「ION-SOURCE」に関連した英語例文の一覧と使い方(32ページ目) - Weblio英語例文検索

The voltage of the dry battery 13 for allowing the stroboscope to flash is detected, and the power source is switched from the battery 13 to a lithium ion battery 24, for supplying power for making communication by the rechargeable portable telephone, in response to the result that the detected voltage is not greater than a prescribed voltage, thereby turning on a xenon lamp 12.例文帳に追加

ストロボ装置を点灯させるための乾電池１３の電圧を検出し、検出された電圧が所定の電圧以下になったことに応じて、乾電池１３からの電力供給を充電可能な携帯電話機で通話するための電力を供給するリチウムイオン電池２４からの電力供給に切換えてキセノン放電管１２を点灯させる。 - 特許庁

The ion beam source comprises a metallic enclosure provided with cathodes, magnetic gaps, a magnetic field generating means for generating a magnetic field in the enclosure, reactive gas introducing means for introducing reactive gas into the enclosure, and anodes each arranged in the vicinity of the magnetic gap; wherein the cathodes are electrically insulated from ground potential.例文帳に追加

金属製の筐体に、カソードと、磁気ギャップと、前記筐体内に磁場を生じさせる磁場発生手段と、前記筐体内に反応性ガスを導入するための反応性ガス導入手段と、前記磁気ギャップの近傍に配置されるアノードとを備えるイオンビーム源であって、前記カソードを接地電位から電気的に絶縁したことを特徴とする。 - 特許庁

This ion source comprises a supply part supplying fine particles and/or a liquid containing the fine particles , a capillary flowing the supplied fine particles and/or the liquid, a drive part discharging the fine particles and/or the liquid from the capillary, and a charging means charging the discharged fine particles and/or the liquid.例文帳に追加

イオン源において、微粒子及び／又は前記微粒子を含有する液体を供給する供給部と、供給された前記微粒子及び／又は前記液体を流すキャピラリと、キャピラリから前記微粒子及び／又は前記液体を吐出させる駆動部と、吐出させた前記微粒子及び／又は前記液体を荷電させる荷電手段と、を有する構成とした。 - 特許庁

On the ion trap RF power source formed so as to supply a high frequency from a power amplifier 10 to a secondary side resonance circuit 30 composed of a trap electrode 9 and end gap electrodes 11, 12 through an air-core coil 3, an energy absorbing circuit 40 instantaneously absorbing resonance energy through the air-core coil is arranged.例文帳に追加

パワーアンプ部１０からの高周波を空芯コイル３を介してトラップ電極９，エンドギャップ電極１１，１２からなる２次側共振回路部３０に供給するようにしたイオントラップＲＦ電源において、共振エネルギーを瞬時に吸収するエネルギー吸収回路部４０を前記空芯コイル３を介して設けるように構成する。 - 特許庁

The cyclotron comprises a spiral inflector 21 which passes a beam made incident from an ion source to introduce the beam into an acceleration track T, and the spiral inflector 21 has a positive electrode 23 and a negative electrode 27 whose gap is made irregular in a cross section orthogonal to a passing track S of the beam as beam converging means of converting a passing beam B.例文帳に追加

本発明のサイクロトロンは、イオン源から入射されるビームを通過させ加速軌道Ｔに導入するスパイラルインフレクタ２１を備え、スパイラルインフレクタ２１は、通過するビームＢを収束させるビーム収束手段として、ビームの通過軌道Ｓに直交する断面においてギャップを不均一とした正電極２３及び負電極２７を有する。 - 特許庁

The ion source head 200 includes an arc chamber 202, a filament 204 arranged inside the arc chamber 202 so that both end sections are exposed to outside the arc chamber 202, a filament electrode 206 electrically connected to an end section of the filament 204, and an insulator 214 arranged in a position covering at least one portion of the filament electrode 206.例文帳に追加

本発明のイオンソースヘッド２００は、アークチャンバ２０２と、両端部がアークチャンバ２０２外に露出するようにアークチャンバ２０２内に配置されたフィラメント２０４と、フィラメント２０４の端部と電気的に接続するフィラメント電極２０６と、フィラメント電極２０６の少なくとも一部を覆う位置に配置された絶縁体２１４とを備える。 - 特許庁

This mirror magnetic field generation device 1 of the ECR ion source includes: a plasma chamber 2 which generates plasma to be closed in it; and a mirror magnetic field generation part 3 which generates a mirror magnetic field in which a plurality of regular polygonal or circular permanent magnets 32 are arranged around the plasma chamber 2, and for closing the plasma in the plasma chamber 2 in it by the plurality of permanent magnets 32.例文帳に追加

ＥＣＲイオン源のミラー磁場発生装置１は、プラズマを生成し閉じ込めるプラズマチャンバー２と、正多角形または円形の複数の永久磁石３２がプラズマチャンバー２の周囲に配置され、該複数の永久磁石３２によりプラズマチャンバー２内のプラズマを閉じ込めるミラー磁場を生成するミラー磁場生成部３と、を備える。 - 特許庁

The method for manufacturing a diamond electron source which includes a top end portion as a diamond electron discharging point includes a process A in which a top end shape of the sharp top portion is rectified to a spherical surface by using a focused ion beam processing unit and a process B in which a process-damaged layer formed by the process A is removed by plasma.例文帳に追加

本発明が提供するダイヤモンドの電子放射点として先鋭部を有するダイヤモンド電子源の製造方法は、該先鋭部の先端形状を集束イオンビーム加工装置を用いて球面形状に補正する工程Ａと、該工程Ａによって形成された加工変質層をプラズマによって除去する工程Ｂとを有することを特徴とする。 - 特許庁

An inlet of an evaporation pipe 52 is provided behind an ion transport pipe 17 which attracts ions from an atomizing chamber 13 and feeds them to a mass spectrometer 40, and a laser beam source part 50 and a light scattering detection unit 56 of an ELSD 4 are disposed outside a light incoming window 53 and a light outgoing window 54 formed in the evaporation pipe 52.例文帳に追加

また、霧化室１３内からイオンを引き込んで質量分析部４０へと送るイオン輸送管１７よりも後方に蒸発管５２の入口開口を設け、蒸発管５２に形成した光入射窓５３と光出射窓５４の外側にＥＬＳＤ４のレーザ光源部５０と光散乱検出部５６とを配置する。 - 特許庁

The method for making a photothermographic material includes A) a step for preparing photosensitive silver halide grains formed in the presence of a hydroxytetrazaindene or an N-heterocyclic compound containing at least one mercapto group and B) a step for preparing a photosensitive dispersion of the photosensitive silver halide grains and a non-photosensitive reducible silver ion source.例文帳に追加

Ａ）ヒドロキシテトラザインデン又は少なくとも１個のメルカプト基を含むＮ−複素環化合物の存在下で形成された感光性ハロゲン化銀粒子を用意し、そしてＢ）前記感光性ハロゲン化銀粒子と非感光性還元可能銀イオン原料の感光性分散体を用意する工程を含むフォトサーモグラフィ乳剤の製造方法。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display having FETs of asymmetric LDD structure and storage capacitor on the same substrate and its manufacturing method which can avoid reducing the reliability due to injection of carriers at source regions, without separately adding any ion implanting process for forming the storage capacitors.例文帳に追加

同一基板上にＴＦＴと蓄積容量とが形成される液晶表示装置において、蓄積容量形成のためのイオン注入工程を別途追加することなく、かつ、ソース領域でのキャリアの注入による信頼性の低下を防止することができる非対称ＬＤＤ構造のＴＦＴを有する液晶表示装置及びその製造方法の提供。 - 特許庁

As a result, the high voltage insulator ring 211 as an insulating stand-off is located at the distant end of the support tube system coaxially arranged near an ion source to mechanically support the inside support tube and serve as a high voltage vacuum feedthrough, thus reducing the possibility that vapor reaches the insulating surface of the insulator ring 211 to contaminate and cover it.例文帳に追加

この結果、絶縁スタンドオフとしての高電圧インシュレータリング211が、イオン源の近くから同軸配置された支持管システムの遠方端に位置するので、内側支持管を機械的に支持するとともに、高電圧フィードスルーとして作用し、インシュレータリング211の絶縁表面に蒸気が到達して汚染しかつ被覆する可能性を減少させることができる。 - 特許庁

A means of neutralizing the excess charge on workpieces, such as semiconductor wafers, that results from ion-implantation processes, wherein the excess positive charge on a small area of the workpiece surface is locally sensed, and in response, an appropriate dose of charge-compensating electrons is delivered from an electron emission source to the area of excess charge on the workpiece.例文帳に追加

イオン注入に起因する半導体ウェーハ等のワークピース上の過剰電荷を中和させるための手段であって、ワークピース表面の小さい領域上の過剰な正電荷を局所的に検出し、それに応答して、適切なドーズ量の電荷補償電子を電子放射源からワークピース上の上記過剰電荷領域に付加する。 - 特許庁

The negative or positive high voltage pulse is applied to the base material as a load, a discharge switching circuit 2 is formed on a bias power source for forming an ion sheath around the base material, and the charges left on the base material side in every application of the high voltage pulse is discharged to the ground at every completion of the application of the high voltage pulse by the discharge switching circuit.例文帳に追加

負又は正の高電圧パルスを負荷である基材に印加して、基材の周囲にイオンシースを形成するためのバイアス用電源に放電スイッチング回路２を設け、高電圧パルスのパルス印加毎に基材側に残る電荷を、放電スイッチング回路により高電圧パルスのパルス印加終了毎にアースに放電させる。 - 特許庁

This electrospray ion source is constituted to stop supplying atomized gas for a specified period of time by selecting the atomized gas supplied to at least one atomizing nozzle out of the atomized gas supplied to a plural number of the atomizing nozzles, and at the same time, to stop application of high voltage applied to the atomizing nozzle to which the atomized gas supply has been stopped.例文帳に追加

複数本の霧化ノズルに供給されている霧化ガスの内、少なくとも１本の霧化ノズルに供給されている霧化ガスを選択して、所定の時間、霧化ガスの供給を停止させるとともに、それと同期して、霧化ガスの供給を停止された霧化ノズルに印加されている高電圧の印加をも停止させるように構成した。 - 特許庁

To provide an excimer lamp of high illuminance and high illuminance stability suppressing consumption of fluorine ions, and the excimer lamp excelling in illuminance stability without a fall in efficiency even if using gas such as chemically stable sulfur hexafluoride, carbon tetrafluoride or nitrogen trifluoride as a fluorine ion source.例文帳に追加

フッ素イオンの消耗を抑制することができ、高照度で、かつ照度安定性の高いエキシマランプを提供すること、更には、フッ素イオン源として化学的に安定な六フッ化硫黄、四フッ化炭素、または三フッ化窒素といったガスを用いたとしても、効率を低下させず、照度安定性が良好なエキシマランプを提供することである。 - 特許庁

A first impurity region 4ad acting line a source region and a second impurity region 4ae acting like a drain region are formed through ion implantation by using a resist pattern for forming a gate electrode of a transistor as a mask, and the gate electrode 9 including lower electrodes 6a, 8a and an upper electrode 7a is formed by using the resist pattern for a mask.例文帳に追加

トランジスタのゲート電極を形成するためのレジストパターンをマスクとしてイオン注入によりソース領域となる第１不純物領域４ａｄとドレイン領域となる第２不純物領域４ａｅが形成され、そのレジストパターンをマスクとして下部電極６ａ，８ａと上部電極７ａを有するゲート電極９が形成される。 - 特許庁

However, the ion source comprises multiple concentric anodes and different voltages are applied to them, so the thicknesses of at least two of the multiple zones are different.例文帳に追加

イオンビーム蒸着で炭素を蒸着する場合、プロセス室の数は制限されるので、２つまたは３つ以上のイオン源を利用することは、スペースの理由で不可能なこと、または費用の理由で現実的でないことが多いが、イオン源として、複数の同心のアノードを含み、異なる電圧が複数のアノードに印加することで、少くとも2つのゾーンの厚みを異ならせることができる。 - 特許庁

This microetching agent for copper or a copper alloy is composed of an aqueous solution containing the main agent composed of sulfuric acid and hydrogen peroxide and auxiliaries composed of phenyltetrazole and a chlorine ion source, and in the microetching method, the surface of copper or a copper alloy is brought into contact with the above microetching agent and is etched by 0.5 to 3 μm, and the surface is roughened.例文帳に追加

硫酸および過酸化水素からなる主剤と、フェニルテトラゾールおよび塩素イオン源からなる助剤とを含む水溶液からなる銅または銅合金のマイクロエッチング剤、ならびに銅または銅合金の表面に、前記マイクロエッチング剤に接触させ、０．５〜３μｍエッチングしてその表面を粗化することを特徴とするマイクロエッチング法。 - 特許庁

The anti-microorganism agent dosing device using an ion phoresis is provided with a donor electrode 100 containing an anti-microorganism agent, a reference electrode 110 opposite the donor electrode and a power source unit 12 for feeding currents between the donor electrode and the reference electrode so as to bring the total amount of energizing current to 1 to 30 mA min/cm^2.例文帳に追加

本抗微生物剤投与装置はイオントフォレーシスを用いるものであり、抗微生物剤を含むドナー電極１００と、ドナー電極の対向電極として設けられるリファレンス電極１１０と、通電の総電流量が１〜３０ｍＡ・ｍｉｎ／ｃｍ^^２となるようにドナー電極とリファレンス電極間に電流を流す電源装置１２０とを備える。 - 特許庁

A process to form a reflection preventing film 12 on a semiconductor substrate 1 on which a silicon oxide film 7-1 covering the whole surface, a transfer electrode 8, and a silicon oxide film 7-2 coating the transfer electrode 8 are formed is operated prior to the process to form a source 32 and a drain 33 of an output transistor constituting an output part 30 by ion implantation.例文帳に追加

表面を全面的に覆うシリコン酸化膜７−１、転送電極８及びそれを被覆するシリコン酸化膜７−２が形成された半導体基板１上に反射防止膜１２を形成する工程の方を、イオン注入により、出力部３０を構成する出力トランジスタのソース３２及びドレイン３３を形成する工程よりも先に行う。 - 特許庁

By bringing an ion source into contact with the positive electrode 11 of a solid electrolyte 10 provided with the electrode 11 and a negative electrode 12, bringing a gas containing carbon dioxide and oxygen into contact with the electrode 12 of the electrolyte 10, and applying a voltage between the electrodes 11 and 12, the carbon dioxide in the gas is separated and fixed to form a carbonate on the side of the electrode 12.例文帳に追加

正極11と負極12とを設けた固体電解質10の正極11に、イオン供給源物質を接触させ、かつ、固定電解質10の負極12に、二酸化炭素及び酸素を含有したガスを接触すると共に、正負極11,12間に電圧を印加することにより、負極12側にガス中の二酸化炭素を炭酸塩として分離固定する。 - 特許庁

The cementitious material comprises forming a mixture of water and active ingredients consisting essentially of (i) a compound capable of providing, in an aqueous solution, magnesium ions, (ii) a potassium phosphate compound and (iii) optionally an additional phosphate source, wherein forming the mixture is substantially in the absence of ammonia or an ammonium ion containing compound.例文帳に追加

水と実質的にｉ）水性溶液中でマグネシウムイオンを提供できる化合物、ii）リン酸カリウム化合物、およびiii)所望により更なるリン酸源からなる活性成分との混合物を形成することを含む(ここで、該混合物は実質的にアンモニアまたはアンモニウムイオン含有化合物非存在下で形成させる)、セメント様物質により解決される。 - 特許庁

In the radiation absolute hygrometer having an ion chamber 10 equipped with a high-potential electrode 11 and a collector electrode 12 arranged in parallel, a radiation source 13 is provided on the side of the high-potential electrode 11 and the distance between the high-potential electrode 11 and the collector electrode 12 is set larger than the range distance of radiation.例文帳に追加

平行配置された高電位電極１１および捕集電極１２を持つ電離箱１０を備える放射線絶対湿度計において、前記高電位電極１１側に放射線源１３が設けられるとともに、前記高電位電極１１と前記捕集電極１２との距離は放射線の飛程距離よりも大きくなるように設定されていることを特徴とする。 - 特許庁

The method for manufacturing the gas barrier film includes: a step of preparing an organic layer polyester laminated substrate formed of an organic layer containing a component formed with polyester and melamine cross-linked on at least one surface of a polyester base material; and a step of depositing an evaporation source material on the organic layer by ion plating to form an inorganic layer.例文帳に追加

本発明のガスバリア性フィルムの製造方法は、ポリエステル基材の少なくとも一方の面にポリエステルとメラミンとが架橋してなる成分を含有する有機層が形成された有機層ポリエステル積層基材を準備する工程と、イオンプレーティングにより上記有機層に蒸発源材料を付着させて無機層を形成する工程と、を有するように構成して上記課題を解決する。 - 特許庁

This enables a highly accurately finished vacuum container to be manufactured without machining work after welding, enables a magnetic field to be kept uniform by having a highly accurate groove for disposing a permanent magnet of an ion source, the most important part as a product, realizes improvement in performance of the product and improvement in reliability thereof, and can realize improved workability of vacuum container manufacture and a reduced cost of the product.例文帳に追加

これによれば、溶接後の機械加工を行なうことなく高精度に仕上げられた真空容器の製作ができ、製品上最も重要であるイオン源の永久磁石配置溝を高精度に有し磁場を均一に保つことができ、製品の性能向上、信頼性向上を図ると共に、真空容器製作の作業性の改善及び製品コストの低減を図ることができる。 - 特許庁

While a conductive film 15 in a logic region Rlogc remains, a control gate electrode 17 of a non-volatile memory element, an interelectrode- insulating film 18, and a floating gate electrode 19 are formed in a memory region Rmemo, an insulating film 22 for injection protection is formed on a substrate, and ion implantation for forming the source and drain diffusion layer of the non-volatile memory element is made.例文帳に追加

ロジック領域Ｒlogcにおける導体膜１５を残したままで、メモリ領域Ｒmemoにおいて不揮発性メモリ素子の制御ゲート電極１７，電極間絶縁膜１８及び浮遊ゲート電極１９を形成した後、基板上に注入保護用の絶縁膜２２を形成した後、不揮発性メモリ素子のソース・ドレイン拡散層を形成するためのイオン注入を行なう。 - 特許庁

The colloidal silica can be produced through the steps of preparing an aqueous solution of activated silicic acid by bringing an aqueous solution of an alkali silicate into contact with a cation exchange resin; adding a compound as a potassium ion source and an alkali agent to the aqueous solution of activated silicic acid to make the solution alkaline; forming silica particles by heating; and growing the silica particles by a buildup method.例文帳に追加

これは、珪酸アルカリ水溶液とカチオン交換樹脂とを接触させて、活性珪酸水溶液を調製した後、この活性珪酸水溶液にカリウムイオンのイオンの供給源となる化合物およびアルカリ剤を添加し、アルカリ性とした後、加熱してシリカ粒子を形成させ、続いてビルドアップの手法でシリカ粒子を成長させる工程を有することにより製造することができる。 - 特許庁

In a method of manufacturing a semiconductor device, which forms source and drain regions 7 using a dummy gate electrode 40 and thereafter, the electrode 40 is removed to form a gate electrode, and after the electrode 40 is removed, an ion implantation for forming regions 52 of a pocket structure is performed so that an angle implantation 521 using a step implantation is performed in a groove, where the electrode 40 existed.例文帳に追加

ダミーゲート電極４０を用いてソースドレイン領域７を形成した後にダミーゲート電極を除去して、ゲート電極を形成する半導体装置の製造方法において、ダミーゲート電極４０を除去した後に、ポケット構造領域５２を形成するイオン注入を、ダミーゲート電極があった溝に対してステップ注入による角度注入５２１によって行う。 - 特許庁

To provide an ion source for a charged-particle beam device capable of cleaning a charged particle optical system easily by any person to restore performance, without breaking vacuum in the charged particle optical system to conduct disassembling, cleaning, and component replacement, even when a problem that normal detection and measurement for an analytical object get impossible is generated caused by contamination in the charged particle optical system.例文帳に追加

荷電粒子光学系の汚染によって分析対象の正常な検出、測定ができないという問題を生じても、荷電粒子光学系の真空を破って解体、洗浄、部品交換などを行なうことなく、誰でも簡単に荷電粒子光学系のクリーニングを行ない、性能の回復を図れるような荷電粒子線装置のイオン源を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing a diamond electron source which includes a top end portion as a diamond electron discharging point includes a process A in which a top end shape of the sharp top portion is rectified to a spherical surface by using a focused ion beam processing unit and a process B in which a process-damaged layer formed by the process A is removed by an acid solution.例文帳に追加

本発明が提供するダイヤモンドの電子放射点として先鋭部を有するダイヤモンド電子源の製造方法は、該先鋭部の先端形状を集束イオンビーム加工装置を用いて球面形状に補正する工程Ａと、該工程Ａによって形成された加工変質層を酸水溶液によって除去する工程Ｂとを有することを特徴とする。 - 特許庁

The conversion system is also characterized in that the metal oxide having oxygen ion conductivity and reversible oxygen deficiency is brought into contact with carbon dioxide separated from a blast furnace gas or from a converter furnace gas while heating to reduce the carbon dioxide through the stoichiometric reaction, thereby producing carbon monoxide, and that the waste heat produced from the ironworks is utilized as the heat source for the heating.例文帳に追加

また本発明の変換システムは、酸素イオン伝導性を有し、かつ可逆的な酸素欠損を有する金属酸化物と、高炉ガス又は転炉ガスから分離した二酸化炭素とを加熱下に接触させ、この二酸化炭素を化学量論反応によって還元して一酸化炭素を生成させ、かつ加熱の熱源として製鉄所から発生した廃熱を利用することを特徴とする。 - 特許庁

The composition is composed of about 20 to about 80% of an organic polar solvent, about 10 to about 60 wt.% water, about 1 to about 10 wt.% of a quaternary ammonium compound, optionally about 0.1 to about 5 wt.% of hydroxylamine, optionally about 0.1 to about 10 wt.% of a fluoride ion source and a mercapto containing corrosion inhibitor.例文帳に追加

約２０％〜約８０％の有機極性溶剤、約１０重量％〜約６０重量％の水、約１重量％〜約１０重量％の第四級アンモニウム化合物、場合により約０．１重量％〜約５重量％のヒドロキシルアミン、また場合により約０．１重量％〜約１０重量％のフッ化物イオン源、及び、メルカプト含有腐食抑制剤を含む組成物。 - 特許庁

To provide a method capable of manufacturing an SiC high breakdown voltage semiconductor in high yield and throughput by enabling vapor epitaxial growing of a semiconductor single crystal silicon carbide (SiC) film by using a polycrystal silicon carbide (SiC) substrate having ion-implanted impurity atoms as a source in addition to recovering micropipe defects of a single crystal silicon carbide (SiC) in a short time.例文帳に追加

単結晶炭化ケイ素（ＳｉＣ）のマイクロパイプ欠陥を短時間で修復することに加えて、不純物原子をイオン注入した多結晶炭化ケイ素（ＳｉＣ）基板をソースとして半導体単結晶炭化ケイ素（ＳｉＣ）膜を気相エピタキシャル成長することを可能とし、ＳｉＣ高耐圧半導体が高い歩留まりとスループットで生産可能となる方法を提供する。 - 特許庁

Based on the detection data, a collective control part 40 controls power sources 33 or 35 of conversing electrode 23 or leading electrode 24 as well as power sources 36 and 39 of the conversing electrodes 25 and 27 or a power source 38 of the accelerating electrode 26, to suppress divergence of ion beam, preventing sputtering to the leading electrode 24 and accelerating electrode 26, for prevented occurrence of impurity.例文帳に追加

この検出データに基づき統括制御部４０が収束用電極２３、若しくは引出用電極２４の電源３３、若しくは３５を制御し、収束用電極２５、２７の電源３６、３９若しくは加速用電極２６の電源３８を制御してイオンビームの発散を抑え、引出用電極２４、加速用電極２６に対するスパッタリングを防止して不純物の発生を防止する。 - 特許庁

In this plasma sputter type negative ion source generating plasma 13 inside the hermetic chamber 1, sputtering a sputter target 6 by the plasma 13, and emitting ions of a target atom, multiple kinds of sputter targets 6 including a predetermined target element are arranged inside the hermetic chamber 1, and positive ions inside the plasma 13 are guided to one target selected from multiple kinds of sputter targets 6.例文帳に追加

気密チャンバ１中にプラズマ１３を発生させ、該プラズマ１３によりスパッタターゲット６をスパッタリングし、ターゲット原子のイオンを射出するプラズマスパッタ型負イオン源において、気密チャンバ１内に、所定の目的元素を含むスパッタターゲット６が複数種類配置され、複数種類のスパッタターゲット６の中から選択された一つのスパッタターゲットにプラズマ１３中の正イオンを誘導する。 - 特許庁

To provide the manufacture of a semiconductor device, which can cope with micronization by enabling a thin oxide film to be formed on the surface of a silicon substrate by the same thermal oxidation process before ion implantation process for formation of source and drain diffused layers, and enabling an oxide film of sufficient thickness to secure reliability to be formed at the sidewall of a gate electrode, and the end of a gate.例文帳に追加

ソース、ドレイン拡散層形成のためのイオン注入工程前に、同一の熱酸化工程によりシリコン基板表面に薄膜の酸化膜を形成できると共に、ゲート電極側壁及びゲートエッジ端に信頼性を確保するのに十分な膜厚の酸化膜を形成できることより、微細化に対応可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Water-repellent coating mainly consisting of PTFE is applied to front protecting cloth of a microphone, a part of a housing is formed of a hydrogen ion conductive solid-state electrolytic film, porous electrodes are provided on both sides thereof, and a voltage obtained from a power source side of a pre-amplifier for electret microphone through a low-pass filter comprised of a resistor and a capacitor is connected to the porous electrodes.例文帳に追加

マイクロホンの前面保護面布にＰＴＦＥを主成分とする撥水コーティングを施し、かつ筺体の一部を、水素イオン導電性の固体電解質膜とし、その両側に多孔性電極を設け、エレクトレットマイクロホン用前置増幅器の電源側から抵抗器とコンデンサからなる低域濾波器を経由して得る電圧をこの多孔性電極に接続する - 特許庁

The ion source is provided with a capillary 1 with its outer and inner diameter tapered toward the tip of one end and with a liquid sample introduced from the other end, a gas guide tube 6 flowing gas along an outer periphery of the one end side and spraying the liquid sample from the one end, and a gas lead-in part 5 introducing gas to the gas guide tube.例文帳に追加

イオン源は，一方の末端側で外径及び内径が一方の末端に向かって小さく形成され，他方の末端から液体試料が導入されるキャピラリー１と，上記一方の末端側の外周に沿ってガスを流し，上記一方の末端から液体試料を噴霧するガスガイド管６と，ガスガイド管にガスを導入するガス導入部５とを具備する。 - 特許庁

A gate oxide film 3, a polysilicon film 4 becoming a gate electrode, and a sidewall 5 are formed on a silicon substrate 1, a source-drain region is formed by introducing impurities by ion implantation, and then a cobalt film 6 is deposited, and a first phase cobalt silicide film 7 is formed by first heat treatment on the silicon substrate 1 and the polysilicon film 4 before the unreactive cobalt film 6 is removed.例文帳に追加

シリコン基板１上にゲート酸化膜３、ゲート電極となるポリシリコン膜４、サイドウォール５を形成し、イオン注入による不純物導入によってソース、ドレイン領域を形成した後、コバルト膜６を堆積し、第１の熱処理で第１相のコバルトシリサイド膜７をシリコン基板１およびポリシリコン膜４上に形成し、未反応のコバルト膜６を除去する。 - 特許庁

The trench bottom corners are each formed in an arcuate shape having a radius of curvature of 200 nm or more, a doped polysilicon layer is deposited thick enough to be used as an ion implanting mask for forming the source region, and then the doped layer is thinned to be a gate electrode at a TLPM only so that the gate electrode end contacts an oxide film on the arcuate part of the trench bottom corner.例文帳に追加

トレンチ底部角部を、曲率半径が２００ｎｍ以上の円弧形状にし、ドープトポリシリコン層を、ソース領域の形成のためのイオン注入マスクとして充分使用できる程度に厚く被覆した後に、ＴＬＰＭ部のみゲート電極となるドープトポリシリコン層を薄くして、トレンチ底部角部の円弧上の酸化膜に前記ゲート電極端部が接する半導体装置の製造方法とする。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor element comprises: a first process for forming a first conductive type source region 4 in a second conductive type body region 3 formed on a first conductive type substrate 1 through ion pouring employing a pouring mask; and a second process for forming a doped region 13 doped by pouring acceptor impurities into the second conductive type body region 3 employing the pouring mask.例文帳に追加

第１導電型の基板１上に形成された第２導電型のボディ領域３内に注入マスクを用いたイオン注入により第１導電型のソース領域４を形成する第１の工程と、前記注入マスクを用いて第２導電型のボディ領域３内にアクセプタ不純物を注入することによりドーピングされた領域１３を形成する第２の工程とを含む。 - 特許庁

The conversion system is characterized in that a metal oxide having oxygen ion conductivity and reversible oxygen deficiency is directly brought into contact with a blast furnace gas or a converter furnace gas while heating to reduce carbon dioxide in the blast furnace gas or in the converter furnace gas through a stoichiometric reaction, thereby producing carbon monoxide, and that waste heat produced from the ironworks is utilized as a heat source for the heating.例文帳に追加

本発明の変換システムは、酸素イオン伝導性を有し、かつ可逆的な酸素欠損を有する金属酸化物と、高炉ガス又は転炉ガスとを加熱下に直接接触させ、該高炉ガス又は該転炉ガス中の二酸化炭素を化学量論反応によって還元して一酸化炭素を生成させ、かつ加熱の熱源として製鉄所から発生した廃熱を利用することを特徴とする。 - 特許庁

A solid electrolyte layer 3 is formed by splashing moldings of at least two kinds of fine particles selected from among lithium compound, metal oxide and silicon sulfide as a source for deposition, and the solid electrolyte layer 3 having a thin film thickness and high ion conductivity can be obtained, since the electrolyte layer 3 is formed so as to mutually adhere plural kinds of fine particles uniformly mixed.例文帳に追加

固体電解質層３が、リチウム化合物、金属酸化物および硫化珪素のうちの少なくとも２種類の粉体からなる成型物１０を蒸着用ソースとして飛散させてなり、均一に混合された複数種の粉体が相互に固着されるようにして固体電解質層３が形成されるため、膜厚がきわめて薄く、しかも高いイオン導電性を有する固体電解質層３としたもの。 - 特許庁

By filling a liquid agent 14 containing stable hexavalent iron ion into an anodic oxidation treatment vessel, connecting the DC power source 13 and an electrode 12 comprising platinum as a cathode to the titanium alloy member 11 as an anode and anodically oxidizing under an optional condition, a titanium member having an anodic oxidation film having an optional appearance of gold, purple, black or the like and excellent in decorative property is obtained.例文帳に追加

また、この安定した六価鉄イオンを含有する液剤１４を陽極酸化処理槽に満たし、直流電源１３と陰極として白金からなる電極１２を、陽極としてチタン合金部材１１を接続し、任意の条件で陽極酸化処理を行うことにより、装飾性の優れた、ゴールド・パープル・ブラック等の任意の外観化を有する陽極酸化処理被膜を有するチタン合金部材を得ることができる。 - 特許庁