「D v D」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

Accordingly, magnitudes of the rectifying voltages V_dc obtained at both the ends of the smoothing capacitor C can be further lowered compared with the case that the diode D_S, the resistor R_S and a the capacitor C_S are not connected in series.例文帳に追加

従って平滑コンデンサＣの両端において得られる整流電圧Ｖ_ｄｃの大きさを、ダイオードＤ_Ｓ、抵抗Ｒ_Ｓ及びコンデンサＣ_Ｓの直列接続が無い場合よりも小さくすることができる。 - 特許庁

As a concrete rib structure, a cross section in a diametral direction is formed into various shapes such as a semicircular shape (b), a half oblong shape (c), an U shape (d) or a reversed V shape (e), formed by press working or attached by welding.例文帳に追加

具体的なリブ構造としては、径方向断面を半円形状（ｂ）、半長円形状（ｃ）、コ字形状（ｄ）、又は逆Ｖ字形状（ｅ）等の各種形状とし、プレス加工により形成し、又は溶接等により取り付ける。 - 特許庁

When a correspondent voltage value (v) of an A/D converted signal is lower than a first set voltage V1, a digital signal value is converted by a conversion expression corresponding to a graph line 103 for conversion.例文帳に追加

ＡＤ変換された信号の対応電圧値ｖが第１設定電圧Ｖ１より小さければ、変換用のグラフ線１０３に相当する変換式により、ディジタル信号値を変換する。 - 特許庁

A synthesizing section 60 of the server 10 synthesizes processed sound data V" with user image data D' and a transmitting section 70 of the server 10 transmits a synthesized data M to a telephone terminal of each participant.例文帳に追加

合成処理部６０は、処理済みの音声データＶ’’とユーザ画像データＤ’とを合成し、送信部７０は、合成された合成データＭを各々の参加者の電話端末に送信する。 - 特許庁

The image forming apparatus is provided with the reference mark A11 in a V-shape composed of a straight line A121, and a straight line A122 and which is symmetric with respect to a central line D, which is parallel to a conveying direction K for recording material.例文帳に追加

基準マークＡ１１は、直線Ａ１２１と直線Ａ１２２とにより構成されており、記録材搬送方向Ｋと平行である中心線Ｄに対して対称となるＶ字形状を有している。 - 特許庁

A position P of a self vehicle, speed v of the self vehicle and a distance d between the self vehicle and a preceding vehicle are detected by a GPS 1, a speed sensor 2 and an inter-vehicle distance sensor 3, respectively, to be outputted to a microprocessor 5.例文帳に追加

ＧＰＳ１により、自車両の位置Ｐが、車速センサ２により自車両の速度ｖが、車間距離センサ３により自車両と先行車両との距離ｄが検出され、各々マイクロプロセッサ５に出力される。 - 特許庁

The CPU 49 calculates a ratio of the duty of the signal b to the duty of the signal d from a measured current value and a command current value, and calculates the duty of the signal (a) from power source voltage V, the measured current value and the command current value.例文帳に追加

ＣＰＵ４９は、実測電流値及び指令電流値より信号ｂのｄｕｔｙと信号ｄのｄｕｔｙとの比を算出し、電源電圧Ｖ、実測電流値、及び指令電流値より信号ａのｄｕｔｙを算出する。 - 特許庁

Where, V represents the volume (L) of a part of a vessel where silicon is filled; Q represents the flow rate (NL/min) of the produced silicon tetrafluoride gas; (k) is defined by k=18/(d-291)+0.04 and (d) represents a temperature (°C).例文帳に追加

ただし、Ｖは、珪素を充填した部分の容器の容積［リットル］を、Ｑは、該四フッ化珪素ガス生成ガスの流量［Ｎリットル／分］を、ｋは、ｋ＝１８／（ｄ−２９１）＋０．０４で定義され、ｄは、温度［℃］をそれぞれ表す。 - 特許庁

The member 61, capable of abutting on the door D in the opened state, is mounted in the position of the lift 4a and the travel cart 5 in the lateral direction of a vehicle V in such a manner as to extend in the longitudinal direction of the lift 4a and the travel cart 5.例文帳に追加

この閉扉部材６１は、リフト４ａと走行台車５の車両Ｖ側方となる位置に、リフト４ａと走行台車５の前後方向に延びて設けられ、開扉状態にあるドアＤに当接可能とされている。 - 特許庁

To provide an A/D converter utilizing a V-F conversion to conduct an AD conversion very accurately, without having to enhance the conversion frequency.例文帳に追加

Ｖ−Ｆ変換を利用したＡＤコンバータであって、変換周波数を高めることなく、高精度にＡＤ変換を行うことが可能なものを実現する。 - 特許庁

A V-shaped incision line g and two separation perforations d, e are provided, namely, one perforation thereof is provided in a vertical direction so as to reach the bottom section of the label, and the other perforation is provided in about 1/2 to 2/3 times the length of the vertical direction.例文帳に追加

Ｖ字型切り込み線ｇと二本の切り離しミシン目ｄ，ｅを設け、そのミシン目の一方をラベル底部まで達するように縦方向に設け、かつ、他方を縦方向の長さの二分の一から三分の二程度に設ける。 - 特許庁

A weight total number memory 63 stores weight total numbers Dv, extracts a weight total number corresponding to the features v and outputs it, and calculates a new weight total number Dv, using the value of the weight d and updates it.例文帳に追加

重み総数メモリ６３は、重み総数Ｄｖを保存し、特徴量ｖに対応する重み総数Ｄｖを抽出して出力し、重みｄの値を用いて新たな重み総数Ｄｖを算出して更新する。 - 特許庁

The substrate 15 having the adhesive layer 16 is conveyed at the speed of conveyance V (m/min) and, at the same time, the fine beads 24 of average grain size D are scattered on the adhesive layer 16 by a scattering machine 22.例文帳に追加

この接着層１６を有する支持体１５を搬送速度Ｖ［ｍ／ｍｉｎ］で搬送しながら、接着層１６に散布機２２により平均粒径Ｄの微小ビーズ２４を散布する。 - 特許庁

A storage device 14 stores observed data D(fk) for indicating intensive time sequence at each frequency fk in each of the plurality of observation signals V, in which mixed sound of multiple sound is collected, for each of K pieces of frequencies f1 to fK.例文帳に追加

記憶装置１４は、複数音の混合音を複数の収音した複数の観測信号Ｖの各々における各周波数ｆkでの強度の時系列を示す観測データＤ(fk)をＫ個の周波数ｆ1〜ｆKの各々について記憶する。 - 特許庁

In this tag, a thermoplastic resin film layer A is provided through an adhesive layer D on at least one side of an IC circuit layer B or an IC circuit protective layer V including an IC circuit layer B, and they are laminated and stuck to each other.例文帳に追加

ＩＣ回路層（Ｂ）またはＩＣ回路層（Ｂ）を含むＩＣ回路保護層（Ｃ）の少なくとも片面に接着剤層（Ｄ）を介して熱可塑性樹脂フィルム層（Ａ）を設け、積層貼合されることを特徴とするタグ。 - 特許庁

A sign of a product of current speed v_r(k) of a steering shaft and a parameter D is determined in step 270, and a process is moved to step 290 when it is positive and is moved to step 280 if not.例文帳に追加

ステップ２７０では、今回の転舵軸の速度ｖ_r （ｋ）と変数Ｄとの積の符号を判定し、それが正ならばステップ２９０に、そうでなければステップ２８０に処理を移す。 - 特許庁

On the other hand, when the inclination D is more than the threshold value Dthr, that is, when the voltage V drops slowly, it is estimated to be in a CO poisoning state (S170).例文帳に追加

一方、傾きＤが閾値Ｄｔｈｒ以上のときつまり電圧Ｖが緩やかに低下しているときには、ＣＯ被毒状態であると推定する（Ｓ１７０）。 - 特許庁

The current position X and the drive direction D of a zoom lens are obtained and a speed LUT 100 where drive speeds matching different positions and drive directions are registered in advance is referred to for calculating a corresponding drive speed V.例文帳に追加

ズームレンズの現在位置Ｘと駆動方向Ｄとを取得して、予め各位置と駆動方向との応じた駆動速度が登録されている速度ＬＵＴ１００を参照することで、該当する駆動速度Ｖを求める。 - 特許庁

An electronic radiation composition includes a barium tantalate composition of a formula (Ba_1-x, Ca_x, Sr_p, D_q)_6(Ta_1-y, W_y, E_t, F_u, G_v, Ca_w) _2O (_11±sigma).例文帳に追加

電子放射組成は、式（Ｂａ_１−ｘ、Ｃａ_ｘ、Ｓｒ_ｐ、Ｄ_ｑ）_６（Ｔａ_１−ｙ、Ｗ_ｙ、Ｅ_ｔ、Ｆ_ｕ、Ｇ_ｖ、Ｃａ_ｗ）_２Ｏ_（１１±sigma）のタンタル酸バリウム組成を含む。 - 特許庁

Connection of each analog switch 25, 26, 61 is switched at each one period of the voltage V of a power P to be measured, by an inversion period generating circuit composed of a comparator 53, a D-FF 54, and so on.例文帳に追加

各アナログスイッチ２５，２６，６１は、コンパレータ５３やＤ−ＦＦ５４等からなる反転周期生成回路により、測定電力Ｐの電圧Ｖの１周期毎にその接続状態が切り換えられる。 - 特許庁

Ratios of the components in the surface treatment agent are, by pts.mass, 40 to 55 for (A), 15 to 25 for (B), 3 to 10 in P terms for (C), 0.5 to 3 in Ti terms for (D), 0.5 to 3 in V terms for (E) and 3 to 10 for (F).例文帳に追加

表面処理剤中の成分比が、(Ａ)４０〜５５質量部、(Ｂ)１５〜２５質量部、(Ｃ)Ｐ換算として３〜１０質量部、(Ｄ)Ｔｉ換算として０.５〜３質量部、(Ｅ)Ｖ換算として０.５〜３質量部、(Ｆ)３〜１０質量部である。 - 特許庁

The maximum value of an electric resistant value measured along the peripheral direction under voltage application of 1000 V is specified as Rmax (Ω), the minimum value is specified as Rmin (Ω), and then a value D computed under a following expression is less than 0.3.例文帳に追加

１０００Ｖの電圧印加下で周方向に沿って測定された電気抵抗値の最大値がＲｍａｘ（Ω）とされ、最小値がＲｍｉｎ（Ω）とされたとき、下記数式（１）にて算出される値Ｄは０．３未満である。 - 特許庁

A perforation d for cutting off is provided so as to conveniently perform classified processing of the bottle (a) and the cover by one action.例文帳に追加

ボトルカバーの剥がし箇所を見つけ易くするために目印ｆをつけ、剥がし易くするためにV字型切れ込みｇを入れ、一つの動作でボトルａとカバーの分別処理が手軽にできるような切り離し点線ｄを備えている。 - 特許庁

The reimaging optical system 3 is adapted to re-form an image by an image guide 6 on a solid-state imaging device 4 having a diagonal length of 6.5 mm, and satisfies a conditional expression (1): 0.6<(D×β)/V.例文帳に追加

イメージガイド６による像を対角長６．５ｍｍの固体撮像素子４に再結像させる再結像光学系３において、下記条件式を満足する。 - 特許庁

The I-V characteristic (d) of the cell to be analyzed in a state of distinction is assumed by a curve obtained by the voltage value of the characteristic (c) from the voltage value of the characteristic (b) with respect to the same current value.例文帳に追加

当該被解析対象セルの減光した状態でのＩ−Ｖ特性ｄは、同一電流値について特性ｂの電圧値から特性ｃの電圧値を減じた曲線にて推定される。 - 特許庁

The obtained data is transmitted to the compaction device V, and depending on the transmitted data, the final degree of compaction of the asphalt layer D is produced based on the actual degree of compaction determined in the screed E.例文帳に追加

取得されたデータは締固め装置Ｖに伝達され、この伝達されたデータを頼りに、スクリードＥで決定された実締固め度に基づき、アスファルト層Ｄの最終締固め度を生成する。 - 特許庁

In the static induction thyristor 14, the impurity concentration or thickness in a base region and a buffer layer region is determined so that a peak voltage V_D attained by a peak current I_p in a punch-through status does not exceed a withstand voltage of the static induction thyristor 14.例文帳に追加

SIThy１４は、パンチスルー状態となるピーク電流Ｉ_ｐによって実現されるピーク電圧Ｖ_ＤがSIThy１４の耐電圧を超えないようにベース領域とバッファ層領域の不純物濃度や厚みが決定される。 - 特許庁

An output current Ip of the photosensor 31 is converted into a voltage by the I-V conversion circuit 32, and a voltage signal is output to the A/D converter 34 through the GCA 33 to be converted into a digital signal.例文帳に追加

フォトセンサ３１の出力電流Ｉｐは、Ｉ−Ｖ変換回路３２で電圧に変換され、この電圧信号がＧＣＡ３３を通ってＡ／Ｄコンバータ３４に出力されてデジタル信号に変換される。 - 特許庁

When the disconnection failure has occurred, the gate signal B is not influenced by the gate capacitor 27, rapidly becomes large without causing a delay, and when the timer signal D is in a Hi-level, the gate signal reaches the reference voltage V_ref.例文帳に追加

一方、断線故障が発生している場合、ゲート信号Ｂは、ゲートコンデンサ２７の影響を受けず、遅れを発生せず急速に大きくなり、タイマ信号ＤがHiレベルにあるときに、基準電圧Ｖ_refに達する。 - 特許庁

Whether or not a condition is a high light volume imaging condition is judged by comparison between a D phase level of the pixel signal voltage Vx and a judgement level V_det of a reference signal SLP_SUN.例文帳に追加

画素信号電圧ＶｘのＤ相レベルと参照信号SLP_SUN の判定レベルＶ_detとの比較により高光量撮像条件であるか否かを判定する。 - 特許庁

The composite abrasive grains 4 are formed by bonding 10-100 diamond abrasive grains D by vitrified bond V and the bond layer includes pores H.例文帳に追加

複合砥粒４は、１０〜１００個のダイヤモンド砥粒ＤをビトリファイドボンドＶで結合したものであり、ボンド層中には気孔Ｈを含んでいる。 - 特許庁

The structure of butt welding has the beveleded ends 11a, 11a of piping 11, 11, a V-shaped groove 12, and a route 13 with route interval D of <1.0 mm to which a molten welding bar is flowed.例文帳に追加

配管１１、１１の端部１１ａ、１１ａに開先加工が施され、Ｖ形の溝１２が形成され、溶融した溶接棒を流し込むためのルート部１３が設けられ、ルート間隔Ｄが１．０ｍｍ未満である突き合せ溶接構造。 - 特許庁

[V is a false-twisting speed (m/min); T is the temperature(°C) of the upstream side hater of the heating device; L1 is the length (m) of the upstream side heater; and D is a single filament fineness (decitex), after drawn and false-twisted].例文帳に追加

０.０１≦（Ｌ１×Ｔ）／（Ｖ×Ｄ）≦０.２４ 但し、Ｖは加工速度（ｍ／分）、Ｔは加熱装置の上流側加熱体温度（℃）、Ｌ１は該上流側加熱体長さ（ｍ）、Ｄは延伸仮撚後の単糸繊度（デシテックス）を表す。 - 特許庁

The A/D converter includes a reference voltage generation part 12 for generating an analog voltage as a reference, two V/F conversion parts 13A and 13B, and two counting parts 14A and 14B.例文帳に追加

基準となるアナログの電圧を発生する基準電圧発生部１２と、２つのＶ／Ｆ変換部１３Ａ、１３Ｂと、２つの計数部１４Ａ、１４Ｂと、を備える。 - 特許庁

During authentication, like the registration process, similarity search of a feature y is carried out and the feature y is transformed by using transform parameter R[i*] corresponding to the nearest neighboring dummy feature D[i*] (transformed feature V).例文帳に追加

認証時は、登録時と同様に、特徴量ｙの類似検索を行い最近傍ダミー特徴量Ｄ[i^*]し、対応する変換パラメータＲ[i^*]を用いて特徴量ｙを変換する（変換特徴量Ｖ）。 - 特許庁

Here D[mm] is the diameter of the image guide 6, β is the optical transverse magnification of the reimaging optical system 3, and V[mm] is the minor axis direction length of an imaging area of the solid-state imaging device 4.例文帳に追加

（１） ０．６＜（Ｄ×β）／Ｖただし、Ｄ［ｍｍ］はイメージガイド６の径、βは再結像光学系３の光学横倍率、Ｖ［ｍｍ］は固体撮像素子４の撮像領域の短軸方向の長さである。 - 特許庁

The laser driving device is provided with a plurality of current sources (a D/A converter 16, a V/I converter 17 and a current amplifying part 18) for feeding to a laser diode LD, and a selecting part (a switch part 19) for selecting respective current source.例文帳に追加

レーザダイオードＬＤに供給するための電流源（Ｄ／Ａ変換器１６、Ｖ／Ｉ変換器１７、電流増幅部１８）を複数設け、各電流源を選択するための選択部（スイッチ部１９）を設ける。 - 特許庁

A code reader 23 that is the sensor device is constituted of a photosensor 31 of a photoreception element, an I-V conversion circuit 32, a gain regulation amplifier (GCA) 33, an A/D converter 34, and a control circuit 35.例文帳に追加

センサ装置であるコード読取装置２３は、受光素子であるフォトセンサ３１と、Ｉ−Ｖ変換回路３２と、利得調整増幅器（ＧＣＡ）３３と、Ａ／Ｄコンバータ３４と、制御回路３５で構成されている。 - 特許庁

This order processor D is provided with a support rate forming part 1, an order accepting part 2, and an opposition processing part 4, and is connected to an information vender V and a customer C via a network N.例文帳に追加

注文処理装置Ｄは、サポートレート生成部１、注文受付部２、相対処理部４を備え、情報ベンダーＶ及び顧客ＣとネットワークＮを介して接続されている。 - 特許庁

In the decreasing process of the dead time TD, the 'ON' resistance of a second switching element 24 is obtained based on a current flowing in the second switching element 24 when switched on and an impressed voltage V*.例文帳に追加

デッドタイムＴ_Dが減少される過程において、スイッチオン時に第２スイッチング素子２４に流れる電流とモータの印加電圧Ｖ_*とに基づいて第２スイッチング素子２４のオン抵抗を求める。 - 特許庁

Each concave grooves 15A and 15B is formed in a nearly V-shape in a cross sectional view and its depth D is formed so as to be equal to or deeper than the film thickness of a central region 14c of the receptive layer.例文帳に追加

凹溝１５Ａ、１５Ｂは断面視略Ｖ字状に形成し、その深さＤは受理層の中央領域１４ｃの膜厚と同等以上に形成する。 - 特許庁

This lithium sulfur battery contains the positive electrode active material composed of sulfur element (S8) with the particle size D (v, 50%) of 10μm or less, sulfur series compound, and a mixture of these, and the average surface roughness Ra value is 5μm or less.例文帳に追加

リチウム−硫黄電池は粒度Ｄ（ｖ、５０％）が１０μｍ以下である硫黄元素（Ｓ_８）、硫黄系化合物及びこれらの混合物からなる正極活物質を含み、平均表面粗度Ｒａ値が５μｍ以下である。 - 特許庁

The bending apparatus has a relationship calculation means 20E to calculate the relationship curve between the punch stroke and the V width of a die based on the bending condition for each bending step, and a V width variable control means 20G to variably control the V width of a die D during the bending based on relationship formula and the detected value of punch stroke.例文帳に追加

曲げ加工装置は、各曲げ工程ごとに、加工条件に基づいて、パンチストロークとダイＶ幅寸法との相対関係式を算出する相対関係式算出手段２０Ｅと、該相対関係式とパンチストローク検出値に基づいて、加工中のダイＤのＶ幅寸法を可変制御するＶ幅寸法可変制御手段２０Ｇを有する。 - 特許庁

The rotary motor molecule V_oV_1-ATPase carrying out a rotary movement in the presence of ATP is a complex molecule having a G subunit, I subunit, L subunit, E subunit and C subunit constituting the V_o part of the V_oV_1-ATPase, and A subunit, B subunit and D subunit constituting the V_1 part.例文帳に追加

Ｖ_ｏＶ_１−ＡＴＰａｓｅのＶ_ｏ部分を構成するＧサブユニット、Ｉサブユニット、Ｌサブユニット、Ｅサブユニット、ＣサブユニットおよびＶ_１部分を構成するＡサブユニット、Ｂサブユニット、Ｄサブユニットを有する複合体分子であって、ＡＴＰ存在下で回転運動することを特徴とする回転モーター分子Ｖ_ｏＶ_１−ＡＴＰａｓｅ。 - 特許庁

(i) Out of the functions listed in the items of Article 15, paragraph (1) (excluding (b) and (d) of item (i), item (iv), item (v) (limited to the functions pertaining to technology listed in (d) of item (i)), (b) of item (vi), item (vii), and from item (xii) to item (xiv)), the functions concerning measures for electric power use as prescribed in Article 85, paragraph (5) of the Act on Special Accounts (Act No. 23 of 2007); 例文帳に追加

一　第十五条第一項各号（第一号ロ及びニ、第四号、第五号（第一号ニに掲げる技術に係るものに限る。）、第六号ロ、第七号並びに第十二号から第十四号までを除く。）に掲げる業務のうち、特別会計に関する法律（平成十九年法律第二十三号）第八十五条第五項に規定する電源利用対策に関する業務 - 日本法令外国語訳データベースシステム