「マスク」に関連した英語例文の一覧と使い方(617ページ目) - Weblio英語例文検索

帯状支持体の上に感光性層を有する感光材料を使用し、消費電力を低くし、所定のパターンを有するマスクを介して露光し、現像処理を経て、帯状支持体の上に連続した金属パターンを形成する電磁波遮蔽フィルムの製造方法及び電磁波遮蔽フィルムの提供。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing an electromagnetic wave shield film, in which a continuous metal pattern is formed on a belt-like base by using a photosensitive material having a photosensitive layer on the belt-like base, by performing exposure through a mask having a predetermined pattern while lowering power consumption, and by performing development processing; and to provide an electromagnetic wave shield film. - 特許庁

次に、メモリコントローラ１２は、特定の第２の値（例えば01h）を示すキーを指定するライトマスクコマンドをメモリデバイス１３に送信する処理と、書き込みデータの中で、値がffhの有効バイト部を除く他の各バイト部の値を、01hに置き換えた後に当該書き込みデータをメモリデバイス１３に送信する処理とを実行する。例文帳に追加

The memory controller 12 then executes processing for transmitting a write mask command for designating a key showing a specific second value (e.g., 01h) to the memory device 13 and processing for substituting the value of each other byte part except valid byte parts the value of which is ffh in the writing data by 01h and transmitting the resulting writing data to the memory device 13. - 特許庁

本発明は、透明基板１、前記透明基板１上に形成された略正多角形または略円形の遮光部２、および前記透明基板１上の前記遮光部２の外側に前記遮光部２と間隙をあけて形成された前記遮光部２と同心の補助遮光部３を有することを特徴とするプロキシミティ露光用フォトマスクを提供することにより、上記目的を達成する。例文帳に追加

The mask comprises a transparent substrate 1, a light-shielding portion 2 that is approximately a regular polygon or a circle formed on the transparent substrate 1, and an auxiliary light-shielding portion 3 concentric to the light-shielding portion 2, formed outside the light-shielding portion 2 leaving a gap from the portion 2 on the transparent substrate 1. - 特許庁

金属配線及びゲート電極を同時に形成したり、第１電極を形成する時、素子を電気的に連結する連結配線を形成することによって、従来に比べて、マスク工程の数を減少させることができ、これにより、工程を短縮することができ、製造コストを節減することができる有機電界発光素子及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an organic electroluminescence element which can reduce the number of mask processes than the conventional one by forming a connecting interconnection line for electrically connecting elements at the time of forming a metal interconnection line and a gate electrode at the same time and at the time of forming a first electrode and thereby can shorten the processes and reduce a manufacturing cost, and also to provide its manufacturing method. - 特許庁

樹脂の充填を容易に行うことができ、かつ気泡の残留に起因するプリント配線基板の品質低下を招くことがなく、更にマスク材を製作する工程を省略して充填工程を簡素化し、製造コストを削減することが可能なプリント配線基板の孔部充填方法を提供することにある。例文帳に追加

To provide a method of filling a hole bored in a printed wiring board with resin which is capable of easily filling the hole with the resin, preventing the printed wiring board from deteriorating in quality due to residues of air bubbles, dispensing with a mask material forming process to simplify a filling process, and reducing the manufacturing cost of the printed wiring board. - 特許庁

支持体の上に感光性層を有する感光材料を使用し、所定のパターンを有するマスクを介して連続して露光し、現像処理を経て、帯状支持体の上に連続した金属パターンを形成した、異物付着がなく、安定した導電性を有する電磁波シールドフィルムの製造方法と電磁波シールドフィルム及びこの電磁波シールドフィルムを使用したプラズマディスプレイパネルの提供。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing an electromagnetic wave shield film which has no foreign matter deposited thereon and has a stable electrical conductivity, and in which a light sensitive material having a light sensitive layer is used on a strip base, and is continuously exposed with a mask having a predetermined pattern to form a metallic pattern continuous on the strip base. - 特許庁

フリップチップ実装体の樹脂封止方法は、フリップチップ実装体に印刷マスクを重ね合わせて配線基板上の半導体チップの周囲に封止樹脂を印刷注入するフリップチップ実装体の樹脂封止方法において、前記配線基板と半導体チップの隙間に浸透させる封止樹脂で前記隙間内の空気を前記チップの片側から追い出すようにする。例文帳に追加

In this resin-sealing method of the flip-chip package where the print mask is overlapped to the flip-chip packaging body, and a sealing resin is subjected to print injection around a semiconductor chip on a wiring board, air inside clearance is discharged from one side of the chip by the sealing resin that is permeated to the clearance between the wiring board and semiconductor chip. - 特許庁

レーザ光を、マスク４１及び結像レンズ１４を介して加工対象物１９に照射して、前記加工対象物に所定の形状を加工するレーザ加工方法において、前記加工対象物１９を前記結像レンズ１４の結像位置の手前に配置して加工することにより、上記課題を解決する。例文帳に追加

In the laser beam machining method in which a prescribed shape is machined on a workpiece 19 by irradiating it with a laser beam through a mask 41 and an image-forming lens 14, the machining is performed by arranging the workpiece 19 before the image-forming position of the image forming lens 14, so that the smoothly surfaced tapered three-dimensional machining is realized. - 特許庁

高感度でマスクパターンの設計サイズを忠実に再現でき、かつ基板との密着性に優れ、１５０ｍＪ/ｃｍ^2以下の露光量で十分なスペーサー形状および膜厚を得ることを可能とし、また強度、耐熱性等にも優れた表示パネル用スペーサーを形成しうる感光性樹脂組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a photosensitive resin composition capable of faithfully reproducing the design size of a mask pattern with high sensitivity, excellent in adhesion to a substrate, making it possible to obtain a satisfactory spacer shape and thickness under an exposure energy of ≤150 mJ/cm^2, and capable of forming spacers for a display panel excellent in strength, heat resistance, etc. - 特許庁

光照射装置から光を照射し、被処理物にパターンを形成する際に用いる露光用マスクであって、 前記光照射装置からの光によって触媒機能を発現する光触媒によって形成された光触媒層１０１と、 前記光触媒層に接し、前記光照射装置からの光を選択的に遮光する開口が形成された遮光層１０２と、を備えている構成とする。例文帳に追加

The exposure mask is used to irradiate an object to be processed with light from a light irradiating device to form a pattern, and the mask comprises a photocatalyst layer 101 formed of a photocatalyst that develops a catalytic function by light from the light irradiating device and a light shielding layer 102 in contact with the photocatalyst layer and having an opening to selectively block the light from the light irradiating device. - 特許庁

本方法は、ゲート電極２６及びソース／ドレイン領域３２、３４にＣｏＳｉ_2 膜４０を形成する方法であって、Ｓｉ基板にイオン注入して不純物層３２、３４を形成し、次いでマスク酸化膜３０を除去して、シリサイド反応阻害層となる高濃度Ａs 存在域３６を金属面に露出させる（図３（ｂ））。例文帳に追加

This manufacture is one for forming a CoSi2 film in a gate electrode 26 and source/drain regions 32, 34, and ions are injected to a Si substrate to form impurity layers 32, 34, and next a mask oxide film 30 is removed, and a high concentration As existing region 36 as a silicide reaction hindering layer is exposed to a metal face. - 特許庁

空間光変調器（ＳＬＭ）を有するマスクレスリソグラフィシステムにおいて、対象上にグレースケールを形成する方法であって、当該方法は、前記対象を光で露光してパターンを形成すること、および前記対象の露光時間を変調して、対象上にグレースケールレベルの範囲を形成することを含む、ことを特徴とする、対象上にグレースケールを形成する方法。例文帳に追加

In a maskless lithographic system having a space light modulator (SLM), the method of forming the gray scale comprises the processes of: forming a pattern by exposing the above-mentioned object with light; and forming the region of the gray scale level on the object, by modulating the exposure time of the object. - 特許庁

固体高分子電解質膜を製造する際に、炭化水素や過フッ化炭化水素などを含有する高分子から成るベースフィルムを用意し（ステップＳ１００）、このベースフィルムを、所定の形状および配列の穴あき部を有するマスクで覆ってマスキングした後に（ステップＳ１１０）、放射線重合法によって側鎖の形成を行なう（ステップＳ１２０〜１３０）。例文帳に追加

When a solid-polymer electrolytic membrane is manufactured, a base film consisting of a polymer containing hydrocarbon, perfluoro- hydrocarbon, etc., (step S100), which is masked by covering with a mask perforated by prescribed shape and array (step S110), followed by formation of side chains with radiation polymerizing method (step S120 to 130). - 特許庁

本発明の一態様にかかる汚染防止装置は、波長１６６ｎｍ以下の真空紫外光を発生する光源と、光源からの真空紫外光のビームをＥＵＶ露光装置１０１内に収容されたＥＵＶマスク１０８に対して照射させる光学系（ミラー１０４ａ、１０４ｂ等）と、を備えるものである。例文帳に追加

The contamination prevention device comprises a light source generating vacuum ultraviolet light having a wavelength of 166 nm or shorter, and an optical system (mirrors 104a, 104b, and the like) through which an EUV mask 108 housed in an EUV exposure device 101 is irradiated with vacuum ultraviolet light from the light source. - 特許庁

配線層若しくは電極を形成する導電層や、所定のパターンを形成するためのマスク層など液晶表示装置を作製するために必要なパターンのうち、少なくとも一つ若しくはそれ以上を、選択的にパターンを形成可能な方法により形成して、液晶表示装置を製造することを特徴とするものである。例文帳に追加

In a method of manufacturing a liquid crystal display device, the display device is manufactured by forming at least one or more patterns of the patterns of wiring layers for forming wiring layers or electrodes, conductive layers for forming electrodes, mask layers for forming prescribed patterns, etc., required for manufacturing the display device by a method by which the patterns can be formed selectively. - 特許庁

マスク製造用データ４中のそれぞれのパターンには、フォトリソグラフィーによって半導体基板上に作り込まれるときに、電気的にアクティブな領域を形成するアクティブ領域対応パターンであるのか、又は、電気的にノンアクティブな領域を形成するノンアクティブ領域対応パターンであるのかに係る属性情報が付与されている。例文帳に追加

Attribute information is imparted to each pattern in a mask production data 4, the attribute information relating to whether the pattern corresponds to an active region where an electrically active region is to be formed, or corresponds to a nonactive region where an electrically nonactive region is to be formed upon fabricating on the semiconductor substrate by photolithography. - 特許庁

マスク１０は、一枚のシート材１１を折曲線Ｘに沿って縦に二つ折りして左右対称に形成された第１パネル２１及び第２パネル２２を有し且つ折曲線Ｘと交差する少なくとも一本の接合線３１によって両パネル２１，２２の一部が接合されて形成された覆い部１２を備える。例文帳に追加

The mask 10 has a cover part 12 which comprises symmetrical first and second panels 21 and 22 formed by folding a sheet material 11 longitudinally along a folding line X and is made by bonding a part of the panels 21 and 22 on at least one bonding line 31 that crosses the folding line X. - 特許庁

透明基板１０１上に少なくともクロムとフッ素とを含むハーフトーン位相シフト膜１０２のパターンを有するハーフトーン位相シフトフォトマスク１０８において、ハーフトーン位相シフト膜１０２により熱処理を施した膜をパターニングすることにより、露光用エキシマレーザー照射における光学特性変化を低減した。例文帳に追加

In this half-tone phase-shifting photomask 108 having a pattern of a half-tone phase-shifting film 102 which includes at least chromium and fluorine on a transparent substrate 101, the optical characteristic variation due to the excimer laser irradiation for exposure is reduced by patterning the film which is subjected to heat treatment with the half-tone phase-shifting film 102. - 特許庁

そして、このフラーレン蒸着膜１３に対して、各領域１３ａ，１３ｂ，１３ｃごとに所定量のビームを照射した後、フラーレン蒸着膜１３に有機溶剤を供給して、未反応のフラーレンを溶解して除去することにより、ガラス基板１１上に部分的に厚みが異なるマスクパターン１２が得られる。例文帳に追加

The vapor deposited fullerene film 13 is irradiated with beams of a prescribed quantity by each of respective regions 13a, 13b and 13c and thereafter an organic solvent is supplied to the vapor deposited fullerene film 13 and the unreacted fullerene is dissolved away, by which the mask patterns 12 having the partially different thicknesses are obtained on the glass substrate 11. - 特許庁

優先ベクトル割り込みユニット２８は、ベクトル割り込みマスクユニット４０、ベクトル割り込みサンプラーユニット４２、ベクトル割り込み優先フィルターユニット４４、ベクトル割り込みリセットユニット４６、ベクトル割り込みデコーダ４８、ベクトル割り込み制御ユニット５０及びスパーバイザーモード制御ユニット５２から構成されている。例文帳に追加

In a priority vector interrupt system, a priority vector interrupt unit 28 comprises a vector interrupt mask unit 40, a vector interrupt sampler unit 42, a vector interrupt priority filter unit 44, a vector interrupt reset unit 46, a vector interrupt decoder 48, a vector interrupt control unit 50, and a supervisor mode control unit 52. - 特許庁

強誘電体基板１の所望領域２０を分極反転させる分極反転形成方法において、該強誘電体基板の表面の該所望領域に対し、電極パターン又はマスクパターンを微細なパターンの集合体として形成し、該所望領域に所定の電圧を印加することを特徴とする。例文帳に追加

In the polarization inversion forming method for polarization-inverting a desired area 20 of a ferroelectric substrate 1, an electrode pattern or a mask pattern is formed on the desired area on the surface of the ferroelectric substrate 1 as an aggregate of fine patterns and a prescribed voltage is applied to the desired area. - 特許庁

本発明のフォトマスクは、ガラス基板１０と、該基板１０の上に配置された孤立ラインパターン１１ｃ及び密集ラインパターン１１ａ，１１ｂと、該孤立ラインパターン１１ｃ、該密集ラインパターン１１ａ，１１ｂ及び該基板１０の全面上に形成されたフォトクロミック材料膜１２と、を具備するものである。例文帳に追加

The photomask has a glass substrate 10, an isolated line pattern 11c and a dense line pattern 11a, 11b disposed on the substrate 10 and a photochromic material film 12 formed on the entire surfaces of the isolated line pattern 11c, the dense line pattern 11a, 11b and the substrate 10. - 特許庁

高い偏向角を有する近年の薄型ブラウン管のように電子ビームの入射角が大きくなった場合であっても、電子ビームの欠けを極力抑えてブラウン管の蛍光体上に所定大きさと形状のビームスポットをランディングさせることができるスロット構造を有するシャドウマスクを提供する。例文帳に追加

To provide a shadow mask with a slot structure capable of having beam spots of a given size and shape land on phosphors of a cathode-ray tube by suppressing a chip of electron beams even in case an incident angle of the beams becomes large like a recent thin cathode-ray tube with a high deflection angle. - 特許庁

ブラックマトリックスと着色層の間に隙間ができたり、着色層同士の重なりが発生したりしないような、良好な品質の液晶表示素子用カラーフィルターを得ることが可能な液晶表示素子用カラーフィルターの製造方法およびカラーフィルターの製造に使用されるフォトマスクを提供する。例文帳に追加

To provide a method of producing a color filter for a liquid crystal display device by which formation of a gap between a black matrix and a color layer or overlapping of color layers are prevented and the color filter having satisfactory quality can be obtained, and to provide a photomask used for the production of the color filter. - 特許庁

本発明は、ガラス板、特にディスプレイ用ガラス基板、特にフラットパネルディスプレイ用ガラス基板やフォトマスクとして使用されるガラス板、レンズや光フィルタ等の光部品用のガラス材、の溶融プロセスにおいて、溶融ガラス内部に存在する泡を消去する新規な方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a novel method of eliminating bubbles existing inside molten glass in a melting process for a glass plate, particularly a glass substrate for display, more particularly a glass plate for flat panel display, a glass plate used as a photomask or a glass material for optical components such as a lens or an optical filter. - 特許庁

架橋効率が高く、露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが大幅に高く、高感度で高解像性を有し、また、現像時の膨潤が小さいためパターン崩壊やラインエッジラフネスが低減される、特に超ＬＳＩ製造用あるいはフォトマスクパターン作成における微細パターン形成材料として好適なレジスト材料を提供する。例文帳に追加

To provide a resist material having high crosslinking efficiency, very high contrast of alkali dissolution rate before and after exposure, high sensitivity and high resolution, less liable to swell during development, so that pattern collapse and line edge roughness are reduced, and suitable for use as a fine pattern forming material particularly for VLSI manufacture or in photomask pattern formation. - 特許庁

本発明の半導体装置の製造方法は、被加工表面上に本発明のレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成した後、露光し、現像することによりレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、該レジストパターンをマスクとしてエッチングにより前記被加工表面をパターニングするパターニング工程とを含む。例文帳に追加

A method for manufacturing a semiconductor device includes; a resist pattern forming step of forming a resist pattern by forming a resist film on a surface to be processed, with the resist composition, exposing and developing the resist film; and a patterning step of patterning the surface to be processed, by etching through the resist pattern as a mask. - 特許庁

ＯＰＣ精度が必要な領域と必要ではない領域の境界部分で精度が必要な領域を精度の高い領域に適した領域分拡張し、精度が必要ではない領域は精度の高い領域に適した領域分縮小する領域調整を行って、調整された領域データに基づいてＯＰＣ対象パターンの計算精度を決めてＯＰＣ付加計算を行ってマスクデータを生成する。例文帳に追加

Then the calculation accuracy of the OPC object pattern is determined based on the adjusted area data and OPC additional calculation is carried out to generate mask data. - 特許庁

シリコン基板１上に絶縁膜２を介して、第１の水素バリア膜１０１、下部電極膜３０、強誘電体膜４、上部電極膜５０及び第２の水素バリア膜１０２を順次堆積し、マスク１０３を用いて水素バリア膜１０２及び上部電極膜５０を順次エッチングして上部電極５をパターン形成する。例文帳に追加

A first hydrogen barrier film 101, a lower electrode film 30, a ferroelectric film 4, an upper electrode film 50 and a second hydrogen barrier film 102 are sequentially deposited on a silicon substrate 1 via an insulating film 2, the film 102 and the film 50 are sequentially etched by using a mask 103, and an upper electrode 5 is pattern formed. - 特許庁

この方法において、少なくともほぼ同じ初期のエネルギーを有する粒子からなる粒子のビーム(Ｐ)は、半導体素子(１)に到達する前に、マスク(２３，２３’)を通過することによって、粒子(ａ，ｂ，ｃ，ｄ)が異なるエネルギー値を有する、即ち少なくとも２つのエネルギー値のグループは区別できるように作用される。例文帳に追加

Related to the method, beam P of particles consisting of, at least, almost the same initial energy so acts as to discriminate at least two energy-value groups, with particles a, b, c, and d having different energy value, by passing masks 23 and 23' before reaching the semiconductor element 1. - 特許庁

少なくとも二種類のポリシランを少なくとも二層に分けて成膜した反射防止膜を、レジストパターンをマスクとしてドライエッチングを行う際、加工形状の断面が垂直状に得られるようになり、エッチング時の反応生成物によって生じるマイクロローディング効果の影響を制御できる。例文帳に追加

To obtain a vertical section in a treated shape, when an antireflection film formed of at least two separate layers of at least two kinds of polysilanes is dry-etched with a resist pattern used as a mask and thereby to enable control of the influence of microloading effects produced by a reaction product in etching. - 特許庁

インターホン装置間で通話がなされるインターホンシステムにおいて、インターホンシステムが配置される住戸の外に飛散する花粉量を検知する花粉量検知手段と、該花粉量検知手段が検知した花粉量に基づいて、外出時にマスクを携帯する旨のメッセージを音声出力させる音声出力部を備えた。例文帳に追加

The intercom system communicating between intercom devices comprises a pollen amount detecting means for detecting the amount of pollen flying around the residence, where the intercom system is arranged, and a voice output section which outputs a voice message recommending the resident to wear the mask when going out, on the basis of the amount of pollens detected by the pollen amount detecting means. - 特許庁

このフォトマスクでは、チップパターン配置領域２が、マーク類をウエハ上に転写するためのマークパターン５、６を含むマークパターン部３を半導体チップパターン部１とは別個に有するので、半導体チップパターン部がマークパターンを含んでいる場合に比べて、半導体チップのチップサイズを縮小できる。例文帳に追加

In the photomask, a chip pattern layout area 2 includes a mark pattern portion 3 including mark patterns 5, 6 to transfer marks onto a wafer, separately from a semiconductor chip pattern portion 1, and therefore, the chip size of the semiconductor chip can be reduced compared to a mask having a semiconductor chip pattern portion including a mark pattern. - 特許庁

マルチレベルセルにおいてハードマスク層を用いて１つのセルに大きさの異なる２つのフローティングゲートを簡単に形成することにより、トンネル酸化膜の膜質の低下を防止することができ、カップリング比を増加させることができるフラッシュＥＥＰＲＯＭセル及びその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a flash EEPROM cell of a multi-level type which can prevent reduction of the quality of a tunnel oxidation film and can increase a coupling ratio, by simply forming two floating gates having different sizes for a single cell with use of a hard mask layer, and also to provide a method for manufacturing the cell. - 特許庁

この方法は、基板に投影されるべきパターンを選択するために、複数のパターンを有するマスクを回転することと、選択パターンに対応するパターンを放射ビーム断面に付与するために選択パターンを使用することと、パターンが付与されたビームを基板の目標部分に投影することと、を含む。例文帳に追加

This method includes, in order to select a pattern to be projected on the substrate, rotating a mask having a plurality of patterns by using of a selected pattern in order to impart a pattern, corresponding the selected pattern to the cross section of an emitted beam, and projecting the patterned beam on a target portion of the substrate. - 特許庁

本発明は、上部から照射されたレーザー光を回折して格子状の干渉縞を形成する位相格子マスクを用いて、照射されたレーザー光を干渉させ、その干渉光を物質表面に塗布又は堆積したレジストに照射し、現像することによって、前記周期構造に対応するパターンを形成する。例文帳に追加

A laser beam applied by using a phase grating mask which diffracts the laser beam applied from above and forms grid-shaped interference fringes is allowed to interfere, a resist coated or deposited on the material surface is irradiated with the coherent beam and is developed and, thereby, a pattern corresponding to the periodic structure is formed. - 特許庁

トレンチゲート構造を有する半導体装置の製造方法において、ゲート絶縁膜を保護しながらトレンチ形成用のマスク材をエッチング除去することができ、かつ、トレンチゲート電極の断面をＴ字形状とした場合よりも、セルを微細化することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device having a trench gate structure, which is capable of removing a trench forming mask material by etching while protecting a gate insulating film and making cells finer than that in a case where a trench gate electrode is set T-shaped in cross section. - 特許庁

不純物領域形成のためのあわせマークによって形成されたレジストパターンを残した状態で、このあわせマークに相当する領域のレジストパターンをマスクとして部分的にエッチングを行い合わせ溝を形成し、このあわせ溝を位置あわせの基準マークとして用い、不純物領域に対する位置あわせを可能にしたことを特徴とする。例文帳に追加

The alignment groove G is used as a reference mark for alignment to enable alignment relative to the impurity region. - 特許庁

パターニングされたレジスト膜をマスクとして被エッチング体をドライエッチングする際に用いられるドライエッチング用ガスであって、前記ドライエッチング用ガスはＣ／Ｆ値（フッ素化合物中のＣ元素とＦ元素との原子数の比）が０．５より大きいフッ素化合物を含むことを特徴とするドライエッチング用ガス。例文帳に追加

This gas for dry etching that is used, when performing the dry etching of a body to be etched with a resist film that is subjected to patterning as a mask containing a fluorine compound, where a C/F value (the ratio of the number of atoms between C and F elements in the fluorine compound) is larger than 0.5. - 特許庁

Ｘ線画像処理において、パノラマ撮影またはセファロ撮影により得られたデジタルＸ線画像データを２次元フーリエ変換し、次に、得られたフーリエ変換データに対して、２次元周波数空間の縦方向と横方向で周波数特性の異なるマスクの値と乗算して、フーリエ変換データを変化させる。例文帳に追加

In X-ray image processing, digital X-ray image data obtained by panoramic radiography or cephalometric radiography is subjected to two-dimensional Fourier transformation, and obtained Fourier transformed data is multiplied by a mask value with different frequency characteristics in the vertical direction and lateral direction of a two-dimensional frequency space to change the Fourier transformed data. - 特許庁

本発明は、複数の書類で構成される文書の状況を簡単かつ確実に把握でき、かつ効率的にマスク処理が行える文書管理システム及び文書管理方法、並びにコンピュータを用いて上記文書管理システムを構築するためのコンピュータ読み取り可能な記録媒体を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide document management system and method capable of simply and surely grasping the state of a document constituted of plural papers and efficiently executing mask processing and a computer readable recording medium for constructing the document management system by using a computer. - 特許庁

本発明は、２枚の回転文字盤を使用し、かけ算九九の問題とその答が大きな文字で被乗数×乗数＝答の形で具体的に提示できるようにし、３枚の文字マスク使用で、九九で構成される全ての問題が提示でき、意図する問題が即座に提示できるようにした小黒板形式の回転式九九指導教具の提供が目的である。例文帳に追加

To provide a small-blackboard type rotary multiplication instruction tool which can immediately present intended problems by presenting problems of multiplication and the answers to them with large characters concretely in the form of 'a multiplicand by a multiplier make a product' by using two rotary dials and also presenting all problems consisting of multiplication by using three character masks. - 特許庁

極端紫外光を用いて、マスクに形成されたパターンを感応基板上に露光転写するための複数の反射鏡（Ｍ１−Ｍ６）を有する投影光学系を備えた露光装置であって、前記複数の反射鏡のうち、少なくとも１つの反射鏡を外部と絶縁した状態で保持することを特徴とする露光装置である。例文帳に追加

The aligner comprises a projection optical system having a plurality of reflectors (M1-M6) performing exposure and transfer of a pattern formed on a mask onto a photosensitive substrate using extreme ultravoilet light wherein at least one of the plurality of reflectors is held in a state insulated from the outside. - 特許庁

同一のレイヤー上に形成される第１感知パターンおよび第２感知パターンに対して前記第１または第２感知パターンを連結する連結パターン形成のためのマスク工程を除去するとともに、交差部の寄生キャパシタンスを低めてセンシング感度の低下を防止するタッチスクリーンパネルおよびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a touch screen panel for preventing the decrease in sensitivity by removing a mask step for forming a connection pattern for connecting a first sensing pattern or a second sensing pattern formed on the same layer to the first sensing pattern and the second sensing pattern and by decreasing the parasitic capacitance at the intersection, and provide its manufacturing method. - 特許庁

本発明は、水分に非常に弱い特性を有する低分子有機半導体物質をシャドーマスクを利用しないで数μｍまで調節可能な微細パターンで形成することができ、微細パターンされた低分子有機半導体層の損傷なしに低分子有機半導体物質を利用した液晶表示装置用アレイ基板の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing an array substrate for a liquid crystal display device that can form a small molecule organic semiconductor material having characteristics of being very weak against water in a fine pattern adjustable to several μm without using a shadow mask, and uses the small molecule organic semiconductor material without damaging the small molecule organic semiconductor layer in the fine pattern. - 特許庁