反射光１３と観測領域１６ａから放出される内部拡散光１５のうち、表面反射光１３を光学的に遮断して内部拡散光１５を単一受光素子１６で受光させる役割を担っている。例文帳に追加

The mask 17 functions in such a way as to receive the internal diffuse light 15 at the single light-receiving element 16 by optically shielding the surface-reflected light 13 out of the surface-reflected light 13 generated by the irradiation of the while laser light 12 from the irradiation point 19 and the internal diffuse light 15 emitted from the area to be observed 16a. - 特許庁

ここで、超音波センサの設置角度θと出力画像のつなぎ目マスクパターンのなす角度φとは同一角度であり、超音波線センサ２９は出力画像における死角となる範囲の中心方向に対応して超音波センサの指向性の中心が向けられるように設置されているので、超音波センサ２９は、出力画像において死角となる範囲に位置する障害物を感度良く検出することが可能となる。例文帳に追加

Then, since the ultrasonic sensor 29 is installed so that the center of the directivity of the ultrasonic sensor is directed corresponding to the center direction of a range that becomes a dead angle in the output image, the ultrasonic sensor 29 can sensitively detect obstacles located in a range that becomes the dead angle in the output image. - 特許庁

基板上に絶縁膜を形成し、絶縁膜上にフォトレジストパターンを形成した後、フォトレジストパターンをマスクとして利用する第１食刻工程を通じて絶縁膜に第１寸法を有するトレンチを形成し、トレンチを含む絶縁膜を第２食刻工程を通じて食刻し、第２寸法を有する拡張されたトレンチを形成する。例文帳に追加

An insulating film is formed on a substrate; after forming a photoresist pattern on the insulating film, a trench, having a first dimension, is formed on the insulating film through a first etching process using the photoresist as a mask; and the insulating film, including the trench, is etched through a second etching process and an expanded trench, having a second dimension, is formed. - 特許庁

配線、ソルダーパッドをソルダーマスクを用いないで形成する方法であって、配線パターン形成用レジストを形成した後、そのままバッファメタル層あるいは電解メッキによる配線さらに電解メッキ法によるバッファメタル層、あるいは電解メッキ法による配線、さらに電解メッキによるバッファメタル層、電解メッキ法によるソルダー層を形成する方法である。例文帳に追加

In this method, wiring and solder pad are formed without using solder masks, namely after a wiring pattern forming resist is formed, a buffer metal layer or wiring by electrolytic plating is formed in direct, moreover, a buffer metal layer by the electrolytic plating method, or wiring by electrolytic plating, further a buffer metal layer by the electrolytic plating and solder layer by the electrolytic plating are formed. - 特許庁

ペリクルフレーム上面にペリクル膜を設け、前記ペリクルフレーム下面にフォトマスクに接着するための粘着面を形成してなる大型ペリクルの搬送方法において、前記ペリクルフレーム下面の一部を前記大型ペリクルの搬送用治具の表面に一時的に粘着させて搬送することを特徴とする。例文帳に追加

In the method for carrying a large pellicle, having a pellicle film disposed on the upper face of a pellicle frame and a tacky adhesive face formed on the lower face of the pellicle frame to adhere to a photomask, the pellicle is carried, while the lower face of the pellicle frame is partially adhered temporarily to the surface of a carrying tool for the large pellicle. - 特許庁

導電性プローブ1の先端に集束イオンビーム誘起化学気相成長金属膜で導電性のコイルバネ3を形成し、コイルバネ3によりマスクパターンとの接触圧を緩和して孤立したパターン4との導通を取り、チャージアップが起こらないようにしてから集束イオンビーム7で欠陥修正を行う。例文帳に追加

Prior to defect correction of the isolated pattern 4, a conductive coil spring 3 is formed at a tip of a conductive probe 1 by a focused ion beam-induced chemical vapor-grown metal film, and the probe is conducted with the isolated pattern 4 while reducing the contact pressure with a mask pattern by the coil spring 3 to prevent the charge-up. - 特許庁

被処理基板に対し処理液吐出ノズルから処理液を噴射して各種処理を行う際、被処理基板の処理寸法バラツキを制御できる処理液吐出ノズル及び被処理基板の処理方法並びに処理液吐出ノズル及び被処理基板の処理方法を用いて作製したフォトマスクを提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a processing liquid discharge nozzle capable of controlling processing size variance of a substrate to be processed when various processing is performed by jetting processing liquid to the substrate to be processed from the processing liquid discharge nozzle, a processing method for the substrate to be processed, and a photomask manufactured by using the processing liquid discharge nozzle and the processing method for the substrate to be processed. - 特許庁

液晶装置１００の電気光学装置用基板の製造工程において、４枚の露光マスク２１０、２０、２３０、２４０で大型基板４００に塗布した感光性樹脂１３８を順次露光して、累積露光量を領域毎に相違させることにより、高さ寸法の異なる複数種類の凸部を備えた下地層を形成する。例文帳に追加

In a stage of manufacturing the substrate for the electrooptical device of a liquid crystal device 100, photosensitive resin applied to a large-sized substrate 400 is exposed through four exposure masks 210, 220, 230 and 240 one after another while cumulative exposure quantities are made different by areas to form a primary coat having a plurality of kinds of projections differing in height. - 特許庁

この状態で、同図の（ｂ）に示すように、フェイズマスク８を介して光ファイバテープ心線２に光源５からの紫外光を照射することにより、光ファイバテープ心線２に並設されている複数の光ファイバのうち、裸光ファイバ１ａのグレーティング形成部６にのみグレーティングを形成する。例文帳に追加

In this state, as shown in Fig. 1 (b), the coated optical fiber tape 2 is irradiated with ultraviolet rays from a light source 5 through the phase mask 8, thereby forming a grating only in the grating forming part 6 of the bare optical fiber 1a, among the plural optical fibers arranged side by side in the coated optical fiber tape 2. - 特許庁

シリコン基板１０上にｎＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜１３およびゲート電極１４を非単結晶シリコンで形成し、ゲート電極１４をマスクとして例えばＡｓやＳｂ等の比較的質量数が大きい（質量数７０以上）ｎ型ドーパントを注入することで、ｎＭＯＳトランジスタのソースドレイン領域を形成する。例文帳に追加

A gate insulating film 13 and a gate electrode 14 of an nMOS transistor are formed on a silicon substrate 10 with non-single-crystal silicon, and a source-drain region of the nMOS transistor is formed by implanting an n-type dopant having a relatively large mass number (the mass number ≥70) such as As or Sb using the gate electrode 14 as a mask. - 特許庁

ｎ型シリコン半導体基板１１の表面にトレンチ形成パターンを有する酸化膜１４を形成し、この酸化膜１４をマスクとして半導体基板１１に超接合用トレンチ１６を形成し、エピタキシャル成長をおこなって超接合用トレンチ１６をｐ型半導体１７で埋める。例文帳に追加

The method for manufacturing the semiconductor substrate comprises the steps of forming an oxide film 14 having a trench forming pattern on the surface of an n-type silicon semiconductor substrate 11, forming a trench 16 for a super junction on the semiconductor substrate 11 with a mask of the oxide film 14, and conducting an epitaxial growing to bury the trench 16 with a p-type semiconductor 17. - 特許庁

制御部１３は、イグニッションスイッチＳＷ１のオンオフ操作に対応したイグニッション操作信号を入力し、該スイッチのオフ状態に対応したＬレベルの操作信号が入力された時には、開閉スイッチＳＷ２〜ＳＷ５からの開閉指令信号をマスク処理し、開閉スイッチＳＷ２〜ＳＷ５の操作が行われなかったとみなす。例文帳に追加

A control section 13 inputs an ignition operation signal corresponding to the on-off operation of the ignition switch SW1, mask-operates a switching-command signal from the switches SW2 to SW5 when an operation signal at an L level corresponding to the off state of the switch SW1 is input, and regards the switches SW2-SW5 as a nonoperation. - 特許庁

多孔質の絶縁体における平均空隙の大きさは、回転半径で前記露光光の波長に対して1/20以上10倍以下であり、マスクは、基板に貫通部用領域を形成するための平均透過率90％以上の第一の光透過領域４と、非貫通表層部用領域を形成するための平均透過率50％以下の第二の光透過領域５とを有することを特徴とする。例文帳に追加

The mask is provided with a first light transmitting region 4 which is used for forming the region for the penetrating part on the substrate and whose mean transmittance is at least 90% and a second light transmitting region 5 which is used for forming the region for the not-penetrating surface layer part and whose mean transmittance is at most 50%. - 特許庁

本発明のプラズマディスプレイパネルは、バリアーリブの基部層８ｂが明色で頂部層８ｔが暗色からなるバリアーリブ８が配列してなるプラズマディスプレイパネルにおいて、当該バリアーリブの頂部層が、ストライプパターン状に印刷して設けたブラストマスク兼バリアーリブ材料のブラスト残層からなることを特徴とする。例文帳に追加

In this plasma display panel, a top layer of the barrier ribs 8 is constituted of blast remaining layers of a barrier rib material used as a blast mask provided by being printed in a stripe pattern in the plasma display panel constituted by arraying the barrier rib 8 constituted of base layers 8b of bright colors and top layers 8t of dark colors. - 特許庁

本発明の照明光学系は、電子線を放出するカソードを有する電子銃１、電子線からなる電子線束の外形を成形する成形開口１３、カソードの像を成形開口にほぼ結像させるコンデンサレンズ３、１１、成形開口の縮小像をマスク上に結像させる照明レンズ１９、２５等備える。例文帳に追加

This illumination optical system is equipped with an electron gun 1, having a cathode which emits an electron beam, a form opening 13 forming an outline of an electron beam flux comprising the electron beam, condenser lenses 3 and 11 roughly forming an image of the cathode on the form opening 13, and illumination lens 19 and 25 forming a reduced image of the form opening 13 on a mask. - 特許庁

フッ素エキシマレーザを光源とし、マスクのパターンを投影光学系を介して感光基板に照射する露光装置において、前記フッ素エキシマレーザ光の真空紫外域の波長を露光光とし、前記フッ素エキシマレーザ光が同時に発光する可視光または赤外光を用いた光軸合わせ手段を設ける。例文帳に追加

An exposure system projects a mask pattern onto a photosensitive substrate using a fluorine excimer laser as a light source, where the beam of the excimer laser whose wavelengths are in a wavelength range of vacuum ultraviolet rays are used as an exposure light, and an optical axis aligning means in which visible light or infrared beams emitted from the fluorine excimer laser at the same time are used is provided. - 特許庁

レジストパターン１９をマスクとして、ドライエッチングによりＣＶＤ膜１３、ＳＯＧ膜１１、ＣＶＤ膜９を順にエッチング除去し、続けて積層膜７の上層部分をエッチング除去してトリミング窓開口部１５を形成し、薄膜抵抗体５の上面及び側面の一部を露出させる（Ｂ）。例文帳に追加

The CVD film 13, the SOG film 11 and the CVD film 9 are sequentially removed by dry-etching using a resist pattern as a mask, continuously a trimming window opening 15 is formed by etching a top layer portion of the multiplayer film 7 and then a part of an upper surface and a side surface of the thin film resistor 5 is exposed (B). - 特許庁

半導体装置１に電極を避けて樹脂の層４ａを形成する工程と、電極上及び樹脂の層４ａ上に導電層５を突起体４に応じてパターニングする工程と、パターニングされた導電層５をマスクとし、導電層５の間に位置する樹脂の層４ａを除去して突起体４を形成する工程とを有する。例文帳に追加

A method of manufacturing the semiconductor device comprises processes of forming a resin layer 4a, getting round the electrodes, patterning the conductive layer 5 on the electrodes and on the resin layer 4a in correspondence with the projections 4, and forming the projections 4 by removing the resin layer 4a located between the conductive layers 5, with the patterned conductive layer 5 as a mask. - 特許庁

陽極酸化工程において半導体基板１０の上記他表面側に対向配置される陰極２５が、半導体基板１０の上記他表面に所望のレンズ形状に応じた光強度分布を形成するように設計されてタングステンランプからなる光源３０と半導体基板１０の上記他表面との間に配置されるマスクを構成するようにパターン設計されている。例文帳に追加

In the anodizing process, the cathode 25 is arranged opposite to the other surface side of the semiconductor substrate 10 and a mask for patterning is designed so as to form a light intensity distribution in accordance with a desired lens shape on the other surface of the semiconductor substrate 10 and is arranged between a light source 30 composed of a tungsten lamp and the other surface of the semiconductor substrate 10. - 特許庁

磁性膜１４中にトラックガイド分離域を形成するために設けられた任意のパターン形状をしたマスク１８を磁性膜１４上に形成し、イオン１５と電子１６を磁性膜表面に対して照射し、かつ、基板１１に対して間欠的な電圧を印加することによって、照射された領域を非磁性化することでトラックガイド分離域１９を形成する。例文帳に追加

A mask 18 having an arbitrary pattern shape provided for forming the track guide separation area in the magnetic film 14 is formed on the magnetic film 14, and the track guide separation area 19 is formed by irradiating a surface of the magnetic film with ions 15 and electrons 16 and applying an intermittent voltage to the substrate 11, thereby non-magnetizing the area irradiated. - 特許庁

トリアジン系化合物を含む光重合開始剤を使用する際に、放射線の照射時にマスク付着物を生じることがなく、かつ現像性が優れ、また基板および遮光層への密着性にも優れた画素を与えることができるカラーフィルタ用感放射線性組成物、並びに該組成物から形成されたカラーフィルタを提供する。例文帳に追加

To prevent generation of deposited substrate on a mask in irradiation with radioactive rays in the case a photo polymerization initiator containing a triazine based compound is used, and to provide pixels which are excellently developed and which has excellent adhesiveness to a substance and a light shielding layer. - 特許庁

本発明の半導体装置の製造方法は、イオン注入法により半導体基板の表面に不純物の注入領域を形成する半導体装置の製造方法であって、半導体基板の表面に、ＳｉＯ_2膜と金属薄膜を備えるマスク層を形成する工程と、不純物イオンの注入を行なう工程を備えることを特徴とする。例文帳に追加

This method for manufacturing the semiconductor device for forming an impurity implantation region on the surface of a semiconductor substrate by an ion implantation method includes processes of: forming a mask layer including an SiO_2 film and a thin metal film on the surface of the semiconductor substrate; and implanting impurity ions. - 特許庁

ストリップ相互間の振動の伝達を減らしてストリップとダンパワイヤとの摩擦による振動減衰効果を向上させることができ、電子ビームとスロットとの干渉によるモアレ現象の防止及び画像の輝度を向上させ得るカラー陰極線管用テンションマスクフレーム組立体を提供する。例文帳に追加

To provide a tension mask frame assembly used in a color cathode-ray tube, capable of increasing the vibration damping effect by the friction between strips and damper wire by reducing the transmission of vibration between the strips, preventing the moire phenomenon due to the interference of electron beams with slots and increasing the brightness of the image. - 特許庁