| 意味 | 例文 |
Bit typeの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 442件
Also, the mixture 2 is constituted by mixing 100 pts.wt. room temperature-curing type silicone rubber, 5 to 20 pts.wt. powdery material obtained by grinding the shell of the acorn barnacles and other materials bit by bit.例文帳に追加
また、室温硬化型シリコーンゴム3を100重量部、富士壺の殻を潰した粉体を5〜20重量部、その他のものを微量ずつ混合して混合物2を構成する。 - 特許庁
The total resistance of bit lines is reduced by making the bit line diffusion layer on which no transistor is formed broader in width or higher in concentration in the flat cell type memory cell area of the semiconductor device.例文帳に追加
フラットセル型メモリセル領域にてトランジスタを形成しないビット線拡散層を幅広とするか、または拡散層濃度を高くすることにより、ビット線全体としての抵抗を低くする。 - 特許庁
And, in the read circuit, the semiconductor circuit memory device has the P-type transistor connected to the bit line, and a P-type transistor connected in series between the P-type transistor and a power supply source and connected to a read column selection signal.例文帳に追加
そして、ビットラインに接続されたP型トランジスタと、電源ソースとの間に直列に接続されるとともに、リードカラムセレクション信号に接続されたP型トランジスタをリード回路内に有する。 - 特許庁
A bit address pattern is made on a disk type recording medium used for an information recording device of a variable track width system.例文帳に追加
可変トラック幅方式の情報記録装置に用いられるディスク状記録媒体上にビットアドレスパターンを作成する。 - 特許庁
To provide an image processor capable of performing antialiasing processing even in a bit map type image processor.例文帳に追加
ビットマップ方式の画像処理装置においてもアンチエイリアス処理を行うことができる画像処理装置を提供する。 - 特許庁
To realize a communication method and an apparatus using an array type multibeam antenna being excellent in a distortion characteristic and a bit error rate characteristic.例文帳に追加
歪特性、ビットエラーレイト特性の良好なアレー型マルチビームアンテナを用いた通信方法および装置を実現する。 - 特許庁
Bit lines BL and XBL are precharged by turning on a p type MOS-FET 30 connected to a power source line.例文帳に追加
電源ラインと接続されるp型MOS・FET30はオンすることで、ビットラインBL、XBLをプリチャージする。 - 特許庁
FOUR BIT PREFETCH TYPE FCRAM HAVING IMPROVED CONTROL CIRCUIT FOR RECORDING DATA AND DATA MASKING METHOD FOR THE SAME例文帳に追加
改善されたデータ書き込み制御回路を有する4ビットプリフェッチ方式FCRAM及びこれに対するデータマスキング方法 - 特許庁
A semiconductor circuit memory device includes a read circuit having a dynamic configuration in which a bit line is connected to one P-type transistor.例文帳に追加
半導体回路記憶装置は、一つのP型トランジスタにビットラインを接続するダイナミックな構成のリード回路を有する。 - 特許庁
The processing device has a router bit 43, a multi-axis robot 3, a contact type displacement gauge 7, a laser displacement gauge 8, and a height correction section.例文帳に追加
ルータビット43と、多軸ロボット3と、接触式変位計7と、レーザ変位計8と、高さ補正部とを有する。 - 特許庁
The counter 100 comprises D-type flip-flop circuits 111, 121, 131 and 141 of a first to a fourth stage indicate each bit value (Q[0]-Q[3]) of a first to a fourth bit and a D-type flip-flop circuit 101 to determine which bit value should be reversed.例文帳に追加
又、グレイコードカウンタ100は、第1のビットから第4のビットの各値(Q[0]〜Q[3])を示す第1段から第4段までのD型フリップフロップ回路111,121,131,141と、クロック信号の入力毎に、何れのビットの値を反転させるかを決定するためのD型フリップフロップ回路101とを有する。 - 特許庁
After the charge, a selected memory cell is connected to the bit line, the reference bit line is connected to a reference voltage generating circuit, and a voltage differential type sense amplifier amplifies difference voltage between voltage of the bit line decreased by discharge of the selected memory cell and voltage of the reference bit line generated by the reference voltage generating circuit, to thereby read out memory cell data.例文帳に追加
その後、選択されたメモリセルがビット線に導通され、リファレンスビット線が参照電圧生成回路に導通され、電圧差動型センスアンプが、メモリセルの放電により低下するビット線の電圧と参照電圧生成回路によって発生するリファレンスビット線の電圧との差電圧を増幅して、メモリセルデータを読み出す。 - 特許庁
To sequentially generate a bit mask array in which a cluster comprising an entry of certain type is larger than the cluster comprising an entry of another type, or it directly adjoins.例文帳に追加
あるタイプのエントリーからなるクラスタが、他のタイプのエントリーからなるクラスタより大きいか、または直接隣接しているようなビットマスク配列を次々と生成すること。 - 特許庁
Then, an integer computing unit 13 carries out integer computing for turning a part matching a sign bit of the floating point type data in the integer type data into a positive number.例文帳に追加
次に、整数演算器13により、その整数型データにおける、浮動小数点型データの符号ビットに対応する部分を正の数にするための整数演算を行う。 - 特許庁
An encoding type designating means switches an encoding type to I-VOP in the compression encoding processing of the next frame by referring to data deletion timing supplied from the bit rate judging means.例文帳に追加
符号化タイプ指定手段がビットレート判断手段から供給されるデータ削除タイミングを参照して、次フレームの圧縮符号化処理で符号化タイプを I-VOP に切替える。 - 特許庁
In this embodiment, the semiconductor memory 1 is provided with bit lines 3 formed by injecting n-type impurity into a p-type semiconductor substrate 2 and word lines 5 formed on a semiconductor substrate 1 which are perpendicular to respective bit lines 3.例文帳に追加
本実施例の半導体記憶装置1は、p型半導体基板2にn型不純物を注入して形成されたビット線3と、半導体基板1上に各ビット線3と直交するように形成されたワード線5とを備えてなる。 - 特許庁
When the occupied amount Bm exceeds the 2nd threshold BTH2, the image read from the bit buffer 2 is skipped, independently of the type.例文帳に追加
そして、占有量Bm が第2の閾値BTH2 を越えた場合、ビットバッファ2から読み出されたピクチャはタイプに関係なくスキップされる。 - 特許庁
SURFACE PLANTED TYPE DIAMOND BIT CAPABLE OF ADJUSTING PROJECTION HEIGHT OF DIAMOND ABRASIVE GRAINS FROM MATRIX AND STRONGLY MAINTAINING INNER AND OUTER DIAMETERS例文帳に追加
マトリックスからのダイヤ砥粒の突出高さを調節でき、内外径を強固に維持できる表面植込み型ダイヤモンド・ビット - 特許庁
The controlling n-type transistor Tr1 controls voltage potentials of the plurality of word lines or the plurality of bit lines.例文帳に追加
制御用n型トランジスタTr1は、複数のワード線または複数のビット線の各々の電位を制御するためのものである。 - 特許庁
A memory array includes a plurality of static type memory cells disposed at intersecting points of a plurality of word lines and a plurality of complementary bit lines.例文帳に追加
メモリアレイを複数のワード線と複数の相補ビット線の交点に設けられた複数のスタティック型メモリセルで構成する。 - 特許庁
In a self scanning type light emitting element array, one bit memory elements to be electrically written/erased externally 200a, 200b, 200c, 200d are integrated.例文帳に追加
自己走査型発光素子アレイに、外部から電気的に書き込み/消去が可能な1ビットのメモリ素子200a,200b,200c,200dを集積している。 - 特許庁
To provide a synchronous type semiconductor memory, in which a test can be performed in which minute defective leakage of a bit line can be previously detected.例文帳に追加
ビット線の微小リーク不良を予め検出可能なテストが実施できる同期型半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
To provide a DRAM in which an appropriate bit line reference potential can be set by using a dummy cell of a capacity coupling type.例文帳に追加
容量結合型のダミーセルを用いて適切なビット線の参照電位を設定することを可能としたDRAMを提供する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a BPM (Bit Patterned Medium) type magnetic disk suitable for productivity enhancement and to provide a stamper unit used for the method.例文帳に追加
生産性向上に適したBPM型磁気ディスク製造方法と当該方法に使用できるスタンパユニットを提供する。 - 特許庁
The cyclic type A/D converter 11 performs cyclic operation N times (N>M+1) to generate an (M+1)-bit digital value.例文帳に追加
巡回型A/D変換器11は、M+1ビットのディジタル値を生成するためにN回(N>M+1)の巡回動作を行う。 - 特許庁
When the amount Bm exceeds the 2nd threshold value BTH2, the picture read from the bit buffer 2 is skipped independently of the type of picture.例文帳に追加
そして、占有量Bm が第2の閾値BTH2 を越えた場合、ビットバッファ2から読み出されたピクチャはタイプに関係なくスキップされる。 - 特許庁
The old Linux situation was that of mostly 16-bit constants, where the last byte is a serial number, and the preceding byte(s) give a type indicating the driver. 例文帳に追加
昔の Linux では、大部分は 16 ビットの定数であり、下位バイトはシリアル番号で、上位バイトはドライバのタイプを表していました。 - JM
The planes attribute is of type long, and it specifies which planesof the destination are to be modified, one bit per plane. 例文帳に追加
"Pixel value"プレーン属性は long 型で、プレーンごとに1ビットが割り当てられており、描画対象のどのプレーンが変更されるか指定する。 - XFree86
In the double pipe type excavating tool 1, an outer pipe 40 is connected to a ring bit 10 through a shock absorbing structure of the pipe body.例文帳に追加
二重管式掘削工具1は、外管40が管体の緩衝構造を介してリングビット10に連結されている。 - 特許庁
The reproduction gain can be improved by employing a sign of the MTR type in which a 1 bit mark and a 1 bit space do not adjoin each other and which has DC control characteristics in combination with a PRML signal processing system.例文帳に追加
1ビットのマークと1ビットのスペースが隣り合わないMTR符号であり、かつDC制御特性を持った符号とPRML信号処理方式を組み合わせて用いることにより、再生利得を向上することができる。 - 特許庁
At the time of standby, both ends of a variable resistance type memory element 403, that is, a bit line BL and a source line SL are set to a pre-charge potential Vp by each pre-charge circuit 402 of a bit line and a source line.例文帳に追加
スタンバイ時には、抵抗変化型メモリ素子403の両端、即ち、ビット線BLとソース線SLとはビット線及びソース線の各プリチャージ回路402によりプリチャージ電位Vpに設定される。 - 特許庁
A memory cell of the end memory cell mat 20 dares to be of a type of larger area than the memory cell of a general memory cell mat 10, and an advantage of a folded bit line structure can be carried into an open bit line structure.例文帳に追加
端メモリセルマット20のメモリセルを通常メモリセルマット10のメモリセルよりも敢えて面積の大きなタイプにし、フォールデットビット線構造の利点をオープンビット線構造に持ち込むことを可能とする。 - 特許庁
At standby time, both ends of a resistance variation type memory element 403, that is, a bit line BL and a source line SL are set to a pre-charge potential Vp by respective pre-charge circuits 402 of the bit line and the source line.例文帳に追加
スタンバイ時には、抵抗変化型メモリ素子403の両端、即ち、ビット線BLとソース線SLとはビット線及びソース線の各プリチャージ回路402によりプリチャージ電位Vpに設定される。 - 特許庁
To provide a NAND type flash memory device having a multi-plane structure, capable of simultaneously copyback-programming a cell connected to an even bit line and a memory cell connected to an odd bit line within one page.例文帳に追加
一つのページ内のイブンビットラインに接続されたセルとオッドビットラインに連結されたメモリセルとを同時にコピーバックプログラムすることが可能な、マルチプレーン構造を有するNAND型フラッシュメモリ装置の提供。 - 特許庁
A pair of bit lines are connected to a sense amplifier through an N channel type transistor, memory cells constituting a memory cell array are connected to the bit line pair, and the gate voltage of the N channel type transistor is set lower than a voltage obtained by adding the threshold value voltage amount of the N channel type transistor to the driving voltage of the memory cells.例文帳に追加
センスアンプは、センスアンプに一対のビット線対がNチャネル型トランジスタ対を介して接続され、ビット線対には、メモリセルアレイを構成するメモリセルが接続され、Nチャネル型トランジスタのゲート電圧は、メモリセルの駆動電圧にNチャネル型トランジスタのしきい値電圧分を加えた電圧よりは低い電圧に設定されている。 - 特許庁
During bit weighting current output operation, a current according to the voltage held at the capacitor 49 is output from the n-type TFT 48, and is supplied to a signal line through an n-type TFT 53 switched on-off according to the corresponding image data bit D[2](m).例文帳に追加
ビット重み付け電流出力動作時には、キャパシタ49の保持電圧に応じた電流が、n型TFT48から出力されて、対応の画像データビットD[2](m)に応じてオンオフされるn型TFT53を介して信号線へ供給される。 - 特許庁
To provide a ring bit of a rotary blow type excavator capable of raising an excavation performance of the rotary blow type excavator and increasing durability of each projected edge of the ring bit only by leaving non-regular intervals by slightly changing intervals of outward projected edges and inward projected edges formed in the front end face of the rotary cylindrical ring bit in the circumferential direction.例文帳に追加
回転する円筒状のリングビットの先端面に円周方向に形成した外向き突起刃及び内向き突起刃の間隔を僅かに変えて非等間隔にするのみで、回転打撃型掘削装置の掘削性能を高め、しかもリングビットの各突起刃の耐久性を高めることのできる回転打撃型掘削装置のリングビットを提供することにある。 - 特許庁
The source/drain area 9 connected with the bit line 17 includes a second conductive type impurity area 11 in its upper layer and a first conductivity type impurity area 10 in its lower layer.例文帳に追加
ビット線17と接続するソース・ドレイン領域9は、上層に高濃度の第2導電型不純物領域11を有し、下層に第1導電型不純物領域10を有する。 - 特許庁
By this setup, an N-type diffusion layer 34a connected to a capacitor node 24 and an N-type diffusion layer 34b connected to a bit line 5 are covered with a spacer insulating film 37.例文帳に追加
これにより、キャパシタノード24に接続されるn型拡散層34a上と、ビット線5に接続されるn型拡散層34b上はスペーサ絶縁膜37で覆われている。 - 特許庁
Therefore, since a MONOS type memory cell is used as a memory cell of 1 bit/cell and the conventional type array constitution is adopted, the manufacturing process and the constitution can be simplified.例文帳に追加
したがって、MONOS型メモリセルを1ビット/セルのメモリセルとして使用し、従来型のアレイ構成を採用したので、製造プロセスの簡単化および構成の簡単化を図ることができる。 - 特許庁
If this bit is clear, those operations require that all arguments have the current type as their type, and the caller is supposed to perform a coercion operation first.例文帳に追加
このビットがクリアなら、演算子は全ての引数が現在のオブジェクト型と同じであるよう要求し、演算の呼び出し側は演算に先立って型変換を行うものと想定します。 - Python
In the contact program type mask ROM where the drain contact of a part of cell transistors in a memory cell array is connected to a bit line 1 through a repeating pattern 3 and a via plug 2, adjacent via plugs are connected to a bit-line direction wiring layer 3a in common when a plurality of via plus connected to the same bit line are continuously adjacent in the bit line direction.例文帳に追加
メモリセルアレイにおける一部のセルトランジスタのドレインコンタクトが中継用パターン部3とビアプラグ2を経てビット線1に接続されるコンタクトプログラム方式のマスクROM において、同一ビット線に接続される複数のビアプラグがビット線方向に連続して隣り合う場合に、隣り合うビアプラグがビット線方向の配線層3aにより共通に接続されている。 - 特許庁
A memory cell array 1 is constituted by arranging a memory cell MC of a current pull-in type at an intersection part of a bit line BL and a word line WL.例文帳に追加
メモリセルアレイ1はビット線BLとワード線WLの交差部に電流引き込み型のメモリセルMCを配置して構成される。 - 特許庁
To reduce power consumption due to counter operation without dropping bit accuracy, in a reference signal comparison type AD conversion method.例文帳に追加
参照信号比較型のAD変換方式において、ビット精度を落とさずに、カウンタ動作を起因とする電力消費を低減する。 - 特許庁
As a result, in the case of a stacked type capacitor, for example, the one electrode of the capacitor can be used as a part of the bit line.例文帳に追加
この結果、例えば、スタック型キャパシタを採用する場合には、キャパシタの電極の一方をビット線の一部とすることができる。 - 特許庁
A floating gate type electric field effect transistor Tr connected to a word line and a bit line is arranged on a memory cell array in the form of a matrix.例文帳に追加
メモリセルアレイには、ワード線とビット線とに接続された浮遊ゲート型電界効果トランジスタTrをマトリクス状に配置している。 - 特許庁
The P type well region 332 is isolated surely by the isolation region 316 and the insulation film 342 and functions as a third bit line.例文帳に追加
P型ウェル領域332は、素子分離領域316と絶縁膜342とで確実に絶縁されて、第3ビット線として機能する。 - 特許庁
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