「マスク」に関連した英語例文の一覧と使い方(620ページ目) - Weblio英語例文検索

(3) 本法の適用上，「組物」とは，通常一緒に販売され又は一緒に使用される同じ一般的性格を有する複数の物品であって，同じ意匠，又は当該物品の性格を変更する程度には至らない若しくは同一性に実質的な影響を及ぼさない程度の修正若しくは変化を施した同じ意匠が各個別の物品に応用されているものをいう。ただし，連続マスクワークは，組物ではない。例文帳に追加

(3) For the purposes of this Act, a "set of articles" means a number of articles of the same general character which are ordinarily on sale together or intended to be used together, and in respect of which the same design, or the same design with modifications or variations not sufficient to alter the character of the articles or substantially affect the identity thereof, is applied to each separate article: Provided that a series of mask works shall not be a set of articles. - 特許庁

公序良俗に反する意匠は，登録されないものとする。 第 13A条 延長又は回復されない登録［法律 AJ077第3条による挿入］本法の他の規定に拘らず，2000年集積回路配置法の施行前に，同法にいう集積回路若しくは集積回路の一部に適用される意匠，又は同法にいう集積回路を作るのに使用されるマスクに適用される意匠が本法に基づいて登録されていた場合は，当該登録は，同法施行以後の如何なる時点においても，延長又は回復されないものとする。例文帳に追加

Industrial designs that are contrary to public order or morality shallnot be registrable. Notwithstanding any other provisions of this Act, where before the commencement of the Layout-Designs of Integrated Circuits Act 2000 an industrial design applicable to an integrated circuit or part of anintegrated circuit within the meaning of that Act or an industrial design applicable to a mask used to make such an integrated circuit was registered under this Act, that registration shall not be extended or restored at any time on or after that commencement. - 特許庁

さらに、ナノワイヤを製造するための様々な材料、ｐ型ドーピングナノワイヤおよびｎ型ドーピングナノワイヤを含む薄膜、ナノワイヤヘテロ構造、発光ナノワイヤヘテロ構造、ナノワイヤを基板上に配置するためのフローマスク、ナノワイヤを成膜するためのナノワイヤ噴霧技術、ナノワイヤにおける電子のフォノン散乱を減少または除去するための技術、および、ナノワイヤにおける表面準位を減少させるための技術が、説明される。例文帳に追加

Furthermore, various materials for fabricating nanowires, thin films including p-type doping nanowires and n-type doping nanowires, nanowire heterostructures, light emitting nanowire heterostructures, flow masks for arranging nanowires on substrates, nanowire spraying techniques for forming nanowires as a film, techniques for reducing or eliminating phonon scattering of electrons in nanowires, and techniques for reducing surface levels in nanowires are described. - 特許庁

被エッチング層上に反射防止膜（Ｓｉ−ＡＲＣ膜）を形成する工程と、前記反射防止膜上にパターン化されたレジスト膜（ＡｒＦレジスト膜）を形成する工程と、前記レジスト膜をマスクとして、ＣＦ_４ガスとＣＯＳガスとＯ_２ガスとを含むエッチングガスを用いて前記反射防止膜をエッチングすることにより、前記反射防止膜に所望のパターンを形成する工程と、を含むことを特徴とするエッチング方法が提供される。例文帳に追加

The etching method includes the steps of forming the antireflective film (Si-ARC film) on an etched layer, forming the resist film (ArF resist film) patterned on the antireflective film, and etching the antireflective film with an etching gas containing CF_4 gas, COS gas and O_2 gas using the resist film as the mask to form a desired pattern on the antireflective film. - 特許庁

被写体の画像を電子的に記録して取り込み、その画像を電子処理して単数又は複数の特定の色調又は吸収波長をもつ場所を単数又は複数特定してマッピングし、そのマッピングされた位置Ｈ、Ｉに単数又は複数の有効成分を含む溶液を、印刷装置を用いてμｍ単位で正確にマスクシートＡ、Ｂに印刷した、単層又は複層の有効成分の被写体への導入用シート。例文帳に追加

A sheet for introducing active components of one or more layers to a subject is formed by electronically recording and capturing an image of the subject, electronically processing the image to specify one or more locations with one or more specific color tones or absorption wavelength for mapping, and accurately printing a solution containing one or more active components in mapped positions H, I on mask sheets A, B in units of μm using a printer. - 特許庁

本発明は、基板上に感光性樹脂からなる感光性樹脂層を形成する感光性樹脂層形成工程と、上記感光性樹脂層を、所定の透過率特性を有する半透明膜を備える階調マスクを用いて露光し、現像して、感光性樹脂からなる高さの調整された２種以上の同一機能部材を形成する同一機能部材形成工程とを有するカラーフィルタの製造方法を提供することにより、上記目的を達成する。例文帳に追加

A method for producing a color filter has a photosensitive resin layer forming process for forming a photosensitive resin layer consisting of a photosensitive resin on a substrate and a same functional member forming process for exposing the photosensitive resin layer using a gradation mask comprising a semitransparent film having a predetermined transmittance characteristic followed by development to form two kinds or more of the same functional member consisting of a photosensitive resin and having an adjusted height. - 特許庁

本発明では、支持脚配線の微細化において、支持脚３の断面積を小さくするため、周囲の層間絶縁膜であるＢＰＳＧ１０及びＴＥＯＳ１１に対し、支持脚３に相当する領域のみをエッチングすることにより、支持脚３を低背化することができ、マスクで決定するサイズ立則にとらわれない微細化された支持脚構造を有する赤外線撮像素子およびその製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

In miniaturization of the supporting leg wiring, the supporting leg 3 can be reduced in height, by etching only a region equivalent to the supporting leg 3 to a BPSG 10 and a TEOS 11, namely, surrounding interlayer insulation films, and thereby reducing the sectional area of the supporting leg 3, thus providing an infrared image pickup device that has miniaturized supporting leg structure, independently of the size rule determined by a mask. - 特許庁

薄膜トランジスタ及び画素電極の上層側に成膜されたオーバーコート膜１２から前記画素電極の少なくとも一部を露出させる際のマスクとして前記オーバーコート層１２上にパターニングして形成されたレジスト膜２８を、前記オーバーコート層１２から前記画素電極の少なくとも一部を露出させた後にＣＯＦ_２またはＦ_２のいずれか一方と酸素ガスとを含む混合ガスを用いて除去する。例文帳に追加

The resist film 28 patterned and formed on an overcoat layer 12, formed on a thin-film transistor and an upper layer side of a pixel electrode, as a mask for exposing at least a part of a pixel electrode from the overcoat film 12 is removed using a mixed gas of one of COF_2 and F_2 and an oxygen gas, after at least the part of the pixel electrode is exposed from the overcoat layer 12. - 特許庁

感応基板上に転写すべきパターンを複数の小領域に分割して備えたマスクを用いて、各小領域に荷電粒子線を選択的に照射することによって当該小領域の転写像を前記感応基板上に形成する荷電粒子線露光方法において、前記複数の小領域を、少なくとも２つ以上の小領域からなる複数のグループに分け、前記複数のグループを偏向器によって選択し、前記複数のグループ内の小領域の露光を一定のシーケンスで行うことを特徴とする荷電粒子線露光方法。例文帳に追加

The equipment provides the method that selects the several small regions by a deflector and it exposes, in a uniform sequence, the selected small region located within the group. - 特許庁

透明基板３４上に遮光部３１、透光部３２、及び半透光部３３が形成されたグレートーンマスク３０であって、前記遮光部３１に隣接して挟まれた半透光部３３を有し、該半透光部３３は、半透光膜３６が形成された半透光膜形成部３３ａと、前記半透光部３３が隣接する遮光部３１との境界に設けられた、透明基板３４が露出している透光スリット部３３ｂ、３３ｃとを有する。例文帳に追加

The semi-transmitting part 33 includes semi-transmitting film formation part 33a where a semi-transmitting film 36 is formed and light-transmitting slits 33b, 33c where the transparent substrate 34 is exposed, the slits being formed in the boundary of the semi-transmitting part 33 with the adjoining light transmitting part 31. - 特許庁

絶縁層２１にポジ型の感光性ポリイミド樹脂材料を使用することで、フォトリソグラフィー法によって同一の樹脂に対して複数回の製版を行うことが可能であり、従来の製造方法における半田ボール形成工程、裏面エッチング工程時のレジストによるマスク形成を省略することができるので、工程を簡略化でき、かつ使用する材料を減らすことができるので、製造コストの大幅な低減を図ることができる。例文帳に追加

A plurality of times of engraving can be conducted to the same resin by a photolithographic method by using a positive type photosensitive polyimide resin material to an insulating layer 21, mask formation by a resist in a solder ball forming process and a rear etching process in the manufacture can be omitted, processes can be simplified, and a material used can be decreased, and manufacturing cost can be reduced. - 特許庁

複数の単位画素が形成された半導体基板上に、パッドを含む層間絶縁膜を形成するステップと、層間絶縁膜上にカラーフィルタアレイを形成するステップと、カラーフィルタアレイ上にマイクロレンズを形成するステップと、マイクロレンズを含む半導体基板上にキャッピング膜を形成するステップと、キャッピング膜上にパッドマスクを形成するステップと、パッドを露出させるステップとを含むイメージセンサの製造方法とする。例文帳に追加

The method of manufacturing the image sensor includes the steps of: forming an interlayer insulating film including pads on a semiconductor substrate having a plurality of unit pixels formed thereon; forming a color filter array on the interlayer insulating film; forming micro lenses on the color filter array; forming a capping film on the semiconductor substrate including the micro lenses; forming a pad mask on the capping film; and exposing the pads. - 特許庁

発泡剤を加えることなく、成形後の容積変化を伴うことなく、微細連続多孔質成形体に形成できるようにしたシリコーンゴム多孔質成形体を提供すると共に、人体皮膚に近似した表面性、感触性、軽量性、柔軟性、弾力性、保形性、強度性等を賦与し、製作容易かつ成形性に優れ、マネキン、人形、医療教習用ダミー、交通事故実験用ダミーなどのほか、人工乳房（パッドを含む）、その他人体皮膚に近似する形成物やマスク、包帯、カバー等の医療用部品、フィルターなどの製作に適合するシリコーンゴム多孔質成形体を提供する。例文帳に追加

To provide a porous molded product of a silicone rubber, capable of being utilized as an artificial mamma, another skin-analogous molded product, the other medical part for the human body, such as a mask, a bandage, and a cover, and a filter or the like. - 特許庁

遮光膜と遮光膜に設けた開口とを有し，開口から発生する近接場光で被露光物を露光する近接場光マスクであって、該遮光膜に設けた開口が、１００ｎｍより小さい幅を有する少なくとも２本以上の平行な第１のスリット開口列と、１００ｎｍより小さい幅を有し、かつ、該第１のスリット開口列間を結び、第１のスリット開口列に垂直な第２のスリット開口とからなることを特徴とする。例文帳に追加

In the near field light mask having a light shielding film and an opening made therein and exposing an object with near field light generated from the opening, the opening consists of at least two first parallel rows of slit openings having a width smaller than 100nm, and second slit openings perpendicular to the first rows of slit openings and connecting between the first rows of slit openings. - 特許庁

半導体基板上に導電性膜を形成する工程と、前記導電性膜上に犠牲膜を形成する工程と、前記犠牲膜をパターニングする工程と、パターニングされた前記犠牲膜の側面に、サイドウォールを形成する工程と、パターニングされた前記犠牲膜を除去する工程と、前記サイドウォールをマスクとして用いて前記導電性膜をパターニングして、配線を形成する工程とを有する方法により、半導体装置を製造する。例文帳に追加

The method for manufacturing semiconductor devices related to the present invention has processes of: forming a conductive membrane on a semiconductor substrate; forming a sacrificial membrane on the conductive membrane; patterning the sacrificial membrane; forming a side wall on the side of the patterned sacrificial membrane; removing the patterned sacrificial membrane; and patterning the conductive membrane by using the side wall as a mask and form wiring. - 特許庁

クロックの第１及び第２のエッジに同期したデータ入出力回路と、セルアレイにコラムゲートを介し接続した第１及び第２のデータバス線と、当該データ入出力回路にシリアルに入力する第１及び第２のライトデータを入出力するシリアルパラレル変換回路から出力する当該ライトデータに従い、当該データバス線を駆動する第１及び第２のライトアンプとを有し該ダブルデータレート対応のメモリデバイスにおいて、ライトアンプ制御回路は、ライトコマンドによる書込み時ライトアンプを活性化し、書き込み状態でもデータマスク信号に応答して第１及び・または第２のライトアンプを非活性化する。例文帳に追加

An input buffer 20 fetches a data mask signal DQM in synchronization with the clock CLK0° or CLK180° to generate the internal mask signal MSK0 or MASK1. - 特許庁

一枚の半導体ウエーハ５からペレット１，２，３，４を複数個製造する場合、フォトレジストを現像液で現像する前に、一部分のみ紫外線や赤外線などの光線を透過するパターンを有する露光用のレテイクルを用いて再度露光する工程を含み、再度露光する時のマスクは、ペレット１個分の識別用パターン作成用の開口部のみ有し、再度露光する時の、Ｘ方向とＹ方向とにステップする時に、ペレットの寸法と異なるステップ幅でＸ，Ｙ方向に移動する。例文帳に追加

The production method of semiconductor element comprises a step for performing exposure again using an exposing reticle having a pattern for passing UV-rays or infrared rays only partially before photoresist is developed with developer when a plurality of pellets 1, 2, 3, 4 are produced from a sheet of semiconductor wafer 5. - 特許庁

キャップ保護膜上に反射防止膜およびフォトレジストパターンを形成し、フォトレジストパターンをエッチングマスクとして用いて反射防止膜、キャップ保護膜および多結晶シリコン膜１７を順次ドライエッチングすることで、下部電極１１ａ，１１ｂ上に容量絶縁膜としての絶縁膜８を介して多結晶シリコン膜１７からなる上部電極２１ａ，２１ｂを形成してキャパシタ３６ａ，３６ｂを形成する。例文帳に追加

Upper electrodes 21a, 21b consisting of the polycrystalline silicon film 17 are formed via the insulating film 8 as a capacitance insulating film on the lower electrodes 11a, 11b to form capacitors 36a, 36b by forming the antireflection film and a photoresist pattern on the cap protection film, and sequentially performing dry etching of the cap protection film and the polycrystalline silicon film 17 using the photoresist pattern as an etching mask. - 特許庁

１５０ｎｍよりも薄い反射防止膜５を半導体基板１の上に形成する工程と、前記反射防止膜５の上にレジスト６を塗布する工程と、放射線を使用して前記レジスト６を露光する工程と、露光された前記レジスト６を現像する工程と、現像された前記レジスト６をマスクに使用して前記反射防止膜５を通して前記半導体基板１に不純物を注入する工程と、前記レジスト６と反射防止膜５を同じエッチャントによって除去する工程とを含む。例文帳に追加

This method comprises the steps of forming a thinner antireflection film 5 than 150 nm on a semiconductor substrate 1, coating a resist 6 on the antireflection film 5, exposing the resist 6 by the use of radiation rays, developing the resist 6 exposed, injecting impurities into the semiconductor substrate 1 through the antireflection film 5 using the developed resist 6 as a mask, and eliminating the resist 6 and antireflection film 5 with the same etchant. - 特許庁

本発明は、基板上に感光性樹脂からなる感光性樹脂層を形成する感光性樹脂層形成工程と、上記感光性樹脂層を、所定の透過率特性を有する半透明膜を備える階調マスクを用いて露光し、現像して、感光性樹脂からなる高さの調整された２種以上の同一機能部材を形成する同一機能部材形成工程とを有するカラーフィルタの製造方法を提供することにより、上記目的を達成する。例文帳に追加

The manufacturing method of color filter comprises a photosensitive resin layer formation process of forming a photosensitive resin layer made of a photosensitive resin on a substrate; and a uniformizing function member formation process of exposing and developing a photosensitive resin layer, by using the gradation mask provided with a translucent film, having prescribed transmittance characteristics and forming at least two kinds of the uniformizing function members made of the photosensitive resin whose heights are adjusted. - 特許庁

例えば、液晶プロジェクタに用いられる複数のマイクロレンズを有するマイクロレンズアレイの製造方法において、複数のマイクロレンズの境界部に強調形状（突出形状）を形成するための複数の補正部３２を有するグレースケールのリソグラフィ用マスク３０を用いて、グレースケールリソグラフィ技術およびエッチング技術により、設計形状に対して忠実なマイクロレンズアレイを製造する。例文帳に追加

For example, in a method for manufacturing a microlens array having a plurality of microlenses to be used for a liquid crystal projector, a microlens array with fidelity to a designed feature is manufactured by using a gray scale mask 30 for lithography which has a plurality of correction portions 32 to form an enhancing feature (protruding features) on the borders of the plurality of microlenses and by gray scale lithography techniques and etching techniques. - 特許庁

基板上に、スイッチとしての薄膜トランジスタを含む画素部と、薄膜トランジスタを含んで構成された周辺回路部とが形成されてなり、画素部の薄膜トランジスタはＬＤＤ構造を有するアクティブマトリクス基板の製造方法において、ゲート電極をマスクとして低濃度のイオン打ち込みを行い、ゲート電極を陽極酸化し、さらに高濃度のイオン打ち込む工程を有することを特徴とする。例文帳に追加

In the manufacturing method of the active matrix substrate constituted by forming the pixel part containing the thin film transistor of LDD structure as a switch and the peripheral circuit part constituted by containing the thin film transistor on the substrate 1, the processes that ion implantation of low density is performed using a gate electrode 8 as a mask, and the gate electrode 8 is anode oxidized, and the ion implantation of further high density are provided. - 特許庁

半導体素子及びその製造方法に関し、特に所定の活性領域とこれと隣接した素子分離構造を露出するアイランド型リセスゲートマスクを利用してリセスチャンネル領域とその下部にフィン型チャンネル領域を形成するよう半導体素子を設計することにより、素子の書込み及び読取り速度を向上させることができ、素子のリフレッシュ特性を改善することができる技術を提供する。例文帳に追加

To provide a technique which increases a speed of write/read of an element and improves a fresh characteristic of the element by designing the semiconductor element so as to form a recess channel area and a fin type channel area on its lower portion, especially, utilizing an island type recess gate mask exposing a predetermined active area and an element separating structure adjacent to it, concerning a semiconductor element and its manufacturing method. - 特許庁

縦型ＭＯＳＦＥＴの製造プロセスにおいて、横型ＭＯＳＦＥＴの形成領域をマスクした状態で、縦型ＭＯＳＦＥＴのソース領域１７を形成するためのイオン注入をおこなうことにより、同一半導体基板１１上に、実際の製品となるｎ型の縦型ＭＯＳＦＥＴとともに、その縦型ＭＯＳＦＥＴと同じゲート電極構造を有する評価用のｐ型の横型ＭＯＳＦＥＴを作製する。例文帳に追加

In the fabrication process of a vertical MOSFET, an n-type vertical MOSFET becoming an actual product and a p-type lateral MOSFET for evaluation having a gate electrode structure identical to that of the vertical MOSFET are fabricated on the same semiconductor substrate 11 by performing ion implantation for forming the source region 17 of the vertical MOSFET while masking the forming region of the lateral MOSFET. - 特許庁

従来のマスクシールを貼った例えばはがきにおいては、情報隠蔽の機能は充分であるが、宛先人名や差出人名の情報に関しては考慮されず、郵便箱から住居人の氏名や通信関係者名の情報を容易に得ることができていた、また郵政事業の民営化は更にこれらの情報の漏洩を加速することが苦慮される、本発明は郵便物の宛先人名や差出人名の情報を守る郵便物貼着用の情報隠蔽シートと熱を照射する加温器を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide an information hiding sheet for sticking on a mail matter for protecting information of a mailing address name and a sender's name of the mailing matter, and a heater for irradiating heat. - 特許庁

本発明はプリント配線基板の高信頼性を達成する為に、活性エネルギー線に対する感光性に優れ、希アルカリ水溶液による現像にてパターン形成できると共に、後硬化（ポストベーク）にて熱硬化して得られる硬化膜が十分な膜強度を有し高絶縁性で密着性、メッキ耐性に優れるだけでなく、特に高温高湿下にて安定した電気特性を示すソルダーマスクインキを提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a solder mask ink excellent in photosensitivity to active energy rays, able to form patterns by developing with a dilute aqueous alkali solution, not only highly insulative and excellent in tight adhesiveness and plating resistance with having sufficient film strength of cured films prepared by heat curing in the postbake treatment, but expressing stable electric characteristics, especially under high temperature and moisture. - 特許庁

ポリスチレン誘導体とシルセスキオキサンを含むポリメタクリレート誘導体とを有するコポリマーを含有するパターン形成材料からなる膜を形成する工程と、前記膜中にミクロ相分離構造を形成する工程と、前記シルセスキオキサンを含むポリマー鎖の相をマスクとして前記基板をエッチングして前記基板にミクロ相分離構造のパターンを転写する工程とを具備したことを特徴とするパターン形成方法。例文帳に追加

A method for forming a pattern includes a step of forming a film which comprises a pattern forming material containing a copolymer having a polystyrene derivative and a polymethacrylate derivative containing silsesquioxane, a step of forming a microphase separation structure in the film, and a step of etching the substrate with a phase of a polymer chain containing the silsesquioxane as a mask and transferring a pattern of the microphase separation structure on the substrate. - 特許庁

映像取り込み装置２２は、ハウジング２４と、ハウジング２４内に設けられてレーザービームを発射するレーザー光源４０と、ハウジング２４内に設けられてレーザービームを発散させる第一レンズ４４と、第一レンズ４４により発散したレーザービームを遮蔽してレーザービューファインダーを形成するフレームマスク４６と、ハウジング２４に設けられてレーザービューファインダー内にある映像を取り込むカメラレンズ２６とを含む。例文帳に追加

The image capturing apparatus 22 includes a housing 24, a laser source 40 provided inside the housing 24 for emitting a laser beam, a first lens 44 provided inside the housing 24 for diverging the laser beam, a framing mask 46 for masking the laser beam diverged by the first lens 44 to form the laser viewfinder and a camera lens 26 provided in the housing 24 for capturing an image in the laser viewfinder. - 特許庁

半導体基板上にエッチング比の異なる２種以上の半導体層を交互に積層する工程と、所定のマスクを用いて、積層された半導体層をパターニングする工程と、少なくとも１種以上の半導体層を選択エッチングしてエアギャップを形成することにより、残留した半導体層からなるメサ構造が形成されるようにする工程と、エアギャップが埋め込まれるように、伝熱特性の良好な物質を蒸着する工程とを含む。例文帳に追加

This method comprises processes for: alternately laminating multiple semiconductor layers with different etching rates; patternizing the laminated semiconductor layers through the dedicated masks; selecting and etching at least one kind of semiconductor layer to form an air gap and forming a mesa structure made up of residual semiconductor layers; and evaporating the materials with good thermal conductivity to pad the air gap. - 特許庁

回折格子パターン或いは半透膜からなる光強度低減機能を有する補助パターンを設置したフォトマスクまたはレチクルをゲート電極形成用のフォトリソグラフィ工程に適用して膜厚の厚い領域と、該領域より膜厚の薄い領域を片側側部に有する非対称のレジストパターンを形成し、段差を有するゲート電極を形成し、ゲート電極の膜厚の薄い領域を通過させて前記半導体層に不純物元素を注入して、自己整合的にＬＤＤ領域を形成する。例文帳に追加

Thereafter, an LDD region is formed in a self-alignment manner by injecting an impurity element into a semiconductor layer through the region with the smaller thickness of the gate electrode. - 特許庁

本発明の半導体装置の製造方法は、被加工面上に、本発明の前記液浸露光用レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成した後、該レジスト膜に対して液浸露光により露光光を照射し、現像することによりレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、該レジストパターンをマスクとしてエッチングにより前記被加工面にパターンを転写するパターン転写工程とを少なくとも含む。例文帳に追加

The method for manufacturing a semiconductor device includes a step of forming a resist pattern on a surface to be processed by forming a resist film on the surface using the resist composition for immersion exposure, irradiating the resist film with exposure light by immersion exposure, and developing it, and a step of transferring the pattern to the surface to be processed by etching through the resist pattern as a mask. - 特許庁

ＬＩＧＡプロセスにおけるリソグラフィ工程を含むＸ線リソグラフィやフォトリソグラフィ等により微小構造体を加工した際において、マスクエッジ形状の欠陥や、レジスト内に生じる反応等によって発生する微小構造体の表面の微小な荒れを改善し、当該微小構造体の表面を光学レベルで平滑にすることができる表面加工方法及び表面加工装置等を提供する。例文帳に追加

To provide a method and a device for smoothly finishing the surface of a micro structural body at an optical level by improving a micro roughness on the surface of the micro structural body by defects of mask edge shape and a reaction in a resist when the micro structural body is finished by X-ray lithography or photo lithography including a lithography step in a LIGA process. - 特許庁

この製造方法は、インジウムを必須の構成元素とする化合物半導体からなる被加工物１０の上にエッチングマスクを形成する工程と、被加工物１０の上にヨウ化水素ガスおよび四塩化ケイ素ガスの２成分からなる混合ガスを導入するとともに混合ガスをプラズマ化する工程と、当該プラズマ化された混合ガスを被加工物に入射させて被加工物を選択的にエッチングする工程と、を含む。例文帳に追加

This method of manufacturing a semiconductor device includes processes of: forming an etching mask on a processing object 10 formed of a compound semiconductor containing indium as an essential constituent element; introducing a mixture gas comprising two constituents such as hydrogen iodide gas and silicon tetrachloride gas onto the processing object 10 and converting the mixture gas to plasma; and entering the mixture gas converted to plasma into the processing object to selectively etch the processing object. - 特許庁

本発明は多結晶シリコン薄膜、これの製造方法及びこれを利用して製造された薄膜トランジスタに係り、隣接したプライマリ結晶粒境界が平行せずにプライマリ結晶粒境界に囲まれた面積が１μｍ^２より大きいことを特徴とするディスプレーデバイス用多結晶シリコン薄膜及びレーザーが透過するライン形態のパターンとレーザーが透過することができないパターンが混合された構造を有するマスクを用いて非晶質シリコンをレーザーを利用して結晶化する段階を含むことを特徴とする。例文帳に追加

A polycrystalline silicon thin film for a display device is featured in that adjoining primary crystal grain boundaries are not parallel and an area enclosed by primary crystal grain boundaries is larger than 1 μm^2, and also characterized by a step of crystallizing amorphous silicon using a laser beam, through the use of a mask having a mixed structure of a laser-transparent line-shaped pattern and a laser-opaque pattern. - 特許庁

重合性液晶を含む感光性組成物を基材に塗布した後、マスクを用いて露光し、感光性組成物塗布層の未硬化部分を有機溶媒で現像し、リンスしてパターン化された位相差制御機能層を形成する方法において、基材に上に感光性組成物の残渣を発生させることがなく、最適にパターン化された位相差制御機能層を形成することができるパターン化位相差制御機能層の形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of forming a patterned retardation control functional layer by applying a photosensitive composition containing a polymerizable liquid crystal on a substrate, exposing the composition through a mask, developing an uncured portion of the photosensitive composition coating layer with an organic solvent and rinsing, wherein no residue of the photosensitive composition is produced on the substrate and an optimally patterned retardation control functional layer can be formed. - 特許庁

カーボンナノチューブの表面に陽イオン重合に参加することが可能なオキシラン基又はアンハイドライド基を導入し、前記カーボンナノチューブを光酸発生剤又は光塩基発生剤と共に有機溶媒に分散させ、基材上にコーティングした後、フォトマスクを介してＵＶに露光させ、露光部でカーボンナノチューブの陽イオン重合を誘発した後、非露光部を現像液で除去することにより、カーボンナノチューブのネガティブパターンを形成する。例文帳に追加

A negative pattern of carbon nanotubes is formed by introducing an oxirane group or anhydride group that can participate in cation polymerization of carbon nanotube surfaces, dispersing the carbon nanotubes in an organic solvent together with a photoacid generator or photobase generator, coating them on a group material, exposing them to an ultraviolet ray via a photo mask, inducing them into cation polymerization at an exposing part, and removing non-exposed parts by a developing solution. - 特許庁

基板上に有機成分と無機粒子とからなる感光性ペースト塗膜を形成した後キュアする工程と前記塗膜上に透明塗膜を形成する工程と、所定の開口パターンを有するマスクを用いて前記感光性ペースト塗膜を前記透明塗膜上から露光する工程を経た後に、前記感光性ペースト塗膜と前記透明塗膜を同時に現像によって除去することにより隔壁を形成することを特徴とするプラズマディスプレイの製造方法である。例文帳に追加

A separation wall is formed by coincidentally removing a photosensitive paste film and a transparent film by development after a process of forming the photosensitive paste film composed of organic component and inorganic particles and curing them, a process of forming the transparent film on the photosensitive paste film, and a process of exposing the photosensitive paste film through the transparent film by using a mask having a prescribed aperture pattern. - 特許庁

本発明に係る半導体装置の製造方法は、ＳＯＩ基板上に、高比誘電率絶縁層を形成する工程と；前記高比誘電率絶縁層上に、ゲート電極層を形成する工程と；前記ゲート電極層上に、レジスト層を形成する工程と；前記レジスト層をマスクとして前記ゲート電極層を選択的に除去する工程と；酸素を含まないガスを用いたアッシング処理によって前記レジスト層を除去する工程とを含んでいる。例文帳に追加

The manufacturing method of the semiconductor device comprises processes of: forming a high specific dielectric insulating layer on an SOI substrate; forming a gate electrode layer on the high specific dielectric insulating layer; forming a resist layer on the gate electrode layer; selectively removing the gate electrode layer using the resist layer as a mask; and removing the resist layer by ashing processing using gas not containing oxygen. - 特許庁

洗浄液として、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル等の“アルキレングリコールアルキルエーテル及び／又はそのエステル誘導体”を主成分とし、水及び水溶性不揮発性の添加剤を実質的に含有しない洗浄剤を使用して、有機ＥＬ素子材料が付着したメタルマスクを洗浄した後に、必要に応じてイソプロピルアルコール等の前記洗浄剤を溶解する有機溶媒からなるリンス液を用いてリンスを行い、更に乾燥する。例文帳に追加

The metal mask to which the organic EL element material adheres is cleaned using a cleaning solution of a cleaning agent consisting essentially of "alkylene glycol alkyl ether and/or its ester derivatives" such as dipropylene glycol monomethyl ether and not substantially containing water and a water-soluble nonvolatile additive, rinsed using a rinse agent consisting of an organic solvent dissolving the cleaning agent such as isopropyl alcohol, if necessary, then dried. - 特許庁

ＢＳデジタル放送の階層関係にあるトランスポートストリーム形式のデジタルデータの切り換え情報を伝送多重制御情報あるいはＦＳＫなどのデジタル変調波により送出し、高階層の劣化に対して当該パケットをマスクして送出することにより、受信側で階層化の切り換えタイミングを知ることができ、また、劣化パケットが除去された階層化トランスポートストリーム形式のデジタルデータを選択することができる。例文帳に追加

A receiving side can recognize switching timing of hierarchization and also select digital data of a hierarchized transport stream format in which a deteriorated packet is eliminated by transmitting the switching information of the digital data of a transport stream format having hierarchical relationship of the BS digital broadcasting by transmission multiple control information or digital modulated wave such as an FSK and transmitting a packet with the packet masked against deterioration of a high hierarchy. - 特許庁

花粉症に関連する情報をユーザに提供する花粉症情報提供システムであって、各通行人のマスク装着の有無を判定するとともに、判定した結果に基づいて、花粉症の発症状況を示す花粉症発症情報を生成する画像解析端末１０５と、画像解析端末１０５により生成された花粉症発症情報を含む花粉症関連情報をユーザが利用する端末に送信するサーバ１０７とを備える。例文帳に追加

The pollinosis information providing system providing a user with information relating to pollinosis includes: an image analysis terminal 105 which determines whether each passerby wears a mask or not and generates pollinosis sideration information showing the pollinosis sideration condition on the basis of the determination result; and a server 107 which transmits pollinosis-relevant information including the pollinosis attack information generated by the image analysis terminal 105, to a terminal which the user uses. - 特許庁

薄膜２０上に、蒸着膜３０を積層する工程と、 前記蒸着膜上に、フォトレジスト層４０を積層する工程と、 フォトリソグラフィにより、前記フォトレジスト層をパターニングし、パターニングされた前記フォトレジスト層を用いて前記蒸着膜をエッチングしてパターニングする工程と、 パターニングされた前記蒸着膜をパターンマスクとして、前記薄膜をエッチングしてパターニングを行う工程と、を含むことを特徴とする。例文帳に追加

The method of patterning a thin film includes a process for laminating a deposition film 30 on the thin film 20, a process for laminating a photo resist layer 40 on the deposition film, a process for patterning the photoresist layer by photolithography, and etching and patterning the deposition film by using the patterned photoresist layer, and a process for etching and patterning the thin film by using the patterned deposition film as a pattern mask. - 特許庁

製版システムは、少なくとも表面が親水性、インク吸収性の透明プラスチックフィルムの表面に所定の画像を紫外線吸収性インクを用いて描画するためのインクジェット描画手段１、描画された前記透明プラスチックフィルムをフォトマスクとして感光体５に紫外線を露光する露光手段６、および露光された前記感光体を現像して印刷版とする現像手段７を具備する。例文帳に追加

The plate making system includes: an ink jet drawing device 1 for drawing a predetermined image with an ultraviolet absorbing ink on a surface of a transparent plastic film, wherein the surface has at least hydrophilicity and ink absorbency; an exposure device 6 for exposing a photoreceptor 5 with ultraviolet radiation through the drawn transparent plastic film as a photomask; and a developing device 7 for developing the exposed photoreceptor to make a printing plate. - 特許庁

チャネル領域に短チャネル効果を抑制するためのイオン注入をおこなう際に、デプレッションＭＯＳ基準電圧回路を構成するデプレッション型ＮＭＯＳトランジスタ４およびエンハンスメント型ＮＭＯＳトランジスタ５の一方または両方をマスクによって遮蔽してそれらに不純物イオンが注入されるのを防ぎ、それによってそれらデプレッション型ＮＭＯＳトランジスタ４およびエンハンスメント型ＮＭＯＳトランジスタ５の一方または両方がパンチスルーストッパー層を有しない構成とする。例文帳に追加

When ions are injected into a channel area so as to suppress short-channel effects, one or both of depletion NMOS transistor 4 and an enhanced NMOS transistor 5 constituting the depletion MOS reference voltage circuit are shielded by a mask to prevent impurity ions from being injected into them, and consequently one or both of the depletion NMOS transistor 4 and enhanced NMOS transistor 5 do not have a punch-through stopper layer. - 特許庁

真空中で行われるドライエッチングの微細加工の製造工程に特別な変更を加えることなく微細加工時に使用されるマスク材を二重に重ねて積層することで、製造工程中必然的に含まれる酸化過程により保護層の最表層に酸化層が形成されたとしても、ＭＲ比の低下を防止し、磁気抵抗効果素子としての性能を高く保持することができる磁気抵抗効果素子を提供する。例文帳に追加

To provide a magnetoresistance effect element that can prevent a reduction in MR ratio to keep performance as a magnetoresistance effect element high even when an oxide layer is formed as an outermost surface layer of a protection layer in an oxidation step inevitably included in a manufacturing process by laminating a mask material used for microfabrication double without specially altering the manufacturing step of microfabrication of dry etching carried out under a vacuum. - 特許庁