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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > Bit typeの意味・解説 > Bit typeに関連した英語例文

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Bit typeの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 417



例文

To suppress the deterioration of a data read characteristic due to influence of the characteristic change of a sense amplifier, in data reading of a multi-bit-type memory cell.例文帳に追加

マルチビット型メモリセルのデータ読み出しにおいて、センスアンプの特性ばらつきの影響によるデータ読み出し特性が悪化するのを抑える。 - 特許庁

Also, on the basis of allotment information stored in a memory, a programmable display allotting circuit 10 allots each bit in the LCD display register 8 and each display segment on a seven-segment type LCD panel 30 as desired.例文帳に追加

また、メモリに格納された割付け情報をもとに、プログラマブル表示割付回路10によって、LCD表示レジスタ8の各ビットと、7セグメント・タイプのLCDパネル30上の各表示セグメントとを任意に割り付ける。 - 特許庁

Word lines WL1, WL2,...,WL32 are arranged orthogonally to bit lines DQ in a NAND type flash memory cell unit, and a source line CS is connected electrically in common.例文帳に追加

NAND型フラッシュメモリセルユニットのビットラインDQに対してワードラインWL1,WL2,・・・,WL32が直交して配置され、ソース線CSは電気的に共通に接続されている。 - 特許庁

To provide a composite type recording and reproducing apparatus which has a function capable of confirming a video when a bit rate is changed in dubbing information from a hard disk to an optical disk.例文帳に追加

ハードディスクから光ディスクに情報をダビングする際に、記録のビットレートを変更した場合、このときの映像を確認できる機能を有する複合型記録再生装置を提供する。 - 特許庁

例文

To prevent a step of an inter layer insulating film which is caused from ununiformity of a concentration of a P type impurity ion-implanted into the inter layer insulating film in a P+pickup area and failure of a bridge between bit lines related to it.例文帳に追加

P+ピックアップ領域の層間絶縁膜内にイオン注入されるP型不純物の濃度の不均一によって生じる層間絶縁膜の段差及びそれに係るビットライン間ブリッジの不良を防止する。 - 特許庁


例文

Further, an n^+ diffusion region 106a with an n-type impurity introduced thereinto is formed in the part of the write bit line 106 extending upward from the region of the read word line 110.例文帳に追加

また、読み出しワードライン110の領域より上方に延在している書き込みビットライン106の部分に、n型不純物が導入されたn^+拡散領域106aが形成されている。 - 特許庁

In the method for deleting the data from the NAND type nonvolatile memory, the charges stored in a charge accumulating layer of the nonvolatile memory element are released by applying potentials to a bit line, a source line and a control gate.例文帳に追加

NAND型不揮発性メモリにおけるデータの消去方法において、不揮発性メモリ素子における電荷蓄積層に格納された電荷の放出について、ビット線、ソース線、及び制御ゲートに電位を印加することにより行う。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can be always stably started by using a NAND type flash memory whose bit unit cost is low or the like as a boot device.例文帳に追加

NAND型などのビット単価の低いフラッシュメモリをブートデバイスとして使用して、常に安定的に起動する半導体装置を提供する。 - 特許庁

The adjustment loop includes, in series, a means 7 for determining a difference between a set point voltage and an output voltage of the rectifier 5; an analog-to-digital (A/D) converter 8 of one bit; and an integrator type command means 9.例文帳に追加

この調整ループは、セットポイント電圧と整流器5の出力電圧との間の差を決定する手段7と、1ビットのアナログ・デジタル変換器8と、積分器タイプの指令手段9とを直列に備える。 - 特許庁

例文

To provide a method for forming the images without damaging visibility of a linear region, even when the image in a raster structure (bit-map type) is subjected to a magnification processing.例文帳に追加

ラスタ形式(ビットマップ形式)の画像に変倍処理をした場合であっても、線領域の視認性が損なわれない画像形成技術を提供する。 - 特許庁

例文

The pneumatically driving type drill 12 equipped with the button bit 26 is sheathed with the drilling guide sleeve 10 equipped with a guiding outer pipe 42 which is decentered from the drill 12.例文帳に追加

ボタンビット26を備えた空圧打撃式の削孔ドリル12に対して偏心したガイド用外管42を備えた削孔用ガイドスリーブ10を装着せしめた。 - 特許庁

To reduce a defective current flowing in a sense amplifier in a semiconductor memory being a type in which the sense amplifier and bit lines are pre-charged to the same potential.例文帳に追加

センスアンプとビット線を同電位にプリチャージするタイプの半導体記憶装置において、センスアンプに流れる欠陥電流を低減する。 - 特許庁

The control unit 1 is equipped with a control section 11, a bit-map developing section 12 and a compressing section 13 for storing and the printing unit 2 is equipped with a control section 21, an expanding section 23, a toggle-type page memory 24 and a printing section 3.例文帳に追加

コントロールユニット1は、制御部11と、ビットマップ展開部12と、格納する圧縮部13とを備え、印刷ユニット2は、制御部21と、伸長部23と、トグル形式のページメモリ24と、印刷部3とを備える。 - 特許庁

To prevent a shaft from being damaged or broken by a load such as an impact force or a turning force acting during excavation to an excavating tool equipped with an expansion and shrinkage type bit.例文帳に追加

拡縮径式のビットを備えた掘削工具において、掘削時に作用する回転力による荷重や打撃力による荷重に対して軸部の破損や折損等を防ぐ。 - 特許庁

Further, a word line WL0 electrically connected to the N+ type Si layer 15 and bit lines BL1 to BL4 crossing the word line WL0 are formed.例文帳に追加

また、N+型Si層15に電気的に接続されたワード線WL0、ワード線WL0に交差したビット線BL1〜BL4が形成されている。 - 特許庁

To secure a space for circulating cooling water for the purpose of cooling a bore hole and removing scraps by taking a large clearance between a matrix surface for holding the diamond of a surface planted type bit and a rock to be drilled.例文帳に追加

表面植込み型ビットのダイヤモンドを保持するマトリックス面と、掘削する岩とのクリアランスを大きく取り、穿孔の冷却と切り屑の除去を目的とした冷却水の循環をスペースを確保する。 - 特許庁

A ultrasonic welding system is mainly used for molding a first structural component and a second structural component having thin plate shapes and malleable performance into the flat plate type thermotube.例文帳に追加

主に超音波溶接システムを用い、薄板状で可鍛性を具えた第一構成部品及び第二構成部品を平板式サーモチューブに成型し、しかも該超音波溶接システムは超音波振動を生じるコッパービット(copper bit)を含む。 - 特許庁

During a start of a data reading from a memory cell 1, a driving voltage is supplied to pull-down transistors T20 and T21 of a flip-flop type sense amplifier 2 to discharge electric charges on bit lines BL0 and BL1.例文帳に追加

メモリセル1からのデータ読み出し開始時に、フリップフロップ型センスアンプ2のプルダウン・トランジスタT20,T21に駆動電圧を供給し、ビット線BL0,BL1上の電荷を放電する。 - 特許庁

In a bit line contact of a NAND type flash memory, a first contact opening CH1, a second contact opening CH2a, and a third contact opening CH2b are provided, constituting a stacked contact.例文帳に追加

NAND型フラッシュメモリのビット線コンタクトには、スタックドコンタクトを構成する第1のコンタクト開口部CH1、第2のコンタクト開口部CH2a、及び第3のコンタクト開口部CH2bが設けられる。 - 特許庁

Each of the first selectors comprises the conductivity type MOS transistors and outputs one of the generated voltages selected in compatibility with low-order (b+c) bits of the digital data on the basis of a higher-order a bit of the digital data.例文帳に追加

各第1のセレクタは、当該導電型MOSトランジスタにより構成され、ディジタルデータの上位aビットに基づき、該ディジタルデータの下位(b+c)ビットに対応して選択された生成電圧の1つを出力する。 - 特許庁

A memory device comprises a memory cell array 1 in which the resistance change type memory cells M are arranged in a matrix, word lines W_1 to W_m, bit lines B_1 to B_n, plate electrode lines P_1 to P_n, and a transistor T.例文帳に追加

メモリ装置は、抵抗変化型のメモリセルMがマトリックス状に配置されたメモリセルアレイ1と、ワード線W_1〜W_mと、ビット線B_1〜B_nと、プレート電極線P_1〜P_nと、トランジスタTとを有する。 - 特許庁

When simulating how a color of P-type color sense is seen, a CMYK converter 303 converts the bit map image of an LMS signal to a CY signal having two colors.例文帳に追加

P型色覚の色の見え方をシミュレートする場合には、CMYK変換部303は、LMS信号からなるビットマップイメージを、2色のCY信号に変換する。 - 特許庁

To provide a dynamic type semiconductor memory device which is small in layout area, high in redundancy relieving rate and can secure a redundancy relieving while devising measures for a standby current defect caused by a short circuit of a bit line and a word line.例文帳に追加

ビット線とワード線のショート欠陥によるスタンバイ電流不良を対策しながら、小さなレイアウト面積で、高い冗長救済率、かつ確実な冗長救済可能にするダイナミック型半導体記憶装置の提供。 - 特許庁

The three-dimensional cross-point type variable resistance memory array has a current detector 32, connected with a bit line to read memory bits of a memory cell 30 and is configured as a multi-layer memory array.例文帳に追加

3次元クロスポイント型可変抵抗メモリアレイは、メモリセル30の記憶ビットを読み出すビット線と接続する電流検知器32を備え、多層メモリアレイとして構成される。 - 特許庁

The well region 332 is isolated in a band-like state by an element isolation region 316 and the N-type deep well region 331, and functioned as bit lines.例文帳に追加

P型の浅いウェル領域332は素子分離領域316およびN型の深いウェル領域331によって帯状に分離され、ビット線として機能する。 - 特許庁

Further, by suppressing error current components at the time of reading inherent to the cross point type memory cells, and by setting the potential of all of the sub bit lines in an unselected state in the same state as that of the main bitlines, a reading operation is accelerated.例文帳に追加

また、クロスポイント型メモリセル固有の読み出し時の誤差電流成分を抑制し、且つ非選択状態にある全ての副ビット線の電位を主ビット線と同一に設定することで読み出し動作の高速化を図れる。 - 特許庁

The semiconductor device is constituted of a DRAM (dynamic random access memory) and the SRAM, both of which are provided with a stack type constitution whose bit line 22 is situated below a capacitive element 31 and which are mounted through mixed loading.例文帳に追加

半導体装置は、ビットライン22が容量素子31より下方にあるスタック型の構成を有するDRAMとSRAMとが混載されてなる。 - 特許庁

To provide a NAND type memory array in which a speed in the case of reading can be prevented from lowering by separating a well and a bit line, a reading method, a programming method and an erasing method using the same.例文帳に追加

ウェルとビットラインを分離させて読出時の速度遅延を防止することが可能なNAND型メモリアレイ及びこれを用いた読出方法、プログラム方法及び消去方法を提供すること。 - 特許庁

An encoding scheme of the intermediate code is changed for each type of parameter and an intermediate code is used which is suited to processing due to both the bit stream decoding processing unit 1100 and the image decoding synchronous processing unit 1600.例文帳に追加

パラメータの種類ごとに中間コードの符号化方式を変更し、ビットストリーム復号処理部1100と画像復号同期処理部1600の両方の処理に適するような中間コードを使用する。 - 特許庁

To realize an electric charge transfer type amplifier of a 1/2 Vcc pre-charge system, in which a bit line is pre-charged with a potential that is a half of the power source voltage to prevent increasing circuit scale.例文帳に追加

回路規模の増大を防止して電源電圧の1/2の電位でビット線をプリチャージする1/2Vccプリチャージ方式の電荷転送型アンプを実現する。 - 特許庁

To shorten conversion cycles of a sequential comparison type AD conversion device with n-bit resolution by using high-order (m) bits of a last conversion result for 3rd continuous conversion and later.例文帳に追加

nビット分解能を有する逐次比較型AD変換装置において、3回目以降の連続変換の際に、前回の変換結果の上位mビットを利用して、変換サイクルを短縮する。 - 特許庁

High-frequency noise of a one-bit digital signal, which is subjected to delta/sigma modulation, is moved by an FIR type low-pass digital filter 1, thereby suppressing the influence of the variations on the characteristics between the individual filters or the influence of the external environment.例文帳に追加

デルタシグマ変調された1ビットのデジタル信号の高周波雑音をFIR型の低域通過デジタルフィルタ1にて除去することにより、フィルタ特性の個体ばらつきや外部環境の影響を抑える。 - 特許庁

To provide an electric driver causing no malfunction due to wear of a part, dispensing with adjustment due to a variation in parts, and capable of supporting a bit holder by a double holding type.例文帳に追加

部品の磨耗による動作不具合の発生が無く、部品のばらつきに起因する調整などが不要で、なおかつビットホルダを両持ち方式で支持することが可能な構成を備えた電動ドライバを提供する。 - 特許庁

To provide a so-called NAND-type MONOS memory device in which data can be optionally written in or erased from one of memory transistors by the bit.例文帳に追加

いわゆるNAND型MONOSメモリデバイスにおいて、1つのメモリトランジスタに対するデータの書き込みと消去をビット単位で任意に行うことを可能にする。 - 特許庁

A NOR type flash memory 100 by which data are writable in either one of the multi-valued data or binary data, includes an address conversion circuit 13 for rearranging a part of address bit of the external address at the writing of the binary data.例文帳に追加

NOR型フラッシュメモリ100は、多値データと二値データのいずれかでのデータ書込みが可能であり、二値データ書込み時に外部アドレスのアドレスビットの一部を並び換えるアドレス変換回路13を備える。 - 特許庁

To provide a coating type magnetic recording medium having good electromagnetic transducing characteristics as a magnetic recording medium for a digital recording and reproducing system having a small bit area, that is, a short recoding wavelength and a narrow track width.例文帳に追加

ビット面積の小さい、即ち、短記録波長、狭トラック幅のデジタル記録再生システム用磁気記録媒体であって、電磁変換特性が良好な塗布型の磁気記録媒体を提供すること。 - 特許庁

To obtain a content distribution system which creates and distributes CG animation content in an encoding system and at a bit rate both conforming to the type of a content browsing terminal.例文帳に追加

コンテンツ閲覧端末種別に合致した動画の符号化方式やビットレートでCG動画コンテンツを生成し、配信するコンテンツ配信システムを得る。 - 特許庁

An output of a ΔΣ type A/D converter 201 is formed into address bit sequence by an address decoder, so that multiplication in a digital filter 206 is performed by a conversion table 212.例文帳に追加

△Σ型A/D変換器201の出力をアドレスデコーダ205でアドレスビット列に形成し、ディジタルフィルタ206での乗算を変換テーブル212で行うようにした。 - 特許庁

To shorten a test time by parallel processing of a plurality of chips when defect check of a bit line or a sense amplifier is performed in a wafer test of a NAND type flash-memory.例文帳に追加

NAND型フラッシュメモリのウェハテストに際してビット線またはセンスアンプの不良チェックを行う場合に、テスト時間を短縮し、複数チップの並列処理によりテスト時間を大幅に縮める。 - 特許庁

To provide a hexalobular type driver bit attachment having a small size, temporarily holding a screw and assembled to hardly cause mixing-in of an unnecessary metal piece to a machine.例文帳に追加

サイズが小さく、ネジの一時保持が可能で、かつ組み立て機械内への不要な金属片の混入を起こしにくいヘキサロビュラ型ドライバービット用アタッチメントを提供する。 - 特許庁

To relieve more bit errors of a WL end cell being adjacent to a block selection gate transistor in a NAND type flash memory.例文帳に追加

本発明は、NAND型フラッシュメモリにおいて、ブロック選択ゲートトランジスタに隣接するWL端セルのビットエラーをより多く救済できるようにする。 - 特許庁

The segment type DA converter 11 is connected to a power supply voltage VDD and outputs a current signal which varies gradually according to an upper bit D[7:5] to be input.例文帳に追加

セグメント型DA変換器11は、電源電圧VDDと接続され、入力される上位ビットD[7:5]に応じて段階的に変化する電流信号を出力する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can reduce the resistance of a bit line diffusion layer without exerting effects upon the transistor characteristics of flat cell type memory cells and a method of manufacturing the device.例文帳に追加

フラットセル型メモリセルのトランジスタ特性に影響をあたえず、ビット線拡散層抵抗を低減する半導体装置及びその製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a coaxial type semiconductor laser module that is fully miniaturized even in a structure in which an optical component such as an optical receptacle is fixed with the optical axis aligned, and also realizes high-speed modulation drive in the giga bit range.例文帳に追加

光レセプタクル等の光学部品を光軸調芯固定する構造においても充分な小型化が可能でギガビット帯での高速変調駆動も可能とした同軸型半導体レーザモジュールを提供することにある。 - 特許庁

To read out data stably without reducing access speed and increasing circuit area by performing simultaneously bit line reset operation in a read-out cycle of a flash memory of a NOR type and read-out operation.例文帳に追加

ノアタイプのフラッシュメモリの読み出しサイクルにおけるビット線リセット動作を読み出し動作と並行して行い、アクセス速度の低下や回路面積の増大を招くことなく安定にデータを読み出す。 - 特許庁

A shift word line SWL and a shift memory cell SMC are arranged so that the N type sense amplifier NSAt can amplify potential difference of the bit lines BLt, /BLt.例文帳に追加

N型センスアンプNSAtがビット線BLt,/BLtの電位差を増幅できるようにシフトワード線SWL及びシフトメモリセルSMCを設ける。 - 特許庁

To surely open or close a storage part of a tool bit by a simple operation in a hand type power tool (2) having a storage part (16) detachably storing a plurality of tool bits (20).例文帳に追加

複数の工具ビット(20)を着脱可能に保管する保管部(16)を有する手持式電動工具(2)において、簡単な操作により工具ビットの保管部を確実に開閉可能とする。 - 特許庁

To prevent an initial threshold voltage of a memory cell arranged nearby a bit line contact part from rising by suppressing an influence of ultraviolet rays generated during contact hole formation with respect to an MONOS type memory.例文帳に追加

MONOS型メモリにおいて、コンタクトホール形成時に発生する紫外線の影響を抑制し、ビット線コンタクト部近傍に配置されるメモリセルの初期しきい値電圧の上昇を防止する。 - 特許庁

A NAND(negative AND) type EEPROM(electrically erasable and progammable ROM) having bit line separation structure comprises PMOS pull-up transistors and NMOS pull-down transistors connected in series between a virtual power source node and ground.例文帳に追加

ビットライン隔離構造を有するNAND型EEPROMは仮想電源ノードと接地との間に直列に連結されたPMOSプルアップトランジスタとNMOSプルダウントランジスタとを含む。 - 特許庁

例文

To provide a discrete track type magnetic recording medium having high servo signal intensity, a low bit error rate and excellent floating stability of a recording and reproducing head.例文帳に追加

サーボ信号強度が高く、ビットエラー率が低く、記録再生ヘッドの浮上安定性に優れたディスクリートトラック型の磁気記録媒体を提供する。 - 特許庁

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