「層間絶縁」に関連した英語例文の一覧と使い方(111ページ目) - Weblio英語例文検索

電界発光ファイバーおいて、前記ファイバー表層あるいは層間にアルカリ土類アルミン酸塩に賦活剤として希土類元素を含有する蓄光体を層状に形成する蓄光ネオン管とし、交流電力供給用の複数の導線を蓄光体で被覆してなる絶縁電線の内部に配置された電界発光ファイバーと、それらを被覆する蓄光体層を備えている。例文帳に追加

The electroluminescent fiber is formed into a luminous neon tube in which phosphor containing a rare earth element in an alkaline earth aluminate as an activator is formed on the surface layer or between the layers of the fiber, and the neon tube is provided with the electroluminescent fiber in which a plurality of conductors for AC power supply are arranged inside the insulating electric wires coated with the phosphor and the phosphor layer to cover these. - 特許庁

層間接続用のビアホールを備えたプリント配線板の製造方法であって、当該ビアホール形成のためのめっき処理工程前に、少なくとも絶縁基板の外層に形成された配線回路及び／又は金属箔の表側面に、後のビアホール部の回路形成の際のエッチング処理により当該外層配線回路及び／又は金属箔がエッチングされることを防止するバリア金属層を設ける。例文帳に追加

The method for manufacturing a printed wiring board with a via hole for interlayer connection includes a process of making a barrier metal layer at least on the front side of the wiring circuit and/or the metal foil formed on the outer layer of an insulator substrate to prevent the wiring circuit and/or the metal foil from being etched by etching treatment during a following circuit formation process in the via hole. - 特許庁

半導体装置（例えば、ＴＦＴ）の製造において、基板１００上に例えば層間絶縁膜となる、ポリシラザン（−（ＳｉＨ_2ＮＨ）−）塗布膜を形成し、水素及び酸素の混合ガスを燃料とするガスバーナーの火炎を熱源とした熱処理を施し、ポリシラザン塗布膜を焼成するとともに、ポリシラザン転化ＳｉＯ_2の改質を行う。例文帳に追加

In manufacturing the semiconductor device (e.g. TFT), a film applied with polysilazane (-(SiH_2NH)-) used as, for example, an interlayer dielectric is formed on a substrate 100, and thermal processing using a thermal source of flames of a gas burner using a mixed gas of hydrogen and oxygen as a fuel is performed to bake the polysilazane-applied film and to modify the polysilazane conversion SiO_2. - 特許庁

塗布膜の白化や熱硬化時の、着色、パターンのリフロー、発泡、皺の発生が起こることなく、高解像度、高耐熱性、高透明性、低誘電率性の特性を有する、ＴＦＴ基板用平坦化膜、層間絶縁膜、あるいは光導波路のコアやクラッド材の形成に用いられる高感度のポジ型感光性シロキサン組成物を提供する例文帳に追加

To provide a high-sensitivity positive photosensitive siloxane composition free of whitening of a coating film, coloring in heat curing, reflow of a pattern, blistering and creasing, having such properties as high resolution, high heat resistance, high transparency and a low dielectric constant, and used for forming a planarizing film for a TFT substrate, an interlayer insulation film or a core or cladding material of an optical waveguide. - 特許庁

更に、層間絶縁膜を介して相異なる層に位置する複数の導電膜から夫々形成されると共に互いに電気的に接続された複数の部分配線を有しており、複数の画素部が配列された画素アレイ領域の一辺に沿った方向に配線された部分を含む、複数のデータ線に画像信号を供給するための画像信号線を備える。例文帳に追加

Furthermore, it has a plurality of partial wires formed of a plurality of conductive films placed on mutually different layers via an interlayer insulating film respectively and mutually electrically connected, and it is equipped with an image signal line, including a portion wired in a direction along an edge of a pixel array region with the plurality of pixel portions aligned thereon, to supply image signals to the plurality of data lines. - 特許庁

部品内蔵基板を製造する工程において、金属板８ａに接着剤９を用いて半導体部品１を固定し、さらにその金属板８ａ及び半導体部品１の上に層間絶縁層４−１〜４−３及び配線層６−１〜６−３を順次積層させ、金属板８ａで他の配線層８を形成していくことを特徴としている。例文帳に追加

In a process of manufacturing a part built-in substrate, a semiconductor part 1 is fixed to a metal plate 8a with an adhesive 9, further, interlayer insulating layers 4-1 to 4-3 and wiring layers 6-1 to 6-3 are sequentially laminated on the metal plate 8a and the semiconductor part 1 to form other wiring layers 8 with the metal plate 8a. - 特許庁

絶縁性層間膜を介してデバイス部を積層形成してなる薄膜デバイス層２の、面方向の複数位置に割れ防止領域７を形成し、薄膜デバイス層２を横断してヘッドチップを切り出すための全切溝４を、それぞれ割れ防止領域７の形成域内にその始点部４１と終点部が位置するように形成する。例文帳に追加

Crack preventing areas 7 are formed in the plural position of the surface direction of a thin film device layer 2 formed by laminating a device part through an insulating interlayer film, a full cutting groove 4 for cutting out a head chip by crossing the thin film device layer 2 is formed such that the starting point 41 and the end point are positioned in the forming region of the crack preventing area 7. - 特許庁

ポリアリーレン及び／またはポリアリーレンエーテルの製造方法およびそれにより得られるポリアリーレン及び／またはポリアリーレンエーテルを含有する膜形成用組成物に関し、さらに詳しくは、半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、金属不純物の含有量が少なく、比誘電率特性、低リーク電流特性に優れた有機膜が形成可能な膜形成用組成物を得る。例文帳に追加

To provide a production method for a polyarylene and/or a polyarylene ether and a composition for film formation containing a polyarylene and/or a polyarylene ether obtained by the method; more specifically, a composition for film formation which is used as a material for forming an interlayer insulation film in a semiconductor element and can form an organic film having a low metallic impurity content and excellent in relative permittivity characteristics and low leak current characteristics. - 特許庁

半導体製造用マスク２００内の実パターン２０２以外の領域に，例えば一辺が０．２５μｍ以下の正方形のダミーパターン２０４を挿入し，パターン密度を均一化して，半導体製造用マスク毎に条件を変えることなくエッチング処理を行えるとともに，ＣＭＰ後の層間絶縁膜のグローバル段差を増大させないようにする。例文帳に追加

In the area of a semiconductor device manufacturing mask 200 except for a real pattern 202, a square dummy pattern 204, for example, having one side of 0.25 μm or less is inserted and the pattern density is made uniform, and an etching processing can be performed without changing conditions for every semiconductor device manufacturing mask and the global step of a post-CMP interlayer insulation film is not increased. - 特許庁

半導体基板１０上に形成された電極パッド１２と、電極パッド１２と電気的に接続されるように、電極パッド１２上に形成された外部電極１６と、外部電極１６の直下の半導体基板１０上に層間絶縁膜２０，２２を介して形成された半導体素子２４と、を含み、半導体素子２４のゲート酸化膜２６は、外部電極１６のエッジの真下を避けるように、形成された。例文帳に追加

The seiconductor device comprises an electrode pad 12 formed on a semiconductor substrate 10, an external electrode 16 formed on the pad 12 so as to be electrically connected to the pad 12, a semiconductor element 24 formed on the substrate 10 under the electrode 16 through interlayer insulating films 20, 22, and a gate oxide film 26 of the semiconductor element 24 formed in standing off under an edge of the electrode 16. - 特許庁

層間絶縁膜１１の上に、シリコンに不純物が低濃度でドーピングされてなる低濃度の非晶質シリコン層１２中に、シリコンに不純物が高濃度でドーピングされてなる高濃度の不純物含有シリコン領域１３を分散させた導電膜を堆積した後、該導電膜をパターニングして下部電極１５を形成する。例文帳に追加

After a conductive film formed by scattering high-concentration impurity-containing regions 13 composed of silicon doped with an impurity at a high concentration in a low-concentration amorphous silicon layer 12, coping with the impurity at a low concentration is deposited on the insulating film 11, a lower electrode 15 is formed by patterning the conductive film. - 特許庁

導体回路と層間樹脂絶縁層との接着性に優れ、ヒートサイクル時のクラック発生が少なく、可撓性が良好で、耐熱性、耐湿性、電気特性、難燃性等に優れた粗化面形成用樹脂組成物、並びにそれを用いた高信頼性の多層プリント配線板及びプリント配線板用プリプレグを提供する。例文帳に追加

To provide a roughened surface forming resin composition excellent in adhesiveness between a conductor circuit and an interlayer resin insulating layer, less suffering from the occurrence of cracks during heat cycle, and having good flexibility, heat resistance, moisture resistance, electrical properties and flame resistance, and to provide a highly reliable multilayer printed wiring board and a prepreg for a printed wiring board. - 特許庁

したがって、ＴＦＴアレイ基板１０上に駆動電源線９３及び共通電位線９１と、これら配線間に層間絶縁膜４３を形成することによって、容量とされるコンデンサ素子を設けることなく、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成された多層構造をそのまま利用して容量を構成することが可能である。例文帳に追加

Accordingly, by forming the drive power supply line 93 and the common potential line 91 on the TFT array substrate 10 and forming the interlayer insulating film 43 between these lines, a capacitance can be constituted by using the multilayer structure, as it is, formed on the TFT array substrate 10, without having to install a capacitor element that is to be a capacitance. - 特許庁

半導体基板１上の素子分離領域２により分離された能動領域に、ゲート酸化膜３を介して多結晶Ｓｉ４とＷＳｉ５からなるゲート電極を設け、該電極を覆って堆積した層間絶縁膜７に、ゲート電極に対し隣接し自己整合的に形成された拡散領域まで貫通する容量接続孔８を形成する。例文帳に追加

A gate electrode comprising poly-Si 4 and WSi 5 is provided via a gate oxide film 3 in an active region on a semiconductor substrate 1 isolated by an isolation region 2 and a capacity contact hole 8 reaching a diffusion region is formed contiguously to a gate electrode, while being self-aligned in an interlayer insulation film 7 deposited to cover the electrode. - 特許庁

本発明では、基板上の多層配線、即ち、それぞれが層間絶縁膜を介して積層された複数の層と、それぞれの層内に形成された配線とを有する多層配線の最上位の層内において、配線が配置された領域以外の領域に、定電位が与えられるノードに電気的に接続するメタル部材が形成される。例文帳に追加

In an uppermost layer of the multi-layered wiring on a substrate, that is, having a plurality of layers each laminated with an interlayer insulating film provided therebetween, and having wiring formed in the respective layers; a metal member electrically connected to a node having a constant potential provided thereto is formed in a region other than regions having the wiring arranged therein. - 特許庁

その後、ポリアリールエーテル膜１８を選択的にエッチングし第１配線層１６表面にまで達するビアホール２４ａを開口した後、温度３５０℃、５分間の第２の熱処理を施し、半導体基体をスパッタ装置に搬送する際の外気暴露によって第２層間絶縁膜２２に吸収された水分を放出する。例文帳に追加

After that, the polyaryl ether film 18 is selectively etched, the viahole 24a extending the surface of a first wiring layer 16 is opened, second thermal treatment is performed at 350°C for 5 minutes, and water content absorbed in the second interlayer insulating film 22 is discharged by exposure to the outside air when a semiconductor base substance is transferred to sputtering equipment. - 特許庁

安全性に問題がなく、感度、解像度、溶液としての保存安定性等に優れ、現像工程において最適現像時間を越えてもなお良好なパターン形状を形成できるような良好な現像マージンを有する感放射線性樹脂組成物、ならびにそれから形成された層間絶縁膜およびマイクロレンズを提供すること。例文帳に追加

To provide a radiation-sensitive resin composition having no safety problem, superior in sensitivity, resolution and storage stability as a solution, and having such a proper development margin that a proper pattern profile can be formed, even after the lapse of the optimum developing time in a developing step, and to provide an interlayer insulation film and microlenses formed from the composition. - 特許庁

半導体チップの搭載時及び多層配線板の層間接続において、確実に半田接合することができ、半田接合後の残存フラックスの洗浄除去が必要なく、高温、多湿雰囲気でも電気絶縁性を保持し、信頼性の高い半田接合を可能とする、硬化性フラックス及び硬化性フラックスシートを提供する。例文帳に追加

To provide a hardenable flux and a hardenable flux sheet capable of surely conducting solder joining, not requiring the cleaning/removing of a remaining flux after solder joining, holding the electric insulation property even in a high temperature and high humidity environment, and capable of carrying out high reliability solder joining, in mounting a semiconductor chip and interlayer connection of multilayer interconnection substrate. - 特許庁

銅基板との接着性に優れ、耐熱性、硬化膜特性に優れるポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた、基板との接着性良好なレリーフパターンの製造方法、層間絶縁膜又は表面保護膜を有する、信頼性の高い半導体装置や多層配線板となる電子部品を提供する。例文帳に追加

To provide a positive photosensitive resin composition excellent in adhesiveness to a copper substrate and excellent also in heat resistance and properties of a cured film; a method for producing a relief pattern using the same and having good adhesiveness to a substrate; and electronic components having an interlayer insulation film or a surface protection film and constituting a semiconductor device or a multilayer wiring board with high reliability. - 特許庁

本発明の不揮発性半導体記憶装置は、フローティングゲート３４とコントロールゲート３６等を被覆するＳＯＧ膜を含む層間絶縁膜３９下面にシリコン窒化膜３９Ｄによるバリア膜が介在することで、ＳＯＧ膜に含まれるＨあるいはＯＨが拡散しても、トンネル酸化膜３３にトラップされなくなり、トラップアップレートが改善する。例文帳に追加

A barrier film of a silicon nitride film 39D is set under an interlayer insulating film 39, comprising an SOG film which coats a floating gate 34 and a control gate 36, etc., so that even if H or OH contained in the SOG film diffuses, it will not be trapped by a tunnel oxide film for improved trap up rate. - 特許庁

熱処理装置としての熱処理ユニット４は、低誘電率膜層間絶縁膜が成膜されたウエハＷを収容するチャンバー４２と、このチャンバー４２内に気相の蟻酸を供給する蟻酸供給機構４４と、蟻酸供給機構４４によって蟻酸が供給されたチャンバー４２内でウエハＷを加熱するヒーター４３とを具備する。例文帳に追加

A heat treatment unit 4 as the heat treatment apparatus is provided with a chamber 42 for accommodating a wafer W on which the low dielectric constant interlayer insulating film is formed, a formic acid supply mechanism 44 for supplying a gas-phase formic acid into the chamber 42, and a heater 43 for heating the wafer W in the chamber 42 to which the formic acid has been supplied by the formic acid supply mechanism 44. - 特許庁

貫通孔を有し、該貫通孔内に導電性ペーストを充填したプリプレグを所定の絶縁層厚さで、かつ貫通孔位置が同一位置になるように複数枚重ねた後、その両面に金属箔を配し、金属プレートで挟み加熱加圧して所定位置の金属箔間の層間接続を行うことを特徴とする多層プリント配線板の製造方法。例文帳に追加

A method of manufacturing a multilayer printed wiring board is characterized in including: laminating a plurality of sheets of prepregs having through-holes filled with a conductive paste with a predetermined insulating layer thickness in such a way that positions of through-holes become identical; then coating both sides with metal foils; and holding the laminated prepregs between metal plates, heating and pressing them to perform interlayer connection between metal foils at predetermined positions. - 特許庁

ＰＤ１３が形成された半導体チップ１０の素子形成面側の表面に更に再配線用層間絶縁膜１３と、この上に形成された各ＰＤ１３とそれぞれ対応するＥＢＰ２１と、チップ１０上に対応するＰＤのないＤＢＰ２３と、ＰＤ１３と対応するＥＢＰ２１を接続する４１と、ＤＢＰ２３と所定のＥＢＰ２１とを接続するＤＢ再配線４３を備える。例文帳に追加

The device is provided with interlayer insulating films for rewiring 13 on a surface of an element forming face side of the semiconductor chip 10 where PD 13 is formed, EBP 21 corresponding to PD13 formed on the film, DBP 23 where corresponding PD does not exist on the chip 10, the wiring 41 connecting EBP 21 corresponding to PD13, and DB rewiring 43 connecting DBP23 with prescribed EBP 21. - 特許庁

電気光学装置は、ＴＦＴアレイ基板（１０）上に、画素電極（９ａ）と、これに接続されたＴＦＴ（３０）と、これに接続されたデータ線（６ａ）と、データ線に対して層間絶縁膜（４２）を介して積層形成されており平面的に見てデータ線と交差する方向に伸びる本線部分を含む容量線（３００）とを備える。例文帳に追加

The electrooptical device has a pixel electrode (9a), TFT (30) connected to it, a data line (6a) connected to it and a capacity line (300) which is laminated/formed across an interlayer insulating film (42) with respect to the data line and includes a main line part extending in a direction crossing the data line in a plane view on a TFT array substrate (10). - 特許庁

基板１上に層間絶縁膜１０及び下部電極用導電膜の下側層１１ａ等を形成した後、下側層１１ａ上に下部電極用導電膜の上側層１１ｂとして厚さが５０ｎｍ〜５００ｎｍ、例えば約１７５ｎｍのＰｔ膜をＤＣマグネトロンスパッタ法により形成する。例文帳に追加

After an interlayer insulation film 10, the underlying layer 11a of a conductive film for lower electrode, and the like, are formed on a substrate 1, a Pt film having a thickness in the range of 50-500 nm, e.g. about 175 nm, is formed as the overlying layer 11b of the conductive film for lower electrode on the underlying layer 11a by DC magnetron sputtering. - 特許庁

層間絶縁膜や金属配線等の、半導体のデバイスウエハの表面平坦化加工に用いられる研磨パッドの研磨層として、従来パッドに比べてライフが長い上に、研磨後のデバイス表面の平坦性とそのウエハ面内均一性のバランスの良い、高精度な研磨を実現する研磨用独立発泡体を提供する。例文帳に追加

To provide an isolated foam material for polishing which has a longer life than a conventional pad, further obtains well-balanced flatness of a device surface after polishing and uniformity on the wafer surface, and realizes polishing with high accuracy as the polishing layer of a polishing pad used for flattening the surface of the device wafer of a semiconductor such as an inter-layer insulating film, a metal wiring or the like. - 特許庁

表側面１１に表側導体回路２１を有すると共に裏側面１２に裏側導体回路２２を有し，かつ裏側導体回路２２の面積が表側導体回路２１の面積よりも小さい基板１の両面に，ロールコーター４によって層間絶縁層３を両面同時に形成することにより，プリント配線板を製造する方法。例文帳に追加

A printed-wiring board is manufactured by forming an interlayer insulation layer 3 on both the sides of a substrate 1 by a rotor coater 4, where the substrate 1 has a surface-side conductor circuit 21 on the surface 11 and at the same time a backside conductor circuit 22 on the backside 12 and has a smaller area of the surface-side conductor circuit 21 than that of the backside conductor circuit 21. - 特許庁

Ｓｉ基板２０上に拡散層を介さずに隣接して形成された第１、第２ゲート層３１，３２と、第１ゲート層３１の外側に形成されたドレイン用拡散層２１と、第２ゲート層３２の外側に形成されたソース用拡散層２２と、第１、第２ゲート層３１，３２を覆ってＳｉ基板２０上に形成された層間絶縁膜４０とを含む。例文帳に追加

The device includes first and second gate layers 31 and 32 formed adjacent to each other on an Si substrate 20 without intervention of a diffusion layer therebetween, a drain diffusion layer 21 formed outside of the first gate layer 31, a source diffusion layer 22 formed outside of the second gate layer 32, and an interlayer insulating film 40 formed on the Si substrate 20 to cover the first and second gate layers 31 and 32. - 特許庁

前端部で上部磁極に磁気的に結合している上部コア層と、前端部で下部磁極に磁気的に結合している下部コア層と、上部コア層及び下部コア層間に挿通しているコイル導体と、コイル導体を挟んで形成されたコイル絶縁層とを含むインダクティブ型書込みヘッド素子を少なくとも備えた薄膜磁気ヘッドである。例文帳に追加

This thin film magnetic head is provided with at least an inductive writing head element including an upper core layer magnetically coupled to an upper magnetic pole for its front end, a lower core layer magnetically coupled to a lower magnetic pole for its front end, a coil conductor inserted between the upper and lower core layers, and a coil insolating layer formed by sandwiching the coil conductor. - 特許庁

バリアメタル膜２１は、開口部１７，２０の内側を覆って設けられているとともに結晶構造が互いに異なるα−Ｔａおよびβ−Ｔａを含むタンタルの膜からなり、かつ、α−Ｔａとβ−Ｔａとの組成比が低比誘電率層間絶縁膜８に接する部分において１以上５以下となっている。例文帳に追加

The barrier metal film 21 is so formed as to cover the inside of the openings 17 and 20 and consists of a tantalum film containing α-Ta and β-Ta having different crystal structures, with the ratio of β-Ta with respect to α-Ta being not less than 1 nor more than 5 in a portion in contact with the low specific permittivity interlayer insulation film 8. - 特許庁

コア基板の両面に絶縁層を順次積層し、導電性ペーストにより層間接続用する回路基板の製造方法であって、導電性ペーストを上面に充填した後、下面に充填する際に、上面に充填した導電性ペーストが穴から漏れたり、ゴミが付着したりすることを防止した方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a circuit board by laminating insulating layers on both sides of a core substrate in sequence and connecting the layers by a conductive paste and by which the conductive paste applied on the upper plane is prevented from leaking from a hole and particles are prevented from adhering, when the conductive paste is applied on the lower plane after its application on the upper plane. - 特許庁

比較的低温で加熱加圧成形でき、導体との充分な密着性を有し、しかも高耐熱性、低誘電率、低誘電正接、低吸水率及び難燃性の層間絶縁層を形成できるプリント配線基板用プリプレグ、並びにそれを用いて作業性良く製造できる高性能、高密度の多層プリント配線板を提供する。例文帳に追加

To provide a prepreg for a printed circuit board moldable by hot-pressing at a relatively low temperature, having sufficient adhesiveness to conductors and giving an interlayer insulation layer having high heat-resistance, low dielectric constant, low dielectric loss tangent, low water absorption and high flame retardancy, and provide a multilayer printed circuit board having high performance and high density and producible in high work efficiency by using the prepreg. - 特許庁

シリコン基板１の主面ｓ１上に順に形成された複数の素子、層間絶縁膜２およびパッド３と、パッド３に電気的に接続するバンプ電極４と、シリコン基板１の裏面ｓ２に形成され、バンプ電極４に電気的に接続する裏面電極６とを有する半導体装置である。例文帳に追加

The semiconductor device has a plurality of elements, an interlayer insulating film 2, and a pad 3, sequentially formed on the principal surface s1 of a silicon substrate 1, and is further provided with a bump electrode 4 electrically connected to the pad 3, and a rear surface electrode 6 formed on the rear surface s2 of the silicon substrate 1 and electrically connected with the bump electrode 4. - 特許庁

半導体デバイスなど電子機器の製造において、硬いバリア層や層間絶縁膜を研磨する際に、凹部の銅或いは銅合金表面を研磨中に保護することにより、研磨後に平坦性に優れた清浄な基体表面が得られる研磨液、及び前記研磨液を用いて生産性が高く、微細化、薄膜化、寸法精度に優れ、信頼性の高い化学機械研磨を行う研磨方法を提供する。例文帳に追加

To provide a polishing solution for polishing hard barrier layers and layer insulation films while the surface of cupper or a cupper alloy in a recess is protected during polishing to obtain a polished superior-flatness clean substrate surface, in the manufacturing of an electronic apparatus such as a semiconductor device, and to provide a high reliability chemical/mechanical polishing method superior in microprocessing, thinning, and dimension accuracy. - 特許庁

硬化物における難燃性、耐湿性に優れる硬化性樹脂組成物、その硬化物、及び、該硬化性樹脂組成物を用いたプリント配線基板用樹脂組成物、プリント配線基板、フレキシブル配線基板用樹脂組成物、半導体封止材料用樹脂組成物、及びビルドアップ基板用層間絶縁材料用樹脂組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a curable resin composition excellent in flame retardancy and moisture resistance in a cured product, a cured product thereof, and a resin composition for printed wiring boards, a printed wiring board, a resin composition for flexible wiring boards, a resin composition for semiconductor sealing materials and a resin composition for an interlayer insulation material for build-up substrates, using the curable resin composition. - 特許庁

更に、中継層９３と同一膜からなると共に、層間絶縁膜４３に開口された開口部８１０から一部が露出する外部回路接続端子１０２並びに、平面的に見て開口部８１０と部分的に重なると共に、下部容量電極７１及び上部容量電極３００ａの各々と同一膜からなる調整膜６１１及び６１２とを備える。例文帳に追加

Further, the device has an external circuit connection terminal 102 made of the same film as the relay layer 93 and partially exposed through an opening 810 formed in the interlayer insulating film 43, and adjusting films 611 and 612 partially overlapping the opening 810 in a plan view and made of the same films of the lower capacitor electrode 71 and the upper capacitor electrode 300a, respectively. - 特許庁

耐熱性や熱寸法安定性、層間剥離強度、高湿度下における電気絶縁性などに優れ、特に電気回路板用積層物の製造工程における変形（捩じれ、反り、波打ち等）が改良され、樹脂ワニスとの接着性や熱寸法変化による信頼性不足の問題が解消可能な芳香族ポリアミド繊維紙を提供すること。例文帳に追加

To provide aromatic polyamide fiber paper which has excellent heat resistance, thermal dimensional stability, plybond strength, electric insulation under high humidity and so on, suppresses deformation (distortion, curvature, waving and so on) especially during a process for producing laminates for electric circuit boards, and can eliminate the problems comprising the poor adhesivity to resin varnishes and the poor reliability by the thermal change of dimension. - 特許庁

下層配線層と上層配線層との間に設ける層間絶縁膜４をドライフィルムによって構成した薄膜付実装回路樹脂基板の端部に、少なくとも実配線層２の密度が相対的に粗な領域に隣接し、且つ、前記実配線層２より基板の端部側にダレ防止用パターン３を設ける。例文帳に追加

A sag-preventing pattern 3 is provided at the end part of a packaging circuit resin board with a thin film having an interlayer insulation film 4 that is provided between a lower wiring layer and an upper wiring layer comprising a dry film, adjoining the region with the relatively high density of at least an actual wiring layer 2 on the end part side of the board from the actual wiring layer 2. - 特許庁

安全性に問題がなく、感度、解像度、溶液としての保存安定性等に優れ、現像工程において最適現像時間を越えてもなお良好なパターン形状を形成できるような良好な現像マージンを有する感放射線性樹脂組成物ならびに該組成物から形成された層間絶縁膜およびマイクロレンズを提供すること。例文帳に追加

To provide a radiation-sensitive resin composition having no safety problem, superior in sensitivity, resolution and storage stability as a solution, and having such a proper development margin that a proper pattern profile can be formed, even after the lapse of the optimum developing time in a developing step, and to provide an interlayer insulation film and microlenses formed from the composition. - 特許庁

コンタクトホール６と配線溝９とが形成された層間絶縁膜３上、及びコンタクトホール６から露出した不純物拡散層２上に、チタン膜１０を形成し、このチタン膜１０と不純物拡散層２とを反応させ、コンタクトホール６の底に、チタンシリサイド層１１を形成する。例文帳に追加

A titanium film 10 is formed on an interlayer insulating film 3, where a contact hole 6 and an interconnection trench 9 are formed and on an impurity diffusion layer 2 exposed from the contact hole 2, then a titanium silicide film 11 is formed at the bottom of the contact hole 6 by causing a reaction between the titanium film 10 and the impurity diffusion layer 2. - 特許庁

次にビット線及び該パッドを含む全体の上に第２層間絶縁膜２１０を形成し、その上に下部電極用、強誘電体及び上部電極用の各物質を順次成膜後、パターニングして下部電極２１１Ａ、強誘電体膜２１１Ｂ及び上部電極２１１Ｃからなるキャパシタ２１１を形成する。例文帳に追加

Then, a second interlayer insulating film 210 is formed on the whole that includes the bit line 208 and the pad 209, and material films for a lower electrode, a ferroelectric body, and an upper electrode are successively formed thereon and patterned for the formation of a capacitor 211 composed of a lower electrode 211A, a ferroelectric film 211B, and an upper electrode 211C. - 特許庁

均一な膜厚を有する層間樹脂絶縁層やソルダーレジスト層を形成することができ、膜厚の不均一に起因するバイアホール用開口や半田バンプ用開口の未形成や径、形状の不具合を防止して、接続性や信頼性を優れるプリント配線板を製造することができる塗布用ロールコーターを提供すること。例文帳に追加

To provide a roll coater for coating capable of forming an interlaminar resin insulating layer and a solder-resist layer with even thickness and producing a printed circuit board excellent in the connection and reliability by preventing formation failure of openings for via holes and openings for solder bumps and diameter and shape defects attributed to unevenness of the coating film thickness. - 特許庁

補助容量２０は、接続孔３０ａが形成された層間絶縁膜３０を間にして、画素トランジスタ４０の略下方位置に設けられると共に、補助容量２０の下部電極層２１は接続孔３０ａに形成された接続電極３１を介して画素トランジスタ４０の不純物領域４１Ａと電気的に接続される。例文帳に追加

An auxiliary capacitor 20 is disposed in approximately a position below a pixel transistor 40 with an interlayer insulating film 30 formed with a connecting hole 30a in-between and a lower electrode layer 21 of the auxiliary capacitor 20 is electrically connected through a connecting electrode 31 formed in the connecting hole 30a to an impurity region 41A of the pixel transistor 40. - 特許庁

本発明の半透過型液晶表示パネル１０Ａは、反射板１８が形成されている位置の層間絶縁膜１７に形成したコンタクトホール２０を介して画素電極１９とスイッチング素子であるＴＦＴとが電気的に接続され、液晶分子の配向規制手段である突起３２がコンタクトホール２０と対向する位置形成されている。例文帳に追加

In the transflective liquid crystal display panel 10A, a pixel electrode 19 and a TFT as a switching element are electrically connected through a contact hole 20 formed in an interlayer insulating film 17 at the position where a reflector 18 is formed; and a protrusion 32 as an alignment regulating means for liquid crystal molecules is formed at the position opposing to the contact hole 20. - 特許庁

層間絶縁膜１４の上にはコンタクトプラグ１５と接続されるように容量素子の下部電極１６が形成されており、該下部電極１６は、第１の導電性バリア膜１６ａ、酸化イリジウム膜よりなる第２の導電性バリア膜（酸素バリア膜）１６ｂ及び金属膜１６ｃより構成されている。例文帳に追加

The lower electrode 16 of the capacitance element is formed on the insulating film 14 so that the electrode 16 may be connected to the plug 15, and the electrode 16 is constituted of a first-conductivity barrier film 16a, a second-conductivity barrier film (oxygen barrier film) 16b consisting of the iridium oxide film, and a metallic film 16c. - 特許庁