「マスク」に関連した英語例文の一覧と使い方(612ページ目) - Weblio英語例文検索

表示装置は、各画素の表示階調が各画素のアクティブ素子の蓄積電荷によって決定される表示パネル２０と、表示パネル２０を構成する各画素対応のアクティブ素子のソース線に対して表示階調に応じた駆動電圧を印加するソースドライバ２１と、表示パネル２０とソースドライバ２１との間に設けられたマスク手段２３とを備える。例文帳に追加

The display device is provided with a display panel 20 where a display gradation of each pixel is determined by accumulated charges of active elements of each pixel, a source driver 21 for applying a driving voltage according to the display gradation to the source line of the active elements corresponding to each pixel constituting the display panel 20, and a masking means 23 arranged between the display panel 20 and the source driver 21. - 特許庁

露光での光の焦点が変化してもパターン寸法の変化が少ない露光条件であるピボタルポイントで処理されて得られた実際のパターン寸法と、マスクパターン寸法との差分であるピボタルシフトに応じて、基板処理条件を設定するか否かを切り換える切換画面を表示して操作する。例文帳に追加

In accordance with a difference between the size of an actual pattern obtained by processing under an exposure condition reduced in the change of the pattern size even when the focus of light in exposure is changed or a pivotal point, and a mask pattern size or a pivotal shift, a switching picture for switching whether a substrate processing condition is set or not is indicated to operate the processing device. - 特許庁

転写パターンを形成するための薄膜を有する基板の被塗布面に、液状のレジスト剤２１を収容した液槽２０からノズル２２を通過してノズル先端開口部に到達したレジスト剤を接液させ、基板とノズルとを相対的に移動させることによって、被塗布面にレジスト剤を塗布してレジスト膜を形成する工程を含むマスクブランクの製造方法である。例文帳に追加

The method of manufacturing the mask blank comprises the steps of causing a resist agent coming from a liquid tank 20 storing a liquid resist agent 21 to the opening at the end of a nozzle 22 through the nozzle 22 to touch the coated surface of a substrate having a thin film on which a transfer pattern is formed, moving the substrate and the nozzle relatively, and thus forming a resist film on the coated surface. - 特許庁

文字列Ｂに用いられ得る異なる種類の文字を規定する開口パターンがＸ軸方向およびＹ軸方向に沿って周期的に配列されたフォトマスクを用いて文字列Ｂを構成するべき文字の潜像をフォトレジスト層の所定領域に必要な回数だけ形成するとともに、文字列Ｂを構成しない文字をフォトレジスト層の所定領域の外側に形成する。例文帳に追加

A photomask having an aperture pattern which defines various kinds of characters to be used for a letter string B and which is periodically arranged in the X-axis direction and Y-axis direction is used to form the latent image of letters constituting the letter string B in a specified region of a photoresist layer for required times, while letters not constituting the letter string B are formed outside of the specified region in the photoresist layer. - 特許庁

陰極線管の平面化を外面が平面のパネルと小さな曲率半径を有するシャドウマスクと２組の４重極コイルからなる偏向補正装置を用いて実現するカラー陰極線管装置において、第１の４重極コイルの外周部にスタテックコンバーゼンス調整用マグネット組立を設けることにより、高品位なカラー画像を再生できる低価格な平面陰極線管装置を提供する。例文帳に追加

To provide a low-cost and plane cathode ray tube device having a flattened cathode-ray tube realized by using a deflection corrector consisting of a panel with a flat outer face, a shadow mask having a smaller radius of curvature and two sets of quadrupole coils, allowing a high-definition color image to be reproduced by providing a static convergence adjusting magnet assembly on the outer periphery of the first quadrupole coil. - 特許庁

本発明のカラーフィルタ基板１００は、透過領域の端部に半透過領域が形成された露光マスクを用いてパターン露光、現像、ポストベーク等のパターニング処理を行って複数の着色フィルタを形成しているので、ブラックマトリクス２１ａ上に形成される着色フィルタのオーバーラップ（重なり）段差を０．５μｍ以下にすることができる。例文帳に追加

The color filter substrate 100 has a plurality of color filters through patterning processes, such as pattern exposure, by the use of exposure mask having the transflective region at the end of the transmissive region, development, and post baking so that an overlap step-like portion of the color filter formed on a black matrix 21a can be reduced to a height of 0.5 m or smaller. - 特許庁

所定軸Ｊ周りに回転しつつ基板Ｐ上にパターンＭＰの像を形成するためのマスクＭであって、パターンＭＰが形成され、所定軸Ｊ周りに配置されたパターン形成面ＭＦと、パターン形成面ＭＦの所定領域にパターンＭＰに対して所定位置関係で形成された位置情報を取得するためのマークとを備えている。例文帳に追加

A mask M, for forming an image of a pattern MP on a substrate P while rotating around a predetermined axis J, comprises; a pattern formation surface MF disposed around the predetermined axis J on which the pattern MP is formed; and a mark, formed in a predetermined positional relationship with the pattern MP in a predetermined area of the pattern formation surface MF, for acquiring positional information. - 特許庁

フォトマスクを描画パターンの描画密度変化の所定値を予め定める工程と描画パターンの描画密度変化を求める工程と、求めた描画密度変化が予め定めた所定値より大きい場合には、描画密度変化が所定値以下になるように描画パターンを複数に分割する工程とを備えた作製方法により、ドリフトを抑制することを可能とした。例文帳に追加

The drift is suppressed by the method of manufacturing the photomask including the steps of: predetermining a specified value of change in drawing density of a drawn pattern of the photomask; finding drawing density change of the drawn pattern; and dividing the drawn pattern into a plurality thereof so that change in drawing density is equal to or less than the specified value when the found drawing density change is larger than the predetermined specified value. - 特許庁

被処理基板上に形成されたＳｉＮ層１０４又は酸化シリコン層を、ＡｒＦフォトレジスト層１０２をマスクとして処理ガスのプラズマによりエッチングするプラズマエッチング方法であって、処理ガスは、少なくともＣＦ_3Ｉガスを含み、被処理基板を載置する下部電極に１３．５６ＭＨｚ以下の周波数を有する高周波電力を印加する。例文帳に追加

In a plasma-etching method for etching an SiN layer 104 or a silicon oxide layer formed on a substrate to be processed by plasma of processing gas with an ArF photoresist layer 102 as a mask, the processing gas contains at least CF_3I gas, and a high frequency power having a frequency of 13.56 MHz or less is applied to a lower electrode on which the substrate to be processed is mounted. - 特許庁

この構成を有する３−５族窒化物半導体自立基板の製造は、下地基板１１の上に３−５族窒化物半導体結晶１４より結晶性の低い半導体層１２を形成し、半導体層１２上にマスク１３を形成してから選択成長によって３−５族窒化物半導体結晶１４を形成した後、半導体層１２において下地基板１１を分離する。例文帳に追加

In this manufacturing method of a group 3-5 nitride semiconductor independent substrate having this structure, a semiconductor layer 12 having lower crystallinity than the group 3-5 nitride semiconductor crystal 14 is formed on the base substrate 11, a mask 13 is formed on the semiconductor layer 12, then the group 3-5 nitride semiconductor crystal 14 is formed by selective growth, and finally the base substrate 11 is separated at semiconductor layer 12. - 特許庁

そして、基板保持体５を、前記マスク用基板を挟圧把持する把持状態及び基板を抜き差しすることができる非把持状態のいずれかの状態をとることが可能なものとするとともに、前記基板保持体５を前記２状態のいずれかに駆動するための把持駆動機構１１を前記支持基体４側に設けるようにした。例文帳に追加

The substrate-holding body 5 is constituted, to bring either the grasping state of clamping-grasping the substrate for the mask or a non-grasping state capable of inserting and extracting the substrate, and is provided with a grasp-driving mechanism 11 for driving the substrate-holding body 5 to any of the two states described, in a support base body 4 side. - 特許庁

被露光体を押さえる押さえ板４２と、被露光体に形成された第１アライメントマークと回路パターンマスクに形成された第２アライメントマークとを観察するための画像認識部５４と、押さえ板と画像認識部とを被露光体の所定幅方向に同時に移動させる第１移動部４３とを備える。例文帳に追加

The exposure apparatus includes a pressing plate 42 for pressing the body to be exposed, an image recognition part 54 for observing a first alignment mark formed on the body to be exposed and a second alignment mark formed on the circuit pattern mask, and a first moving part 43 for simultaneously moving the pressing plate and the image recognition part in the prescribed width direction of the body to be exposed. - 特許庁

ネブライザ用マスク１６０は、ネブライザの噴霧口に接続されるネブライザ側開口部１６２と、使用者の口および鼻孔を囲うように顔面に押し当てられる使用者側開口部１６３との間の空間を規定する壁部１６１と、壁部１６１の使用者側開口部端から連続して外側に向かって延びるフランジ部１６４とを備える。例文帳に追加

The mask 160 for nebulizers is provided with a wall part 161 which regulates a space between a nebulizer side opening part 162 connected to a spray port of a nebulizer and a user's side opening part 163 pressed onto the face surrounding the mouth and nostril of a user and a flange part 164 which is extended outward continuously from the end of the user's side opening part of the wall part 161. - 特許庁

半導体発光素子を、基体１１にストライプ状に開口した開口部１３を有する選択マスク１２を設け、その開口部１３からの選択成長により開口部１３の長辺に平行な稜線１７を有するように形成された半導体層と該半導体層上に形成される第１導電型クラッド層、活性層、及び第２導電型クラッド層とを有する構成とする。例文帳に追加

The semiconductor light-emitting element comprises a selective mask 12, having an opening 13 opening into a stripe-like state at a base 11, a semiconductor layer formed to have a ridge 17 parallel to the long side of the opening 13 according to selective growth from the opening 13, a first conductivity-type clad layer formed on the semiconductor layer, an active layer and a second conductivity-type clad layer. - 特許庁

マスクで第１領域保護し、アルミイオンをイオン注入し、熱処理することにより、ゲート誘電体層（２）と、Ｎ＋ポリシリコンゲート（４）との間に、ＡｌｘＯｖの高誘電率界面誘電体層（３）が形成され、フェルミピニング効果が強化され、結果として、Ｎ＋ポリシリコンのＰ−ＭＯＳの仕事関数は、Ｐ＋ポリシリコンゲートの関数に近い値に調整される。例文帳に追加

The first region is protected by a mask, an aluminum ion is injected, and heat treatment is performed, thus forming a high-dielectric-constant interface dielectric layer 3 of AlxOv between the gate dielectric layer 2 and the N+ polysilicon gate 4, strengthening Fermi pinning effect, and hence adjusting a work function of the P-MOS of N+ polysilicon to a value close to the function of a P+ polysilicon gate. - 特許庁

カラーフィルター製造方法は：撮像素子１４の複数の光電変換素１２に対応して緑，青，赤色組成物によりネガ型膜１８を形成し、この膜を濃度分布マスクを介してパターン露光した後に現像し、現像後に各色フィルターの外表面が凸レンズ形状に形成されている。例文帳に追加

The method of manufacturing the color filter includes processes of: forming the negative type films 18 by using green, blue and red colored compositions in accordance with a plurality of photo-electric conversion elements 12 in an imaging device 14; performing pattern-exposure of the films via a density distribution mask; and thereafter, developing the film to form the outer surface of each color filter into a convex lens shape. - 特許庁

続いて、露光装置に基板５を搬入して、アライメントスコープ２４でアライメントマーク６の位置を検出して、マスク１上の第２の検査マーク９のパターン８が基板５上の第１の検査マーク７と一致する位置に基板５を位置決めした後、第２の検査マーク９のパターン８を基板５上に露光転写する。例文帳に追加

The substrate 5 is carried in an exposure apparatus, the position of the alignment mark 6 is detected by an alignment scope 24 to position the substrate 5 at a position where a pattern 8 with a second inspection mark 9 on a mask 1 aligns with the first inspection mark 7 on the substrate 5, and the pattern 8 with the second inspection mark 9 is exposed and transferred onto the substrate 5. - 特許庁

救急車の到着時間が年々遅れ平均が６分以上掛かる事が報告されていることから緊急の場合、有毒ガスの防具として効果を期待出来、初期段階の脳酸欠症を最小限に食い止めることが最悪の事態に対して自分の命を守る有効な手段となり得る事から、軽便でハンデイな超小型の酸素・防毒マスクの提供が望まれている。例文帳に追加

The arrival time of an ambulance is reported to delay year after year, on average, taking 6 minutes or more to get there, so that it is desired, in emergency, to provide a light and handy micromini oxygen and gas mask which is expected as a protective gear from toxic gas and an effective means of protecting own life under the worst situation by arresting the initial-stage cerebral hypoxia to the minimum. - 特許庁

露光によりウェーハ上にパターンを転写する露光用マスク１において、基板１１上に、ウェーハ上で解像限界以上となるサイズのパターン１６が形成されたパターン形成領域１５と、ウェーハ上で解像限界未満となるサイズのサブパターン１９が形成されたサブパターン形成領域１８とを設ける。例文帳に追加

The exposure mask 1 for transferring a pattern onto a wafer by exposure includes: a pattern formation region 15 where a pattern 16 having a size not smaller than a resolution limit after being transferred onto the wafer, and a sub-pattern formation region 18 where a sub-pattern 19 having a size less than the resolution limit after being transferred onto the wafer, on a substrate 11. - 特許庁

露光光に対して下層は反射膜であり、上層は干渉膜である二層膜からなる反射防止膜を基板上に形成し、その反射防止膜上に塗布した感光性薄膜に所望のパターンを露光する際に、反射防止膜を介してパターン検出光を照射することにより、ホトマスクと基板とのアライメントを行う。例文帳に追加

A method for manufacturing a semiconductor device comprises the steps of forming an antireflection film made of a two-layer film of a lower layer as a reflection film and an upper layer as an interference film to an exposure light on the substrate, emitting a pattern inspecting light via the antireflection film in the case of exposing a desired pattern on a photosensitive thin film coating the antireflection film, thereby aligning a photomask with the substrate. - 特許庁

レーザー光で紫外線遮蔽性樹脂層を消色した部分に、ムラのない光透過性が得られ、かつ紫外線遮蔽性樹脂層に傷が付きにくく、しかも大型印刷版の作製において、位置決め作業が容易で、かつ版と密着させる際に空気を抱き込みにくく版材に全面が密着しやすいマスクフィルムを与える部材を提供する。例文帳に追加

To provide a member giving a mask film in which even light transmittance is obtained in a portion of an ultraviolet screening resin layer decolored by laser light, in which the ultraviolet screening resin layer is hard to scuff, and which ensures easy positioning work in manufacture of a large printing plate and is less liable to catch up air when made to adhere to the plate, whereby the whole surface adheres easily to the plate material. - 特許庁

少なくとも一種類以上の重合可能なモノマー又はオリゴマーを含有する感エネルギー性ネガ型樹脂組成物層を形成する工程、パターン形成されたマスクを介して活性エネルギー線を少なくとも一回以上０．００５〜１．０Ｊ／ｃｍ^２照射する工程、エッチング操作を行うことなく後加熱する工程を含む表面凹凸形成方法。例文帳に追加

The surface unevenness formation method comprises: the step of forming an energy-sensitive negative type resin composition containing at lest one or more kinds of polymerizable monomer or oligomer; the step of emitting 0.005 to 1.0J/cm^2 of active energy rays at least one or more times via a mask formed in a pattern; and the step of subjecting to post-heating without an etching operation. - 特許庁

ＩＲセンサ７０はそのセンサ視野内に後部右側座席および後部左側座席の乗員の顔部を除いて、これら乗員の太股、肩部を含むように組み付けられているので、ＩＲセンサ７０の検出温度が、髪の長さ、眼鏡の有無、マスクの有無、帽子の有無などの条件により変わることがない。例文帳に追加

An IR sensor 70 is assembled so that thighs and shoulder parts of occupants on a rear part right side seat and a rear part left side seat may be included except faces of the occupants within the sensor visual field, and thereby a detected temperature by the IR sensor 70 is not changed according to conditions of the length of hair and the presence or absence of glasses, a mask and a cap, etc. - 特許庁

このフォトマスクは、ウェハＳＢ上に形成すべき回路パターンの設計情報に基づいて、４つのメインパターンＭＰ１〜ＭＰ４を環状に配置し、４つのメインパターンＭＰ１〜ＭＰ４の内側の４つの頂点によって形成される四角形Ｑの２本の対角線Ｌ１，Ｌ２の交点Ｏに、露光パターンの焦点深度を増大させるためのサブパターンＳＰを配置する。例文帳に追加

The photomask has four annularly arranged main patterns MP1-MP4 based on design information of a circuit pattern to be formed on a wafer SB, and a sub-pattern SP is arranged at an intersection point O of two diagonal lines L1 and L2 of a quadrangle Q formed by four vertices inside the four main patterns MP1-MP4 in order to increase a depth of focus of an exposure pattern. - 特許庁

３０〜５０質量％のＮｉを含有するＦｅ−Ｎｉ合金からなる連続鋳造スラブを、１０００〜１３００℃で１時間以上保持した後、圧下率が５〜４０％のプレス鍛造を行い、その後、１１００〜１３００℃で５時間以上保持する均熱処理を行うシャドウマスク用Ｆｅ−Ｎｉ合金素材の製造方法。例文帳に追加

A continuously cast slab consisting of an Fe-Ni allay containing 30 to 50 mass% Ni is held at 1,000 to 1,300°C for ≥1 hr, is thereafter subjected to press forging at a draft of 5 to 40%, and is subsequently subjected to soaking treatment of holding the same at 1,100 to 1,300°C for ≥5 hr. - 特許庁

パッシベーション膜３から露出し、その上面にチタンナイトライド膜から成るキャップメタル２が積層されたアルミニウム膜から成る金属層（パッド電極）１を含む基板全面にポリイミド膜４を形成し、前記ポリイミド膜４上に形成したレジスト膜をマスクにして前記パッド電極１上のポリイミド膜３を除去する。例文帳に追加

This polyimide film 4 is formed over the entire surface of a substrate including a metal layer (pad electrode) 1 made of an aluminum film, which is exposed from a passivation film 3 and has a cap metal 2, made of a titanium nitride film, stacked on the top surface, and a resist film formed on the polyimide film 4 is used as a mask to remove the polyimide film 3 on the pad electrode 1. - 特許庁

（ａ）少なくとも支持体および感光層を有する感光性印刷版原版の感光層に、画像マスクを介して活性光線を照射する工程、（ｂ）前記感光層の活性光線未照射部を現像により除去してレリーフを形成する工程、（ｃ）形成されたレリーフの少なくとも一部分をレーザー彫刻によって修正する工程、を少なくとも含む印刷版の製造方法。例文帳に追加

The method for manufacturing a printing plate includes at least steps of: (a) irradiating a photosensitive layer of a photosensitive printing plate original having the photosensitive layer and a support with active rays through an image mask; (b) removing a portion not irradiated with the active rays in the photosensitive layer by development to form a relief; and (c) correcting at least a part of the formed relief by laser engraving. - 特許庁

第１の導電膜１１をエッチングすることにより導電パターン層１１Ａを形成した後に、導電パターン層１１Ａをマスクとして第３の導電膜１３をオーバーエッチングしてアンカー部１５を作り、アンカー部１５に封止樹脂層２２を食い込ませて封止樹脂層２２と導電パターン層１１Ａの結合を強くする。例文帳に追加

After a conductive pattern layer 11A is formed by etching the first conductive film 11, the third conductive film 13 is subjected to over-etching through the conductive pattern layer 11A as a mask to form an anchor part 15, and a sealing resin layer 22 and the conductive pattern layer 11A are firmly joined together as the sealing resin layer 22 is made to bite into the anchor part 15. - 特許庁

ブラックマトリクス２１ａ上に形成される着色フィルタのオーバーラップ（重なり）段差を減少させるために、透過領域の端部に半透過領域が形成された露光マスクを用いてパターン露光、現像等のパターニング処理を行って複数の着色フィルタを形成するカラーフィルタ基板の製造方法及びカラーフィルタ基板を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a color filter substrate in which a plurality of color filters are formed through patterning processes, such as pattern exposure and development by use of an exposure mask having a transflective region formed at an end of a transmissive region so as to reduce an overlapped step-like portion of the color filter formed on a black matrix 21a, and to provide the color filter substrate. - 特許庁

リソグラフィ用データに基づくマスクパターンを所定の部分ごとに分割し（Ｓ１２０，Ｓ１３０）、その部分の露光による劣化に基づいて補正値を決定する第一補正値決定手段（Ｓ１５０）と、補正値をその部分の周辺のレイアウト環境に基づいて調整する補正値調整手段（Ｓ１６０，１７０）とを有することにより上記課題を解決する。例文帳に追加

This device is provided with a first correction value decision means S150 dividing a mask pattern based on the data for the lithography at every prescribed part (S120, S130) and deciding a correction value based on deterioration due to exposure of its devided part and correction value adjustment means (S160, S170) adjusting the correction value based on the layout environment in the vicinity of its devided part. - 特許庁

高感度でマスクパターンの設計サイズを忠実に再現でき、かつ基板との密着性に優れ、１，５００Ｊ/ｍ^2以下の露光量で十分なスペーサー形状および膜厚を得ることを可能とし、また強度、耐熱性等にも優れ、低露光量領域におけるスペーサーの形状、膜厚の制御性に優れている感放射線性樹脂組成物の提供。例文帳に追加

To provide a radiation-sensitive resin composition capable of faithfully reproducing the design size of a mask pattern with high sensitivity, excellent in adhesion to a substrate, capable of obtaining a satisfactory spacer shape and film thickness under an exposure energy of ≤1,500 J/m^2, excellent also in strength and heat resistance, and excellent in controllability of spacer shape and film thickness in a low exposure energy region. - 特許庁

第１のテーブル即ち天板３０に搭載された原版としてのマスク３２を、光源からの光で照明する照明装置を用いて照明する露光装置において、ＥＵＶ光を吸収する材質により構成された遮光部を具備し、露光に寄与しない不要な光を遮光するマスキングブレード２８，３１を、前記第１のテーブルに具備する。例文帳に追加

An aligner which lights up a mask 32 as an original mounted on a 1st table, i.e. a top plate 30 by using a lighting device using light from a light source has a light shield, made of a material-absorbing EUV light, and the 1st table is equipped with masking blades 28 and 31 for cutting off unwanted lights which do not contribute to exposure. - 特許庁

第１電極層が予め所定の回路状にパターンが形成された素子用基板に塗布する装置であって、上部には超音波スプレーノズルを備え、前記素子用基板の表面を覆うパターンマスクを備え、かつ、素子用基板、あるいは該素子用基板設置側には電場形機構を設けることにより解決した。例文帳に追加

The coating apparatus is provided for coating a substrate for a device of which a first electrode layer has a pattern preformed in a predetermined circuit form thereon, and the coating apparatus comprises an ultrasonic spray nozzle in its upper portion, a pattern mask covering a surface of the substrate for a device, and an electrical field-type mechanism mounted on the substrate for a device or a side mounting the substrate for a device. - 特許庁

コンタクトＣ１、Ｃ２の間隔が互いに異なるコンタクトアレイＲ１、Ｒ２を形成し、これらのコンタクトアレイＲ１、Ｒ２に対応したレジストパターンをマスクとして、絶縁層のウェットエッチングを行った後に、これらのコンタクトアレイＲ１、Ｒ２のレジストパターンの変色を金属顕微鏡にて観察する。例文帳に追加

A method of managing an etching width includes a step of forming contact arrays R1, R2 having different intervals of contacts C1, C2, a step of wet etching an insulating layer with resist patterns corresponding to these contact arrays R1, R2 as masks, and a step of then observing the discoloring of the resist patterns of these contact arrays R1, R2 by a metallurgical microscope. - 特許庁

透明電極４が形成された透明基板５上に、配向膜１を設け、その上に、紫外線に対する透光部と遮光部が所定のパターンで配されてなる光学マスク６を被せ、紫外線７を照射し、紫外線透光部に対応する領域に位置する配向膜１を除去する（図１（ａ））。例文帳に追加

An alignment layer 1 is provided on a transparent substrate 5 on which a transparent electrode 4 is formed, an optical mask 6 wherein a light transmission part and a light shielding part with respect to UV are disposed in a prescribed pattern is covered on the alignment layer and the alignment layer is irradiated with UV 7 to remove the alignment layer 1 positioned in a region corresponding to the UV light transmission part ((a) of Fig.). - 特許庁

本発明に係るＺソート処理回路２４は、半透明ポリゴンのデプス平均値と最小保持デプス値とを比較する浮動小数点比較器１３０と、浮動小数点比較器１３０の入力段に接続された複数のＡＮＤゲート１１０−１〜１１０−２３、１２０−１〜１２０−２３と、精度制御用小数部マスク値１４０とを含む。例文帳に追加

The Z-sorting processing circuit 24 includes a floating decimal point comparison device 130 which compares an average depth value of a semitransparent polygon with a minimum pooling depth value; a plurality of AND gates 110-1 to 110-23 and 120-1 to 120-23, which are connected to the input stage of the floating decimal point comparison device 130; and a decimal part mask value 140 for controlling precision. - 特許庁

その差分演算係数調整部８が演算器３４によるサブトラクションの際に基本画像（マスク像）と高周波数成分除去画像（ライブ像）とのモニタ４での表示結果に基づいて、それぞれの画像に対して差分演算係数を調整して重み付けを行うので、その重み付けによって被検体の撮像部位のサブトラクション像を好適に得ることができる。例文帳に追加

In the case of subtraction by a computing element 34, the differential arithmetic coefficient adjusting part 8 adjusts a differential arithmetic coefficient to perform weighting on each image on the basis of displayed results of a basic image (mask image) and a high frequency component eliminated image (live image) on a monitor 4, so that the subtraction image of the image pickup part of the subject can be appropriately obtained by weighting. - 特許庁

基板の少なくとも一部に、穴部乃至凹部を形成する穴部乃至凹部形成工程と、前記穴部乃至凹部をスクリーン版に設けたマスクで被覆した後、少なくともポリジメチルシロキサンを含むポリジメチルシロキサン組成物を含有する塗布液を、スクリーン印刷して塗膜を形成する塗膜形成工程と、前記塗膜を焼成する焼成工程とを含む搬送キャリアの製造方法である。例文帳に追加

The manufacturing method of a transfer carrier comprises: a hole or recess formation step of forming a hole or a recess at least in a part of a substrate; a coating film formation step of forming a coating film by screen printing a coating liquid containing polydimethylsiloxane composition, which contains at least polydimethylsiloxane, after coating the hole or recess with a mask provided on a screen plate; and a calcination step of calcining the coating. - 特許庁

被露光対象物７における露光領域を特定可能な情報に基づいて、露光パターン決定手段１５が再構成可能マスク５の露光に使用される各開口部の位置、各開口部の形状及び各開口部の光の透過量を決定して露光パターンを決定し、露光装置１は決定された露光パターンに従って被露光対象物７を露光する。例文帳に追加

An exposure pattern determination means 15 determines positions, shapes and transmitted light volumes of openings of the reconstructible mask 5 used for exposure on the basis of information capable of specifying the exposure region of the exposure object 7 so as to decide the exposure pattern, and the exposure device 1 exposes the exposure object 7 to light according to the exposure pattern determined by the exposure pattern determination means 15. - 特許庁

スクリーン印刷装置は、基板Ｐを支持する印刷ステージ１３上に、互いに平行に延び、かつ開閉する一対のクランプ片１４０をもつ基板クランプ機構１４を備え、前記クランプ片１４０により基板Ｐをその幅方向両側からクランプした状態で基板Ｐとクランプ片１４０とを一体にマスクシート３５に重装するように構成される。例文帳に追加

This screen printing equipment is so constituted as to be equipped with a board clamping mechanism 14 having a pair of opening/closing parallel extending clamping pieces 140 above a printing stage 13 with a board P thereon so as to overlappingly install the board P and the clamping pieces 140 en bloc under the condition that the board P is clamped from both its widthwise sides with the clamping pieces 140 to a masking sheet 35. - 特許庁

このビット線加工マスク２２を用いて、開口部に露出した電荷トラップ層３の除去、電荷トラップ層３が除去された基板表面へのビット線絶縁膜１０の形成、及びビット線絶縁膜１０を介しての基板１中へのイオン注入による埋め込みビット線５の形成の一連の工程を行う。例文帳に追加

A series of processes is performed by using the bit line work mask 22, i.e., the removal of the charge trap layer 3 exposed in the opening, the formation of a bit line insulating film 10 on a substrate surface with the charge trap layer 3 removed therefrom, and the formation of the embedded bit line 5 by ion implantation to the substrate 1 via the bit line insulating film 10. - 特許庁

透明層４６は、着色画素４２上に設けた透明感光性樹脂層への濃度分布マスクＰＭ１を介した露光、現像処理によって形成された配向制御凹みと平坦部４５からなり、透明導電膜４３は透明層の上面の全面に設けた透明導電膜へのフォトエッチングによって配向制御凹み上の部分は除去されている。例文帳に追加

A transparent layer 46 consists of the alignment controlling depressions and a flat part 45 which are formed by subjecting a transparent photosensitive resin layer provided on color pixels 42 to exposure treatment via a density distribution mask PM1 and development treatment and the parts of a transparent conductive film 43 above the alignment controlling depressions are removed by photo etching of a transparent conductive film provided on the entire upper surface of the transparent layer. - 特許庁

電着法においては単位面積当たりの電着量はほぼ一定であるため、開口密度の高い領域において捨て電着金属１４を形成することで当該領域の単位面積当たりの電着面積を、開口密度の低い領域の電着面積に近似するよう設定すれば、開口密度の高い領域と開口密度の低い領域Ｂ両領域のマスク厚を等しくすることができる。例文帳に追加

Since the amount of electrodeposition per unit area is nearly constant in an electrodeposition method, by forming the waste electrodeposition metals 14 in a region having a high opening density to set the electrodeposition area per unit area in the above region nearly equal to that of a region having a low opening density, the mask thickness of the region having high opening density and that of the region B having low opening density can be made equal to each other. - 特許庁

半導体基板上に少なくとも有機材料膜を有する半導体装置をエッチングしてゲート電極を形成し、又は有機材料膜をエッチングするにあたり、若しくはレジストマスクパターンの寸法を調整するにあたり、酸素含有ガスと塩素含有ガスと臭素含有ガスとを含むエッチングガス雰囲気を用いて、この有機材料膜をエッチングする工程を含むことにより、上記課題を解決する。例文帳に追加

When a semiconductor device provided with at least an organic material film on a semiconductor substrate is etched to form a gate electrode, or the organic material film is etched, or when the dimension of a resist mask pattern is adjusted, a process wherein the organic material film is etched by using an etching gas atmosphere containing oxygen-contained gas, chlorine- contained gas and bromine-contained gas, is contained, thereby solving the problem. - 特許庁

透過率が一定な第１の領域と、透過率が連続的に変化する第２の領域とを有する層を基板３に形成するＮＤフィルターを、前記基板に密着して前記基板を覆う部分と前記基板から所定の間隔離れた位置に保持され前記基板を覆う部分とを有するマスク４ａ、４ｂ、４ｃを介して、前記層の原材料を前記基板に堆積させるようにして製造する。例文帳に追加

The ND filter wherein a layer which has a first area having a fixed transmittance and a second area having a continuously changing transmittance is formed on na substrate is manufactured by depositing raw material of the layer on the substrate through masks 4a, 4b, and 4c having parts which are brought into close contact with the substrate to cover the substrate and parts which are held in positions spaced from the substrate by prescribed gaps. - 特許庁