「Cell Line」に関連した英語例文の一覧と使い方(35ページ目) - Weblio英語例文検索

The integrated circuit device includes an I/O ESD protection cell comprising a V_DD electrostatic discharge ESD protection element connected between an I/O pad and a source voltage V_DD line, a V_SS ESD protection element connected between an I/O pad and a ground voltage V_SS line, and a power clamping element connected between the V_DD line and the V_SS line.例文帳に追加

Ｉ／Ｏパッドと電源電圧Ｖ_ＤＤライン間に接続されたＶ_ＤＤ静電気放電ＥＳＤ保護素子、Ｉ／Ｏパッドと接地電圧Ｖ_ＳＳライン間に接続されたＶ_ＳＳ ＥＳＤ保護素子及びＶ_ＤＤライン及びＶ_ＳＳライン間に接続されたパワークランプ素子で構成されたＩ／Ｏ ＥＳＤ保護セルを含む集積回路装置。 - 特許庁

A structure 11 is obtained by cutting a structure having a honeycomb shaped cell obtained by forming an electret thermoplastic resin made sheet in a form like honeycomb, at angle θ to vertical line and the structure is disposed so that a cut area may be vertical to a flow line (g) of air and to incline the cell at angle θ to the fluid of the air.例文帳に追加

エレクトレット化された熱可塑性樹脂製シートをハニカム状に成形して得たハニカム状セルを有する構造体を鉛直線に対し角度θで切断して構造体１１を得、切断面が空気の流線ｇに対して垂直となるように配置して、セルを空気の流体に対し角度θで傾斜させる。 - 特許庁

A decoded signal PX from a row decoder 12 and a defective cell specifying signal SEL are inputted to a selector circuit 14, each inputted decoded signal PX is outputted to each word line WL1-WL32 or spare word line WL33 based on respectively correspondent defective cell specifying signals SEL.例文帳に追加

セレクタ回路１４は、ロウデコーダ１２からのデコード信号ＰＸと制御回路２３からの不良セル指定信号ＳＥＬとが入力され、入力された各デコード信号ＰＸは、それぞれ対応する不良セル指定信号ＳＥＬに基づいて各ワード線ＷＬ（１）ＷＬ〜（３２）又はスペアワード線ＷＬ（３３）に出力される。 - 特許庁

To solve the problem of disturbing a high-speed operation due to a mixture of an interference noise generated at one bit line of adjacent bit lines to each other with the other bit line in a semiconductor device only by a memory cell layout without increasing the area of a memory cell array.例文帳に追加

半導体装置において、互いに隣接するビット線どうしのうちの一方のビット線で発生する干渉ノイズが他方のビット線に混入しないようにして、この混入により高速動作を阻害するという問題を、メモリセルアレイ部における面積を増大させることなく、メモリセルレイアウトのみで解決する。 - 特許庁

On the heat application stage of the second chamber of the decompression laminator, a resin layer for sealing, a displacement prevention film, and the solar cell in which the tab line is tentatively pasted on the electrode using the adhesive agent, are laminated so that the tab line is positioned on the displacement prevention film side, and a resulted laminated body is pressed by the flexible sheet while being heated up to seal the solar cell.例文帳に追加

減圧ラミネータの第２室の加熱ステージ上に、封止用樹脂層、位置ズレ防止用フィルム、タブ線が接着剤で電極に仮貼りされた太陽電池セルを、タブ線が位置ズレ防止用フィルム側になるように積層し、得られた積層体を加熱しなから可撓性シートで押圧することにより封止する。 - 特許庁

The prevention of hyperactive bladder and/or the method of screening improvement agent includes a process extending bladder epithelial cell line which brings into contact with a test substance through osmotic pressure change and a process measuring amount of ATP discharged from the cell line concerned to evaluate or select the test substance inhibiting ATP discharge.例文帳に追加

被検物質と接触させた膀胱上皮細胞株を浸透圧変化により伸展させる工程、及び浸透圧変化後、該細胞株から放出されたＡＴＰ量を測定し、ＡＴＰ放出を抑制する被検物質を評価又は選択する工程を含む過活動膀胱の予防及び／又は改善剤のスクリーニング方法。 - 特許庁

The outside of these memory cell blocks is provided with a row decoder 3, a redundant address program fuse circuit 10 in which the column address of a defective memory cell is programmed and a selecting means 22 to select and output either of a regular data line 14 or a redundant data line 15 according to the output of the redundant address program fuse circuit 10.例文帳に追加

これらメモリセルブロックの外部にはローデコーダ３と、前記不良メモリセルのカラムアドレスがプログラムされる冗長アドレスプログラムフューズ回路１０と、前記冗長アドレスプログラムフューズ回路の出力に応じて、レギュラーデータライン１４と冗長データライン１５の一方を選択して出力する選択手段２２とが設けられる。 - 特許庁

In the shift cell detecting circuit 6, a memory cell transistor where a low threshold voltage is distributed between the word line voltage during verify operation and the word line voltage during normal read operation is detected and a resultant data sequence identical to the write data sequence is stored in the latch circuit 3.例文帳に追加

シフトセル検出回路６において、ベリファイ動作時のワード線電圧と、通常読み出し時のワード線電圧との間にしきい値電圧が分布するメモリセルトランジスタの検出を行い、検出結果として書き込みデータと同一のデータ列を形成し、シフトセル検出回路６の検出結果をラッチ回路３に格納する。 - 特許庁

The bit line control circuit BLC(1U,1) performs operation control on the first memory cell array when the first and second control signals are activated; the bit line control circuit BLC(1U,2) performs operation control on the second memory cell array when the first and third control signals are activated.例文帳に追加

ビット線制御回路ＢＬＣ（１Ｕ，１）は、第１及び第２の制御信号が活性化された場合に第１のメモリセルアレイに対する動作制御を行い、ビット線制御回路ＢＬＣ（１Ｕ，２）は、第１及び第３の制御信号が活性化された場合に第２のメモリセルアレイに対する動作制御を行う。 - 特許庁

Line sequential scanning is performed on the plasma cell 2 by exciting plasma discharge by sequentially applying selecting pulses across a pair of discharge electrodes X1, X2 arranged in a discharge channel 5, while image signals are applied to each signal electrode Y of the display cell 1 in synchronization with the line sequential scanning, for displaying an image.例文帳に追加

放電チャネル５に設けた一対の放電電極Ｘ１，Ｘ２間に順次選択パルスを印加してプラズマ放電を励起することでプラズマセル２の線順次走査を行なう一方、線順次走査に同期して表示セル１の各信号電極Ｙに画像信号を印加して画像表示を行なう。 - 特許庁

To provide a method for reducing the total power consumption by introducing a structure in which information is written through only a bit line to which a memory cell is connected with respect to one word line to be driven, and reducing power consumption caused by voltage transition of other bit lines to which the cell is not connected.例文帳に追加

駆動すべき１つのワードラインに対してメモリセルが連結されたビットラインのみを通じて情報を書き込む構造を導入し、セルが連結されていない他のビットラインが遷移されることにより発生する不要な電力消耗を減らし、メモリの全体消費電力を減少させることができる方法を提供する。 - 特許庁

A cooling passage 5b cooling both stack end parts 1b of a cell 21 and a cooling passage 5a cooling a stack central part 1a are installed in the cooling structure of the fuel cell equipped with a stack line 1 formed by stacking cells 21 and cooling plates, end plates 2a, 2b interposing the stack line 1 from both sides.例文帳に追加

セル２１と冷媒プレートを積層したスタック列１と、スタック列１を両側から挟むエンドプレート２ａ、２ｂを備えた燃料電池の冷却構造において、セル２１の両スタック端部１ｂを冷却する冷却経路５ｂと、スタック中央部１ａを冷却する冷却経路５ａを備える。 - 特許庁

A cell phone 40 is made to be connectable to a controller 28 of a combine A through a telephone line or a telephone line and internet, and a signal is transmitted from the controller 28 of the combine A to the working part of the grain discharging apparatus 20 based on the operation of the cell phone 40.例文帳に追加

携帯電話機（４０）とコンバイン（Ａ）側の制御装置（２８）とを電話回線または電話回線とインターネットとを介して接続可能に構成すると共に、該携帯電話機（４０）の操作に基づいてコンバイン（Ａ）側の制御装置（２８）から穀粒排出装置（２０）の作動部へ出力するように構成する。 - 特許庁

A prescribed voltage is applied to a gate of the first selecting transistor so that the first selecting transistor is turned on after the prescribed voltage is applied to a gate of the memory cell in operation in which a current is made to flow to the first signal line from the second signal line through the memory cell part.例文帳に追加

そして、上記第２の信号線からメモリセル部を介して第１の信号線に電流を流す動作において、上記メモリセルのゲートに所定の電圧を印加した後に、上記第１の選択トランジスタがオン状態となるように、上記第１の選択トランジスタのゲートに所定の電圧を印加することを特徴とする。 - 特許庁

The magnetoresistance RAM comprises a plurality of P-N diodes formed in a plurality of N^+-type regions in a semiconductor substrate, a barrier conductive layer, the MTJ and the word line laminated on a P-type impurity region to an MRAM cell array so that one end of the N^+-type region is coupled to a bit line, and the other end is connected to the cell plate via a diode.例文帳に追加

半導体基板内の複数のＮ＋領域に複数のＰ−Ｎダイオードを形成し、Ｐ型不純物領域の上に、バリヤー導電層、ＭＴＪ、及びワードラインを積層してＭＲＡＭセルアレイとし、Ｎ＋領域の一端はビットラインと連結し、他端はダイオードを介してセルプレートと接続する。 - 特許庁

The driving method of plasma display panel is characterized in that discharge cells arranged on positions adjacent to at least one discharge cell to be address-discharged in accordance with an input video signal (pixel driving data) are forcibly address-discharged among respective discharge cells belonging to a display line as an address object just in front of the display line to which the one discharge cell belongs.例文帳に追加

入力映像信号（画素駆動データ）に従ってアドレス放電されるべき少なくとも１の放電セルが属する表示ラインの直前でアドレス対象となる表示ラインに属する放電セル各々の内で、上記１の放電セルに隣接した位置に配置されている放電セルを、強制的にアドレス放電させる。 - 特許庁

In the selective erasing method for the flash memory, when the threshold voltage of the memory cell which is connected to an arbitrary word line being erased is lower than a prescribed erasing threshold voltage, no further erasing for the memory cell connected to the word line is performed and the erasing is conducted only for the remaining cells.例文帳に追加

本発明のフラッシュメモリのための選択的消去方法は、消去された任意のワードラインに連結されたメモリセルのスレッショルド電圧が所定の消去スレッショルド電圧より低ければ、当該ワードラインに連結されたメモリセルに対する消去は、それ以上遂行せず、残りのセルに対してのみ消去を遂行する。 - 特許庁

A fuel cell evaluation system 1000 includes first and second branching lines 10 and 20 which are placed in a charging line 201 connected to a fuel cell FC to be evaluated and are branched in parallel each other, and a dew-point recorder 13 which detects the dew point temperature of the gas to be measured which flows into the first branching line 10.例文帳に追加

燃料電池評価システム１０００は、評価対象である燃料電池ＦＣと接続される供給配管２０１に設けられ、互いに並列に分岐した第１と第２の分岐配管１０，２０と、第１の分岐配管１０に流入する計測対象ガスの露点温度を検出する露点計１３とを備える。 - 特許庁

Before search operations in two TCAM cells of a PCAM cell 1 and an NCAM cell 1, a memory controller 100 connects the match line MLp to a power source and connects the match line MLn to a ground, and then connects the match lines MLp and MLn to each other so as that electric potentials of the match lines are the same as each other.例文帳に追加

メモリコントローラ１００は、それぞれＴＣＡＭセルであるＰＣＡＭセル１及びＮＣＡＭセル１における検索動作の前に、マッチラインＭＬｐを電源に接続しかつマッチラインＭＬｎを接地した後、マッチラインＭＬｐとマッチラインＭＬｎとを接続し、マッチラインＭＬｐとマッチラインＭＬｎの電位を互いに等しくする。 - 特許庁

While forming the two access transistors in the one active layer, a pair of memory cells belonging to the memory-cell rows and memory-cell columns adjacent to each other are coupled electrically to each corresponding source line by using a common contact CT.例文帳に追加

１つの活性層に２つのアクセストランジスタを形成して、隣接するメモリセル行であり、かつ隣接するメモリセル列の２つずつのメモリセルに対して共通のコンタクトＣＴを用いて対応するソース線と電気的に結合される。 - 特許庁

The width of the first cell power supply line 104 is determined in accordance with the power consumption in the first standard cell 108 and the number of standard cells which can be arranged between the first power supply strap 101 and a third power supply strap 103.例文帳に追加

第１のセル電源線１０４の幅は、第１のスタンダードセル１０８の消費電力と、第１の電源ストラップ１０１と第３の電源ストラップ１０３の間に配置できるスタンダードセルの個数に応じて決定する。 - 特許庁

Such devices, also referred to as process diagnostic vehicles (PDVs), are configured for in-line monitoring of electrical characteristics of PV cell feature parts and are formed on the substrate using the same process steps for PV cell fabrication.例文帳に追加

このような装置は、プロセス診断ビヒクル（ＰＤＶ）とも称されるが、ＰＶセル特徴部の電気的特性をインライン監視するように構成され、ＰＶセル製造のための同じプロセスステップを使用して基板上に形成される。 - 特許庁

In addition to the arrangement of a normal cell 102, a high-speed cell 101 for storing the mobile (not shown) traveling speedily is arranged in a line along an expressway or a railroad, and a speed region is divided for storing the mobile.例文帳に追加

通常セル１０２の配置に加えて、高速で移動する移動機（図示せず）を収容するための高速セル１０１を高速道路や鉄道に沿って線状に配置し、速度域を分割して移動機を収容している。 - 特許庁

This prevents the influence of capacity coupling by the flag cell 15 adjoining in the direction of the word line WL, and the reliability of the data (the flag data), stored in the flag cell 15, can be enhanced.例文帳に追加

このようにすることで、前記ワード線ＷＬ方向に隣接するフラグセル１５から容量カップリングの影響を受けることがなくなり、前記フラグセル１５に記憶されるデータ（フラグデータ）の信頼性を向上することが可能となる。 - 特許庁

Otherwise, the system managing device (9) monitors the cell discard rate of the ATMSW and when it exceeds a prescribed threshold, the cell speed controller is controlled so as to selectively decelerate the speed of the signal routed to the out line where the congestion occurs.例文帳に追加

或いは、システム管理装置（９）はATMSW のセル廃棄率を監視し、所定の閾値を超えた場合、輻輳が発生した出回線にルーティングされた信号の速度が選択的に低下するようにセル速度調整装置を制御する。 - 特許庁

Even in the case of burn-in test for which the test signal T4 becomes 'H' level, concerning a redundant row selector circuit 2, the word line selection inhibit signal RDE becomes 'L' level, a redundant cell and a normal cell are simultaneously selected and the burn-in test is performed at the same time.例文帳に追加

テスト信号T4が「H」レベルとなったバーンインテストの場合にも、冗長行選択回路2は、ワード線選択禁止信号RDEが「L」レベルとなり、冗長セルとノーマルセルとは一括して選択され、バーンインテストが同時に行われる。 - 特許庁

Since a single wiring is required per a single memory cell row, an SRAM of T-type bit line structure is easily configured using the landscape-type memory cell MC, resulting in a smaller layout area and faster operation speed.例文帳に追加

１メモリセル行当り１本の配線を設ければよいので、横長型メモリセルＭＣを用いてＴ型ビット線構造のＳＲＡＭを容易に構成でき、レイアウト面積の縮小化と動作速度の高速化を図ることができる。 - 特許庁

These two lines share electric charges with each other and are charged, and an intermediate level (VCC/2, When '1' = VCC and '0' = VSS, VCC/2) is obtained, and as a reference cell word line (XE or XO) is 'high' yet, it is stored again in the reference cell.例文帳に追加

これら２つの線は電荷を分け合って充電されて中間レベル（「１」＝ＶＣＣかつ「０」＝ＶＳＳの場合、ＶＣＣ／２）をもたらし、それは、基準セルワード線（ＸＥまたはＸＯ）が依然「ハイ」であるため、基準セルに再記憶される。 - 特許庁

Latches 21-2N formed in the respective cell regions are arranged in the vertical direction in cell anays 11-1N, i.e., in the longitudinal direction of a semiconductor surface, in such a manner that the left end portions of the latches 21-2N are arranged in line.例文帳に追加

それぞれのセル領域に形成されたラッチ２_1 〜２_N は、セル列１_1 〜１_N における上下方向、すなわち、半導体チップ平面における縦方向に、ラッチ２_1 〜２_N の左端部が一直線状にそろえられて配置されている。 - 特許庁

Also, a reference level is fixed and a pulse potential given to a plate line PL is adjusted by a potential generating circuit 2 at the testing time, and the quantity of read-out electric charges from a memory cell is reduced, so that the read-out margin of a memory cell is reduced intentionally.例文帳に追加

または、リファレンスレベルを固定して、テスト時に電位発生回路２によりプレート線ＰＬに与えるパルス電位を調整し、メモリーセルからの読み出し電荷量を小さくして、メモリーセルの読み出しマージンを意図的に少なくする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a solar cell, with which the solar cell having an electrode with high contact strength and low electrode resistance even if a line is thinned is formed and having superior photoelectric conversion efficiency can be manufactured.例文帳に追加

細線化された場合でも高い密着強度を有するとともに低い電極抵抗を有する電極形成して光電変換効率に優れた太陽電池を製造できる太陽電池の製造方法を得ること。 - 特許庁

This method controls set pulse width by monitoring the status of a memory component with a method for comparing a bit line voltage with a reference voltage during a programming action and the method for comparing the cell resistance with the cell resistance of the set status.例文帳に追加

本発明は、プログラミング動作の間、ビットライン電圧を基準電圧と比較する方法や、セル抵抗をセット状態のセル抵抗と比較する方法によってメモリ素子の状態をモニタリングすることにより、セットパルス幅を制御する。 - 特許庁

Each base station checks the header of a received communication signal cell and receives the communication cell with an address identifier addressed to its own base station and relays the other cells to a succeeding base station via the common communication line.例文帳に追加

各基地局では、受信した通信信号セルのヘッダをチェックし、自基地局宛のアドレス識別子を持つ通信セルを自基地局に取り込み、その他のセルを次に順次接続された基地局へ共用通信回線を介して中継する。 - 特許庁

These two lines share electric charges, charged, and an intermediate level (VCC/2, When 1=VCC and 0=VSS) is obtained, and as a reference cell word line (XE or XO) is 'high' yet, it is stored again in the reference cell.例文帳に追加

これら２つの線は電荷を分け合って充電されて中間レベル（「１」＝ＶＣＣかつ「０」＝ＶＳＳの場合、ＶＣＣ／２）をもたらし、それは、基準セルワード線（ＸＥまたはＸＯ）が依然「ハイ」であるため、基準セルに再記憶される。 - 特許庁

A first wiring layer is composed of a storage wiring 20 which connects the upper electrode TE to the one impurity diffusion layer of the memory cell transistor and a bit line BL connected to the other impurity diffusion layer of the memory cell transistor.例文帳に追加

上部電極ＴＥとメモリセルトランジスタの一方の不純物拡散層とを接続するストレージ配線２０と、他方の不純物拡散層に接続されるビット線ＢＬとにより第１の配線層が構成されている。 - 特許庁

In the case of reading, for example, a memory cell 11-11 in which data "0" is stored, the memory cell 11-11 is selected by making a word line WLn into an "H" level and making an NMOS 12-1 into an on state by a signal Yn at the "H" level.例文帳に追加

例えば、データ“０”が記憶されたメモリセル１１−１１を読み出す場合、ワードラインＷＬｎを“Ｈ”レベルにすると共に、“Ｈ”レベルの信号ＹｎによりＮＭＯＳ１２−１をオン状態にしてメモリセル１１−１１を選択する。 - 特許庁

To provide a method for easily monitoring the source contact of small contact area of a flash memory, whose source line is formed by a local mutual connection method, by using excess erasing cell characteristics of the flash cell.例文帳に追加

ソース線をローカル相互接続方法を適用して形成するフラッシュメモリ素子において、接触面積の狭いソースコンタクトが接触されたか否かをフラッシュセルの過消去セル特性を用いて容易にモニタリングする方法を提供すること。 - 特許庁

The K-bit prefetch section decodes a column address in response to a second clock for accessing the memory cell array, and prefetches K data corresponding to the column address decoded from the memory cell connected to the activated word line.例文帳に追加

Ｋビットプリフェッチ部は、前記メモリセルアレイにアクセスするための第２クロックに応答してカラムアドレスをデコーディングして前記活性化されたワードラインに連結されたメモリセルから前記デコーディングされたカラムアドレスに対応するＫ個のデータをプリフェッチする。 - 特許庁

This method using the cell line infinitely proliferating under a general cell culture environment can eliminate a reproduction error of the antiallergic action of the test substance and simultaneously therewith, perform the measurement using the biochemical substance binding.例文帳に追加

これにより、一般的な細胞培養環境で無限増殖する細胞株を利用することで、被検物質の抗アレルギー作用の再現誤差をなくすと同時に、生化学的な物質結合性を利用して計測可能とする。 - 特許庁

This is the fuel cell system 1 provided with the solid polymer fuel cell 10, and with a combustion exhaust gas supply line 51 which supplies combustion exhaust gas discharged from a combustion part 20A that combusts hydrogen to a cathode 10C side.例文帳に追加

固体高分子型燃料電池１０を備え、水素を燃焼させる燃焼部２０Ａから排出される燃焼排ガスをカソード１０Ｃ側に供給する燃焼排ガス供給ライン５１を備えてなる燃料電池システム１である。 - 特許庁

In layout structure of the semiconductor memory apparatus 100, a memory cell array 1 is held between the input buffer circuit 5 and the output buffer circuit 6 and the bypass line passes through the memory cell array 1, in a flat view.例文帳に追加

半導体記憶装置１００のレイアウト構造では、平面視上、メモリセルアレイ１は入力バッファ回路５と出力バッファ回路６とに挟まれて配置されており、バイパス線はメモリセルアレイ１間を通って配置されている。 - 特許庁

A control signal supplied to a cell array selection transistor, a sense amplifier bit line pre-charge transistor, and their gates is set so that potential variation applied to a pair of cell array bit lines is canceled when a state of each transistor is caused to transition.例文帳に追加

セルアレイ選択トランジスタとセンスアンプビット線プリチャージトランジスタとそれらのゲートに供給される制御信号は、各トランジスタの状態が遷移する時にセルアレイビット線対に及ぼす電位変動を相殺するように設定されている。 - 特許庁

To provide an expression vector capable of reproducibly and efficiently screening for a transformant, particularly a productive cell line of an animal cultured cell, which highly expresses an objective protein, particularly an objective protein having no appropriate assay system.例文帳に追加

目的蛋白質、特には適当なアッセイ系がない目的蛋白質を高発現する形質転換体、特には動物培養細胞高生産株を再現性良くかつ効率良くスクリーニングできる発現ベクターを提供すること。 - 特許庁

A solar cell apparatus 3 is connected to both the power storage bus line 16 and the output bus line 17 for each panel group 10, allowing the destination of the power supply to be individually selected with the switching of the opening/closing operation of an opening/closing means 37.例文帳に追加

太陽電池装置３は、パネルグループ１０毎に、蓄電バスライン１６および出力バスライン１７の両方に接続され、開閉手段３７の開閉動作の切換えによって、個別に電力の供給先が選択される。 - 特許庁

A turning station 200 to turn a conveying direction of a liquid crystal cell substrate 1, subjected to treatment in a previous step, 90° is arranged between an entrance part on the upstream side of a conveyance line 10 and a cleaning and conveyance line 100.例文帳に追加

搬送ライン１０の上流側である入口部と洗浄搬送ライン１００との間に、前工程で処理されてきた液晶セル基板１の搬送方向を９０度旋回させるための旋回ステーション２００を設けている。 - 特許庁