「マスク」に関連した英語例文の一覧と使い方(619ページ目) - Weblio英語例文検索

アウターリード部の信号配列を変更するには、ＩＣチップの電極パッドの信号配列を変更するか、金属細線が交差するようなワイヤボンディングを選択することになり、ＩＣチップの再設計、製造するためのフォトマスク類の再作製およびそれらにかかる期間および費用の問題が生じる等の問題が生じる。例文帳に追加

To obtain a general-purpose semiconductor integrated circuit device by modifying the signal arrangement freely with a re-routing pattern produced through the patterning of a lead frame. - 特許庁

分子の放出のためのデバイスを製造する方法であって、基板を提供する工程；エッチマスクとして使用するために、基板上に絶縁性材料を堆積させ、そしてパターニングする工程；基板中に複数のリザーバをエッチングする工程；リザーバに放出システムおよびキャップ材料を充填する工程；および放出システムおよびキャップ材料をエッチングする工程を包含する、方法。例文帳に追加

The method for producing the device for releasing molecules comprises the step of providing a substrate, the step of accumulating an insulation material on the substrate followed by patterning for the purpose of using as an etching mask, the step of etching a plurality of reservoirs in the substrate, the step of filling a releasing system and a capping material in the reservoirs, and the step of etching the releasing system and the capping material. - 特許庁

基板ステージＳＴに並べて保持された一方の基板Ｗ１（Ｗ２）にマスクパターンを露光するときに、他方の基板Ｗ２（Ｗ１）のアライメント情報の検出を並行して行なうように、光学系ＰＬと第１および第２のアライメント光学系ＡＡ１ａ，ＡＡ１ｂ、ＡＡ２ａ，ＡＡ２ｂを配置する。例文帳に追加

An optical system PL and first and second alignment optical systems AA1a, AA1b, AA2a, and AA2b are so provided that detection of alignment information for one wafer W2 (W1) is performed in parallel, when the other wafer W1 (W2) which is held side by side on a wafer stage ST is exposed with a mask pattern. - 特許庁

耐熱性高分子材料をコア、クラッドに用いた光導波路を作製するプロセスにおいて、５２３Ｋ以上の耐熱性を有し、１.５×１０^−５以上、１.０×１０^−４以下の線膨張係数を有する金属または合金を微細加工用のマスク、位置合わせマーカーまたは剥離用膜として用いる。例文帳に追加

In a process for manufacturing an optical waveguide, using a heat-resisting polymeric material in the core and clad, a metal or alloy having heat resistance for withstanding at 523K or higher and a coefficient of linear expansion of 1.5×10-5 to 1.0×10-4 is used as the material of a mask for microfabrication, aligning markers or a film for peeling. - 特許庁

その後、層間ズレ測定用パターン上のレジストパターンと層間ズレ測定用パターンとのズレを測定した後、アッシングにより表示領域に位置するレジストパターンを残しつつ層間ズレ測定用パターン上のレジストパターンを除去し、残った表示領域のレジストパターンをマスクとして第２層をパターニングする表示装置の製造方法。例文帳に追加

After a shift between the resist pattern on the pattern for interlayer shift measurement and the pattern for interlayer shift measurement is measured, the resist pattern on the pattern for interlayer shift measurement is removed by ashing while the resist pattern in the display region is left, the remaining resist pattern in the display region is used as a mask to pattern the second layer in the method of manufacturing the display device. - 特許庁

加工マスク用多結晶シリコン膜ＰＳ１、ＰＳ２間の距離をＬ１とし、側壁スペーサＳＷＬ、ＳＷＲとなる酸化シリコン膜の膜厚をＴＳＷとし、製造プロセスにおける最小加工寸法を１Ｆとした際に、Ｌ１＞ＴＳＷ×２、かつＬ１−２×ＴＳＷ＜１Ｆとなるように各寸法を設計する。例文帳に追加

Respective dimensions are designed so as to satisfy L1>TSW×2 and L1-2×TSW<1F where L1 is a distance between polycrystalline silicon films PS1, PS2 for a processing mask, TSW is the film thickness of each of silicon oxide films serving as sidewall spacers SWL, SWR, and 1F is a minimum processing size of a manufacturing process. - 特許庁

フラッシュメモリ素子のフローティングゲート形成方法において、ハードマスク用窒化膜をマルチストリップを通じて除去することにより、フローティングゲート用ポリ蒸着時にシームが発生することを防止し、フローティングゲート用ポリをブランクエッチングしてフローティングゲート用ポリの上端の角部を丸くすることにより、コントロールゲート用ポリ蒸着時にボイドが発生することを防止する。例文帳に追加

In the floating gate forming method of a flash memory element, by removing an oxynitride film for hard mask through multi-strip, seams are prevented from occurring in poly deposition for the floating gate, and by blank-etching of poly for the foating gate and making the upper end of the poly for the floating gate round, a void is prevented from occurring in poly deposition for a control gate. - 特許庁

露光パターンを複数に分割して形成される分割パターンＢ１〜Ｂ５、Ｂ９を有し、分割パターンを組み合わせて露光を行うためのリソグラフィ用マスクであって、分割パターンの分割部は分割パターンどうしＳ１、Ｓ２がかみ合う形状となっており、分割パターンの対向する辺は互いにかみ合わせ可能な逆パターンＳ２、Ｓ３となっている。例文帳に追加

The mask for lithography has divided patterns B1 to B5, and B9 formed by dividing an exposure pattern into a plurality of patterns and combines divided patterns for exposure, and divided parts of the divided patterns are characterized in that the divided patterns S1 and S2 mesh each other and opposite sides of the divided patterns are inverse patterns S2 and S3 which can mesh each other. - 特許庁

本発明は結晶構造を有する半導体膜へマスク１７を用いて希ガス元素（希ガスとも呼ばれる）を添加した不純物領域１８を形成し、半導体膜に含まれる金属元素を加熱処理により前記不純物領域１８に偏析させるゲッタリングを行った後、前記不純物領域１８をソース領域またはドレイン領域とする。例文帳に追加

A method for manufacturing a semiconductor device comprises the steps of forming an impurity region 18 in which a rare gas element (also called rare gas) is added by using a mask 17 for a semiconductor film having a crystal structure, gettering to segregate a metal element contained in the semiconductor film to the impurity region 18 by heat treating, and then forming a source region or a drain region of the impurity region 18. - 特許庁

絶縁樹脂上にある金属箔８を給電層としてパターン電気めっきにより導体回路を作製する工程を有するプリント配線板の製造方法において、金属箔の厚みが２．０μｍ以下であり、金属箔上にマスク穴を形成した後にレーザー照射をすることで層間接続用の穴１０を形成する工程を有するプリント配線板の製造方法である。例文帳に追加

A method of manufacturing the printed wiring board comprises processes of forming a conductor circuit by pattern electroplating, with a metal foil 8 on top of insulation resin as a power supply layer, the thickness of the metal foil being 2.0 μm or below; and forming a hole 10 for interlayer connection by first forming a mask hole on the top of the metal foil and then irradiating a laser beam thereon. - 特許庁

透明導電膜５４が形成されたガラス基板５０上に、フォトレジスト塗膜２０を設け、露光・現像によりフォトスペーサーを形成する工程を具備し、前記フォトマスクを用い周辺駆動回路と対向する部位に絶縁膜５７をフォトスペーサーＰｓの高さより低く、フォトスペーサーの形成と同時に形成する。例文帳に追加

The method for manufacturing a color filter includes steps of applying a photoresist coating film 20 on a glass substrate 50 where a transparent conductive film 54 is formed and exposing and developing the resist to form a photospacer, wherein the insulating film 57 is simultaneously formed while forming the photospacer, in a portion opposing to the peripheral driving circuit and to be lower than the height of the photospacer Ps by using the above photomask. - 特許庁

半導体装置の製造方法はシリコン基板１上にシリコンを含有するＡｌ合金膜３を形成する工程と、Ａｌ合金膜３上にレジストパターン４を設ける工程と、レジストパターン４をマスクとしてＡｌ合金膜３をエッチングする工程と、エッチ後洗浄する工程と、２流体ノズル６によってシリコン残渣５を除去する工程とを備える。例文帳に追加

The method includes: a step of forming a silicon-containing Al alloy film 3 on a silicon substrate 1; a step of providing a resist pattern 4 on the Al alloy film 3; a step of etching the Al alloy film 3 using the resist patter 4 as a mask; a step of washing after etching; and a step of removing a silicon residue 5 using a two-fluid nozzle 6. - 特許庁

本発明のスクリーン印刷用メッシュ部材の製造方法は、エッチングによって金属箔に多数の孔開け加工してスクリーン印刷用メッシュ部材を製造するに当り、厚さが５〜５０μｍの金属箔にフォトレジストを塗布した後に、露光用マスクに描画した孔の形状を露光するときのエネルギー量を１２０〜２４０ｍＪ／ｃｍ^2として操業する。例文帳に追加

In the method for manufacturing the mesh member for screen printing, a plurality of holes are made in the metal foil by etching and the mesh member for screen printing is manufactured in the condition that, after applying the photoresist on the metal foil having the thickness of 5-50 μm, an energy amount when the shape of the hole on an exposure mask is exposed is 120-240 mJ/cm^2. - 特許庁

溶剤ガスが基板上を流れる方向と、乾燥用のガスが基板上を流れる方向とが互いに揃うことで基板の面内で溶剤が多く供給される箇所が乾燥用のガスにより早く乾燥し、溶剤ガスの供給と乾燥用のガスの供給とを繰り返すことで、パターンマスク内部への溶剤の浸透を抑えることができる。例文帳に追加

Given that a direction in which solvent gas flows on the substrate and a direction in which drying gas flows on the substrate match each other, spots in plane of the substrate which are supplied with more solvent than the other are dried sooner by drying gas, and given that supply of solvent gas and supply of drying gas are repeated, penetration of the solvent into the inside of the pattern mask can be restricted. - 特許庁

現像後の解像性及び密着性並びに耐サンドブラスト密着性に優れ、サンドブラスト用のマスク材として被加工基材に微細なパターンを歩留まりよく加工できる感光性樹脂組成物、感光性樹脂積層体、被加工基材の表面加工方法及びプラズマディスプレイの背面板の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a photosensitive resin composition capable of finishing a substrate to be processed for forming a minute pattern with a good yield as a sandblasting mask material with the superior resolution after development, adhesion and sandblasting resistant adhesion, a photosensitive resin laminate, a surface finishing method for a substrate to be processed, and a method for manufacturing a back plate of a plasma display. - 特許庁

ＣＭＰ工程後の残膜厚の推定に関する値の分布である残膜厚分布（ＣＭＰ用パターンレシオ）分布を利用して、コンピュータを用いて、この残膜厚分布の値のうち当該値が第１の閾値よりも高い領域Ｘに対応する、パターニング用マスク内における第１領域Ａを抽出する。例文帳に追加

By utilizing a residue-film-thickness distribution (a pattern-ratio distribution for CMP) which is the assumed-value distribution of residue-film thicknesses after a CMP process; and by using a computer, there is extracted a first region A in a patterning mask, which corresponds to an region X having higher values for the residue-film-thickness distribution than a first threshold. - 特許庁

この発光ダイオードアレイの製造方法は、基板１上に半導体層を積層する工程と、半導体層の発光部形成領域１１上に、Ｘ方向に沿って配列するように、複数のレジスト層１００を形成する工程と、レジスト層１００をマスクとしてメサエッチングすることにより、半導体層に、互いに分離された島状の複数の発光部１０を形成する工程とを備えている。例文帳に追加

The method of manufacturing the light-emitting diode array includes steps of: laminating a semiconductor layer on a substrate 1; forming a plurality of resist layers 100 to align along an X direction on a light emission part forming region 11 of the semiconductor layer; and forming a plurality of mutually-separated island-like light emission parts 10 formed on the semiconductor layer by mesa-etching with the resist layers 100 as masks. - 特許庁

写真フィルムＦに生じているフィルム幅方向に曲率を持つ樋状のカールは、フィルム幅方向の両縁部ＦＢが各ベルト５０とベース板１８の凸部２２Ａ、２２Ｂとの間に挟持される前に、フィルム搬送方向の両縁部ＦＡがマスク２４Ａ、２４Ｂによって押圧されることにより大幅に縮小される。例文帳に追加

The gutter-like curl having curvature in a film width direction made on the photographic film F is drastically reduced by pressing both edge parts FA in the film conveying direction by the masks 24A and 24B before both edge parts FB in the film width direction are held between the respective belts 50 and the projecting parts 22A and 22B of the base plate 18. - 特許庁

ポールチップ２８を覆うように上部ポール３４を形成した後、マスクとして作用するフォトレジスト３５を、上部ポールの先端部分が露出するように形成し、ポールチップの周囲を埋める絶縁層２９をエッチングストッパとする異方性エッチングを施して、上部ポールの先端面をエアベアリング面から後退させる。例文帳に追加

This manufacturing method is executed by forming a photoresist 35 acting as a mask so that the tip part of the upper pole is exposed after the upper pole 34 is formed so as to cover the pole chip 28 and applying anisotropic etching, in which an insulation layer 29 filling up the surrounding of the pole chip constitutes an etching stopper, thereby retreating the tip face of the upper pole from the air bearing surface. - 特許庁

射影分布波形に対して、マスクの値を段階的に小さくした複数のラプラシアン評価波形を用いて、筋ムラの生じている特徴点を抽出するように構成し、ノイズ成分による不要な特徴点の抽出を低減するとともに、シェーディングによる特徴点の抽出漏れを無くし、精度良く特徴点を抽出する。例文帳に追加

The stripe irregularity detecting method is constituted so as to extract a characteristic point wherein a stripe irregularity is generated by using a plurality of Laplacian evaluation waveforms wherein the values of a mask are stepwise reduced with respect to a projection distribution waveform and the extraction of an unnecessary characteristic point due to noise component is reduced while the extraction omission of the characteristic point due to shading is eliminated to accurately extract the characteristic point. - 特許庁

基板上に、水に溶解または分散可能な樹脂および紫外光により硬化可能なモノマーを含有する感光性樹脂層（Ａ）、接着力調整層（Ｂ）、および赤外線吸収物質を含有する感熱マスク層（Ｃ）がこの順に積層された感光性樹脂印刷原版であって、該接着力調整層（Ｂ）が少なくともアミン化合物を含有することを特徴とする感光性樹脂印刷版原版による。例文帳に追加

In the photosensitive resin printing plate precursor, a photosensitive resin layer (A) containing a water-soluble or water-dispersible resin and an ultraviolet-curable monomer, an adhesive strength adjusting layer (B), and the thermosensitive mask layer (C) containing an infrared absorbing substance are installed, in this order on a substrate, wherein the adhesive strength adjusting layer (B) contains at least an amine compound. - 特許庁

ＦＣＣのスペクトラム・マスクの規定である３ＧＨｚ以下や、既存の無線ＬＡＮシステムにおいて使用する５ＧＨｚ帯を避けて、７．５ＧＨｚを伝送帯域の中心周波数に設定して搬送波を生成し、この周波数の整数分の１の時間間隔でベースバンド・パルスを生成する。例文帳に追加

Bands below 3GHz being a provision of a spectrum mask of an FCC and a 5GHz band used in the existing radio LAN system are avoided, 7. 5GHz is set to a central frequency for a transmission band to generate a carrier, and a baseband pulse is generated in a time interval that is the reciprocal-of-an-integer of the frequency is generated. - 特許庁

液晶表示パネル２を保持するパネル保持部（ヒートシンク）１１の表面には、液晶表示パネル２を囲繞するように枠状の見切り支持台１２がネジ留め固定され、更に見切り支持台１２には開口部１３ａを有する見切り部材（マスク）１３がバネ弾性を利用して着脱可能に位置決め固定されている。例文帳に追加

A frame-shaped corner supporting stand 12 is screwed and fixed to the surface of a panel holding part (heat sink) 11 holding a liquid crystal display panel 2 so as to enclose the liquid crystal display panel 2 and a parting member (the mask) 13 having an aperture part 13a is attachably and detachably positioned and fixed to the corner supporting stand 12 utilizing spring elasticity. - 特許庁

計測用マスクＲ_Tは、計測用パターン６７_i,jが形成されたパターン面を有するガラス基板６０、該ガラス基板の射出側に配置され、各計測用パターンに個別に対応する複数のピンホール７０_i,jが形成された開口板６６、ガラス基板の入射側に計測用パターンに個別に対応して配置された集光レンズ６５_i,_j等を備える。例文帳に追加

A mask RT for measurement is provided with a glass base plate 60 having a pattern surface where patterns 67i,j for measurement are formed, an opening plate 66 in which a plurality of pinholes 70i,j individually corresponding to the respective patterns for measurement are formed, condensing lenses 65i,j disposed individually corresponding to the patterns for measurement on the incident side of the glass base plate and the like. - 特許庁

間欠発振動作のオン期間Ｔonに直流電源Ｅの直流出力電圧Ｖdcが低減すると誘導コイル５の印加電圧が減少して電圧検出回路１４の検出電圧Ｖxsが低減するが、オン期間Ｔonにおいては第１のマスク手段１７たるダイオードＤ１１が導通してダイオードＤ２が導通しなくなる。例文帳に追加

If a direct current output voltage Vdc of a direct current power source E decreases during the on-period Ton of the intermittent oscillation operation, an applied voltage of an induction coil 5 decreases to reduce a detecting voltage Vxs of a voltage detection circuit 14, but in the on-period Ton a diode D11 as the first mask means 17 conducts and a diode D2 is out of conduction. - 特許庁

集積回路は、コア制御機能を実行する第１の回路と、スタンドアローンモード、第１の回路が外部の回路により制御される遠隔制御モード、または、スタンドアローンモードと遠隔制御モードとの組み合わせモードのうちの１つの動作モードを選択するマスク選択回路を有する第２の回路と、オルタネータのロータを制御する出力ドライバを有する第３の回路とを備えている。例文帳に追加

The integrated circuit includes a first circuit for executing a core control function; a second circuit having a mask selecting circuit for selecting one operation mode from among a stand alone mode, a remote control mode for controlling the first circuit by an external circuit, and a combination mode of the stand alone mode and the remote control mode; and a third circuit having an output driver for controlling a rotor of the alternator. - 特許庁

２値化に際して、路面に対応する開口領域を残してカメラ画像にマスクをかけ、開口領域について作成した明度のヒストグラムからカメラ画像の明るさ分布を判定し、所定の閾値算出基準線をヒストグラムが横切る明度に、明るさ分布に基づく所定のオフセット値を加算して２値化閾値とする。例文帳に追加

In the case of binarization, the camera image is masked while an opening region corresponding to a road surface remains, and the brightness distribution of the camera image is decided from the histogram of brightness prepared about the opening region, and a predetermined offset value based on the brightness distribution is added to brightness wherein the histogram crosses a predetermined threshold reference line so that a binarized threshold can be acquired. - 特許庁

透明基板上に遮光膜と半透過膜とが積層した構造を備えるハーフトーンマスクにおいて、アライメント装置によって第１層目と第２層目とのアライメントを行った際に発生する、第１層目と第２層目との間にアライメント誤差により必要なパターンが得られなくなるという問題を解決する。例文帳に追加

To provide a halftone mask having a structure of a light shielding film and a translucent film layered on a transparent substrate, in which admissibility for an alignment error is increased by patterning a first layer (light shielding film) by using indispensable pattern data if great importance is placed on the first layer and by patterning a second layer by using redundant pattern data including errors of superposition. - 特許庁

表示装置用表示板の製造方法では、アクティブ領域を含む基板の上部に、感光性物質からなる感光膜を形成した後、アクティブ領域を互いに隣接した第１ショットと第２ショットを含む複数のショットに分割して感光膜を露光し、現像して薄膜パターンを形成するためのエッチング用マスクである感光膜パターンを形成する。例文帳に追加

In the method for manufacturing a display plate for a display apparatus, after a photosensitive film comprising a photosensitive substance is formed on a substrate including an active region, the photosensitive film is exposed by dividing the active region into a plurality of shots including first and second shots adjacent to each other and developed to form a photosensitive film pattern as an etching mask to form a thin film pattern. - 特許庁

半導体製造工場の製造管理方法においては、半導体製品毎に、以下の数式（３）で表される新たな付加価値レートを算出し、付加価値レート＝（半導体製品の単価−直接材料費−外注加工費）÷半導体製品のマスク枚数・・・（３） この付加価値レートを指標として複数の半導体製品の製造優先順位を決定するものである。例文帳に追加

In the manufacture managing method of the semiconductor manufacturing plant, a new added value rate expressed by an expression (3): [added value rate=(unit price of semiconductor product - direct material cost - expense arising from outside manufacture) ÷ number of masks of semiconductor product] is calculated at every semiconductor product, and manufacture priority of a plurality of semiconductor products is decided using the added value rate as an index. - 特許庁

被加工対象上に形成されたレジスト膜を加工してレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンをマスクとして、所定のエッチング条件で被加工対象をエッチングする工程とを実行する際に、形成されたレジストパターンの寸法及び形状（膜厚及びテーパ角度）を測定し、測定されたレジストパターンの寸法及び形状に基づいて前記エッチング条件を調整する。例文帳に追加

When a step of forming a resist pattern by processing a resist film formed on a workpiece and a step of etching the workpiece with the resist pattern as a mask under a predetermined etching condition are performed, a dimension and a shape (a film thickness and a taper angle) of the formed resist pattern are measured and the etching condition is adjusted based on the measured dimension and shape of the resist pattern. - 特許庁

レーザ発振器１０と被加工部材としてのプリント配線基板２０との間に、ポリゴンミラー１１、加工パターンを規定する一列状の複数の穴を持つマスク１２、ガルバノミラー１６、加工レンズ１７を順に配置して、レーザ発振器からのレーザ光が前記各要素を順に経由してプリント配線基板に照射されるようにする。例文帳に追加

Between a laser beam oscillator 10 and a printed wiring board 20 being a member to be worked, a polygon mirror 11, a mask 12 having a plurality of holes in a line providing for a working pattern, a galvanomirror 16, and a working lens 17 are arranged successively, and then laser beam from the laser beam oscillator is made to project on the printed wiring board successively through the forementioned elements. - 特許庁

熱感度が高く、製版材料用途のＵＶマスクフィルムとして用いる場合でも十分な濃度変化を生じることが可能で、高出力レーザーを用いた場合にも外観上の問題点となるヘイズが低く、かつ擦り傷などが発生しにくい取り扱い性に優れた画像記録媒体を提供すること。例文帳に追加

To provide an image recording medium which has high heat sensitivity and can produce a sufficient change in density even when it is used as a UV mask film for a plate making material, of which the haze, a problem as to an outward appearance, is low even when a high output laser is used and which hardly causes an abrasion or the like and is excellent in handling properties. - 特許庁

表示パネル２０に、同一の発光面積の有機ＥＬ素子等のセグメントを形成し、このセグメントの表示面となる基板上に、７セグメント３０を構成するセグメント（４２ａ〜４２ｇ）や文字列「ＴＩＭＥ」を示す表示項目３２のような表示の視認が可能となるようにマスクを形成する。例文帳に追加

Segments, such as organic EL elements, having the same light emission area are formed on a display panel 20 and a mask is formed on a substrate constituting the display surfaces of these segments in such a manner that the display, such as the segments (42a to 42g) constituting the seven segments 30 or display items 32 indicating a character string (TIME), is made visible. - 特許庁

接続部Ｃの、コネクタへの接続時に端子１３・・・の位置合わせとして機能させる両側辺Ｆ１、Ｆ１に、当該両側辺Ｆ１、Ｆ１の輪郭に対応した形状を有する、ベースフィルム１１をレーザー加工するためのマスクとして用いるダミーパターンＤＰ、ＤＰを、金属薄膜にて、端子１３・・・と同時に形成したフレキシブルプリント配線用基板１である。例文帳に追加

In the flexible printed wiring substrate 1, dummy patterns DP, DP used for a mask for performing laser processing for a base film 11 with a shape corresponding to contours of both sides F1, F1 are formed of a metal thin film at both the sides F1, F1 which are functioned as the positioning of terminals 13 in the connection of a connection part C to a connector simultaneously with the terminals 13. - 特許庁

写真フィルムＦに生じているフィルム幅方向に曲率を持つ樋状のカールは、フィルム搬送方向の両縁部ＦＡがマスク２４Ａ、２４Ｂによって押圧されることにより大幅に縮小され、これに伴い、写真フィルムＦとベース板１８の間に形成される空間の空気が凹部２０を通して外部へ抜け出す。例文帳に追加

Both edge parts FA in the film conveying direction are pressed by masks 24A and 24B, whereby gutter-like curl having curvature in a film width direction made on the photographic film F is drastically reduced, and air in space formed between the photographic film F and the base plate 18 gets out to the outside through the recessed part 20 with the reduction of the curl. - 特許庁

基板１０上に順次積層されたｎ型クラッド層３０、活性層４０、ｐ型クラッド層５０及び透明導電性薄膜層６０を備え、ここで、透明導電性薄膜層６０は、内部で発生した光の外部発光効率を高めるために別途のエッチングマスクなしに湿式エッチング方式とポスト熱処理によるナノメートルスケールでパターニングされた表面を有する窒化物系発光素子である。例文帳に追加

The present invention relates to the nitride light-emitting element comprising an n-type clad layer 30, an active layer 40, a p-type clad layer 50 and a transparent conductive film layer 60 that are sequentially laminated on a substrate 10, wherein the transparent conductive film layer 60 including a surface patterned in nanometer scale using wet etching and post-thermal-treatment without a separate etching mask. - 特許庁

Ｎ型ドレイン領域４の両端縁（ソース７側の両端縁）及びこのＮ型ドレイン領域４の両側に形成される一対のＮ型ソース領域７、７のドレイン４側の端縁を、共に、第１及び第２のゲート電極６ａ、６ｂをマスクとするセルフアラインにより位置規定するするように、ドレイン領域４及びソース領域７を形成する。例文帳に追加

The edges (edge on side of source 7) of the N-type drain region 4 and the edges of a pair of N-type source regions 7 and 7 formed on both the sides of the drain region 4 are positioned through a self-aligned method in which the gate electrodes 6a and 6b are used as mask, by which the drain region 4 and the source regions 7 are formed. - 特許庁

ＦＰＤデバイスを製造するためのマスクブランクであって、透光成基板１６と、前記基板１６上に形成されたクロムを含む材料からなる半透光性膜１７と、前記半透光性膜１７上に形成されたタンタルを含む材料からなる遮光性膜１８と、を備えることを特徴とする。例文帳に追加

The photomask blank for use in manufacturing of an FPD device includes a light-transmissive substrate 16, a light-semitransmissive film 17 which is formed on the substrate 16 and is made of a material containing chromium, and a light-shielding film 18 which is formed on the film 17 and is made of a material containing tantalum. - 特許庁

実際にレジストを露光、現像して、そのレジストパターンをエッチングマスクとしたリソグラフィを行う際に、先に求めた補正データに基いて光量を補正又は設計画像データを修正することで、小さなテーパー角を有するレジストパターンであっても、所望の仕上り線幅を実現することができる。例文帳に追加

When the resist is actually exposed and developed and lithography with its resist pattern as an etching mask is performed, the quantity of light or design image data is corrected on the basis of the obtained correction data, so that a desired finished line width can be achieved even for the resist pattern having a small taper angle. - 特許庁

半導体素子の製造工程における雰囲気の環境の汚染物質を調べるだけではなく、光化学反応による生成物を調べるために、実際に半導体露光装置で暴露されている環境下でフォトマスクのごく近傍の雰囲気の汚染物質を調べる分析方法及び捕集器を提供する。例文帳に追加

To provide an analysis method and collector for examining a contaminant in an atmosphere extremely near a photomask under an actually exposed environment by a semiconductor exposure device, so as not only to examine the contaminant in the atmospheric environment in a manufacturing process of a semiconductor element but also to examine a product by a photochemical reaction. - 特許庁

このレジストマスクと共に、チャネル保護層及びゲート絶縁膜をエッチングストッパーとして利用して、導電膜と、ｎ型の導電型を有する膜と、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜をエッチングして、ソース電極層及びドレイン電極層と、バッファ層と、半導体層を形成する。例文帳に追加

The conductive film, the film having the n-type conductivity, and the oxide semiconductor film containing In, Ga and Zn are etched using the channel protective layer and gate insulating films as etching stoppers with the resist mask, so that source and drain electrode layers, a buffer layer, and a semiconductor layer are formed. - 特許庁

東電福島第一原発における平成23年6月15日の作業で労働者がクレーンの運転席でマスクを外し喫煙していたことを受け、関係事業者に対し、放射性物質を吸入摂取するおそれのある作業場で労働者が喫煙することを禁止していなかった労働安全衛生法違反について富岡労働基準監督署長名で是正を勧告（平成23年6月22日）例文帳に追加

Relevant companies were advised to take corrective measures under the name of the Chief of the Tomioka Labour Standards Inspection Office, for having violated the Industrial Safety and Health Act by not banning workers from smoking in workplace where the risk of inhaling or ingesting radioactive materials existed, when it was reported that a driver of a crane vehicle had smoked without wearing masks while engaging in tasks at the TEPCO's Fukushima No. 1 Nuclear Power Plant on June 15, 2011. (June 22, 2011) - 厚生労働省

基板上の機能液が配置されるパターンと同じ形状、大きさの開口パターンを有する薄膜パターン用開口部と、アライメントマークを形成するアライメントマーク用開口部とが具備された金属製マスクを用いて、前記基板に撥液性を付与する撥液化処理工程と、撥液化処理された前記基板上に前記金属製マスクを配した後、薄膜パターン及びアライメントマーク用の親液部を形成する親液パターン形成工程と、アライメントマークを形成するアライメントマーク形成工程と、前記アライメントマークに基づき、液滴吐出法により前記親液部に機能液を配置して薄膜パターンを形成する機能液配置工程と、を具備する。例文帳に追加

The method also includes a functional fluid arranging step of forming the thin film pattern by arranging the functional fluid in the lyophilic sections by a droplet discharging method on the basis of the alignment marks. - 特許庁

光透過性の基板２Ａ，２Ｃ上に、少なくともマスク層３と反射層４とを順次積層して成る光情報記録媒体１Ａであって、前記マスク層が、前記基板側から入射する再生用レーザ光が連続照射される照射部分の温度が消色温度以上になった場合には、前記照射部分の一部分の光透過率は高くなって光スポット径を実質的に縮小して前記再生用レーザ光を前記反射層側へ出射して前記反射層側からの戻り光を前記基板側へ出射することにより情報信号を再生するディスク超解像機能を有するサーモクロミック材料から成る光ディスクにおいて、前記サーモクロミック材料中に、このサーモクロミック材料の消色温度よりも低い融点を有する有機結晶性物質を含むようにする。例文帳に追加

The optical information recording medium 1A is an optical disk obtained by successively stacking at least a mask layer 3 and a reflecting layer 4 on a light transmissive substrate 2A, 2C. - 特許庁