「マスク」に関連した英語例文の一覧と使い方(613ページ目) - Weblio英語例文検索

照明装置に対応して照明ひとみおよび投影ひとみに従って決定される透過交差係数（「ＴＣＣ」）関数を定義し、基板に印刷すべきマスクの少なくとも１つの解像可能な特徴を少なくとも１つのインパルス関数で表し、さらに少なくとも１つのインパルス関数およびＴＣＣ関数に基づいて所定の次数の干渉マップを作ることで、照度を最適化する。例文帳に追加

The illumination is optimized by defining a transmission cross coefficient ("TCC") function determined correspondingly by a lighting pupil and a projection pupil according to a lighting device, by expressing at least one impulse function for resolvable features of at least one of masks which should be printed to a substrate, and by further making an interference map of a specified order based on at least one impulse function and the TCC function. - 特許庁

露光波長に対する反射率の異なる複数の膜から構成された構造体と、構造体の周囲全面にアウトガス成分が付着しないように被覆された保護膜と、構造体は、基板と、多層反射膜と、キャッピング膜と、下層吸収膜と、上層吸収膜と、を有し構成されたことを特徴とする反射型フォトマスク用ブランク。例文帳に追加

The blank for the reflective photomask includes a structure including a plurality of films differing in reflection factor to an exposure wavelength and a protective film covering the entire peripheral surface of the structure so that the outgas component does not stick to the surface of the structure, wherein the structure is constituted by having a substrate, a multilayer reflective film, a capping film, a lower-layer absorption film and an upper-layer absorption film. - 特許庁

この後、操作盤の運転キースイッチを入れると、電子源１から電子が発生され、この電子は加速器２で加速された後、走査器４によって所定範囲で走査され、走査管５の先端部に設けた窓箔６を通して、ビームマスク７の先端と被照射物８の照射範囲Ｌのみに照射される。例文帳に追加

Thereafter, when an operation key switch on an operation panel is switched, electrons are generated from an electron source 1, and the electrons are accelerated by an accelerator 2, scanned in a prescribed range by the scanner 4, and irradiated only to the tips of the beam masks 7 and the irradiation range L of the irradiation object 8 through a window foil 6 provided on the tip part of a scanning tube 5. - 特許庁

マスク（１２）を保持して移動可能な第１ステージ（１０，１１）の走査方向の位置を複数の計測ビーム（ＬＲｙ１，ＬＲｙ２）を用いて計測するとともに、基板（５）を保持して移動可能な第２ステージ（４）の走査方向の位置を複数の計測ビーム（ＬＷＹ１，ＬＷＹ２）を用いて計測することによって、空気揺らぎによる誤差を低減してステージの制御を正確に行なう。例文帳に追加

A stage is controlled accurately by measuring the position in the scanning direction of first stages 10, 11 movable while holding a mask 12 using a plurality of measuring beams LRy1, LRy2 and measuring the position in the scanning direction of a second stage 4 movable while holding a substrate 5 using a plurality of measuring beams LWy1, LWy2 thereby reducing error due to fluctuation of air. - 特許庁

結像レンズ系３はマスク側と被加工物の双方にテレセントリックな両側テレセントリック光学系であり、第２、第３のレンズ３ｂ，３ｃは入射側と出射側に焦点面を有するキャッツアイレンズを構成し、第１、第４のレンズ３ａ，３ｄによる結像光学系の瞳ＡをＢの位置に投影転送する。例文帳に追加

The image formation lens system 3 is a both-side telecentric optical system which is telecentric to both the mask side and work, and 2nd and 3rd lenses 3b and 3c constitute a cat-eye lens having focal planes on its incidence and projection sides and project and transfer the pupil A of the image formation optical system by the 1st and 4th lenses 3a and 3b to a position B. - 特許庁

フォトレジスト膜をマスクにしたドライエッチングで層間絶縁膜にＣｕ配線埋め込み用のビアホールおよび配線溝を形成する際、ＳｉＯＣ膜２５からなる層間絶縁膜上の反射防止膜２６をＳｉＯ膜２６ａ、ＳｉＯＮ膜２６ｂおよびＳｉＯ膜２６ｃの３層膜で構成し、フォトレジスト膜２７のハレーションを抑制する。例文帳に追加

When a via hole and wiring channel for burying Cu wiring is formed on an interlayer insulating film by a dry etching with a photo resist film as a mask, an antireflection film 26 on the interlayer insulating film which is made up of an SiOC film 25 is composed of an SiO film 26a, an SiON film 26b and an SiO film 26c, and the halation of a photo resist film 27 is inhibited. - 特許庁

基材上に、特定のポリオルガノシロキサン組成物を塗布して塗布膜を得る工程、 パターニングマスクを介して該塗布膜に活性光線を照射し露光部を光硬化させる工程、現像液を用いて該塗布膜の未硬化の部分を除去する工程該基材ごと加熱する工程からなる方法によって得られるポリオルガノシロキサン硬化レリーフパターンを含む半導体装置。例文帳に追加

A semiconductor device comprises a polyorganosiloxane-cured relief pattern obtained by a method comprising a step of applying a certain polyorganosiloxane composition to obtain a coating film on a substrate; a step of irradiating the coating film with an active ray through a patterning mask to photo-cure an exposure part; a step of removing an uncured part of the coating film by using a developer; and a step of heating each of the substrates. - 特許庁

さらに、この金１５とドライフィルム１４の残部から成るパターン含有層ＰＬをマスクとし、ガラス基板１１の裏面１１ｒから露光するフォトリソグラフィー法で、このパターン含有層ＰＬ上のドライフィルム１４に溝部ＤＨを形成し、さらに金１５でその溝部ＤＨを埋める。例文帳に追加

Further, the groove part DH is formed on the dry film 14 on a pattern inclusion layer PL by the photolithography method by which the back face 11r of the glass substrate 11 is exposed to light by using the pattern inclusion layer PL composed of the residual part of the gold 15 and the dry film 14 as a mask, and further the gold 15 is imbedded to the groove part DH. - 特許庁

読み出し専用メモリのデータプログラム用のマスクの補正方法であって、前記読み出し専用メモリのデータマップ１２上の任意のデータ１５を選択する工程と、前記任意のデータ１５の周囲のデータ１６を検索し、特定の条件を満たす場合、前記任意のデータ１５に対応する図形に寸法補正を加える処理を行う工程とを含む。例文帳に追加

The method of correcting the mask for a data program of a read-only memory includes a process step of selecting arbitrary data 15 on a data map 12 of the read-only memory and a process step of retrieving the data 16 at the circumference of the arbitrary data 15 and carrying out processing to add dimensional correction to the graphics corresponding to the arbitrary data 15 when specific conditions are satisfied. - 特許庁

処理Ｓ１２の論理合成処理で合成されて生成された第２のゲートレベルの論理データの出力（Ｓ１３）により、元々配置されている基本セルに加え、論理変更後の接続関係の変更に応じマスクレイアウト上に存在する元の第１のゲートレベルの論理データで使用しないダミーセルも用いて再配線処理を行う（Ｓ１４）。例文帳に追加

Then the second gate-level logical data generated through the logic synthesis in the step S12 is outputted (S13) and rewiring processing is performed by using a dummy cell which is not used in the original first gate-level logical data existing on a mask layout in accordance with a change in connected relation after logic is changed in addition to an originally arranged basic cell (S14). - 特許庁

制御部１０（識別手段、定義手段）は、表示画面１６でのＧＵＩ描画領域に展開するオブジェクトの属性を識別し、その結果、当該オブジェクトの属性が管理外の色を有すると判断した場合、当該オブジェクトの矩形描画領域をクロマキーマスク領域として定義する。例文帳に追加

When a control part 10 (a means for discrimination, a means for definition) discriminates attributes of an object developed in a GUI plotting area on a display screen 16 and determines as a result that the attributes of the object have colors other than those to be managed, the control part defines a rectangular plotting area of the object as a chroma-key mask area. - 特許庁

目的となる設計データ１０１において、先端部分１０３ａ,１０４ａで所定の離間距離をおいて対向する一対の線状設計パタン１０３，１０４について、設計データ上で仮想的に先端部分１０３ａ,１０４ａ間を接続する補助パタン１０５を配する処理を行い多重露光用マスクパタンを生成する。例文帳に追加

In the target design data 101, the multiply-exposing mask patterns are formed by carrying out a process of disposing auxiliary patterns 105 virtually connecting the tips 103a, 104a of a pair of the line design patterns 103, 104 facing each other with a predetermined space in between at the tips 103a, 104a in the design data. - 特許庁

さらに、試験時には外部クロック入力を第１の群に出力し、通常の使用時には第２のクロックを第１の群に出力する第１のスイッチ回路と、試験時において外部クロック入力で第２の群が動作しない場合には第２の群への出力を遮断し、通常の使用時には第３のクロックを第２の群に出力する第１のマスク回路とを設ける。例文帳に追加

Furthermore, a first switch circuit which outputs the external clock input to the first group during testing and outputs the second clock to the first group during normal operation, and a first mask circuit which interrupts the outputting to the second group when the second group is not operated by the external clock input during testing and outputs the third clock to the second group during normal operation, are provided. - 特許庁

この製造方法は、シリコン基板１１において後記レジストパターン２１ａの周囲が横切るような位置に拡散層領域１４を形成する工程と、ソース領域２５及びドレイン領域１９のいずれか一方を覆うレジストパターン２１ａを形成する工程と、前記レジストパターン２１ａをマスクとしてシリコン基板１１に不純物イオンを注入する工程と、を具備することを特徴とする。例文帳に追加

In this case, the method has a process that forms a diffusion layer region 14 at a position where the periphery of a resist pattern 21a is crossed, a process that forms the resist pattern 21 a for covering one of the source and drain regions 25 and 19, and a process that uses the resist pattern 21a as a mask for implanting the impurity ion to the silicon substrate 11. - 特許庁

この遮光マスク２４によって、フライアイレンズ２３が入射光を設定距離Ｃ離れた照射面５０に照射する場合に、中心部に位置する基準レンズ部２３ｂが照射面５０に照射する光と重畳しない領域に他のレンズ部２３ｂが光を照射することを禁止するよう各レンズ部２３ｂに入射する光を個別に制限する。例文帳に追加

Light entering each lens part 23b is individually regulated by the light shielding mask 24 to prohibit other lens part 23b to irradiate light on an area where the light irradiated on the irradiation surface 50 by a reference lens part 23b located in a central part is not superimposed when the fly eye lens 23 irradiates incident light on an irradiation surface 50 at a set distance C. - 特許庁

光路偏向部２６および凹部２６０を形成するにあたっては、厚さ方向の途中位置にエッチングストッパ層２０ｐを備えた基板２０ｇの表面において、光路偏向部２６を形成すべき領域にエッチングマスク６６を形成した状態で基板２０ｇをエッチングストッパ層２０ｐが露出するまでエッチングする。例文帳に追加

When the optical path deflection part 26 and the recessed part 260 are formed, a substrate 20g including an etching stopper layer 20p in a thickness-directional middle position thereof is etched until the etching stopper layer 20p is exposed while forming an etching mask 66 in an area on the surface of the substrate 20g on which the optical deflection part 26 is to be formed. - 特許庁

スクリーン印刷パターンマスクを形成したスクリーンを加工基板上に載せ、その後スクリーンの全面にインクを塗布し、そしてその後、高圧ガスによりインクを前記スクリーンにおけるメッシュ部分から機材に吹き付け、これによりインクを加工基板上に落として、加工基板上にパターン印刷を行うことを特徴とする。例文帳に追加

The method for printing the pattern on a processing base comprises the steps of placing a screen formed with a screen print pattern mask on the base, then coating the overall surface of the screen with an ink, thereafter spraying the ink by a high pressure gas from a mesh part of the screen to a printer material, and dropping the ink on the base, thereby printing the pattern on the base. - 特許庁

第１基板１００上に画素電極用電極層１２０ａを形成する工程と、画素電極用電極層１２０ａ上に所定の配向膜パターン５００を形成する工程と、配向膜パターン５００をマスクにして画素電極用電極層１２０ａをパターニングし、画素電極パターン１２０を形成する工程と、を含んで液晶表示素子の製造方法を構成する。例文帳に追加

The method for manufacturing the liquid crystal display device comprises: a process of forming an electrode layer 120a for pixel electrode on a first substrate 100; a process of forming a prescribed alignment layer pattern 500 on the electrode layer 120a for pixel electrode; and a process of patterning the electrode layer 120a for pixel electrode by using the alignment layer pattern 500 as a mask and forming a pixel electrode pattern 120. - 特許庁

ＳｉＣＯ膜をハードマスクとして使用する場合に、ＣＦ膜をシリコンの有機化合物例えばトリメチルシランガスを活性化したプラズマ雰囲気に例えば５〜１０秒程度曝し、次いでこのプラズマに窒素プラズマを加えてフッ素添加カーボン膜の上にＳｉＣＮ膜を成膜し、その後例えばトリメチルシランガスと酸素ガスとを活性化したプラズマによりＳｉＣＯ膜を成膜する。例文帳に追加

When the SiCO film is used as the hard mask, a method includes: exposing the CF film for about 5-10 seconds in a plasma atmosphere activated with an organic compound of silicon, for example, trimethyl silane gas; next, adding nitrogen plasma to this plasma and depositing the SiCN film on the fluorine-added carbon film; and thereafter, depositing the SiCO film by the plasma activating trimethyl silane gas and oxygen gas. - 特許庁

その後、フォトレジストパターン１１ａの開口部１２の底に付着したフォトレジスト残渣１４を軽いアッシング処理により除去した後、フォトレジストパターン１１ａをエッチングマスクとして、Ｃ_５Ｆ_８、Ｏ_２およびＡｒガスを有するエッチングガス等を用いたドライエッチング処理により絶縁膜７ｂにスルーホールを穿孔する。例文帳に追加

Thereafter, after the photoresist residue 14 adhered to the bottom of the opening 12 of the photoresist pattern1 1a is removed by a light ashing process, a through hole is bored through the insulating film 7b by a dry etching process using an etching gas, etc. containing C_5F_8, O_2 and Ar gas with the photoresist pattern 11a used as an etching mask. - 特許庁

該方法は、パターンを示すデータを取得するステップ１２０と、複数のフィーチャの臨界寸法に基づいて複数のゾーン区分を定義するステップ１２２と、区分された複数のゾーンの１つに各フィーチャを分類するステップ１２４と、複数区分ゾーンの予め定義されたゾーンに分類がなされたフィーチャごとにマスクパターンを修正するステップ１２６，１２８，１３０とから成る。例文帳に追加

The method consists of a step 120 obtaining data representing the pattern, a step 122 defining a plurality of distinct zones based on the critical dimensions of the plurality of features, a step 124 categorizing each of the features into one of the plurality of distinct zones and steps 126,128,130 modifying the mask pattern for each feature categorized into a predefined distinct zone of the plurality of distinct zones. - 特許庁

および、本発明のスクリーン印刷版２０を製造するのに適した製造方法であって、２段階のメッキ処理の工程により１層目のメッキ層で金属板２の１部およびメッシュ４を形成し、２層目のメッキ層で金属板２を積層して完成させるメタルマスクスクリーン版の製造方法である。例文帳に追加

Further, as a manufacturing method suitable for manufacturing this screen printing plate 20, the manufacturing method for completing a metal mask screen plate 4 consists of two stages of a plating treatment process or a first plating layer of the formation of some part of the metal plate 2 and the mesh 4 and a second plating layer or the lamination of the metal plate 2. - 特許庁

本発明の半導体装置の製造方法は、先ず、第２のフォトレジストマスク１４を溶剤を使用して溶解除去した後、Ｔｉ膜９に対して積層金属膜（主にＡｕ）の選択比の大きな混合ガスとしてＡｒとＮ_２の混合ガス、または、ＡｒとＯ_２の混合ガスのいずれかを使用して積層金属膜をイオンミリングする。例文帳に追加

In the method of manufacturing the semiconductor device, first, a second photoresist mask 14 is removed by melting using a solvent, and then the multilayer metal film is ion-milled using a mixed gas of Ar and N_2 or a mixed gas of Ar and O_2 as a mixed gas having a larger selectivity against the multilayer metal film (especially, Au) than against a Ti film 9. - 特許庁

各画素が複数の互いに異なる色相の発光層を備えた副画素からなる有機ＥＬ表示装置において、各副画素の発光層を、シャドーマスクを用いず、且つ、不要な層の除去時に他の層へのダメージを生じることなく成膜し、発光効率の高い装置を製造しうる製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing an organic EL display device including pixels each of which comprises sub pixels provided with a plurality of luminous layers having hues different from each other, by which the luminous layer of each sub pixel can be deposited without using a shadow mask and without causing damage to other layers in removing unnecessary layers, so that a device having a high luminous efficiency can be manufactured. - 特許庁

大きい幅（＞Ｗ２）を有すると共に、後端部の幅方向に延びる端縁が直線状をなすように前駆磁性層を形成したのち、この前駆磁性層上に形成した上部磁性層１２Ｃ（第１の磁極先端部１２Ｃ(1) ）をマスクとして、ＲＩＥにより前駆磁性層を選択的にエッチングする。例文帳に追加

A precursory magnetic layer is formed so that the magnetic layer has a large width (>W2) and an end edge extending in the width direction of a rear end part is linear, and the precursory magnetic layer is selectively etched by RIE by using an upper magnetic layer 12C (first magnetic pole tip part 12C (1)) formed on the precursory magnetic layer as a mask. - 特許庁

この中間体５５の天地を逆して、発熱部５７−１、配線電極５８、５９、インク供給溝６１等が予め形成されているメイン基板６０に貼り付けて、その上面に形成したメタル膜６３のマスクパターン６３−１に従ってオリフィス６４を形成して、 インクジェットプリンタヘッド６５が完成する。例文帳に追加

The top and bottom of the intermediate body 55 is reversed and pasted to a main substrate 60 in which a heating part 57-1, wiring electrodes 58, 59 and an ink supply groove 61 or the like are previously formed and an orifice 64 is formed in accordance with the mask pattern 63-1 of the metal film 63 formed on top of the main substrate to complete the ink jet printer head 65. - 特許庁

Ｎ型半導体領域を形成し、フィールド酸化膜を形成し、ゲート酸化膜を形成し、高エネルギ−のイオン注入と低エネルギーのイオン注入し、ゲート電極を形成し、前記ゲート電極をマスクにイオン注入にてソース、ドレインを形成し、コンタクトホールを形成し、配線を形成し、最終熱処理し、最終保護膜形成する工程とからなる半導体装置およびその製造方法。例文帳に追加

The method for fabricating a semiconductor device comprises steps for forming an N type semiconductor region 102, a field oxide film 103 and a gate oxide film 104, implanting high energy ions and low energy ions, forming a gate electrode, forming source and drain by implanting ions using the gate electrode as a mask, making a contact hole, forming an interconnection and then forming a final protective film through final heat treatment. - 特許庁

相対的に薄いゲート絶縁膜の形成領域におけるゲート絶縁膜７ａをエッチング除去するためのマスクであるフォトレジスト膜３ｅを用いて、そこから露出する半導体基板１に相対的に薄いゲート絶縁膜を持つｎチャネル型電界効果トランジスタおよびｐチャネル型電界効果トランジスタのしきい値電圧調整用の不純物を一括して導入する。例文帳に追加

Using a photoresist film 3e, which is a mask for etching/ removing a gate insulating film 7a in a formation region of a relatively thin gate insulating film, an impurity for adjusting the threshold voltage of an n- channel type field effect transistor and p-channel type field effect transistor having a relatively thin gate insulating film, is introduced in batch in a semiconductor substrate 1 exposed there. - 特許庁

複数の図柄を変動表示させ、図柄の変動を所定の順番で順次停止させる図柄変動中で、リーチ状態が成立した場合に、マスクを用いた間引き処理、または透過率を変化させる機能を持ったＶＤＰ処理により、テンパイ中の停止した静止図柄を薄く見せる半透明化処理を施す。例文帳に追加

When realizing a ready-to-win state in varying the patterns for successively stopping a variation of the patterns in a prescribed order by variably displaying the plural patterns, semitransparentizing processing for thinly showing the stopping still pattern in a finish state with one more pieces (in a mahjong) is applied by thinning-out processing using a mask or VDP processing having a function for changing transmissivity. - 特許庁

仮基板２０の上に、剥離層２２、マスク金属パターン２４、配向膜２６、バッファ層２８、電極３０、保護層３２及びカラーフィルタ層３４から構成される転写層を製造条件が制限されることなく形成した後に、プラスチックフィルム１０の上に接着層３６を介して転写層を上下反転した状態で転写・形成する。例文帳に追加

A transfer layer composed of a release layer 22, a mask metal pattern 24, the alignment layer 26, a buffer layer 28, an electrode 30, a protective layer 32, and a color filter layer 34 is formed on a temporary substrate 20 without limiting manufacturing conditions and thereafter, the transfer layer is transferred/formed via an adhesive layer 36 on the plastic film 10. - 特許庁

対象画像（放射線撮影により得られた画像等）からノイズを除去するために、対象画像への平滑化処理を行う際に、係数生成手段１１３は、外部入力（ユーザが、表示された対象画像に応じて入力したノイズ除去範囲及びその強度を示すパラメータ等）に基づいて、平滑化処理に用いる係数（マスクサイズ等）を生成する。例文帳に追加

In applying smoothing processing to the object image in order to eliminate noise from the object image (an image or the like obtained by radiant ray photographing), a coefficient generating means 113 generates a coefficient (mask size or the like) used for the smoothing processing based on an external input (parameters denoting a noise elimination range and its strength inputted by a user depending on a displayed object image or the like). - 特許庁

本発明のスクリーン印刷用マスク１００は、スクリーン印刷用ホールを有する複数のパターン部１０４と、パターン部１０４の外側を取り囲む周辺部１０３と、周辺部１０３の裏面に形成された突出部１０５とを含み、回路基板上に突出部１０５が接するように配置して印刷することを特徴とする。例文帳に追加

The mask 100 for screen printing includes a plurality of pattern sections 104 having holes for screen printing, peripheral parts 103 surrounding the outer sides of the pattern sections 104, and lugs 105 formed on the rear surface of the peripheral parts 103, and performs printing by being arranged on a circuit board in such a manner that the lugs 105 come into contact with the top of the circuit board. - 特許庁

スパッタに用いるマスク（図示せず）は、右方にそれぞれずらして積層した配線板３および３個の半導体チップ４により生じた薄膜配線６の形成領域（左方の直線階段領域）と同様の形状の階段部または傾斜部を有しており、その階段部または傾斜部に薄膜配線形成用のスリットを有する。例文帳に追加

A mask (not shown) used for the sputtering has a stepped part or inclination part in a shape similar to that of a formation region (left linear stepped region) of the thin film wiring 6 formed with the wiring board 3 and three semiconductor chips 4 which are stacked shifting to the right, and also has a slit for thin film wiring formation at the stepped part or inclination part. - 特許庁

この場合、ハレーション判別回路２２では、マスク処理回路４０からの輝度値（信号Ｕ）が積分回路１９と非線形補正回路２１とに各々入力され、その後、積分回路１９により積分された積分結果（信号Ｅ）と、非線形補正回路２１により非線形補正処理された補正処理結果（信号Ｄ）との各レベルが前記比較回路２０にて比較される。例文帳に追加

In a halation determination circuit 22, a brightness signal (signal U) from a mask processing circuit 40 is input in an integral circuit 19 and nonlinear correction circuit 21 respectively and then, respective levels of an integral result (signal E) integrated by the integral circuit 19 and a correction result (signal D) nonlinearly corrected by the nonlinear correction circuit 21 are compared to each other by a comparator circuit 20. - 特許庁

その状態で、２層目にアルミニウムを同様に成膜し、レジスト膜をマスクとして２層目アルミ配線が１層目アルミ配線と重ね合わさる様にするレジストを描画し、反応ガスを用いて選択エッチングで２層目アルミ配線形成と同時に１層目アルミ配線と２層目アルミ配線を接続させる。例文帳に追加

The aluminum film is similarly formed as second layer aluminum wires in this state, the resist is drawn in a way that the second layer aluminum wires are overlapped on the first layer aluminum wires by using a resist film for a mask, and the first layer aluminum wires and the second layer aluminum wires are joined at the same time the second layer aluminum wires are formed through selective etching by using the reactant gas. - 特許庁

複数の撮像手段が同時に露光を行い、センサ駆動信号発生手段が駆動信号のマスク制御を行い撮像手段からの撮像データの出力タイミングを異ならせることにより、複数の撮像手段が出力する映像データを撮像手段より少ない数のカメラ信号処理手段でカメラ信号処理を行うことを可能とする。例文帳に追加

The plurality of imaging means simultaneously perform exposure, and the sensor driving signal generating means performs mask control of a driving signal to make output timing of imaging data from the imaging means different to thereby enable the camera signal processing means, it is possible for the number of which is smaller than the number of the imaging means to perform camera signal processing of video data outputted by the plurality of imaging means. - 特許庁

主面に多数の色選択用開孔を持つ有孔領域6 2の外周を周回して管軸方向に屈折したスカート部61をもつシャドウマスクに、有孔領域6 2とこの有孔領域62の外周のコーナー部を除いたスカート部61との境界部に少なくとも2つの傾斜面からなる連結部を有する。例文帳に追加

A shadow mask with a skirt part 61 bent, in the tube axis direction while circulating the outer periphery of a perforated region with a large number of color selection apertures in a main face, has a connection part comprising at least two inclined faces, at a boundary part between the perforated region 62 and the skirt part 61 excluding the outer peripheral corner parts of the perforated region 62. - 特許庁

外筒３６１は、墳霧口２６の内径とほぼ同じ外形を備え、周方向に沿って配置された複数の連結部３６２を介して、内筒３６０の上端に連結支持されていて、内筒３６０と外筒３６１との間に、吸入マスク３２側に開口する排出口３６３が設けられている。例文帳に追加

The outer cylinder 361 has a shape nearly the same as the inside diameter of a spray opening 26 and is connected to and supported by the upper end of the inner cylinder 360 through a plurality of connecting portions 362 arranged along the circumferential direction, and a discharge opening 363 opening on the inhalation mask 32 side is provided between the inner cylinder 360 and the outer cylinder 361. - 特許庁

露光装置１は、２個の光源（第１の光源１１及び第２の光源１２）から出射した露光光１１ａ，１２ａを、マスク１３の所定のパターンにおける夫々異なる光透過領域に透過させ、露光対象部材２上に形成された配向材料膜の各絵素又は画素の各分割領域に対応する領域に照射する。例文帳に追加

The exposure equipment 1 makes exposure light 11a, 12a emitted from two light sources (a first light source 11 and a second light source 12) transmit through different light transmission areas respectively, in a predetermined pattern of a mask 13, and irradiate regions corresponding to respective bisected regions of each picture element or pixel of the alignment material film formed on an exposure object member 2. - 特許庁

ＴＡＰはそのＴＡＰブロック内に、線形フィードバックシフトレジスタ、複数入力のシグニチャレジスタ、ステップカウンタ、シフトカウンタ、ステップ／シフトコントローラ及びＭＩＳＲマスクレジスタ等を含み、ＴＡＰ回路を用いてＢＩＳＴ試験パターンを自動的に作成すると同時にこれらをデジタル回路全体にわたる複数の並列スキャンパスへとロードすることが出来る。例文帳に追加

The TAP includes in its TAP block a linear feedback shift, register, a signature register with a plurality of inputs, a step counter, a shift counter, a step/shift controller, an MISR mask register, etc., and is capable of automatically creating BIST test patterns through the use of a TAP circuit and simultaneously loading them to a plurality of parallel scan paths over a whole digital circuit. - 特許庁

磁気ヘッドの製造方法は、非磁性層４３Ｐに第１の部分を含む初期溝が形成されるように非磁性層４３Ｐをエッチングする工程と、第１の部分を覆う初期溝マスク５４を形成する工程と、溝部が完成するように非磁性層４３Ｐをエッチングする第２のエッチング工程を含んでいる。例文帳に追加

A method of manufacturing a magnetic head includes: a step of etching a nonmagnetic layer 43P such that an initial groove including the first portion is formed in the nonmagnetic layer 43P; a step of forming an initial groove mask 54 covering the first portion; and a second etching step for etching the nonmagnetic layer 43P so as to complete the groove. - 特許庁

そして、インテグレータホルダ１１の外周部には、第１のインテグレータ１２を３軸方向に対して位置決めして固定する第１面Ａが形成され、第１面Ａと反対側に、第２のインテグレータ１３、マスク１４、偏光変換素子１５を３軸方向に対してそれぞれ位置決めして固定する第２面Ｂが形成される。例文帳に追加

A first face A for positioning and fixing the first integrator 12 in a triaxial direction is formed on the outer peripheral section of the integrator holder 11 and a second face B for positioning and fixing the second integrator 13, the mask 14 and the polarized light conversion element 15 respectively in the triaxial directions are formed on the side opposite to the first face A. - 特許庁

輝度・色差信号を含む映像信号に対してアンシャープマスク（ＵＳＭ）処理による輪郭強調処理を施してＲＧＢ信号で出力するに際し、回路規模を増大させることもなく、従来のＵＳＭ処理に伴うクリップ処理に起因した色相変化を解消できる映像信号処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a video signal processing apparatus capable of avoiding a hue change caused by clip processing accompanied by unsharp mask (USM) processing of prior arts without the need for increasing the circuit scale in the case that contour emphasis processing by the USM processing is applied to a video signal including a luminance signal and color difference signals and an RGB signal is outputted. - 特許庁

耐酸化性金属又はその窒化物からなる導電膜を形成する工程と、該導電膜上の自然酸化膜を除去する工程と、前記導電膜上に導電性酸化物膜を形成する工程と、前記導電膜及び導電性酸化物膜を同一のマスクにより同一のパターンに加工する工程とを有することを特徴とする配線構造の製造方法により上記課題を解決する。例文帳に追加

The manufacturing method of the wiring structure comprises a process for forming a conductive film made of an oxidation-resistant metal or its nitride, a process for eliminating a natural oxide film on the conductive film, a process for forming a conductive oxide film on the conductive film, and a process for machining the conductive film and the conductive oxide film to the same pattern by the same mask. - 特許庁

従来、花粉症を抑制するものとした、不完全醗酵の藁を担体とする納豆菌（Ｂｕｃｉｌｌｕｓ ｎａｔｔｏ）及びバチルス属菌の胞子、もしくは胞子組成物を用いた花粉症抑制剤、花粉マスク、並びに芳香剤は、藁を担体とする故に、加工の自由度が小さく、従って花粉症患者の多様な生活様式に対応することが難しいと云える。例文帳に追加

To improve defects of hay fever suppressor, a mask for pollen and air refresher which use pollen, or pollen composition of Bacillus natto and Bacillus cells having imperfectly fermented straws as the carrier, which are conventionally understood as hay fever suppressors, but as they use straws as the carrier and has reduced freedom of processability, hard to deal with the various lifestyles of patients of hay fever. - 特許庁