「加圧窒化法」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

チタン板の表面に厚さが５μｍを超えて１０μｍ未満である窒化層を窒化処理によって形成した窒化チタン板を用いて、窒化チタン板の窒化層とスポット電極とを加圧接触させてスポット溶接することを特徴とするスポット電極溶着現象の発生を抑制したチタン板のスポット溶接方法。例文帳に追加

In the titanium plate spot-welding method in which generation of a spot electrode welding phenomenon is suppressed, the titanium nitride plate in which a nitride layer having a thickness of >5 to <10 μm is formed on the surface of the titanium plate by a nitriding treatment is used, and the nitride layer of the titanium nitride plate and a spot electrode are brought into pressurized-contact with each other for spot welding. - 特許庁

窒化珪素粉末に、マグネシウムの化合物と、イットリウム及びランタニド族の群からなる１種以上の酸化物とを添加した混合粉末を成形してなる表面粗さ（Ｒａ値）が０．３μｍ以下である平板状の窒化珪素質成形体を用い、窒素加圧下、１７５０〜１９００℃の所定の焼成温度下で焼結する窒化珪素焼結体の製造方法。例文帳に追加

The method for manufacturing a silicon nitride sintered compact comprises sintering a planar silicon nitride compact, which is obtained by compacting a powdery mixture obtained by adding a magnesium compound and the oxides of at least one metal selected from the group of yttrium and lanthanide group to silicon nitride powder and has 0.3 μm or smaller surface roughness (Ra value), in pressurized nitrogen atmosphere at 1,750-1,900°C. - 特許庁

また、本発明の窒化鉄微粒子は例えば、減圧容器１７内で、鉄２０を加熱して蒸発させ、蒸発させた鉄２１を、窒素プラズマ１２ａを介して窒化鉄微粒子として液体媒体１５ａの表面に付着させ、得られた付着物を回収することを含む方法によって製造される。例文帳に追加

The iron nitride fine particles are produced, e.g. by a method including: vaporizing iron 20 by heating in a vacuum vessel 17; depositing the vaporized iron 21 on a surface of a liquid medium 15a as iron nitride fine particles through a nitrogen plasma 12a; and recovering the resulting deposit. - 特許庁

多層からなる窒化ホウ素ナノチューブを水及び有機溶媒からなる混合溶媒中に添加し、超音波処理して分散液とする工程と、分散液を圧力容器中で加熱する工程と、を備え、窒化ホウ素ナノチューブの外壁寸法を、分散液の加熱によるエッチングで制御する。例文帳に追加

The method includes a step of adding multilayer boron nitride nanotubes in a mixture solvent comprising water and an organic solvent and subjecting the mixture to ultrasonic treatment to obtain a dispersion liquid, and a step of heating the dispersion liquid in a pressurized chamber so as to control the dimension of the outer walls of boron nitride nanotubes by etching by heating the dispersion liquid. - 特許庁

シリコン窒化膜の形成方法は、減圧ＣＶＤ装置内を７００度よりも低い温度に加熱すると共に窒素を含む原料ガス及びシラン系ガスを導入して、金属電極上にシリコン窒化膜を形成する工程と、該工程の後、温度を７００度よりも高い温度に変更して再度シリコン窒化膜を形成する工程とを有する。例文帳に追加

The method of forming the silicon nitride film includes the steps of heating an interior of a reduced pressure CVD device to a temperature lower than 700 degrees, introducing raw material gas containing nitrogen and silane system gas, thereby forming a silicon nitride film 60 on a metal electrode; and thereafter changing the temperature to a temperature higher than 700 degrees and forming the silicon nitride film 70 again. - 特許庁

昇華法によって形成される窒化アルミニウム単結晶２４用の原料２２であって、窒化アルミニウム粉末と有機バインダとを含んでなる組成物を、圧粉成型後、加熱して有機バインダを除去し、さらに焼成して粉末粒子同士の合一化を行って得られる。例文帳に追加

The raw material 22 for an aluminum nitride single crystal 24 formed by a sublimation method is obtained by green compaction of a composition comprising an aluminum nitride powder and an organic binder, then heating to remove the organic binder, and further firing to unify the powder particles. - 特許庁

本発明の実施の形態に係る製造方法においては、再焼結工程を行い（Ｓ３）、その後、圧力を加えることによってこのスクライブライン１１に沿ってこの窒化珪素焼結体１０を分割し、窒化珪素基板１５を得る（分割工程：Ｓ４）。例文帳に追加

A resintering process is executed (S3), in the manufacturing method, and the silicon nitride sintered body 10 is divided thereafter along the scribing line 11 by applying pressure, to obtain a silicon nitride substrate 15 (division process S4). - 特許庁

効率的な製造方法として、板表面の平均粗さを冷間圧延あるいは加熱焼鈍後のスキンパス圧延や矯正などの加工によって上記範囲に制御するとともに、冷間圧延板を洗浄した後に窒素ガス中にて７５０〜８３５℃で１〜６０秒加熱することによって式（１）の値が４〜１０の表面窒化に制御すると同時に焼鈍を成し得る。例文帳に追加

Simultaneously, the center line average height of roughness (Ra) of the sheet surface is made to 0.05 to 0.5 μm. - 特許庁

製法は、主材料の窒化硼素粉末に炭素粉末を加えた混合粉末を微粉砕すると共に水分と反応させて硼素酸化物を生成させ、得られた微粉末を加圧成形し、その成形体を不活性雰囲気下で常圧焼結する。例文帳に追加

The composite material is produced by adding carbon powder to boron nitride powder of a main component to give mixed powder, pulverizing the mixed powder, reacting the pulverized powder with water to form boron oxide, subjecting the obtained fine powder to pressure forming and sintering the molding product in an inert atmosphere under normal pressure. - 特許庁

陽極２０と陰極３０との間にパルス電圧を印加することによって被処理水１５中の窒素化合物を電解処理する窒素化合物の処理方法であって、パルス電圧制御手段６０によって前記パルス電圧のパルス幅およびデューティ比を所定の範囲に制御することを特徴とする。例文帳に追加

In the method for treating a nitrogen compound where pulse voltage is applied to the space between an anode 20 and a cathode 30, thus a nitrogen compound in the water 15 to be treated is subjected to electrolytic treatment, the pulse width and duty ratio of the pulse voltage are controlled to prescribed ranges by a pulse voltage controlling means 60. - 特許庁

発熱部と端部を接合してなる炭化珪素発熱体の端部を製造する方法において、炭化珪素、炭素および窒化珪素の混合粉末の成形体を、珪素の存在下で、且つ圧力が１５０〜１５００Ｐａの減圧下で、１４５０〜１７００℃の温度に加熱して反応焼結することを特徴とする。例文帳に追加

The method of manufacturing the end part of the silicon carbide heating element formed by joining a heating part to the end part is carried out by heating and reaction-sintering a compacted body of mixed powder of silicon carbide, carbon and silicon nitride in the presence of silicon under reduced pressure of 150-1,500 Pa at 1,450-1,700°C. - 特許庁

物理的処理工程としては、減圧脱気法や窒素ガスのような非活性気体で酸素を置換させる方法が含まれ、化学的処理工程としては、酸素吸着化合物や還元性化合物と接触または添加させることによる方法があり、両者を組み合わせることもできる。例文帳に追加

The physical treatment step includes a method of deaeration under reduced pressure and a method of replacing the oxygen with inactive gas such as gaseous nitride, and the chemical treatment step includes a method of contacting the the dialysis solution or the replenishing solution with oxygen adsorption compound or reducing compound or adding the oxygen adsorption compound or the reducing compound to the above solution, and can includes the combination of both of them. - 特許庁

耐酸化層を有する高融点金属材料を製造する方法は金属母材に炭素供給源を塗布し、窒素雰囲気中で１１００〜１４００℃の温度範囲で加熱及び１ＭＰａ以上の圧力で加圧処理することにより形成する。例文帳に追加

The refractory-metal material can be manufactured by applying a carbon supply source to the metallic base material and subjecting the base material to heating in a nitrogen atmosphere at 1100-1400°C and to pressurizing treatment at ≥1 MPa pressure. - 特許庁

六方晶系窒化ホウ素を快削性付与剤として含み、比較的低温で、かつ、無加圧下でも製造が可能な快削性セラミックス及びその製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a machinable ceramic which contains hexagonal boron nitride as a machinability imparting agent and can be produced at a relatively low temperature and under no applied pressure, and a method for producing the same. - 特許庁

更に低い接合温度でも良好な接合状態を得ることができ、かつ、製造工程において加圧の必要がない窒化アルミニウム接合体、及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an aluminum nitride bonded body obtaining an excellent bonding state at a relatively low bonding temperature and unnecessary to press in bonding process and a manufacturing method of the same. - 特許庁

リッジ部に加わる圧力や応力の発生をなくし、リッジ部への悪影響を防止することができる窒化物半導体発光素子及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a nitride semiconductor light emitting element that can prevent adverse effects on ridge part by eliminating pressure and stress to be applied on the ridge part and also provide a manufacturing method of the same element. - 特許庁

更に低い接合温度でも良好な接合状態を得ることができ、かつ、製造工程において加圧の必要がない窒化アルミニウム接合体、及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an aluminum nitride bonded body obtainable of a good bonding state even at a further lower bonding temperature and unnecessary to be pressed in a production step, and to provide a method for producing the same. - 特許庁

タップ孔内部、又は軸内部の孔には窒化層が形成されず、錆が発生しにくく、また、加工性がよく、工具寿命を長くすることができる動圧軸受及びその製造方法を得る。例文帳に追加

To obtain a dynamic pressure bearing and a method of its manufacture formed with no nitride layer in the inside of a tap hole or a hole in a shaft inside, to be difficult of generation of rust, and improve workability, to be capable of extending a tool life. - 特許庁

六方晶系窒化ホウ素を快削性付与剤として含み、より低温で焼成可能であって、かつ、無加圧下で製造が可能な快削性セラミックス及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a free-cutting ceramic which contains hexagonal boron nitride as a free-cutting property-imparting agent, enables firing at a lower temperature, and can be produced without pressurizing, and a method for producing the same. - 特許庁

親水性立方晶窒化ホウ素膜の作製方法は、金属またはケイ素を全成分または主成分とする基板上に成膜されたフッ素原子を含有する立方晶窒化ホウ素（ｃＢＮ）を全成分または主成分とする膜に対して、基板バイアス電圧を印加しながら水素ガス雰囲気下で低圧プラズマエッチングを行う工程を含む。例文帳に追加

The method for producing the hydrophilic cubic boron nitride film includes: a step of performing low pressure plasma etching under a hydrogen gas atmosphere while applying a substrate bias voltage to a film which is formed on a substrate whose entire component or main component is a metal or silicon, wherein the entire component or main component of the film is a cubic boron nitride (cBN) containing fluorine atoms. - 特許庁

平均粒子径が１００ｎｍ〜１０μｍである基材樹脂微粒子と、平均粒子径が１０〜５０ｎｍである機能性微粒子との混合物を、５〜１００ＭＰａの圧力に加圧された二酸化炭素、窒素、有機溶媒及び水からなる群より選択される少なくとも１種の加圧流体中で加圧する表面被覆樹脂微粒子の製造方法。例文帳に追加

The method for producing the surface-coated resin microparticles comprises pressurizing a mixture of the base resin microparticles of an average particle diameter of 100 nm to 10 μm with the functional microparticles of a mean particle diameter of 10 to 50 nm with at least one fluid pressurized to 5 to 100 MPa and selected from the group consisting of carbon dioxide, nitrogen, an organic solvent, and water. - 特許庁

α—Ｃａ_３Ｎ_２を、β—Ｃａ_３Ｎ_２に構造相転移する以上の温度に加熱する加熱ステップと、加熱ステップで得られたβ—Ｃａ_３Ｎ_２に、磁性を有する構造をしたＣａＮとＣａとに分解する以上の圧力を加える加圧ステップ、を有していることを特徴とする磁性を有する窒化カルシウムの製造方法。例文帳に追加

The calcium nitride having magnetism is characterized by having a heating step for heating α-Ca_3N_2 above the temperature causing structural phase transition to β-Ca_3N_2, and a pressurizing step for pressurizing the β-Ca_3N_2 obtained in the heating step at above the pressure causing decomposition to CaN which has a structure having magnetism and Ca. - 特許庁

反射率の高いＡｌ層をｎ側電極に使用してｎ型導電層とのコンタクト層に使用した場合でも、加熱によるｎ側電極のコンタクト性の悪化を抑制して、電圧低下を抑制することができる窒化物半導体発光素子の製造方法および窒化物半導体発光素子を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a nitride semiconductor light-emitting element and a nitride semiconductor light-emitting element capable of suppressing deterioration in contact properties of an n-side electrode caused by heating to suppress voltage reduction even when a high-reflectance Al layer is used for the n-side electrode and used for a contact layer with an n-type conductive layer. - 特許庁

この発明は、炭化珪素（ＳｉＣ）の粉体を主材とした圧粉体を焼結雰囲気中で加熱して焼結する方法において、上記主材に対し炭化アルミニウム（Ａｌ_4Ｃ_3）と窒化珪素（Ｓｉ_3Ｎ_4）のいずれか一方又は両方からなる添加材を添加混合して焼結する炭化珪素焼結材の製造方法に関する。例文帳に追加

This method of manufacturing the silicon carbide sintered material is a method of heating and sintering a green compact composed of the powder of a silicon carbide (SiC) as a chief material in a sintering atmosphere and comprises adding and mixing additive materials consisting of either or both of an aluminum carbide (Al_43) and a silicon nitride (Al_3N_4) to and with the chief material. - 特許庁

α型炭化ケイ素粉砕粉及び非金属系焼結助剤を含む混合物を得る工程と、混合物を４００ＫＰａ〜６００ＫＰａの窒素加圧雰囲気下でホットプレス法を用いて焼結する工程と、を含む炭化ケイ素焼結体の製造方法。例文帳に追加

The manufacturing method of a silicon carbide sintered compact comprises a step for obtaining a mixture containing α-type silicon carbide crushed powder and a nonmetallic sintering aid, and a step for sintering the mixture in an atmosphere of nitrogen pressurized at 400-600 KPa using a hot-press method. - 特許庁

シリコン及び水素を含有する原料ガスと窒素を含有するガスとのプラズマにより、プラズマ処理対象の基板２１に対して窒化シリコン膜を成長させるプラズマ処理方法において、前記基板２１にイオン入射させるバイアスパワーを閾値以上にすることでＳｉ−Ｈ結合量を増加させて圧縮応力を低減させた。例文帳に追加

The plasma processing method is used to form a silicon nitride film for a substrate 21 to be subjected to plasma processing by applying plasma of raw material gas containing silicon and hydrogen and a nitrogen containing gas, wherein a bias power for ion injection onto the substrate 21 is set higher than a threshold level, so that the increased Si-H coupling can reduce the compression stress. - 特許庁

炭化ケイ素粉末及び非金属系焼結助剤を含む混合粉体を高温高圧下で焼結する炭化ケイ素焼結体の製造方法において、炭化ケイ素粉末１００質量部に対して非金属系焼結助剤を６〜１６質量部及び窒素源含有化合物を０．１〜１．０質量部加えることを特徴とする炭化ケイ素焼結体の製造方法。例文帳に追加

The method for producing a silicon carbide sintered compact includes sintering mixed powder containing silicon carbide powder and a nonmetallic sintering aid at high temperature and high pressure, wherein 6-16 pts.mass of the nonmetallic sintering aid and 0.1-1.0 pt.mass of a nitrogen source-containing compound are added to 100 pts.mass of the silicon carbide powder. - 特許庁

強化材であるセラミックス粉末または繊維でプリフォームを形成し、そのプリフォーム中にＳｉを５〜１０重量％、Ｆｅを０．５〜４重量％含む溶融したアルミニウム合金を窒素雰囲気中で非加圧で浸透させることとした前記複合材料の製造方法。例文帳に追加

The composite material can be manufactured by forming a preform using the ceramic powder or fiber as a reinforcement and impregnating the preform with the molten aluminum alloy containing 5-10 wt.% Si and 0.5-4 wt.% Fe under no pressure in a nitrogen atmosphere. - 特許庁

本発明は、大きな容積の高圧ガス容器で供給する場合でも取扱いが容易且つ安全で亜酸化窒素ガスの添加量が簡単に調節出来るホイップクリームの製造方法及びホイップクリーム製造装置を提供することを可能にすることを目的としている。例文帳に追加

To provide an apparatus for producing whipped cream easily and safely treated even when dinitrogen monoxide gas is supplied using a large volume high-pressure gas container: and to provide a method for producing whipped cream comprising easily adjusting a dosage of the dinitrogen monoxide gas. - 特許庁

反応性スパッタリング法により基板上に封止性能を有す窒化膜を形成しつつ、同時に基板に負のＲＦ電圧（バイアス）を印加することで、基材に異物が付着した場合においても、孔や溝などの欠陥を生じることなく、短時間での封止膜形成が可能になる。例文帳に追加

By using a reactive sputtering method, a nitride film having sealability is formed on a substrate, and a negative RF voltage (bias) is applied to the substrate, at the same time, which attains sealing film formation in a brief time, without causing defects, such as, the holes or the grooves, even if foreign matters adhere to the substrate. - 特許庁

この製造方法は、（１）ビレットに圧延が施され、材質が難加工鋼である線状の母材２６が得られる工程及び（２）この母材２６に、その主成分が窒化チタンであるコーティング層をその表面に有するダイス２４で、シェービングが施される工程を含む。例文帳に追加

This production method comprises: a stage (1) where a billet is rolled, so as to obtain a linear base material 26 whose material is made of a hard-to-work steel; and a stage (2) where the base material 26 is subjected to shaping by a die 24 whose surface has a coating layer essentially consisting of titanium nitride. - 特許庁

転位密度の制御は、原料粉末のＸ線回折における半価幅を低く抑えるか、焼結体を得るまでの工程で１００ｋｇｆ／ｃｍ^2を越える圧力を加えない方法、又はＳｉ粉末の窒化反応焼結による。例文帳に追加

The control of the density of the dislocation is carried out by suppressing the width of a half value in the X-ray diffraction of a base powder to low, or by the method of not applying a pressure of >100 kgf/cm2 in the steps before obtaining the sintered compact, or by sintering with nitrifying reaction of Si powder. - 特許庁

この方法は、更に、燃焼器１１０へと導かれる燃料流１１２又は圧縮機１０４へと導かれる低圧供給酸化剤流の少なくとも一方に希釈剤１３４を添加して、結果的に得られる排気ガス流１１８中の窒素酸化物（ＮＯｘ）の濃度を低下させるとともに二酸化炭素の濃度を上昇させるステップを含む。例文帳に追加

The method further includes a step of adding a diluent 134 to either a fuel stream 112 directed to the combustor 110 or a low pressure feed oxidant stream directed to the compressor 104 to reduce concentration of oxides of nitrogen (NOx) in the exhaust gas stream 118 and increase concentration of carbon dioxide in a resultant exhaust gas stream. - 特許庁

高分子基材上に酸化亜鉛含有比率４〜２５質量％のＩＺＯ透明導電膜を形成する方法において、反応容器内の放電空間外の酸素濃度が２〜９体積％であり、かつ、窒素大気圧プラズマ法により、２つの異なる周波数を印加して作製することを特徴とするＩＺＯ透明導電膜形成方法。例文帳に追加

An IZO transparent conductive film containing a zinc oxide by 4 to 25 wt.% is formed on a polymeric base material by a nitrogen atmospheric pressure method in a state that oxygen density outside a discharging space in a reaction container is 2 to 9 volume %, by impressing two frequencies different from each other. - 特許庁

加熱室１０内に大気圧を超える圧力で過熱水蒸気を充満させることにより空気を排除した還元雰囲気下に食材８を保持することにより、従来のような酸素や窒素が存在する雰囲気ではなく、過熱水蒸気を充満させることにより空気を排除した還元雰囲気で食材８が加熱されるため、メイラード反応や酸化反応が抑制され、従来の加熱方法では生じ得なかった熱化学反応が食材８に生じる。例文帳に追加

Maillard reaction and oxidation reaction are suppressed and the thermochemical reaction is generated in the hood materials 8 which is not generated by the conventional heating method because the hood materials 8 are heated in a reductive atmosphere eliminating air by filling the superheated steam, not under a conventional atmosphere where oxygen and nitrogen exist by holding the hood materials 8 in a reductive atmosphere eliminating air by filling the superheated steam in a pressure exceeding atmospheric pressure inside of a heating chamber 10. - 特許庁

浮遊ゲート構造のメモリセルを備えてなる半導体装置において、制御ゲート電極上にボトムボーダレスコンタクト加工用のエッチングストップ層として、トランジスタの閾値電圧変動を抑制しつつ、歩留りの低下を伴わずに窒化珪素膜を形成できる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor device having a memory cell of a floating gate structure which can form a silicon nitride film without involving reduction in yield while suppressing fluctuations in transistor threshold voltage as an etching stop layer for the processing of a bottom borderless contact on a control gate electrode. - 特許庁

強化材であるセラミックス粉末またはセラミックス繊維で穴を有するプリフォームを形成し、その穴にＭｇを含むセラミックス粉末またはセラミックス繊維からなるスラリーを充填し、それを乾燥した後、そのプリフォームにマトリックスである溶融したアルミニウムまたはアルミニウム合金を窒素雰囲気中で非加圧で浸透させることとした金属−セラミックス複合材料の製造方法。例文帳に追加

In the method for producing a metal-ceramic composite material, a preform having a hole is formed using a ceramic powder or ceramic fibers being a reinforcing material, a slurry of a ceramic powder or ceramic fibers containing Mg is filled into the hole and dried, and then molten aluminum or aluminum alloy as a matrix is infiltrated into the preform in an atmosphere of nitrogen under normal pressure. - 特許庁

強化材であるセラミックス粉末またはセラミックス繊維でステンレスヒータなどを埋め込んだプリフォームを形成し、そのプリフォームに窒素雰囲気中で溶融したアルミニウムまたはアルミニウム合金を非加圧で浸透させることとしたヒータなどを内蔵した金属−セラミックス複合材料の製造方法。例文帳に追加

The method for producing the metal - ceramics composite material incorporating a heater, or the like, comprises forming a preform in which a stainless steel heater, or the like, is buried by using ceramics powder or a ceramics fiber being a reinforcing material, and then infiltrating aluminum or an aluminum alloy melted under a nitrogen atmosphere into the preform without pressurizing the aluminum or the aluminum alloy. - 特許庁

強化材であるセラミックス粉末またはセラミックス繊維でプリフォームを形成し、そのプリフォームの表面にグラファイト系粉末からなるバリア材を塗布した後、そのプリフォームにマトリックスである溶融したアルミニウムまたはアルミニウム合金を窒素雰囲気中で非加圧で浸透させることとした金属−セラミックス複合材料の製造方法。例文帳に追加

In the method for producing a metal-ceramic composite material, a preform is formed using a ceramic powder or ceramic fibers being a reinforcing material, the surface of the preform is coated with a barrier material comprising a graphitic powder, and molten aluminum or aluminum alloy as a matrix is infiltrated into the preform in an atmosphere of nitrogen under normal pressure. - 特許庁

強化材であるセラミックス粉末またはセラミックス繊維で所定のブロック形状をしたプリフォームを複数個形成し、それら複数個のプリフォームを内部に中空を有するように組み上げ、その組み上げたプリフォームにマトリックスである溶融したアルミニウムまたはアルミニウム合金を窒素雰囲気中で非加圧で浸透させることとした中空構造を有する金属−セラミックス複合材料の製造方法。例文帳に追加

The method for manufacturing the metal-ceramic composite material having a hollow structure comprises forming several preforms having a predetermined block shape from ceramic powder or ceramic fiber of reinforcement, assembling the several preforms so as to have a hollow inside, impregnating molten aluminum or aluminum alloy of matrix into an assembled preform in a nitrogen atmosphere under non-pressurization. - 特許庁

燃焼合成反応が行えないとされていた所定圧力以下の窒素雰囲気下でＢＮ、ＡｌＮ、Ｓｉ_3 Ｎ_4 の燃焼合成反応を可能とすることにより、粉砕しなくても微細な化合物粉末が得られ、しかも着火用の加熱部材からの不純物の混入もない、高純度のＢＮ、ＡｌＮ、Ｓｉ_3 Ｎ_4 を製造する方法を提供しようとするものである。例文帳に追加

To provide a production process for BN, AlN or Si3N4 of high purity that gives very fine particles of products in no need of crushing without contamination of impurities from the heating material for ignition by permitting the combustion synthesis of BN, AlN or Si3N4 in the nitrogen atmosphere under the pressure lower than the prescribed one where the combustion synthesis has been regarded to be impossible. - 特許庁

超臨界状態のアルゴン、二酸化炭素または窒素を雰囲気流体とする密閉容器内に炭素源となる原料化合物を供給しつつ、前記密閉容器内に設けられた２つの電極に電圧を印加することで前記２つの電極間に生起させた放電プラズマによって前記原料化合物を分解し、前記２つの電極のうちの少なくとも一方の電極上に膜状の炭素材料を形成する炭素材料の製造方法。例文帳に追加

In this method of manufacturing a carbon material, while a feed compound as carbon source is supplied in a closed vessel in which argon, carbon dioxide or nitrogen in supercritical state is contained as an ambient fluid, discharge plasma is generated by applying a voltage between the two electrodes set in the closed vessel and the feed compound is decomposed by the discharge plasma and a membranal carbon material is formed at least on one of the two electrodes. - 特許庁

強化材であるセラミックス粉末またはセラミックス繊維にＴｉＯ__2粉末、ＭｇＯ粉末、ＴｉＣ粉末またはＴｉＮ粉末の少なくとも１種を添加し、それを混合したセラミックス粉末またはセラミックス繊維でプリフォームを形成し、そのプリフォームにマトリックスである溶融したアルミニウムまたはアルミニウム合金を窒素雰囲気中で非加圧で浸透させることとした金属-セラミックス複合材料の製造方法、例文帳に追加

The metal/ceramic composite material is manufactured by adding at least one kind of TiO2 powder, MgO powder, TiC powder and TiN powder into ceramic powder or a ceramic fiber, which is a reinforced material, and mixing to form a perform from the ceramic or the ceramic fiber and infiltrating molten aluminum or the aluminum alloy of a matrix into the perform in a nitrogen atmosphere under non-pressure. - 特許庁

強化材であるセラミックス粉末でプリフォームを形成し、そのプリフォームに溶融した金属を浸透させる金属−セラミックス複合材料の製造方法において、該プリフォームが、棒状または管状の金属が埋設されたプリフォームであり、そのプリフォームに窒素気流中で７００〜９００℃の温度で溶融したアルミニウム合金を非加圧浸透法で浸透させることとした金属−セラミックス複合材料の製造方法。例文帳に追加

In the method for producing a metal-ceramics composite material in which a preform is formed by ceramics powder as a reinforcing material, and a molten metal is infiltrated into the preform, the preforme is the one in which a bar-shaped or tubular metal is buried, and an aluminum alloy melted at 700 to 900°C in a nitrogen current is infiltrated into the preform by a non- pressure infiltrating method. - 特許庁

強化材であるセラミックス粉末でプリフォームを形成し、そのプリフォームに溶融した金属を浸透させる金属−セラミックス複合材料の製造方法において、該セラミックス粉末が、Ｓｉ粉末を含むセラミックス粉末であり、そのセラミックス粉末で形成したプリフォームに窒素雰囲気中で７００℃以上の温度でアルミニウム合金を溶融して非加圧浸透法で浸透させることとした金属−セラミックス複合材料の製造方法。例文帳に追加

In this method for producing a metal-ceramics composite material, a preform is formed by ceramics powder as a reinforcing material, and molten metal is permeated into the preform, the ceramics powder contains Si powder, and the preform formed by the ceramics powder is permeated with an aluminum alloy melted at ≥700°C in a nitrogen atmosphere by a non-pressure permeation method. - 特許庁