「マスク」に関連した英語例文の一覧と使い方(618ページ目) - Weblio英語例文検索

マスクＲＯＭなどの半導体記憶装置に関し、外部から供給されるアドレス信号が示すアドレスが冗長アドレスと一致した場合、メモリセルアレイから出力されたデータが疑義出力データが「Ｈ」又は「Ｌ」に固定されない不良データである場合においても、正常な出力データを外部に出力する。例文帳に追加

To output normal output data to the external even when data outputted from a memory cell array are defective data whose doubtful output data are not fixed on 'H' or 'L' when an address indicated by an address signal supplied from the external to a semiconductor memory such as a masked ROM coincides with a redundant address. - 特許庁

透明基材上に、増感色素、重合開始剤、エチレン性不飽和基を有する化合物、バインダーポリマー、遮光材料を含む感光性組成物層を有するフォトマスクブランクスであって、前記増感色素が一般式（Ｓ１）〜（Ｓ５）で表される特定の化合物群より選ばれる少なくとも１種である。例文帳に追加

The photomask blanks have on a transparent substrate a photosensitive composition layer containing a sensitizing dye, a polymerization initiator, a compound having an ethylenically unsaturated group, a binder polymer, and a light blocking material, wherein the sensitizing dye is at least one selected from the group consisting of specific compounds represented by general formulae (S1) to (S5). - 特許庁

１ショットで複数チップ分のパターンを露光する際に、それらチップに各々対応するマスクパターンに従ってウエハ上にそれぞれ形成されるトランジスタの各ゲート電極幅をチップ毎に異ならせるので、従来のように、ゲート電極幅をウエハ毎に異ならせてトランジスタを試作する必要がなくなる。例文帳に追加

When patterns for a plurality of chips are exposed in one shot, as respective gate electrode widths of transistors, formed on a wafer according to mask patterns corresponding to the chips, are different for the respective chips, it is not necessary, unlike a conventional constitution, to make the gate electrode widths different for respective wafers to make trial products. - 特許庁

ＡｌまたはＡｌを主成分とする材料層をパターニングして所定のパターンの配線を形成する第１の工程と、上記配線上に所定の大きさの開口を有するマスク用フォトレジスト１００を形成して、上記配線の所定の領域を少なくとも硝酸を含むエッチング液でエッチングする第２の工程とを含む。例文帳に追加

This method includes a first process in which Al or a material layer primarily composed of Al is patterned and a prescribed pattern wiring is formed, and a second process in which a photoresist 100, having a prescribed size of aperture on the wiring is formed and a prescribed area of the wiring is etched with an etching solution including at least nitric acid. - 特許庁

１個のＭＯＳトランジスタで構成されるメモリセルにおいて、ＭＯＳトランジスタのチャネル領域外にイオン注入阻止膜が形成され、このイオン注入阻止膜を含むイオン注入マスクでもって所定のＭＯＳトランジスタのチャネル領域にコードイオン注入がなされ所定のトランジスタしきい値に設定される。例文帳に追加

A memory cell is formed of a single MOS transistor, wherein an ion implantation stop film 7 is formed outside the channel region of the MOS transistor, and code ions are implanted into the channel region of a prescribed MOS transistor by the use of an ion implantation mask that includes the ion implantation stop film 7 to set the MOS transistor at a prescribed threshold value. - 特許庁

半導体基板に埋め込み領域を形成する領域のうち、少なくともエミッタ領域となる領域の直下に他領域よりもマスク厚を厚くした厚膜領域を形成し、その後、不純物を拡散することにより、前記厚膜領域の下方域に不純物濃度が局所的に低濃度化された埋め込み領域を形成する。例文帳に追加

A thick-film region where mask thickness is thicker than other regions, is formed just under a region as at least an emitter region in regions forming a buried region to the semiconductor substrate, and the buried region with a partially low impurity concentration is formed in the lower region of the thick-film region by diffusing impurities. - 特許庁

本発明は、シリコン基板の第１面および第２面にエッチングマスクパターンを形成する工程と、前記シリコン基板のエッチング領域に先導孔を形成する工程と、前記シリコン基板を第１面および第２面の両面から異方性エッチングする工程と、を含むことを特徴とする液体吐出ヘッド用基板の製造方法である。例文帳に追加

A method for manufacturing the substrate for the liquid discharge head includes: the step of forming etching mask patterns on the first and second faces of a silicon substrate; the step of forming a leading hole in an etching region of the silicon substrate; and the step of anisotropic etching the silicon substrate from both the first and second faces. - 特許庁

続いて、凸部１２ａ同士に挟まれてなる各凹部１２ｂの底面及び壁面上に窒化シリコンからなるマスク膜１３を形成し、その後、シード層１２の上に、各凸部１２ａと接するようにＧａＮからなる選択成長層１４をその下面と溝部１２ｂの底面との間に空隙部１２ｃが設けられるように形成する。例文帳に追加

The method also includes the steps of then forming each convex part 12a and flanking GaN consisting of selecting growth layer 14 in air gap portion 12c between the lower surface and footprint of trench 12b like as elaborate on the seed layer 12. - 特許庁

この方法は、周波数範囲を示す少なくとも１つの周波数微分部、帯域クラスを示す少なくとも１つの帯域クラス微分部、およびトラフィック・チャネルを示す少なくとも１つのトラフィック・チャネル微分部に基づいて、トラフィック・チャネルを介した送信を符号化するコード・マスクを生成することを含む。例文帳に追加

The method generates the code mask to encode a transmission through a traffic channel on the basis of at least one frequency differentiator to indicate a frequency range, at least one bandwidth class differentiator to indicate a bandwidth class, and at least one traffic channel differentiator to indicate the traffic channel. - 特許庁

次に、マスクが形成された基板表面を、酸素を含む雰囲気で熱処理して導電性水素バリア膜の所定領域を酸化させ、コンタクトプラグに接する領域の少なくとも一部を導電性水素バリア層８とし、導電性水素バリア層となる領域以外に絶縁性水素バリア層９を形成する。例文帳に追加

The surface of the substrate 2 with the mask 7 formed thereon is subjected to heat treatment in an oxygen-containing atmosphere, and this oxidizes a predetermined region of the conductive hydrogen barrier film 6 for the conversion of at least a part of the region in contact with the contact plug 5 into a conductive hydrogen barrier layer 8. - 特許庁

配線用解像パターン１と、配線用解像パターン１の光隣接効果を補正するために配線用解像パターン１に離間して配置された非解像パターン２とを具備してなり、非解像パターン２の平面視形状が、その長手方向に沿って湾曲した形状とされていることを特徴とするフォトマスクを採用する。例文帳に追加

The photomask includes a resolution pattern 1 for wiring and a non-resolution pattern 2 which is disposed apart from the resolution pattern 1 for wiring, in order to correct an optical adjacency effect of the resolution pattern 1 for wiring, and the non-resolution pattern 2 has a shape curved along its lengthwise direction, in plan view. - 特許庁

また、その製造方法として、前記Ｓｉを含む基板の表面に集束したＧａイオン又はＩｎイオンを照射して、該基板の表面を削りながらＧａイオン又はＩｎイオンを注入し、該基板の表面にＧａ又はＩｎを含む層を形成し、これをエッチングマスクとしてドライエッチングする方法を構成する。例文帳に追加

Also, as the manufacturing method, the surface of the substrate including Si is irradiated with converged Ga ions or In ions, the Ga ions or In ions are implanted while shaving the surface of the substrate, a layer including the Ga or In is formed on the surface of the substrate, and dry etching is performed using the layer including the Ga or In as an etching mask. - 特許庁

ウエハ主面上に塗布されたフォトレジスト膜にマスクパターンを転写する際、アンダードーズあるいはデフォーカスまたはその両方の、オフコンディション条件で転写をした後、フォトレジスト膜に転写されたパターンを電位制御型外観検査用走査型電子顕微鏡（Scanning Electron Microscope：ＳＥＭ）で検査する工程を経て欠陥検査する。例文帳に追加

When transferring a mask pattern to a photoresist film applied on a wafer principal surface, after transferring on an off-condition of under dose or defocus or both, a defective inspection is carried out through a process which inspects a transferred pattern to the photoresist film with a scanning electron microscope (SEM) for a voltage potential controlling type visual inspection. - 特許庁

フラッシュメモリで高集積化を達成して、フローティングゲートとコントロールゲートに用いられるポリシリコンの間に構成されたインタポリ絶縁膜のカップリング比を高めるために、フローティングゲート用第２ポリシリコン膜１８をマスクを用いた蝕刻で形成せずに、下部に第１ポリシリコン膜１６を蒸着してこれを選択的に成長させ第２ポリシリコン膜を形成する。例文帳に追加

For the purpose of attaining a high integration of the flash memory to increase a coupling ratio of an interpolysilicon insulating film formed between polysilicons with use for floating and control gates, a second polysilicon film 18 for the floating gate is formed not by etching using a mask but by depositing a first polysilicon film 16 thereunder and selectively growing it. - 特許庁

この後、第１の部品実装機１３で、上記マスク位置情報に基づいてパレット１１に対する各基板の搭載位置を位置決めして各基板をパレット１１に粘着させた後、該パレット１１をスクリーン印刷機１４に搬送して、該パレット１１上の複数の基板に一括して所定のパターンをスクリーン印刷する。例文帳に追加

Then a first component mounting machine 13 determines mounting positions of the respective substrates on the palette 11 based upon the mask position information to stick the respective substrates on the palette 11, and the palette 11 is conveyed to the screen printer 14 to screen-print the predetermined pattern on the plurality of substrates on the palette 11 together at a time. - 特許庁

ペリクルフレーム３とペリクルフレーム３の上面に接着されたペリクル板４とからなるペリクル構造体であって、マスク５にペリクル構造体が装着された状態でペリクル構造体内部にガスを導入するためのガス導入孔１とペリクル構造体内部からガスを排出するためのガス排出孔２とを有する。例文帳に追加

The pellicle structure consisting of a pellicle frame 3 and a pellicle plate 4 adhered atop the pellicle frame 3 has a gas introducing hole 1 for introducing the gas into the pellicle structure in the state that the pellicle structure is mounted to a mask 5 and a gas discharge hole 2 for discharge the gas from the inside of the pellicle structure. - 特許庁

フォトマスク修正における耐磨耗性、機械的強度に優れ、突起のみがダイヤモンドでレバー部はダイヤモンド以外の材料のプローブや、ダイヤモンドでコーティングされたプローブに比べて高寿命であり、かつ先端が先鋭なダイヤモンドプローブの製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing of a diamond probe which is excellent in abrasion resistance and mechanical strength in the correcting of a photomask, has a sharp tip and a longer life than a probe with a protrusion alone composed of diamond and a lever composed of a material other than diamond, or a probe coated with diamond. - 特許庁

本発明は、薄膜トランジスタ２０におけるソース電極２０ｃとデータライン２２とを形成するためのパターンを備えたマスクによって、画素電極１６がデータライン２２に近隣する辺縁にソース電極２０ｃを形成し、ソース電極２０ｃと画素電極１６を連接することを特徴とする。例文帳に追加

By using a mask having a pattern for forming the source electrode 20c of a thin film transistor 20 and data lines 22, the source electrode 20c is formed in the peripheral region of pixels where the pixel electrode 16 is located in the vicinity of the data line 22, and the source electrode 20c and the pixel electrode 16 are coupled. - 特許庁

Ｘ線透過膜２上に選択的に形成されたＸ線吸収体１を有するＸ線マスクであって、このＸ線吸収体１として、アモルファス構造のＴａＳｉＡｌ、ＴａＳｉＴｉ、ＴａＳｉＣｒ、ＴａＳｉＭｏ、ＴａＳｉＣｕ、ＴａＧｅＡｌ、ＴａＧｅＴｉ、ＴａＧｅＣｒ、ＴａＳｉＭｏ、ＴａＧｅＣｕを用いる。例文帳に追加

This is an X-ray mask which has an X-ray absorber made selectively on an X-ray transmitting film 2, and as this X-ray absorber 1, amorphous structure of TaSiAl, TaSiTi, TaSiCr, TaSiMo, TaSiCu, TaGeAl, TaGeTi, TaGeCr, TaSiMo, or TaGeCu is used. - 特許庁

基材の被エッチング層表面に重合開始剤を含む下地活性層を選択的に形成する工程と、有機モノマーをリビングラジカル重合させて前記下地活性層に重合体層を形成する工程と、前記重合体層をマスクとして前記被エッチング層を選択的にエッチングする工程とを含むことを特徴とする。例文帳に追加

The pattern forming method includes: a step of selectively forming an under active layer containing a polymerization initiator on a surface of a layer to be etched on a substrate; a step of forming a polymer layer on the under active layer by living radical polymerization of an organic monomer; and a step of selectively etching the layer to be etched through the polymer layer as a mask. - 特許庁

その後、酸素ガス、アルゴンガス、水素ガス及びシリコンガスをベースとなる反応ガスとして用いるＰＶＤ法によって、隣り合うシリコン柱体１Ｆによって形成されるリセス１Ｒを完全に充填すると共に、リセス１Ｒの上方及びハードマスク３の上方にまで至る埋め込み酸化膜５を堆積する。例文帳に追加

After that, recesses 1R each formed by adjacent silicon columnar bodies 1F are completely filled by a PVD method using an oxygen gas, an argon gas, a hydrogen gas and a silicon gas as a base reaction gas, and a burying oxide film 5 is deposited up to the upper part of each of the recess 1R and the hard mask 3. - 特許庁

竹の繊維を主成分とした布帛であり、特にメチシリン耐性黄色ブドウ球菌に対して抗菌性を有し、病院のベッドシーツ、枕カバー、寝間着、白衣、マスク、包帯、ガーゼ、ワイシャツやブラウスのような中衣料、肌着・下着類、ベビー衣料、カーテン等の抗菌用途に用いられる竹繊維製抗菌性の織物、編物等の布帛。例文帳に追加

Cloth based on bamboo fibers has antibacterial properties especially against methicillin resistant Staplylococcus aureus and is used as a bed sheet, a pillow cover, a nightgown, a white overall, a mask, a bandage, gauge, inner clothing like a shirt or a blouse, underwear, an undershirt, baby clothing, a curtain or the like of a hospital. - 特許庁

シリコン基板１００Ａ上に転送ゲート絶縁膜１５０を介して第１ポリシリコン膜１５２Ａ、第１シリコン酸化膜１５４Ａを順次成膜した後、フォトマスク１６０を介してドライエッチング等を行い、第１シリコン酸化膜１５４Ａと第１ポリシリコン膜１５２Ａとを併せてパターニングする。例文帳に追加

A method for manufacturing a solid state imaging element comprises the steps of sequentially forming a first polysilicon film 152A and a first silicon oxide film 154A on a silicon substrate 100A via a transfer gate insulating film 150, then dry etching or the like via a photomask 160, and patterning the film 154A and the film 152A together. - 特許庁

そして、予め生成されている編集用画像Ｐ２と抽出されたＳＤ画像Ｐ１とを合成して、マスク領域が編集されたＨＤ映像サイズの合成フレーム画像Ｆ２を生成し、生成された合成フレーム画像Ｆ２で構成されるＨＤ映像を使用してノンリニア編集することを特徴とする。例文帳に追加

Then the image P2 for editing which is previously generate and the extracted SD image P1 are put together to generate a composite frame image F2 of HD picture size having the mask area edited, and the HD picture composed of the generated composite frame image F2 is used to perform the nonlinear editing. - 特許庁

マスク支持フレーム７を、長辺を構成する一対の第１フレーム構成部材１１と、一対の第１フレーム構成部材１１の同じ側にある端部同士を連結するように第１フレーム構成部材１１に溶接によって接合された、短辺を構成する一対の第２フレーム構成部材１２とにより構成する。例文帳に追加

The mask supporting frame 7 comprises a pair of first frame structural members 11 constituting a long side and a pair of second frame structural members 12 constituting a short side, welded to the first frame structural members 11 so as to connect the ends of the pair of first frame structural members 11 on the same side. - 特許庁

ドライバモニタリング装置が、車両内のドライバの顔の撮影画像に基づいて、ドライバの顔動作状態を検出するドライバモニタリング装置が、当該撮影画像に基づいて、ドライバについてのサングラスまたはマスクの着用状況を判定し（ステップ１３０）、その判定した着用状況に基づいて、ドライバの顔動作状態を検出する方法を選択する（ステップ１８０）。例文帳に追加

The driver monitoring device detecting the facial motion of the driver based on the photographic image of the face of the driver in the vehicle is configured to: determine whether the driver is wearing sunglasses or a mask (step 130); and select a method of detecting the facial motion of the driver based on the wearing state (step 180). - 特許庁

シリコン基板１上に絶縁膜２を介して、第１の水素バリア膜１０１、下部電極膜３０、強誘電体膜４、上部電極膜５０及び第２の水素バリア膜１０２を順次堆積し、マスク１０３を用いて水素バリア膜１０２及び上部電極膜５０を順次エッチングして上部電極５をパターン形成する。例文帳に追加

A first hydrogen barrier film 101, a lower electrode film 30, a ferroelectric film 4, an upper electrode film 50 and a second hydrogen barrier film 102 are deposited sequentially on a silicon substrate 1 through an insulation film 2 and then the hydrogen barrier film 102 and the upper electrode film 50 are etched sequentially using a mask 103 to form the pattern of an upper electrode 5. - 特許庁

開口部１０５に連通するトレンチ１０６ａを第２層間絶縁膜１０６に形成した後、レジストパターン１０７と第１ストッパ層１０５及びサイドウォール２０２ａをマスクにして第１層間絶縁膜１０４をエッチングし、トレンチ１０６ａ下部の第１層間絶縁膜１０４部分に接続孔１０４ａを形成する。例文帳に追加

After a trench 106a, communicating with the aperture 105a, is formed in the film 106, the film 104 is etched using a resist pattern 107, the layer 105 and the sidewall 202a as masks and a connection hole is formed in the part of the film 104 under the lower part of the trench 106a. - 特許庁

電子カメラでの撮影開始に先だって情報処理装置でオートセーブウインドウ１００を開き、チェックボックス１２１、１２２、１２４をクリックすると電子カメラから出力される画像データに対するトーンカーブ調整、アンシャープマスクフィルタ処理、解像度および画像サイズの変換等の処理内容を設定することができる。例文帳に追加

The image processing unit opens an automatic save window 100 prior to start of photographing by the electronic camera and a user clicks check boxes 121, 122, 124 to set processing contents such as tone curve adjustment, unsharp mark filter processing, resolution and conversion of image size of the like with respect to image data outputted from an electronic camera. - 特許庁

つぎに、所定領域が開口された保護酸化シリコン膜２および窒化シリコン膜３をマスクとして半導体基板１をエッチングすることにより半導体基板１に素子分離用の溝を形成し、溝の側壁面および底面に沿うように電磁波を吸収する絶縁性の遮光膜４０２を形成する。例文帳に追加

A trench for element isolation area is formed in the semiconductor substrate 1 by etching the semiconductor substrate 1 with the protective silicon oxide film 2 and the silicon nitride film 3 with the predetermined areas each opened as the masks, and an insulative shielding film 402 absorbing electromagnetic wave is formed so as to be along the side wall surface and bottom of the trench. - 特許庁

本発明は半導体素子の製造方法に関し、より詳しくはシリコンが含まれた反射防止膜を形成した後、Ｏ_２プラズマ工程を行なうことによりハードマスク層のコーティング及び食刻工程は１回のみ行なうようにして工程を単純化させ、時間及び費用を低減させる技術を示す。例文帳に追加

For the method of manufacturing the semiconductor element, more specifically, a technique is disclosed in which a reflection preventing film containing silicon is formed, and then, coating of a hard mask layer and an etching processes are executed only once by performing an O_2 plasma process to simplify processes, thereby reducing time and cost. - 特許庁

そして、シリコン基板は、多孔質領域形成工程において、弗酸を含有する電解液中で陽極酸化されることにより、一部領域を含む周囲領域に選択的に多孔質シリコン領域が形成され、多孔質シリコン領域とマスク薄膜との間に多彩な発色を示す表面薄膜が形成される。例文帳に追加

Then, the silicon substrate is subjected to anodic oxidation in an electrolyte containing hydrofluoric acid in a porous area formation step, thereby a porous silicon area is selectively formed in an area surrounding the partial area and a surface thin film developing various colors is formed between the porous silicon area and the mask thin film. - 特許庁

パーシャル用記憶装置１１０内の変更されたパーシャル表示領域最終ラインへの書込みタイミングを、パーシャル用記憶装置を制御するアドレスカウンタ１０８より判断して、次のフレームからパーシャル用記憶装置の画像データを選択するようにマスクスイッチ１１２を制御する。例文帳に追加

Write timing into the final line on the changed partial display area in the partial storage device 110 is decided from an address counter 108 which controls the partial storage device and the mask switch 112 is controlled so as to select the image data of the partial storage device from a subsequent frame. - 特許庁

半導体パッケージ基板において、バンプ付き片面基板をレイアップし、電解ニッケル金メッキを付け、外部端子をエッチングマスクとし銅箔をエッチングすることで、半導体パッケージを製造することで、安価に製造でき、ボンディング特性が安定し、高周波特性の良い半導体パッケージを提供できる。例文帳に追加

A semiconductor package of the semiconductor package base board is manufactured by laying up a one-side base board with a dump and applying electrolytic nickel plating, then, etching copper foil while employing an outer terminal as an etching mask, whereby the semiconductor package base board manufactured inexpensively and having stabilized bonding characteristics and excellent high-frequency characteristics is provided. - 特許庁

半導体レーザ素子４１０を位置決めするための一対の第１のベースマーク４０５がベース４００における半導体レーザ素子４１０が搭載される領域の両側における光軸に対して対称の位置に、ベース凹状溝４０１と同一のフォトマスクを用いて同一のエッチング工程により形成されている。例文帳に追加

A pair of first base marks 405 to position the semiconductor laser element 410 is formed in a symmetrical position against optical axes on both sides of the region where the semiconductor laser element 410 at the base 400 is mounted, by an identical etching process by using an identical photomask as the base concave shaped ditch 401. - 特許庁

極端紫外光を用いて、マスクに形成されたパターンを感応基板上に露光転写するための複数の反射鏡を有する投影光学系を備えた露光装置であって、前記複数の反射鏡のうち、少なくとも１つに露光光の反射率を監視する機器１１１を備えたことを特徴とする露光装置である。例文帳に追加

In the exposure device equipped with a projection optical system having a plurality of reflectors for exposure transferring a pattern formed on a mask to a photosensitive substrate by using extreme UV-light, at least one of the plurality of reflectors is provided with an apparatus 111 for monitoring the reflectivity of exposure light. - 特許庁

露光光源からの露光光により照明光学系を介してレチクル、マスク等の原板を照明し、前記原板に形成されたパターンをウエハ、プレート等の基板上に露光する露光装置であって、ステージ空間に少なくとも１個づつの給気ポートと排気ポートを備え、その空間内の気流分布を制御する。例文帳に追加

The aligner exposes a pattern formed in a negative plate on a substrate, such as a wafer and a plate, while irradiating the negative plate, such as a reticle and a mask via a lighting optical system by exposing light from an exposure light source, including at least respectively one air supply port and one exhaust port in the stage space so as to control air current distribution in the space. - 特許庁

開示されている電子線描画用マスク１は、ドーナッツ形状パターン（無端形状パターン）４が形成されたメンブレン構造体２と、直線形状パターン（無端形状パターン以外のパターン）５が形成されたステンシル構造体３とが、樹脂等の絶縁性接着剤等により貼り合わされて一体化されている。例文帳に追加

In a mask 1 for drawing disclosed electron beams, a membrane structure 2 where a donut-like pattern (a pattern in an endless shape) 4 is formed, and a stencil structure 3 where a pattern in a straight line shape (a pattern other than the pattern in an endless shape) 5 is formed are bond by an insulating resin or the like such as resin in one piece. - 特許庁

また、高エネルギー光源としてレーザーを使用する場合、マイクロレンズが形成される予定領域の感光材にレーザー光源を当ててレーザービームを照射することにより露光工程を行い、熱処理で露光された感光材表面を溶融させてマイクロレンズを形成できるので、露光工程時にマスクを省略できる。例文帳に追加

Also, in the case of using a laser as the high energy light source, since the exposure process is performed by exposing a laser light source to the photosensitive material of an area where the microlens is scheduled to be formed and irradiating it with a laser beam, the exposed photosensitive material surface is fused by the heat treatment and the microlens is formed, a mask can be omitted at the time of the exposure process. - 特許庁

少なくとも一方が透明な対向する２枚の基板間に、異なる表示色の表示媒体を構成するカラー粒子を３種類以上封入し、表示画面のエリアによって表示色を変化させた画像等の情報をカラー表示する情報表示用パネルにおいて、異なるカラー表示エリア境界に、着色樹脂を主成分とする境界マスク部２３を設けた。例文帳に追加

The information display panel has three or more kinds of color particles constituting a display medium having different display colors, enclosed between two substrates facing each other at least one of which is transparent, and displays information like an image in display colors varied by areas of a display screen, and a boundary mask part 23 consisting essentially of a color resin is provided in boundaries of different color display areas. - 特許庁

３つの顕微鏡撮像装置ＡＸ１、ＡＹ１、ＡＸ２を利用してマスク３２とウエハ４４の所定のチップとを位置決めし、この位置決めした時のθＸＹステージ７０の移動量から所定のチップ間の距離Ｌ_X,Ｌ_Y を求め、現在のウエハ４４のｘ方向及びｙ方向の伸縮率を測定する。例文帳に追加

The mask 32 is aligned with a specified chip on the wafer 44 utilizing three microscope imaging units AX1, AY1 and AX2, distances Lx and Ly between specified chips are determined from the moving amount of a θXY stage 70 at the time of alignment and then current expansion/ contraction rate of the wafer 44 is measured in the x direction and y direction. - 特許庁

このマスクカバー２に各カードスロットの開口部にそれぞれ適合した挿入孔ａ，ｂを設けると共に、１種類のメモリーカードが挿入された時は他の種類の挿入孔は対応するカードスロットから偏位するように配置し、且つ各カードスロットと挿入孔にカード案内用テーパー部ｔを設ける。例文帳に追加

Then, insertion holes (a) and b matched with the openings of the respective card slots are arranged in the mask cover 2, and when one kind of memory card is inserted, the other kinds of insertion holes are arranged so as to be deflected from the corresponding card slot, and the respective card slots and insertion holes are provided with taper parts t for card guidance. - 特許庁

（ａ）有機金属化合物を基板上にコートして薄膜を形成する段階と、（ｂ）マスクを用いた露光によって前記有機金属化合物を分解させて露光部と非露光部との溶解度差を誘発させた後、溶媒を用いて前記非露光部の有機金属化合物薄膜を除去する段階と、（ｃ）前記露光部を還元または酸化処理して金属または金属酸化物パターンを形成する段階とを含む。例文帳に追加

The method includes the steps of (a) forming a thin film on a substrate by coating it with an organometallic compound, (b) removing the film of the organometallic compound of the unexposed part with solvent, after decomposing the organometallic compound by exposure with masks to induce difference in solubility between exposed and unexposed parts and (c) forming a metal or metal oxide pattern reducing or oxidizing the exposed part. - 特許庁

複数の不揮発性記憶素子を含む半導体メモリを有する半導体装置の製造方法であって、電子線を透過させる透過部と電子線を遮光する遮光部とを有するマスクを半導体メモリ上に形成して、電子線を照射することにより、複数の不揮発性記憶素子のうちの一部の不揮発性記憶素子に選択的に電子線を照射することを含む。例文帳に追加

In the method for manufacturing a semiconductor device having a semiconductor memory including a plurality of nonvolatile memory elements, a mask having a light transmitter allowing passage of an electron beam therethrough and a light shielding part blocking passage of the electron beam therethrough is formed on the semiconductor memory, and the electron beam is applied onto the mask so that the electron beam is selectively applied only to some of the plurality of nonvolatile memory elements. - 特許庁

Ｘ線源１から出射したＸ線２を、Ｘ線マスク３ａ、３ｂを介してレジスト膜１０に照射する露光方法であって、レジスト膜１０に吸収されるＸ線の平均波長が、レジスト膜１０に照射されるＸ線２の平均波長以下となるように、レジスト膜１０を構成する材料を選択することを特徴とする。例文帳に追加

In this exposure method for irradiating X-ray 2 that is emitted from an X-ray source 1 to a resist film 10 via X-ray masks 3a, 3b, materials constituting resist film 10 are selected so that the average wavelength of X-rays that are absorbed in resist film 10 is below that of X-rays 2 that are irradiated to resist film 10. - 特許庁