「Boundary element method」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

For the developer particle moved from the agitating carrying roll side to a developing roll side over the moving boundary surface, physical properties thereof are converted to those as an individual particle, and calculation by individual element method is performed (S232-NO, S236 and S238).例文帳に追加

攪拌搬送ロール側から移動境界面を越えて現像ロール側に移動した現像剤粒子に関して個々の粒子としての物性に変換し、個別要素法により計算する（Ｓ２３２−ＮＯ，Ｓ２３６，Ｓ２３８）。 - 特許庁

To provide rare earth-iron-boron alloy powder in which a heavy rare- earth element such as Dy exists in a main phase in a relatively higher concentration than in a grain-boundary phase and which is easily sintered, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

Ｄｙなどの重希土類元素が粒界相よりも主相に相対的に高い濃度で存在し、しかも、焼結が容易な希土類−鉄−硼素系合金の粉末およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a silicon carbide semiconductor element capable of efficiently removing or inactivating a carbon cluster remaining on an SiO_2/SiC boundary even when forming an insulating film having a certain amount of thickness.例文帳に追加

ある程度の膜厚をもつ絶縁膜を成膜する場合であっても、ＳｉＯ_2／ＳｉＣ界面に残留するカーボンクラスターを効率的に除去または不活性化できる炭化珪素半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an SOI semiconductor device which does not form a parasitic MOSFET of low threshold voltage, when an electric field concentrates on a part where an gate electrode is close to a boundary between an active region and an element isolation region, in a case where an element isolation region is provided for an SOI substrate through a mesa element isolation region forming method.例文帳に追加

ＳＯＩ基板において素子分離領域を形成するためにメサ型素子分離領域形成法を採用した場合に、ゲート電極が活性領域と素子分離領域との境界部分に懸かる箇所で電界が集中する結果、閾値電圧の低い寄生ＭＯＳ ＦＥＴが形成されることが無いＳＯＩ型半導体装置を製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide an image processing device and an image processing method capable of easily coping with various models, performing resizing with high degree of freedom, and accurately performing resizing of a transparency value of a boundary portion between an image element having a transparency value and an image element not having the transparency value in resizing.例文帳に追加

様々な機種に容易に対応でき、かつ自由度の高いリサイズを行うことができ、かつリサイズにおける透明度値を有する画素と透明度値を有さない画素との境界部分の透明度値のリサイズを正しく行うことができる画像処理装置及び画像処理方法を提供すること。 - 特許庁

The particle behavior calculation according to an individual element method where magnetic force, contact force and gravity act is applied (S234) to the developer particles attracted to the developing roll over the moving boundary surface (S232-YES).例文帳に追加

移動境界面を越え現像ロールに吸着される現像剤粒子については（Ｓ２３２−ＹＥＳ）、磁気力、接触力、および重力を作用力とした個別要素法に従った粒子挙動計算を適用する（Ｓ２３４）。 - 特許庁

This magnetic resistance element is manufactured by a method including a step for heat treatment of 330°C or higher, and a maximum distance between the center line of a nonmagnetic layer and a boundary between paired ferromagnetic layers and nonmagnetic layer is 10 nm or less.例文帳に追加

３３０℃以上で熱処理する工程を含む方法により製造され、かつ非磁性層の中心線から、一対の強磁性層と非磁性層との間の界面までの最長距離が１０ｎｍ以下である磁気抵抗素子とする。 - 特許庁

To provide a rare-earth sintered magnet in which the amount of a rare-earth element (Nd or Pr as a typical example) constituting a nonmagnetic phase in a grain-boundary phase is reduced and which has excellent magnetic properties and reliability on corrosion resistance and also to provide its manufacturing method.例文帳に追加

粒界相で非磁性相を構成する希土類元素（典型的にはＮｄやＰｒ）の量が低減され、しかも、磁気特性および耐食信頼性に優れた希土類焼結磁石およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for analyzing a finite element method model even when the model is symmetrical with respect to an axis, and the displacement of the vibration mode has symmetrical or asymmetrical displacement distribution with respect to the symmetrical axis, and the number of elements in a direction setting a boundary condition is odd.例文帳に追加

モデルが軸に対して対称性を有し、その振動モードの変位が対称軸に対して対称、或いは反対称な変位分布をもつが、境界条件を設定する方向への要素数が奇数個である場合においても解析可能な有限要素法モデルの解析方法を提供する - 特許庁

Then the Laplace equation of the stream function Ψ is dissolved under a proper boundary condition, the value of the stream function Ψ at every grid point in the analysis area is obtained through the use of a finite difference method and an finite element method or the like and, then, the isopleth of the value of the stream function Ψ is plotted.例文帳に追加

そして、流れ関数Ψのラプラス方程式を適切な境界条件の下で解法し、有限差分法，有限要素法等を用いて解析領域中の各格子点の流れ関数Ψの値を求めた後、流れ関数Ψの値の等値線を描画する。 - 特許庁

To provide a diffraction optical element in which diffraction efficiency is improved and a pickup function is improved by shaping a spherical wave-shaped wave resulting from the boundary condition of a blaze side wall into a wave in a main diffraction direction while suppressing the occurrence of the spherical wave- shaped wave and further preventing the surface reflection of a lens, and to provide a method for manufacturing the diffraction optical element.例文帳に追加

ブレーズ側壁の境界条件に起因する球面波状の波の発生を抑えつつ、これを主回折方向の波に成形し、さらに、レンズの表面反射を防止することで、回折効率が向上し、ピックアップ機能の向上を図ることのできる回折光学素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, capable of preventing deterioration of well pressure resistance due to the injection of impurity to a well boundary region, and reducing leak currents even when electric field concentration is generated in an element forming region at the upper part of the side wall of an element separating groove.例文帳に追加

ウェル境界領域に不純物が注入されることに起因するウェル耐圧の劣化を防止するとともに、素子分離溝の側壁上部に位置する素子形成領域に電界集中が発生してもリーク電流を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which the occurrence of a parasitic transistor, having low threshold voltage in a portion covered with a gate electrode at the boundary between an SOI active layer and a mesa-type element separating region can be prevented effectively, and to provide a method of manufacturing the device.例文帳に追加

ＳＯＩ活性層とメサ型素子分離領域との境界のゲート電極で覆われた部分における、閾値電圧の低い寄生トランジスタの発生を効果的に防止できる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a high-performance MOS semiconductor device, exhibiting proper controllability in which a parasitic transistor, resulting from the shape of boundary between an STI and an element region is eliminated, reliability of source/drain is enhanced, and a countermeasures are taken against low resistance, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ＳＴＩと素子領域の境界の形状に関る寄生トランジスタをなくし、かつソース／ドレイン信頼性ある低抵抗化対策を有する制御性の良い高性能のＭＯＳ型半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The temperature distribution in the membrane panel is calculated through numerical analysis, such as the finite element method, etc., by variously changing the shape of the panel, such as the dimensions, etc., of heat exchanger tubes 1 and thermal boundary conditions, such as heat transfer, radiation, etc., on the furnace interior side and stored as a data base.例文帳に追加

伝熱管１の寸法等のメンブレンパネル形状と炉内側の伝熱や輻射等の温度境界条件を種々に変化させ、有限要素法といった数値解析によりメンブレンパネルの温度分布を計算し、データベース化しておく。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which prevents a hollow of a solder layer caused by a volume contraction in solder solidification from remaining in the outer edge part of a boundary surface between a semiconductor element and the solder layer, and is strong in thermal stress; and its manufacturing method.例文帳に追加

はんだ凝固時の体積収縮に起因して発生するはんだ層の凹みが半導体素子とはんだ層との境界面の外縁部に残存することを防止し、熱応力に強い半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする - 特許庁

To provide ferrite powder which can make the boundary between a magnetic material and an internal electrode or planar coil flatter than the conventional example, a method for manufacturing the powder, ferrite paste, and a small-sized magnetic element the electromagnetic characteristic of which is stabilized by using the ferrite powder.例文帳に追加

本発明は、磁性体と内部電極、平面コイルとの界面を従来より平坦化可能なフェライト粉及びその製造方法、フェライトペースト、並びにそれを用いて電磁気特性を安定化した小型磁気素子を提供することを目的としている。 - 特許庁

The arithmetic operation part solves the set boundary value problem by the application of formation and the numeric value solution using a weak form similar to the so-called finite element method, and calculates the stress distribution (S1034), and writes this calculation result in a stress distribution file (S1035).例文帳に追加

演算部は、設定された境界値問題を、いわゆる有限要素法と同様、弱形式を用いた定式化と数値解法の適用によって解き、応力分布の計算を行い（Ｓ１０３４）、この計算結果を応力分布ファイルに書き込む（Ｓ１０３５）。 - 特許庁

To provide a pattern inspection method and device that can inspect a pattern defect formed on a substrate with high accuracy in a short time, and specially, sufficiently prevent degradation of detecting sensitivity and inspection accuracy of a defect to a boundary part of pattern density of an element.例文帳に追加

基板上に形成されたパターンの欠陥検査を高精度且つ短時間で行うことができ、殊に、素子のパターン疎密の境界部に対しても、欠陥の検出感度及び検査精度の低下を十分に防止できるパターン検査方法及び装置を提供する。 - 特許庁

A wiring structure is formed, a background (temperature, current density) is solved by a finite element method, and a diffusion analysis is carried out by the use of an electron wind power proportional to a current density and diffusion coefficients (lattice, grain boundary, interface, surface) related to crystal structures, to obtain void density.例文帳に追加

配線の構造を作成し、背景場（温度、電流密度）を有限要素法で解き、電流密度に比例した電子風力と各結晶構造に関わる拡散係数（格子、粒界、界面、表面）を用いて拡散解析を行い、空孔濃度を求める。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for analyzing structure, by which setting of a boundary condition and display of an analysis result can easily and accurately conducted even if an actual structure shape differs from a micro element used for analysis, and to provide a manufacturing method for a structure and a storage medium with a computer program realizing the method stored therein.例文帳に追加

実際の構造物形状と解析に用いる微小要素が異なる場合でも境界条件設定及び解析結果表示等を簡便かつ精度良く行うことができる構造物の解析方法、解析装置、製造方法およびかかる方法を実現するコンピュータプログラムを記憶した記憶媒体を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for setting the boundary condition for the simulation of hot-press-forming which can universally improve the accuracy of temperature calculation and formability prediction without remarkably reducing element sizes by correcting the thermal contact condition in calculation to conform to a real phenomenon.例文帳に追加

計算上の熱的接触状態を実現象に則するように修正し、要素サイズを著しく小さくすることなく、普遍的に温度計算および成形性予測の精度を向上できるホットプレス成形シミュレーションの境界条件設定方法が提供される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor element capable of preventing the occurrence of a film-thinning phenomenon for relatively thinning the thickness of an oxide film at a boundary surface between an STI(Shallow Trench Isolation) structure and a thick gate oxide film, when a dual gate oxide film process is applied to the normal STI structure.例文帳に追加

ノーマルSTI(normal Shallow Trench Isolation)構造にデュアルゲート酸化膜工程を適用する際に、STIと厚いゲート酸化膜の境界面で前記酸化膜の厚さが相対的に薄くなる薄膜化現象が惹起されることを防ぐことができる半導体素子の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a method for improving adhesivity on the boundary between a high polymer PTC composition and an electrode plate, in the high polymer PTC element where electrodes plates are arranged on both surfaces of a sheet, in which conductive filler is dispersed in a crystalline polymer and a polymer composition is formed.例文帳に追加

結晶性高分子に導電性フィラーを分散した、高分子ＰＴＣ組成物を成形したシートの両面に、電極板を配置した構成を有する高分子ＰＴＣ素子において、高分子ＰＴＣ組成物と電極板との界面の接着性を向上する方法を提供すること。 - 特許庁

The method includes defining two or more groups of the elements in the array in which each element individually includes a first switch and a second switch; providing boundary definitions to the elements in the array to define boundaries for the two or more groups; and locally defining a switch configuration state within the array for the first and second switches of one or more elements based on the boundary definitions.例文帳に追加

アレイ内の各要素が夫々第１スイッチと第２スイッチからなるアレイ内で、二つ以上の要素からなるグループを定義する工程と、前記二つ以上のグループに対して境界を定義するためにアレイ内の要素に境界定義を提供する工程と、前記境界定義に基づいて一つ以上の要素の第１と第２スイッチに対してアレイ内部でスイッチ構成状態をローカルに定義する工程とを有する方法。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device has the steps of depositing a nucleus generation film of a metal composition having a high melting point using a material gas including halogen element, depositing a silicon film on the nucleus generation film and a grain boundary, and depositing a bulk layer of a metal composition having a high melting point by burying the nucleus generation film and the silicon film using the material gas including halogen element.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、ハロゲン元素を含む原料ガスを用いて高融点金属化合物の核形成膜を堆積するステップと、核形成膜の表面及び粒界にシリコン膜を堆積するステップと、ハロゲン元素を含む原料ガスを用い、核形成膜及びシリコン膜を埋め込んで高融点金属化合物のバルク層を堆積するステップとを有する。 - 特許庁

The atomic content of a ferromagnetic element at an ion implantation part is increased by implanting ions of the ferromagnetic element to the precursor layer of a second magnetic recording layer 26 of a magnetic recording medium having a first magnetic recording layer 24 constituted of crystal grain boundary consisting of ferromagnetic crystal particles and oxide, and the second magnetic recording layer 26 which does not contain oxide, using ion implantation method.例文帳に追加

強磁性結晶粒子と酸化物からなる結晶粒界で構成された第一磁気記録層２４と酸化物を含まない第二磁気記録層２６を有する磁気記録媒体の第二磁気記録層２６の前駆層に、イオン注入法を用い、強磁性元素のイオンを注入することで、イオン注入部位の強磁性元素の原子含有率を増加させる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a gas sensor constituted so as to suppress the occurrence of the crack formed in a solid electrolyte with respect to the boundary of a substrate and an open space, in a sensor element wherein the substrate based on insulating ceramic is in a direct contact with the solid electrolyte based on zirconia becoming the solid electrolyte after baking.例文帳に追加

焼成後に固体電解質体となるジルコニアを主成分とする固体電解質体に、絶縁性セラミックを主成分とする基体が直接接するセンサ素子において、基体と開空間との境界に対する固体電解質体に起こるクラックの発生を抑制するガスセンサの製造方法を提供する。 - 特許庁

A intake sound analyzing part 106 modelings the interior of intake gas piping using a boundary element method, and acquires the amplitude and the phase for every revolving speed from the frequency analyzing part, and outputs the amplitude and the phase of a plurality of frequency components as excitation conditions for the intake gas at the suction valve.例文帳に追加

吸気音色解析部１０６は、吸気系配管の内部を境界要素法を用いてモデル化するとともに、周波数解析部から各回転数における複数の周波数成分の振幅と位相とを受け取って、複数の周波数成分の振幅と位相とを吸気弁における吸気への加振条件として与える。 - 特許庁

A two-dimensional or three-dimensional Poisson equation to handle a plane or a curved surface is given as a dominating equation to an area inside the anode and/or the cathode, and these are discrete by a boundary element method or a finite element method, and the current density i and the electric potential distribution ϕin the system are calculated through the simultaneous operation.例文帳に追加

アノード１１、及び／又はカソード１２の抵抗が無視できない系での電解めっきにおいて、めっき液１３を含む領域に対しては３次元ラプラス方程式を支配方程式として与え、これを境界要素法で離散化し、アノード、及び／又はカソード内部の領域に対しては、平面または曲面を扱う２次元又は３次元のポアソン方程式を支配方程式として与え、これらを境界要素法または有限要素法で離散化し、それらを連立させ、系内の電流密度ｉおよび電位分布φを算出する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a ferroelectirc capacitor for semiconductor element with which the characteristics of the boundary between a silicon oxide and a metal lower electrode, the metal lower electrode and a ferroelectric substance film, and the ferroelectric substance film and an upper electrode, can be improved, and leakage current is reduced so as to prevent peeling phenomenon of a thin film in the following etching step.例文帳に追加

シリコン酸化物と金属下部電極との界面、金属下部電極と強誘電体膜との界面及び強誘電体膜と上部電極との界面の特性を向上させて、漏れ電流を減少させて後続の蝕刻工程で薄膜剥離現象の発生を防止できる半導体素子の強誘電体キャパシタ製造方法を提供する。 - 特許庁

A method for driving a display device having a plurality of scanning areas in which a display element is disposed on each of intersection points of signal lines and scanning lines, wherein each scanning area is drive line sequentially for display, the difference of scanning timing between two scanning lines which are adjacent in parallel beyond the boundary between each scanning area is one millisecond or more.例文帳に追加

信号線と走査線との各交点に表示素子を配置した走査領域を複数有する表示装置において、それぞれの領域を線順次駆動して表示を行う際に、各領域の境界に並列して接する走査線間の走査タイミングの差を、１ミリ秒以上にすることを特徴とする表示装置の駆動方法。 - 特許庁

The method of manufacturing a rare-earth magnet has a sticking step for sticking a permeating material (Nd-Cu alloy) that can produce liquid phase onto a surface of a magnetic alloy containing a rare-earth element (R1) at a temperature lower than its eutectic point and a permeating step for heating after the sticking step to permeate and diffuse the permeating material into the grain boundary of the magnetic crystal grain of alloy.例文帳に追加

本発明の希土類磁石の製造方法は、希土類元素（Ｒ１）を含む磁性合金の表面にその共晶点よりも低温で液相を生じ得る浸透材（Ｎｄ−Ｃｕ合金）を付着させる付着工程と、この付着工程後に加熱して磁性合金の結晶粒の粒界へ浸透材を浸透拡散させる浸透工程とを備えてなる。 - 特許庁

According to this sensor element manufacturing method, since a pressurizing process is performed, after a punching arrangement process to arrange the solid electrolyte object 435 for a penetration hole 433 of the insulating member 405, step dimension between the solid electrolyte object 435 and the insulated member 405 in the boundary portion can be made smaller than thickness dimension of the electrodes (first electrode 404 and second electrode 406).例文帳に追加

本センサ素子製造方法によれば、絶縁部材４０５の貫通孔４３３に対して固体電解質体４３５を配置する打抜配置工程の後、加圧工程を実行することから、境界部分における固体電解質体４３５と絶縁部材４０５との段差寸法を電極（第１電極４０４および第２電極４０６）の厚さ寸法よりも小さくすることができる。 - 特許庁

To obtain accurate results without substantially increasing calculation time, required memory, etc., for a polycrystalline thin film transistor containing a crystal grain boundary with a high trap density and a MOS interface in a device simulation method of dividing a semiconductor element into a mesh and solving physical equations such as potential equations, carrier continuity equations, etc., by each mesh.例文帳に追加

半導体素子をメッシュに分割し、各メッシュで電位方程式・キャリア連続方程式等の物理方程式を解く、デバイスシミュレーション方法において、トラップ密度の高い結晶粒界やMOS界面を含む多結晶薄膜トランジスタに対しても、計算時間や必要メモリ等の大幅な増加なしに、正確な結果を与える、デバイスシミュレーション方法を、実現することを目的とする。 - 特許庁

This method comprises a step of providing a metal component 122 having an exterior surface, and a step of using a burnishing element to apply a varying pressure to an exterior surface within a selected area, within which the component has a varying thickness, to create a region 150 of residual compressive stress surrounded by an interior boundary 154.例文帳に追加

本方法は、外部表面を有する金属構成部品（１２２）を準備する段階と、バニシング要素（１１４）を使用して、その範囲内では構成部品が可変厚さを有する選択区域内の外部表面に対して可変圧力を加えて内部境界面（１５４）によって囲まれた残留圧縮応力領域（１５０）を形成するようにする段階とを含む。 - 特許庁

A hologram element 306a provided in the optical integrated unit having the tracking error detecting function by three beam method is sectioned into first and second regions 601 and 602 having diffraction directions in a direction that the sub-beams 202, 202b are separated, and diffraction grating patterns using respectively one side and the other side of a circular columns being symmetry respect to a boundary line 603 are provided in respective regions.例文帳に追加

３ビーム法によるトラッキング誤差検出機能を有する光集積ユニットに設けられるホログラム素子３０６ａは、サブビーム２０２ａ、２０２ｂが離間する方向に、回折方向が異なる第１領域６０１、第２領域６０２に区分され、各領域には境界線６０３に関して対称な円弧列のそれぞれ一方及び他方を用いた回折格子パタンが設けられる。 - 特許庁