「Active layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(147ページ目) - Weblio英語例文検索

In an active matrix substrate 201, a plurality of pairs of TFTs 104 and pixel electrodes 9 are arranged like an array, where each TFT 104 includes a gate electrode 2 and a gate insulating film 3 which are formed on a substrate 1, a channel layer comprising a crystalline semiconductor film 41 and/or an amorphous semiconductor film 42, a source electrode 5s, and a drain electrode 5d.例文帳に追加

アクティブマトリックス基板２０１は、基板１上に形成されたゲート電極２及びゲート絶縁膜３と、結晶性半導体膜４１及び／又は非晶質半導体膜４２からなるチャネル層と、ソース電極５ｓ及びドレイン電極５ｄとを備えたＴＦＴ１０４と、画素電極９とが複数対アレイ状に配置されたものである。 - 特許庁

This air battery has an air electrode as the positive electrode, a cation exchange membrane as electrolyte, and a hydrogen storage alloy as an active material of a negative electrode, and a coating layer, comprising a mixture of an anion exchanger and an electron conductor or a material, having an anion exchange function and electron conductivity formed on the surface of the particles of the hydrogen storage alloy of the negative electrode.例文帳に追加

空気極を正極とし、カチオン交換膜を電解質とし、水素吸蔵合金を負極の作用物質とする空気電池において、負極の水素吸蔵合金として粒子表面にアニオン交換体と電子伝導体との混合物またはアニオン交換機能と電子伝導性とを併有する材料からなる被覆層を有するものを用いる。 - 特許庁

A semiconductor laser device is provided with an optical fiber 20 for guiding laser beams where an optical fiber grating 30 is formed; and a pump laser module 10 constituted of a semiconductor laser element 11 with an SQW active layer 41 for emitting the laser beam, and a coupling optical system 15 for coupling the laser beam emitted from the semiconductor laser element 11 to the optical fiber 20.例文帳に追加

光ファイバグレーティング３０が形成されるとともに、レーザ光を導波する光ファイバ２０と、ＳＱＷ活性層４１を有してレーザ光を出射する半導体レーザ素子１１と、半導体レーザ素子１１から出射したレーザ光を光ファイバ２０へ結合する結合光学系１５とから構成されるポンプレーザモジュール１０とを備えるようにする。 - 特許庁

To provide a lithium secondary battery that restrains an inhibition of cell reaction and that improves self-discharge property and cycle property by suppressing the corrosion of copper foil which is a negative electrode current collector and the invasion of eluted Cu into SEI on the negative electrode surface, so that copper SEI layer will be restrained to be generated on the surface of negative electrode active material.例文帳に追加

負極集電体である銅箔の腐食、及び溶出したＣｕを負極表面上のＳＥＩに進入することを抑制することで、負極活物質表面上に銅ＳＥＩ層が生成することを抑制することにより、電池反応の阻害を抑制し、自己放電特性とサイクル特性を改善したリチウム二次電池を提供する。 - 特許庁

The sensor part of the infrared detection device of thermal-type forms the micro air bridge structure 11 on the SOI substrate 27 by the ICP dry etching process, the semiconductor diode part 18 comprising a plurality of p-n junction diodes in its active region 12 is formed, and the metal reflecting film 15 and the infrared-absorbing layer 14 are provided there, in this order.例文帳に追加

熱型赤外線検出装置のセンサ部は、ＳＯＩ基板２７上にＩＣＰドライエッチングプロセスによってマイクロエアブリッジ構造体１１を形成し、その活性領域１２に複数のｐｎ接合ダイオードからなる半導体ダイオード部１８を形成し、その上面に金属反射膜１５および赤外線吸収層１４を順に設ける。 - 特許庁

The reflective liquid crystal display element is provided with the upper side transparent substrate 13 and the lower side substrate 19 on which transparent electrode patterns 14 with no thin film active element are formed and a liquid crystal layer 15 arranged in a gap formed by placing the transparent electrode pattern sides of the upper transparent substrate and the lower substrate opposite to each other.例文帳に追加

薄膜能動素子を有さない透明電極パターン１４が形成された上側透明基板１３と、薄膜能動素子を有さない透明電極パターン１４が形成された下側基板１９と、上側透明基板及び下側基板の透明電極パターン側を対向させて形成した間隙に設けた液晶層１５とを備える。 - 特許庁

In the thin battery that is equipped with the first and the second electrode, which respectively has active substances and one of which becomes a positive electrode and the other becomes a negative electrode, and with a separator which is between those electrodes and which retains an electrolyte, at least one of the first and the second electrode and the separator are adhered with the adhesive resin layer containing a filler composed of polypropylene.例文帳に追加

一方が正極、他方が負極となり、各々活物質を有する第一、第二の電極と、それら電極間に介在して電解質を保持するセパレータとを備える薄型電池において、第一、第二の電極の少なくとも一方とセパレータとが、ポリプロピレンからなるフィラーを含む接着性樹脂層にて接着されていることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method of obtaining nitride semiconductor chips having excellent light emitting characteristics without deterioration of crystallinity while preventing occurrence of cracking or chipping in a cut surface or an interface when a nitride semiconductor wafer including a nitride semiconductor as a substrate and a light emitting active layer is cut into chips, the cut chips having a predetermined shape and size with good yield.例文帳に追加

窒化物半導体を基板とする光を発する活性層を含む窒化物半導体ウエハーをチップ状に分割する際に、切断面、界面のクラック、チッピングの発生を防止し、結晶性を損なうことなく優れた発光性能を有する窒化物半導体チップを得ると共に、歩留良く所望の形とサイズに切断する方法を提供する。 - 特許庁

Within a super luminescent diode(SLD), a current implanted end (18) slowly reducing the current implanted amount is provided between a current implanted region (11) sectioned by a current implanting part (14) to an active layer (3) and not implanted region (13) for inserting a transfer region (12).例文帳に追加

この発明にかかるスーパールミネッセントダイオード（ＳＬＤ）は、活性層（３）に電流を注入する電流注入部（１４）で画成される電流注入領域（１１）と、注入されない非注入領域（１３）との間に、電流の注入量が徐々に減少する電流注入端部（１８）を設けて遷移領域（１２）を挿入した。 - 特許庁

An active matrix substrate 2 is formed, so that a semiconductor layer 205b is formed at a part which goes over the edge of an gate electrode, including at least an edge 202a2 on a source electrode side of the gate electrode and a tip edge 101a3 of the gate electrode, while a source wiring 220 is provided inside the edge 202a2 on the source electrode side of the gate electrode.例文帳に追加

少なくともゲート電極のソース電極側の縁２０２ａ２とゲート電極の先端縁２０２ａ３を含むゲート電極の縁を乗り越える個所に半導体層２０５ｂが形成され、かつ、ソース配線２２０は、ゲート電極のソース電極側の縁２０２ａ２よりも内側に配置されるようにアクティブマトリクス基板２を形成する。 - 特許庁

In this manufacturing method of an electrode plate including the process for rolling up the semifinished product of the long electrode plate with an active material layer formed at least on one surface of a current collector, the semifinished product of the electrode plate is rolled up with a winding tension of 235-304N by using the rolling core having a core diameter of 10.16-20.32 cm.例文帳に追加

活物質層が集電体の少なくとも一面に設けられている長尺の電極板中間品を、巻芯を用いて巻き取る工程を含む電極板の製造方法において、前記電極板中間品を、１０．１６〜２０．３２ｃｍの芯径を有する前記巻芯を用いて、２３５〜３０４Ｎの巻取り張力で巻き取る。 - 特許庁

To provide a new triarylmethane compound and a new rhodamine compound each having excellent light fastness and to provide a color conversion layer, a color conversion filter, and an organic EL display not suffering from detriments to patterning performance and the decomposition of a color conversion pigment due to reaction with active molecules by using the compounds.例文帳に追加

優れた耐光性を有する新規トリアリールメタン化合物およびローダミン化合物の提供、ならびにそれら化合物を用いて、パターニング性を損なうことなく、活性分子との反応による色変換色素の分解を起こすことなく、優れた色変換効率および耐光性を有する色変換層、色変換フィルタ、有機ＥＬディスプレイの提供。 - 特許庁

In this fine granule preparation obtained by coating a core part containing a pharmacologically active component having bitterness with an aqueous suspension composed of ethyl cellulose and a water-soluble plasticizer, a bitterness controlling layer comprises 20-40 wt.% of the core part and the water-soluble plasticizer comprises 10-20 wt.% of ethyl cellulose.例文帳に追加

苦味を有する薬理活性成分を含有する芯部に、苦味抑制層としてエチルセルロースと水溶性可塑剤とからなる水性懸濁液を噴霧コーティングしてなる細粒製剤において、該苦味抑制層が該芯部の２０〜４０重量％で、かつ水溶性可塑剤がエチルセルロースの１０〜２０重量％であることを特徴とする速放性細粒製剤。 - 特許庁

To provide a stent capable of minimizing the amount of a biologically/physiologically active substance required to be loaded on the stent without the danger of destroying a coating layer formed on a stent surface on the side to be brought into contact with a balloon at the time of the operation of mounting the stent on the balloon or the operation of expanding the balloon, and manufacturing method thereof.例文帳に追加

ステントに搭載することが求められる生物学的生理活性物質の量を最低限に抑えることができ、かつ、ステントのバルーンへのマウント操作またはバルーンの拡張操作の際に、バルーンと接触する側のステント表面に形成されたコーティング層が破壊されるおそれがないステントおよびその製造方法の提供。 - 特許庁

To easily and economically manufacture a semiconductor substrate having a semiconductor layer row provided with active zones suitable for a lateral principal extending direction, a principal surface, and the generation of radiation, and a radiant emission semiconductor chip provided with an electrical connection element disposed on the principal surface that can be pulse-operated in a reduced modulation time.例文帳に追加

ラテラルな主延在方向、主要面、放射生成に適している活性ゾーンを備えている半導体層列を有して半導体基体、主要面に配置されている電気的な接続エレメントを備えた放射放出半導体チップを、低減された変調時間でパルス化作動可能であると同時に簡単にしてかつコスト面で有利に製造できるようにする。 - 特許庁

The gate electrode GA of MOSQA for a peripheral circuit is constituted by the same gate electrode structure as a nonvolatile memory cell of a two-layer gate electrode structure, and a contact hole SC connecting between conductive films 4 and 6 which constitute the gate electrode GA is arranged in a position where it flatly overlaps an active area LA in the plane of the gate electrode GA.例文帳に追加

２層ゲート電極構造の不揮発性メモリセルと同じゲート電極構造によって周辺回路用のＭＯＳＱＡのゲート電極ＧＡを構成し、そのゲート電極ＧＡを構成する導体膜４，６間を接続するコンタクトホールＳＣを、そのゲート電極ＧＡの平面内において活性領域ＬＡと平面的に重なる位置に配置した。 - 特許庁

The electrode for the lithium battery is considered to make it possible to obtain a superior short time output characteristic in low temperatures, because it has the porous body consisting of the electron conductive material functioning as an electric double layer capacitor material which is considered to have a superior rapid response to the active material at charging discharging and a small reaction resistance.例文帳に追加

本発明のリチウム電池用電極は、活物質と充放電時の高速応答性に優れ反応抵抗が小さいと考えられる電気二重層キャパシタ材料として機能する電子導電性材料よりなる多孔質体を有しているため、低温での短時間出力特性に優れた電池を得ることが可能となっている。 - 特許庁

The layer (1) is coated with a coating solution comprising an active energy ray curable resin composition with a melting point before curing of 40°C or below, a thermoplastic organic compound with a glass transition temperature of 60-300°C, and an organic solvent which can dissolve a mixture of the resin composition and the organic compound into a transparent solution.例文帳に追加

（イ）硬化前の融点が４０℃以下の活性エネルギー線硬化性樹脂組成物、ガラス転移温度が６０〜３００℃の範囲にある熱可塑性有機化合物、及び前記活性エネルギー線硬化性樹脂組成物と熱可塑性有機化合物との混合物を透明の状態に溶解することができる有機溶剤から成る塗工液を塗布した層。 - 特許庁

In the liquid crystal display panel 39 which comprises a liquid crystal 14 interposed between an AM (active matrix) substrate 11 equipped with a pixel electrode 22 and a counter substrate 12 equipped with a counter electrode 32, the slit layer 2 placed opposite to the AM substrate 11 is disposed on a glass substrate 31 for the counter side in the counter substrate 12 placed on the display side.例文帳に追加

画素電極２２を備えたＡＭ基板１１と、対向電極３２を備えた対向基板１２との間に、液晶１４が挟持された本発明の液晶表示パネル３９で、表示側に位置する対向基板１２における対向用ガラス基板３１上には、スリット層２が、ＡＭ基板１１側に向かって、設けられる。 - 特許庁

A nitride semiconductor 1 containing In that is an active layer is stored in a reaction vessel 10, the nitride semiconductor is held at temperature for preventing the crystal quality from deteriorating, the precursor and p-type dopant of the grown p-type nitride semiconductor 2 are supplied into the reaction vessel, and pulse laser beams 3 are applied to the surface of the nitride semiconductor 1.例文帳に追加

活性層であるＩｎを含む窒化物半導体１を反応容器１０内に収容し、窒化物半導体をその結晶品質が低下しない温度に保持しながら、成長させるｐ型窒化物半導体２の前駆体とｐ型ドーパントを反応容器内に供給し、同時に窒化物半導体１の表面にパルスレーザ３を照射する。 - 特許庁

The semiconductor laser bar 12 can be positioned heightwise by being arranged with its active layer side directed to the peak part of the 1st positioning part 24, thereafter only by setting the distance between the semiconductor laser bar 12 and rod lens 14, the positioning of the semiconductor laser bar 12 and rod lens 14 in the laser light collector 10 is easily completed.例文帳に追加

半導体レーザバー１２は、第１の位置決め部２４の頂部に活性層側を向けて配置すれば、高さ方向の位置決めは終了し、後は、半導体レーザバー１２とロッドレンズ１４との距離を設定するだけでレーザ集光機１０における半導体レーザバー１２とロッドレンズ１４との位置決めを簡単に終了することができる。 - 特許庁

It also includes a plurality of element formation areas 22, first insulation walls 32 surrounding the respective element formation areas 22, conductive walls 34 surrounding the first insulation walls 32, and second insulation walls 36 surrounding the conductive walls 34 when viewing the cross section parallel to the surface of the active layer 20.例文帳に追加

活性層２０を表面に平行する断面で観察すると、複数の素子形成領域２２と、各々の素子形成領域２２を囲繞している第１絶縁側壁３２と、各々の第１絶縁側壁３２を囲繞している導電側壁３４と、各々の導電側壁３４を囲繞している第２絶縁側壁３６が観測される。 - 特許庁

The semiconductor laser element manufacturing method has a first step in which a striped ridge structure 8, 9 is formed to the upper part of a laminated structure, including an active layer 5 formed on a substrate 1, and a second step for forming a Schottky barrier SB on the upper face of the laminated structure, other than the ridge structure 8, 9 by utilizing ion bombardment.例文帳に追加

本発明に係る半導体レーザ素子の製造方法は、基板１上に形成された活性層５を含む積層構造の上部に、ストライプ状のリッジ構造８、９を形成する第１工程と、イオン衝撃を利用してリッジ構造８、９以外の積層構造の上面にショットキーバリアＳＢを形成する第２工程とを有する。 - 特許庁

On the first active region 10a of a semiconductor substrate 10, a first transistor of the first conductive type is formed including: a first gate insulation film 13a containing a high-dielectric material and a first metal; and a first gate electrode 30a having a lower layer conductive film 15a, a first conductive film 18a and a first silicone film 19a.例文帳に追加

半導体基板１０の第１の活性領域１０ａ上には、高誘電体材料と第１の金属とを含有する第１のゲート絶縁膜１３ａと、下層導電膜１５ａと第１の導電膜１８ａと第１のシリコン膜１９ａとを有する第１のゲート電極３０ａとを備えた第１導電型の第１のトランジスタが形成されている。 - 特許庁

A gate electrode GA of a MOSQA for a peripheral circuit is configured with the same gate electrode structure as that of a nonvolatile memory cell having a two-layer gate electrode structure, and a contact hole SC for connecting conductive films 4 and 6 constituting the gate electrode GA is arranged at a position at which it overlaps in the plane with an active region LA in a plane of the gate electrode GA.例文帳に追加

２層ゲート電極構造の不揮発性メモリセルと同じゲート電極構造によって周辺回路用のＭＯＳＱＡのゲート電極ＧＡを構成し、そのゲート電極ＧＡを構成する導体膜４，６間を接続するコンタクトホールＳＣを、そのゲート電極ＧＡの平面内において活性領域ＬＡと平面的に重なる位置に配置した。 - 特許庁

The active layer 14 has: a gain area 31; an end face window region 33 formed in a region containing an end face of the resonator, which has larger bandgap energy compared with that of the gain area 31; and a transition region 32 formed between the between gain area 31 and the end face window region 33, the bandgap energy of which changes continuously.例文帳に追加

活性層１４は、利得領域３１と、共振器の端面を含む領域に形成され且つ利得領域３１と比べてバンドギャップエネルギーが大きい端面窓領域３３と、利得領域３１と端面窓領域３３との間に形成され且つバンドギャップエネルギーが連続的に変化する遷移領域３２とを有している。 - 特許庁

The active matrix apparatus is composed of a plurality of pixel sections arranged in matrix, and at least one pixel section comprises: a first circuit section having a defective part; a second circuit section laminated on the first circuit section and replaced with at least the defective part in the first circuit section; and an adhesive layer 126 provided between the first circuit section and the second circuit section.例文帳に追加

複数の画素部がマトリクス状に配置されたアクティブマトリクス装置であって、少なくとも一つの画素部は、不良箇所を有する第１の回路部と、第１の回路部上に積層され、第１の回路部の少なくとも不良箇所を置き換える第２の回路部と、第１の回路部と第２の回路部との間に設けられた接着層１２６とを備える。 - 特許庁

A III-nitride semiconductor light emitting device includes: a plurality of III-nitride semiconductor layers including an active layer 40 for generating light by recombination of electrons and holes; and a substrate 10 used to grow the plurality of III-nitride semiconductor layers and including a protrusion 90 with two opposite sides 91 rounded.例文帳に追加

電子と正孔の再結合により光を生成する活性層４０を備える複数個のIII族窒化物半導体層と、複数個のIII族窒化物半導体層の成長に利用される基板１０として、対向する２つの辺９１が丸められている突起９０を有する基板１０とを備えるIII族窒化物半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

The face emitting laser includes an active layer and a two-dimensional photonic crystal formed on its one side.例文帳に追加

活性層及びその一方の側に設けた２次元フォトニック結晶を有する面発光レーザにおいて、２次元フォトニック結晶の周囲の少なくとも一部に、２次元フォトニック結晶内に形成される内部共振光の基本モードの振幅の包絡線が極大値を持つ位置において反射率が極大値を持つ反射率分布を有する反射部４５又は４６を設ける。 - 特許庁

To provide an active energy ray-curable composition for an optical disc which cures with a small amount of irradiation energy, enables to manufacture an optical disc excellent in durability, free of change in appearance of a reflecting film forming an information recording layer even after exposed in a high temperature and high humidity environment for a long time, causing no increase of errors in reading signals.例文帳に追加

少ない照射エネルギー量で硬化し、且つ高温高湿環境下に長時間曝露された後であっても、情報記録層を形成する反射膜の外観変化が無く、信号の読み取りエラーの増加が起こらない耐久性に優れる光ディスクを製造することが可能な光ディスク用活性エネルギー線硬化型組成物を提供する。 - 特許庁

A stripe width which is at least in a ridge shape is provided directly below and in parallel with a stripe 201, at least in a ridge shape of the reverse side of a nitride semiconductor substrate 5 at the side opposite to a side with element structure, and a light absorbable film 202 for absorbing light with a laser oscillation wavelength which leaked out from a laser waveguide including an active layer is formed.例文帳に追加

素子構造を有する側とは反対の窒化物半導体基板５裏面の少なくともリッジ形状のストライプ２０１の真下であって且つ平行に、少なくともリッジ形状のストライプ幅を有し、活性層を含むレーザ導波路から漏れ出したレーザ発振波長の光を吸収できる光吸収膜２０２が形成されてなる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method thereof wherein the generation of its leakage current can be prevented from a shared contact into a substrate, even though it has a wiring present on a separative insulating film, side walls formed on the side surfaces of the wiring, and the shared contact whereby the wiring and an impurity diffusion layer are connected on an active region.例文帳に追加

分離絶縁膜上の配線と、この配線の側面上に形成されたサイドウォールと、配線と活性領域上の不純物拡散とを接続するシェアードコンタクトを備えた半導体装置であっても、シェアードコンタクから半導体基板へのリーク電流の発生を抑制することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The conductivity of the organic semiconductor material is at least 10^-2 S/cm, and the active semiconductor layer contains fine particles of insulating materials.例文帳に追加

支持体上にゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、及び少なくとも一種の有機半導体材料を含む活性半導体層を有する有機薄膜トランジスタにおいて、前記有機半導体材料の導電率が１０^-2Ｓ／ｃｍ以上であり、又、前記活性半導体層は絶縁体材料の微粒子を含有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ。 - 特許庁

In the positive electrode material using lithium nickel manganese oxide as a positive active material, a part of a lithium layer is replaced with at least one kind of element selected from alkali metals and alkali earth metals, and the symmetry of the space group of crystals is R-3m.例文帳に追加

リチウムニッケルマンガン酸化物を正極活物質に用いてなる正極材料であって、前記リチウムニッケルマンガン酸化物において、Ｌｉ層の一部がアルカリ金属及びアルカリ土類金属から選ばれる少なくとも１種の元素によって置換されており、結晶の空間群の対称性がＲ−３ｍであることを特徴とする正極材料。 - 特許庁

In a thin film transistor where a thin film containing the precursor of a metal oxide semiconductor is formed on a substrate and a metal oxide semiconductor thin film formed by a process for oxidizing the thin film serves as an active layer, a gate insulating film is provided on the side of the metal oxide semiconductor thin film opposite to a support.例文帳に追加

基板上に金属酸化物半導体の前駆体を含有する薄膜を形成した後、該薄膜を酸化する工程により形成した金属酸化物半導体薄膜を活性層とする薄膜トランジスタにおいて、前記金属酸化物半導体薄膜の支持体とは反対側にゲート絶縁膜が設けられていることを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 特許庁

To provide a nitride compound semiconductor light emitting element which can greatly shift its light emitting wavelength to a long wavelength, even if having e.g. an InxGa1-xN light emitting active layer or a lower mixed crystal ratio of In, has a sufficient life and can select the light emitting wavelength in a wide wavelength range from blue to red, etc.例文帳に追加

例えば、Ｉｎ_xＧａ_1-xＮを発光活性層に持つ発光素子においても、低いＩｎの混晶比でも、長波長側に大きく発光波長をシフトさせる事が可能になり、十分な寿命を有し、且つ青色から赤色など幅広い波長領域において発光波長を選択することができる窒化物半導体発光素子を提供すること。 - 特許庁

The electrode is a composite electrode having an active material layer containing a composite of at least one kind of thiophene oligomer and at least one kind of carbon nanotube, the degree of polymerization of the thiophene oligomer is in a range of 4 to 20, and the specific surface area of the carbon nanotube is in a range of 600 to 2,600 m^2/g.例文帳に追加

本発明の電極は、少なくとも１種のチオフェンオリゴマーと少なくとも１種のカーボンナノチューブとの複合体を含有する活物質層を有する複合体電極あって、上記チオフェンオリゴマーの重合度が４〜２０の範囲であり、上記カーボンナノチューブの比表面積が６００〜２６００ｍ^２／ｇの範囲であることを特徴とする。 - 特許庁

Semiconductor device includes a field effect transistor having a gate electrode comprised of side wall insulating films on a plurality of active regions, and a wiring formed on an element isolation region by using the same material as the gate electrode where the side wall insulating films are selectively removed and then a silicide layer thicker than that of the gate electrode is formed.例文帳に追加

半導体装置は、複数の活性領域にサイドウォール絶縁膜を備えたゲート電極を持つ電界効果トランジスタを有し、素子分離領域上にゲート電極と同一材料を用いて形成された配線を有し、素子分離領域上ではサイドウォール絶縁膜が選択的に除去され、ゲート電極のシリサイド層より厚いシリサイド層が形成される。 - 特許庁

This nonvolatile semiconductor memory for discretely storing the charges in the laminated insulating film 2 is formed on an island-shaped active region surrounded by an embedded insulating film 1a embedded as a middle layer in the substrate and a device isolating and insulating film 3 formed in a predetermined region within the substrate.例文帳に追加

基板１上に形成された積層絶縁膜２に離散的に電荷を蓄積する不揮発性半導体記憶装置であって、基板の中層に埋め込まれた埋め込み絶縁膜１ａと基板中の所定領域に形成された素子分離絶縁膜３とによって囲まれて島状に形成された活性領域上に形成されている。 - 特許庁

The liquid crystal display device having matrix-form pixel electrode 2 groups formed in such a manner that the electric fields impressed to a liquid crystal layer are nearly paralleled with substrate surfaces, active elements, and prescribed driving means is so constituted that an initial alignment direction 6 of liquid crystals is determined as one direction and that one pixel has plural driving directions for the liquid crystals therein.例文帳に追加

液晶層に印加される電界がほぼ基板表面に平行となるように形成された、マトリクス状の画素電極２群とアクティブ素子及び所定の駆動手段を有する液晶表示装置で、液晶の初期配向方向６を一方向としかつ一画素内に複数の液晶の駆動方向を有するようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser device having two wave lengths in which effective cavity lengths, i.e. the length in a cavity direction of an active layer that contributes to laser oscillation, can be independently controlled respectively, and respective cavity lengths optimum to red and infrared lasers can be set to enhance laser properties, and its manufacturing method.例文帳に追加

実効的な共振器長、すなわちレーザ発振に寄与する活性層の共振器方向の長さをそれぞれ独立に制御することが可能で、赤色、赤外それぞれのレーザに最適な共振器長の設定が実現されレーザ特性を高めることが可能な二波長レーザの半導体レーザ装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

An active layer 502 having wavelength selectivity, a waveguide core 503 having no gains and no wavelength selectivity, and a reflection region (waveguide end face) 509 having no gains, are connected in series to the advance direction of light; and an electrode 506 for phase control for changing the optical effective length of the waveguide core 503 is provided.例文帳に追加

波長選択性を有する活性層５０２と、利得および波長選択性を有しない導波路コア５０３と、利得を有しない反射領域（導波路端面）５０９とが、光の進行方向に対して直列に接続されているとともに、導波路コア５０３の光学的実効長を変化させるための位相制御用電極５０６を備えている。 - 特許庁

This active ray-curing composition consists of a polyester resin (A) constituted of a polyol component (a) comprising a polydiene polyol (a1) and a polycarboxylic acid component (b) and a photopolymerization initiator (B) and is used in the photosensitive layer of a photosensitive resist film, photoresist, photosensitive resin latterpress, photosensitive flexographic plate, screen plate, photo-adhesive or hard coating agent.例文帳に追加

ポリジエンポリオール（ａ１）からなるポリオール成分（ａ）とポリカルボン酸成分（ｂ）から構成されるポリエステル樹脂（Ａ）および光重合開始剤（Ｂ）からなることを特徴とする活性光線硬化性組成物を、感光性レジストフィルム、フォトレジスト、感光性樹脂凸版、感光性フレキソ板、スクリーン板、光接着剤またはハードコート剤の感光層に用いる。 - 特許庁

The silicon wafer has a high-oxygen-concentration region where a solid solution oxygen concentration is ≥0.7×10^18 atoms/cm^3 in a no-defect region (DZ layer) 12 including at least the device active region of the silicon wafer 10, and contains interstitial silicon 14 in the no-defect region 12 in a supersaturation state.例文帳に追加

本発明に係わるシリコンウェーハは、シリコンウェーハ１０の少なくともデバイス活性領域が含まれる無欠陥領域（ＤＺ層）１２内に固溶酸素濃度が０．７×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上の高酸素濃度領域を有し、かつ、無欠陥領域１２内には、格子間シリコン１４が過飽和状態で含有されている。 - 特許庁

To suppress rapid dispersion of water vapor from active materials exposed on the sides of a laminate layer and to obtain good aging reactions when aging an electrode plate in a laminate manner, wherein the electrode plate is thicker than peripheral thickness of a lattice such as an electrode plate using a thin cast lattice of a storage battery for example a lead battery, an expand lattice, or a punched lattice.例文帳に追加

蓄電池、例えば鉛蓄電池の薄型鋳造格子、エキスパンド格子、あるいは打抜き格子を用いた極板のように、極板厚さが格子周囲厚さより大きい極板を積層式で熟成する場合、その積層側面に露出した活物質からの急速な水蒸気拡散を抑制し、良好な熟成反応を得る。 - 特許庁