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該当件数 : 712



例文

押さえ部材123が起伏部132の起伏に当接しながらカッターユニット112全体がC方向に移動してゆくと、カッターホルダー122は徐々に上に持ち上げられ、カッター刃130が記録材113に切り込む深さは徐々にくなる。例文帳に追加

When the whole of a cutter unit 112 moves in a C direction while a holding member 123 is pressed in contact with a bumpy face of a bumpy part 132, a cutter holder 122 is gradually raised upward and the cutter edge 130 is gradually reduced in the cutting depth to the recording material 113. - 特許庁

オープナーの一端にアルミニウムキャップの外径より大きい径になる透孔を設け、この透孔の内周の少なくとも3箇所に弾性材料からなる小片の把持突起を付設することを手段として、凹凸模様のいキャップへの強力な把持力を得た。例文帳に追加

A through hole with a diameter larger than an outer diameter of an aluminum cap is provided at one of ends of an opener, and strong holding force of the cap with shallow uneven patterns is obtained by means of providing small piece holding projections made of an elastic material on at least three portions on an inner peripheral surface of the through hole. - 特許庁

たとえば、P型シリコン基板11の表部に、い第一の埋め込み素子分離絶縁膜22と、この第一の埋め込み素子分離絶縁膜22よりも深い、第二の埋め込み素子分離絶縁膜23とからなる素子分離領域24を形成する。例文帳に追加

An element separating region 24 comprising the first shallow buried element isolation insulating film 22 and the second buried element isolation insulating film 23 deeper than the first insulating film 22 is formed on the surface of a P type silicon substrate 11. - 特許庁

ゲート電極2よりソース及びドレイン電極11、12が高いから、ソース及びドレイン電極11、12を上からの金属拡散により半導体基板1のい領域に留まるように形成しても、ゲート電極2は完全にシリサイド化される。例文帳に追加

The source electrode 11 and the drain electrode 12 are higher than the gate electrode 2 whereby the silicide of gate electrode 2 is effected completely, even when the source electrode 11 and the drain electrode 12 are formed so as to stay in the shallow region of the semiconductor substrate 1 through the diffusion of metal from the upper surfaces thereof. - 特許庁

例文

本発明のダイオードは、N型半導体層1の表に、低不純物濃度のP型半導体領域3が部分的に形成され、この領域3の間隙を埋めるようにこの領域3よりもくかつ高不純物濃度のP^+型半導体領域4が形成されている。例文帳に追加

In the diode, a lightly doped P-type semiconductor region 3 is partially formed on the surface of an N-type semiconductor layer 1, and a heavily doped P^+-type semiconductor region 4 is formed shallower than this region 3 in depth so as to embed a gap between these regions 3. - 特許庁


例文

このような構成により、第1の光源17から出射して第2の偏光フィルタ19を透過した光を肌にあてると、肌表の正反射が増えるため、深いシミが見え難くなり、その結果として、い方のシミを良好に観察することができる。例文帳に追加

By such constitution, regular reflection on the surface of the skin is increased when the skin is irradiated with light emitted from a first light source 17 and transmitted through the second polarizing filter 19, whereby the deep spot is hardly observed, consequently, the shallow spot is satisfactorily observed. - 特許庁

ガイドシュー2の摺動2aに、摺動方向に平行で、且つ摩耗限界寸法の深さ寸法を有する摩耗量点検溝2cを設け、この摩耗量点検溝2cの深さがガイドシュー2の摩耗に応じてくなっていくに応じて、その交換時期を判断可能とした。例文帳に追加

A wear amount inspection channel 2c parallel with the direction of slide and having depth of wear limit dimension is provided on a slide face 2a of the guide shoe 2 to determine its replacement time in accordance with reduction of depth of the wear amount inspection channel 2c in accordance with wear of the guide shoe 2. - 特許庁

トレンチの深部に埋め込み絶縁体が形成されており、トレンチの部の壁に絶縁層が形成されており、その絶縁層の内側にトレンチ内導体が充填されている構成の半導体装置の耐圧を向上させる技術を提供する。例文帳に追加

To provide a technique for improving a breakdown voltage in a semiconductor device, where a buried insulator is formed at a deep section in a trench, an insulating layer is formed on the wall surface of a shallow section in the trench, and the inside of the insulating layer is filled with a trench inner conductor. - 特許庁

縦型バイポーラトランジスタ90aとMOSトランジスタ90bからなる構成であって、縦型バイポーラトランジスタの少なくともベース領域は、エッチングにより表から掘り下げることでMOSトランジスタ90bのウェル20b深さよりもくなっている。例文帳に追加

The device includes a vertical bipolar transistor 90a and a MOS transistor 90b. - 特許庁

例文

高温での熱処理プロセスを必要とする不純物拡散層からなるホール蓄積層を設けることなく界準位に起因した暗電流を低減することが可能で、これにより半導体基板のい位置にセンサを設けて電荷転送効率の向上が図られた固体撮像装置を提供する。例文帳に追加

To provide a solid-state imaging device reducing dark current due to an interface state without forming a hole storing layer made of an impurity diffused layer which needs a heating process at high temperature and allowing sensor placement in a shallow part of a semiconductor substrate so as to improve charge transfer efficiency. - 特許庁

例文

この発明は、装置の幅方向の最大寸法が自動弁の最外径となるように周辺機器および計装配管を配置し、装置格納用スペースを確保するためのトンネル壁の開削深さをくし、工事費用の低減を可能とする自動弁装置を得る。例文帳に追加

To provide an automatic valve device capable of reducing a construction cost by disposing peripheral devices and instrument piping whose width-directional maximum dimensions become the outermost diameter of the automatic valve and shallowing the cutting depth of a tunnel wall face for securing a device storage space. - 特許庁

液体容器を取り出す際に、係止ピンの移動方向に沿って溝深さが徐々にくなる案内溝の底を係止ピンが摺動することにより、回動レバー部材の一部がその回動軸心方向において液体容器から離れる方向に変位する。例文帳に追加

When the liquid container is taken out, the engaging pin slides on the bottom face of the guide groove having depth becoming shallower along the moving direction of the engaging pin and part of the turning lever member displaces to recede from the liquid container in the axial direction of rotation. - 特許庁

半導体薄膜の表層にい接合の拡散層を形成することが可能で、これによりLDD領域を設けることなくドレイン端においての電界を緩和してリーク電流を均一に抑えることができる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a process for fabricating a thin film transistor in which a shallow junction diffusion layer can be formed on the surface layer of a semiconductor thin film and thereby the leak current can be suppressed uniformly by relaxing the electric field at the drain end without providing an LDD region. - 特許庁

Si基板にダメージを与えることがなくなり、高融点金属シリサイド(Tiシリサイド)/Si界の制御性をよくし、接合リークを低減し、い接合形成を可能にし、シリサイド膜の熱的安定性を向上させ得る半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device whereby no damage is caused to an Si substrate, controllability of high melting point metallic silicide (Ti silicide)/Si interface is improved, junction leakage is reduced, thin junction is formed, and thermal stability of a silicide film is improved. - 特許庁

水深がある湿潤路を走行する際に、補助車輪5により速度検出用車輪4が走行する路の水膜を切り水深をくし、速度検出用車輪4におけるハイドロプレーニング現象の発生を抑制する。例文帳に追加

In traveling on a wet road having the depth of water, the auxiliary wheel 5 cuts the water film of the road surface on which the speed detection wheel 4 travels so that the depth of water is shallowed, and the occurrence of a hydroplaning phenomenon on the speed detection wheel 4 is prevented. - 特許庁

トレッド1にタイヤ周方向に延びる主溝2と、該主溝2に比べて溝深さのい副溝3を配置した空気入りラジアルタイヤにおいて、副溝3の溝底にトレッドゴムGより摩耗抵抗係数の小さいゴム6を配置する。例文帳に追加

In the pneumatic radial tire which has main grooves 2 on a tread surface 1 extended in the circumferential direction of the tire, and subsidiary grooves 3 having a depth smaller than those of the main grooves, a rubber 6 having the wear resistance coefficient smaller than that of a tread rubber G is arranged on the bottom of the subsidiary groove 3. - 特許庁

被加工物表に前記凹形状よりも深さがい凹形パターンを形成する基本形状形成工程と、前記凹形パターンの幅よりも大きいビーム径のレーザ光を、前記凹形パターンに照射して、凹形状を加工する形状成長工程とを有する。例文帳に追加

The processing method includes a basic shape forming step of forming a recess pattern smaller in depth than a recess shape on a surface of a workpiece; and a shape growth step of irradiating the recess pattern with laser light which has a beam diameter larger than a width of the recess pattern so as to process the recess shape. - 特許庁

水中地盤Gに形成されたケーソン基礎12を取り囲むように複数の鋼管矢板14を表層Aの比較的い位置まで打ち込んだ後、ケーソン基礎12及び鋼管矢板14間の地盤Gを掘削して掘削空間Xを形成する。例文帳に追加

After a plurality of steel pipe sheet piles 14 have been driven to comparatively shallow positions of the surface layer A so as to surround a caisson foundation 12 formed in an underwater ground G, the caisson foundation 12 and the ground G between the steel pipe sheet piles 14 are excavated to form an excavated space X. - 特許庁

く、かつ所定の幅以上の広いU字状の断形状のグルーブが形成された高密度記録が可能な光記録媒体、その光記録媒体の製造用の光記録媒体製造用原盤およびその製造装置ならびにその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an optical recording medium where a shallow groove having a specified width or more and a U-shaped cross section is formed, and high-density recording can be carried out, an original disk for manufacturing the optical recording medium, and a device and a method for manufacturing the original disk for manufacturing the same. - 特許庁

を清掃する電動床磨機用回転束子1の不織布束子8部分の交換を容易にすると共に、経験のい作業者が用いても、要部である不織布束子8の使用変形が発生せず、回転揺れの抑制を図る。例文帳に追加

To readily replace a nonwoven fabric scrub brush 8 of a rotary scrub brush 1 for a motor driven floor polisher for cleaning a floor surface, to prevent the main nonwoven fabric scrub brush 8 from deformation even when it is used by an inexperienced operator, and to restrain rotation swing. - 特許庁

読取窓6aは、読取5を照明するために必要な開口部を有しており、この開口部に、搬送方向上流は深く搬送方向下流に向かってくなるように傾斜角θを有し、耐磨耗性でかつ高透過率の透明部材6bが配置される。例文帳に追加

The reading window 6a has an opening required for illuminating the reading surface 5, and a transparent member 6b, having an inclination angle θ which is large in an upstream conveyance direction and small toward a downstream conveyance direction, and having abrasion resistance and high transmittance, is disposed in the opening. - 特許庁

第2直線溝27は、トレッドのタイヤ幅方向の中央部に位置する周溝14側からタイヤ回転方向の後方に向かってトレッド端部側に延びる直線とされ、一端が周溝14まで達し、他端がトレッド端に達している。例文帳に追加

A second straight shallow groove 27 forms a line extending from the circumferential groove 14 side located in a center of the tire width direction of a tread face to a tread end side backward of the tire rotational direction, and one end thereof reaches the circumferential groove 14 and the other end reaches the tread end. - 特許庁

LED素子から射出する加熱用の光の波長を最適化することによって、半導体ウエハ等の被処理体の表のみをく、且つ膜種に関係なく均一な温度分布の状態で高速昇温及び高速降温させることが可能な加熱装置を提供する。例文帳に追加

To provide a heater which can perform high speed shallow temperature rise or temperature drop only on the surface of a workpiece, e.g. a semiconductor wafer, under a state of uniform temperature distribution regardless of the type of a film by optimizing the wavelength of heating light emitted from an LED element. - 特許庁

第一金属板33の片に、底板部35と、この底板部35の周縁部に設けて、第一金属板33の重ね合わせ方向に突出する1対の側壁部36、36とから成る、第一、第二凹部22a、23aを設ける。例文帳に追加

On one side of first metal plate 33, first and second shallow recesses 22a and 23a defined by a bottom plate 35 and a pair of sidewalls 36 and 36 projecting from the circumferential edge of the bottom plate 35 in the stacking direction of the first metal plate 33 are provided. - 特許庁

円柱形状または円筒形状のローラーの表に、特に全周にわたって、隙間が最小限で最もくなるように正確な位置精度をもって回路基板を貼着することを可能とする立体的回路基板の形成装置および形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus and a method for forming a three-dimensional circuit board for adhering a circuit board with higher positional accuracy particularly to the entire part of circumference of the front surface of a column-shaped or cylindrical roller to provide the minimum and shallowest gap. - 特許庁

海底の様子だけでなく、海近くの状態も探知することの可能な障害物探知装置並びに該障害物探知装置を備えることにより、比較的い海域を円滑に航走することのできる水中航走体を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide an obstacle detection device capable of detecting not only a state of the sea bottom but a state near the sea level, and an underwater sailing body capable of smoothly sailing a comparatively shallow sea area by including the obstacle detection device. - 特許庁

P型半導体基板1の表いPウェル23と深いPウェル24とが互いに部分的に重なるように形成され、これらのウェル23、24は、Nウェル21、深いボトムN型ウェル2および繋ぎNウェル22によって取り囲まれている。例文帳に追加

A shallow P well 23 and a deep P well 24 are formed on the surface of a P type semiconductor substrate 1 while overlapping partially and these wells 23 and 24 are surrounded by an N well 21, a deep bottom N type well 2 and an interlinking N well 22. - 特許庁

別途のリソグラフィ工程なしにソース及びドレイン接合部の高不純物濃度のシリコン層を拡散源として利用してnm大きさの微細チャネルといソース及びドレインを形成すること、また同じ積内でチャネルの実効幅を増加させることによって高い駆動電流を得ること。例文帳に追加

To obtain a high drive current by forming a fine channel and shallow source and drain of nm order size by utilizing a heavily doped silicon layer of a source and drain junction without separate lithographic process as a diffusion source and increasing an effective width of the channel in the same area. - 特許庁

高電圧が印加される接合構造を形成する過程で格子欠陥が発生することを最小化し、ブレークダウン電圧(Breakdown voltage)及び抵抗の低い接合構造をく形成することが可能な半導体素子の高電圧接合領域方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of forming a high-voltage junction for a semiconductor device, capable of forming a junction structure of a high breakdown voltage and low surface resistance in a shallow position by minimizing the occurrence of lattice defects in a process of forming a junction to which a high voltage is applied. - 特許庁

液体容器を取り出す際に、係止ピンの移動方向に沿って溝深さが徐々にくなる案内溝の底を係止ピンが摺動することにより、回動レバー部材の一部がその回動軸心方向において液体容器から離れる方向に変位する。例文帳に追加

When the liquid vessel is taken out, the locking pin slides on the bottom surface of the guide groove, the depth of which is gradually decreased along the moving direction of the locking pin, so that the rotary lever member can be partially displaced in the direction of separation from the liquid vessel in the direction of its rotational axis. - 特許庁

電子銃から電子ビームを蒸着材料に照射して基板に光学薄膜を形成する真空蒸着装置のハースライナー1において、該ハースライナー1の蒸着材料収納部2の断形状が、い半円形(球)状(おわん状)であることを特徴とする。例文帳に追加

The hearth liner 1 of a vacuum deposition apparatus is used for forming an optical thin film on a substrate by irradiating an evaporant with an electron beam sent from an electron gun, wherein the cross-section of the evaporant holder 2 of the hearth liner 1 has the shape of a shallow semicircle (hemisphere) (bowl). - 特許庁

Oリング溝86は、Oリング86の太さよりも広い溝幅を有し、弁体8が弁座6に当接するときに、Oリング86が弁座6によって押圧される方向に向けて、徐々に溝深さがくなる傾斜86cが形成されている。例文帳に追加

The groove 86 has a width greater than the thickness of the O-ring 86, and a slope 86c is formed so that the groove depth becomes shallower toward the direction in which the O-ring 86 is pressed by the valve seat 6 when the valve element 8 abuts to the valve seat 6. - 特許庁

一方の溝フランク(8,9)が、鍵平(1)から交差線(10)まで延びる他方の溝フランク(9,8)の半分のフランク長さを有していることにより、少なくとも1つのい溝のバリエーション(c,d,cd)が形成されている。例文帳に追加

Groove flanks (8, 9) at one side of a key have a flank length which is one-half of other groove flanks (9, 8) extending from a key plane (1) to its cross line (10) and therefore at least one of shallow groove flank variations (c, d, cd) is formed. - 特許庁

これらの領域370,371は、各々のい領域の内側の境界から各々の引っ込んだ領域の内側の境界まで横方向に伸び、またソースおよびドレインのデプリーション領域の直下のある深さからチャネルストップ領域320のほぼ上まで垂直に伸びている。例文帳に追加

The regions 370 and 371 laterally extend from the border inside the shallow region as far as the border inside the recessed region, while vertically extending from a depth just under the depletion region of the source and drain as far as almost the upper surface of a channel stop region 320. - 特許庁

吸水管の先端においてストレーナー部が水平,垂直方向に自在に回転することにより、設置場所の底に安定して水平状態で接地でき、扁平形状に見合った本来のい水深での使用が可能になる吸水管用ストレーナーを得る。例文帳に追加

To provide a strainer for a water suction pipe which can be placed stably and horizontally on the bottom surface of an installation place by rotating a strainer part freely, horizontally and vertically, at the tip of the water suction pipe and can be used in a shallow water area corresponding to its flat shape. - 特許庁

一導電型半導体基板1の一主側に他の導電型不純物の拡散層3と表電極4と多数の微細な突起2を有する太陽電池素子であって、上記表電極4の下部以外の拡散層3の深さを表電極4の下部の拡散層3の深さよりもくする。例文帳に追加

In the solar cell element having a diffusion layer 3 of the other conductivity impurities, a surface electrode 4 and multiple micro protrusions 2 on one major surface side of one conductivity semiconductor substrate 1, depth of the diffusion layer 3 at a part other than the lower part of the surface electrode 4 is made shallower than the diffusion layer 3 at the lower part of the surface electrode 4. - 特許庁

保持基板120の基準121から見て比較的い位置にある段差である接着122に適量の接着剤114を塗布し、光導波回路基板101と接着122との間に接着剤114を充填して光導波回路基板101と保持基板120とを固定する。例文帳に追加

A proper amount of adhesive 114 is applied to the adhesive face 122 which is a difference-in-level face situated in a comparatively shallow position in view from the reference face 121 of the holding substrate 120 and then, the adhesive 114 is filled between the optical waveguide circuit substrate 101 and the adhesive face 122, thereby fixing the optical waveguide circuit substrate 101 and the holding substrate 120. - 特許庁

不純物が高濃度に添加されたシリコンウェハ(36)をチャンバー(22)内に収容し、該チャンバー(22)内に水素ガス(28)を供給しながら、シリコンウェハ(36)の表をライン状のレーザ光で走査して、該表に存在する不純物を脱離し、シリコンウェハ(36)の表い低濃度層を形成する。例文帳に追加

In this method for manufacturing a semiconductor substrate, a silicon wafer 36 added with impurities at a high concentration is housed in a chamber 22, and while a hydrogen gas 28 is supplied into the chamber 22, the surface of the silicon wafer 36 is scanned with a line laser light to eliminate impurities thereon, thereby forming a shallow low-concentration layer on the surface of the silicon wafer 36. - 特許庁

セラミック母基板1の上および/または下に設けた切り込み6は、接続用メタライズ導体4に達する深さまで形成されているとともに、接続用メタライズ導体4よりもい部分では断が略V字形状をしており、接続用メタライズ導体4の部分ではその両側が互いに接触している。例文帳に追加

The notches 6 are formed on the upper surface and/or lower surface of the ceramic base board 1 in depth of up to the connecting metallized conductors 4, the cross-section of the notch 6 is an approximately V-shape in a part shallower than the conductor 4, and both sides of the notch 6 are brought into contact with each other in the conductor 4. - 特許庁

から所定深さまでの第1領域505に金属微粒子が含浸したポリマー基材507と、ポリマー基材507の上記表上に形成された金属膜509とを備え、ポリマー基材507の上記表から上記所定深さよりい深さを有する第2領域509aに、上記金属膜509の一部が浸透していることを特徴とするポリマー部材を提供する。例文帳に追加

The polymer member comprises a polymer base material 507 in which metal particulates are impregnated into a first region 505 to a prescribed depth from the surface and a metal film 509 formed on the surface of the polymer base material 507, wherein a part of the metal film 509 is infiltrated into a second region 509a having a depth shallower than the above prescribed depth from the surface of the polymer base material 507. - 特許庁

溝加工時に表化粧材を破損させることなく曲溝の内奥まで押し込むことができ、溝内の仕上がりが滑らかで、着色ムラのない均一な着色仕上げが可能で、しかも施工後湿気などによって、加工した溝がくなったり、場合によっては消失してしまうことのない木質化粧床材の溝加工方法を提供する。例文帳に追加

To provide a groove processing method for a woody decorative floor material capable of pushing a surface decorative material in the deep part of a curved surface groove at the time of groove processing without damaging the same, enabling the smooth finish of the inner surface of the groove and uniform coloring finish generating no coloration irregularity and not generating such a phenomenon that the processed groove becomes shallow or disappears according to circumstances. - 特許庁

ほぼ矩形の区画域と、い溝状の飾り凹とを、交互に複数持つカバーを持ち、その裏に挟込片とを持つ金属板を成形した被覆材と、そのカバーと挟込片とに挟まれて固定されるに固定片と、係止手段を持つ差込片とを持つ突起体とからなる建築用部材とする。例文帳に追加

The member for architecture comprises a cover material molding the metal plate having an insertion on the rear face by possessing a cover face mutually having a plurality of substantially rectangular section areas and shallow grooved decorative recesses; and a projection body having a fixing piece fixed by sandwiching the covering face and the insertion piece, and the insertion pieces having a locking means. - 特許庁

動圧発生を形成する微小ない凹部2をレーザー加工又はエッチング加工により形成し、この動圧発生を形成する凹部2よりも深い凹部3を、マイクロブラスト加工によって形成することにより、転がり接触に、二つの異なる深さの凹部2、3を効率的に精度良く配置できるようにした。例文帳に追加

The minute depression 2 forming the dynamic pressure generation surface is formed by laser beam machining or etching and the depression 3 deeper than the depression 2 forming the dynamic pressure generation surface is formed by microblasting processing, so that the depressions 2, 3 having two different depths can be arranged in the rolling contact surface effectively and accurately. - 特許庁

これにより、電熱ケーブル及び温水パイプは金属パイプに保護されるため、従来のロードヒーテング装置に較べ路下にく埋設することができ、舗装表への熱エネルギーの伝導も早くなり、さらに、熱伝導のよいメッシュワイヤー及びエキスパンドメタルの効果により、熱エネルギーの地中への分散損失が少く、路に平均に熱を伝えることができるロードヒーテングを得る。例文帳に追加

Furthermore, because of the effect of the mesh wire and the expanded metal having high thermal conductivity, road heating can be executed with evenly transferring heat to the road surface with small dispersion loss of thermal energy into the ground. - 特許庁

から所定深さまでの第1領域に金属微粒子が含浸したポリマー基材と、ポリマー基材の上記表上に形成された金属膜とを備え、ポリマー基材の上記表から上記所定深さよりい深さを有する第2領域に、上記金属膜の一部が浸透していることを特徴とするポリマー部材を提供する。例文帳に追加

A polymer member comprises a polymer substrate with metallic fine particles impregnated in a first area ranging from its surface to a predetermined depth thereof, and a metal film deposited on the surface of the polymer substrate, wherein a part of the metal film is infiltrated in a second area having the depth shallower than the predetermined depth from the surface of the polymer substrate. - 特許庁

インターポーザ基板の主に、アライメントマークとしての有底穴を有し、有底穴の底が内側に向かってくなっている凸状であることとしたことから、インターポーザ基板の強度がアライメントマークが貫通穴である場合に比べて増加し製品の撓みが抑えられ、高精度な位置決めを行なうことができる。例文帳に追加

A bottomed hole as an alignment mark is provided on a principal surface of the interposer substrate, and the bottom surface of the bottomed hole has a convex shape inwardly higher so that bending of the interposer substrate is suppressed to allow accurate positioning because strength of the interposer substrate is higher than that with an alignment mark being a through hole. - 特許庁

上記課題を解決すべく、本発明の請求項1に記載の発明は、背板の前後に、縦方向に延びる多数の溝を横方向に連続して形成するとともに、隣り合う前記溝の深さがそれぞれ異なることを特徴とし、さらには、前記各溝が、背板の前後において、深い溝とい溝とを交互に並べて形成されることを特徴とする、椅子である。例文帳に追加

In order to solve the problem, in the chair, many grooves which extend in the vertical direction are continuously formed in the horizontal direction on the front and rear surface of the back plate, and depth of the adjacent grooves is different from each other, furthermore, each groove is formed by alternately arranging deep grooves and shallow grooves on the front and rear surface of the back plate. - 特許庁

シリンダブロック側ウォータジャケット36Rのうちシリンダボア17Rの軸線を含んでクランクシャフト11の軸線と直交する平PLに関してカムチェーン通路34とは反対側の部分が、前記平PLおよびカムチェーン通路34間に配置される部分よりもくなるように形成される。例文帳に追加

In this water-cooled engine, out of the cylinder block side water jacket 36R, regarding a plane PL including the axis of the cylinder bore 17R and orthogonal to the axis of a crankshaft 11, a portion on the opposite side of the cam chain passage 34 is formed shallower than a portion disposed between the plane PL and the cam chain passage 34. - 特許庁

ハードマスク3Aを用いてシリコン基板1の表をエッチング加工する表パターニング方法であって、ハードマスク3Aには、シリコン基板1のエッチング部分に臨む開口パターン3aと共に、このハードマスク3Aの膜厚tよりもい深さt1の凹凸パターン3bが設けられている。例文帳に追加

For the surface patterning method of etching the surface of a silicon substrate 1 by using a hard mask 3A, the hard mask 3A is provided with an uneven pattern 3b of depth t1 shallower than the film thickness (t) of the hard mask 3A together with an opening pattern 3a facing the etched part of the silicon substrate 1. - 特許庁

例文

アニールウェーハにとって必要不可欠なウェーハ表におけるSSD(表の非常に幅広く、い形状の凹状欠陥;Surface Shallow Defect)以外のボイド欠陥の低減や、バルク内のゲッタリング源としてのBMD(バルク微細欠陥;Bulk micro defect)の生成を保証しつつ、SSDを確実に低減させるようにして、アニールウェーハの品質を安定させる。例文帳に追加

To stabilize the quality of an annealed wafer by reliably decreasing SSDs (surface shallow defects which are recessed defects of an extremely wide and shallow shape on the surface), while ensuring generation of void defects other than the SSDs and generation of BMDs (bulk micro defects) indispensable as a gettering source in the bulk. - 特許庁

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