「Image Sensor」に関連した英語例文の一覧と使い方(235ページ目) - Weblio英語例文検索

By measuring supply amount of toner to a developing unit from a developer cartridge by a motor 152 and also counting the number of pixels of an image developed by the developing unit, a main controller 202 decides whether or not the result obtained by detecting the toner concentration inside the developing unit by a toner concentration detection sensor 150 is abnormal on the basis of the measured supply amount and the counted number of pixels.例文帳に追加

メインコントローラ２０２により、モータ１５２による現像剤カートリッジから現像器へのトナーの補給量を計量すると共に、現像器により現像された画像の画素数を計数し、当該計量した補給量と計数した画素数に基づいて、トナー濃度検出センサ１５０による現像器の内部におけるトナーの濃度の検出結果が異常であるか否かを判定する。 - 特許庁

In the radiographic image capturing device, a radiation detector 20, which has a scintillator 8 for generating light by irradiation of radiation, and a TFT substrate 30 having a plurality of sensor portions 13 including an organic photoelectric conversion material for generating an electric charge by receiving the light sequentially stacked thereon, is arranged so that radiation having passed through a subject B is incident from the TFT substrate 30 side.例文帳に追加

放射線が照射されることにより光を発生するシンチレータ８と、光を受光することにより電荷が発生する有機光電変換材料を含んで構成されたセンサ部１３が複数設けられたＴＦＴ基板３０と、が順次積層された放射線検出器２０を、被写体Ｂを透過した放射線がＴＦＴ基板３０側から入射するように配置する。 - 特許庁

The image sensor IC comprises: a plurality of photoelectric conversion means each including a photoelectric conversion element, a reset means connected to the photoelectric conversion element and for initializing the photoelectric conversion element, and an amplifier means connected to the photoelectric conversion element; and a single or more dummy pixels each comprising capacitive elements, a reset means respectively connected to the capacitive elements and an amplifier means connected to the capacitive elements.例文帳に追加

光電変換素子と、光電変換素子にそれぞれ接続する光電変換素子を初期化するリセット手段と、光電変換素子に接続する増幅手段とからなる複数の光電変換手段と、容量素子と、容量素子にそれぞれ接続するリセット手段と、容量素子に接続する増幅手段とからなる単一または複数のダミー画素とからなるイメージセンサーＩＣ。 - 特許庁

An image formation apparatus includes a photoreceptor drum fitted to an apparatus body detachably and having a flange gear at its end, a transmission gear meshing with the flange gear of the photoreceptor drum, a screw member coupled to the transmission gear and having a groove part, a movement member movable along the groove part according to the rotation of the photoreceptor drum, and a detection sensor for detecting whether the movement member exists.例文帳に追加

装置本体に着脱可能に装着され、端部にフランジギアを有する感光体ドラムと、前記感光体ドラムのフランジギアと噛合する伝達ギアと、この伝達ギアと連結し溝部を有するスクリュー部材と、前記感光体ドラムの回転に伴い前記溝部に沿って移動可能な移動部材と、この移動部材の有無を検知する検知センサと、を備える。 - 特許庁

The image sensor has a semiconductor substrate forming a plurality of photodiodes, and green, blue and red color filters formed in response to the respective photodiodes, and has a first green color filter 21 directly formed on the semiconductor substrate 11 in a green area and a second green color filter 22 laminated on its color filter.例文帳に追加

複数のフォトダイオードが形成された半導体基板と、それぞれのフォトダイオードに対応して形成された緑色、青色および赤色のカラーフィルターとを有するイメージセンサーにおいて、緑色の領域に前記半導体基板上に直接形成された第１の緑色カラーフィルターとその上に積層された第２の緑色カラーフィルターを有することを特徴とするイメージセンサー。 - 特許庁

The solid state image sensor 1 is fabricated through a step for forming an oxide film and a nitride film sequentially on a substrate, a step for forming an opening 7 by removing the nitride film at a part between the light receiving sections 2, a step for forming an oxide film to fill the opening 7, and a step for forming transfer electrodes 4 and 5 by the same electrode layer.例文帳に追加

また、基板上に酸化膜と窒化膜とを順次成膜する工程と、上記受光部２間となる部分において、窒化膜を除去して開口７を形成する工程と、この開口７内を埋めて酸化膜を形成する工程と、その後、同一層の電極層により転送電極４，５を形成する工程とを有して、前記固体撮像素子１を製造する。 - 特許庁

The electronic camera corrects the sensitivity of an image pickup element, when the hand shaking value detected by the sensor 90 lies outside an allowable range, and a system controller 3 calculating an exposure value on the basis of the sensitivity and the luminance value of a subject, decides a diaphragm value and exposure time for executing proper exposure control from the calculated exposure value.例文帳に追加

この電子カメラは、手振れセンサ９０により検出された手振れ値が許容範囲外の場合には、撮像素子の感度を補正し、当該感度と被写体の輝度値とに基づいて露出値を算出するシステムコントローラ３を備えているシステムコントローラ３は、算出した露出値から適正な露光制御を実行するための絞り値と露出時間とを決定する。 - 特許庁

The image sensor includes: a first substrate on which a circuit containing an interconnection is formed; an amorphous layer formed on the first substrate so as to selectively make contact with the interconnection; and a photodiode bonded to the first substrate while making contact with the amorphous layer, and formed in a crystal type semiconductor layer so as to be electrically connected to the interconnection.例文帳に追加

本発明によるイメージセンサは、配線を含む回路が形成された第１基板と、前記配線と選択的に接触するように前記第１基板上に形成された非晶質層と、及び前記非晶質層と接触しながら前記第１基板とボンディングされて、前記配線と電気的に繋がるように結晶型半導体層に形成されたフォトダイオードを含むことを特徴とする。 - 特許庁

The method for manufacturing a color filter for an image sensor includes steps of: coating a substrate directly or via another layer with a dye-containing photosetting composition and drying to form a coating film; exposing the coating film to light; developing the exposed coating film with an alkali; and irradiating the alkali-developed coating film with UV rays while heating at 20 to 50°C.例文帳に追加

イメージセンサ用カラーフィルタの製造方法が、染料を含む光硬化性組成物を基板上に直接または他の層を介して塗布し、その後乾燥して塗布膜を形成する工程と、前記塗布膜を露光する工程と、露光された塗布膜をアルカリ現像する工程と、アルカリ現像された塗布膜に２０〜５０℃で加熱しながら紫外線を照射する工程と、を含んでいる。 - 特許庁

This invention provides the circuit for determining the median dark level of an image sensor, and comprises a first circuit for comparing a current pixel value and a cumulative median; a storage element for storing the cumulative median level; and a second circuit which utilizes the first circuit for adjusting the cumulative media based on the current pixel level input for updating the cumulative media dark level.例文帳に追加

画像センサの暗レベル中央値を決定するための回路であって、前記回路は、現行ピクセル値と累積中央値とを比較するための第１回路と、累積中央値レベルを記憶するための記憶素子と、暗レベル累積中央値を更新するための現行ピクセルレベル入力に基づき、前記累積中央値を調整するために第１回路を利用する第２回路と、から成る。 - 特許庁

The method for manufacturing the image sensor includes steps of: forming an insulating film on a substrate of a logic circuit region and a pixel region; forming a photoresist pattern having a thickness which changes smaller from the logic circuit region toward the pixel region in boundary portions 330 of the pixel region 310 and the logic circuit region 320; and carrying out etch-back of the insulating film.例文帳に追加

イメージセンサの製造方法は、ロジック回路領域とピクセル領域との基板上に絶縁膜を形成するステップと、ピクセル領域３１０とロジック回路領域３２０との境界部分３３０において、前記ロジック回路領域から前記ピクセル領域へ進むにしたがって、小さな厚さを有するフォトレジストパターンを形成するステップと、前記絶縁膜をエッチバックするステップとを含む。 - 特許庁

An image sensor having an in-pixel amplifier reduces noise caused by a driving transistor by setting the gate width (channel width) and gate length (channel length) of driving transistors of light-shielded pixels arrayed in a first OB region 61 and a second OB region 62 to be larger than those of photosensitive pixels arrayed in an effective pixel region 60.例文帳に追加

画素内アンプを持つ撮像素子であって、第１のＯＢ領域６１および第２のＯＢ領域６２に配列されている遮光画素の駆動トランジスタのゲート幅（チャネル幅）およびゲート長（チャネル長）を、有効画素領域６０に配列されている感光画素のゲート幅（チャネル幅）およびゲート長（チャネル長）より大きくすることで、駆動トランジスタで発生するノイズを低減させる。 - 特許庁

X-direction migration motor 30a, 30b are driven for the migration of a radiation data detector 18 in the X-direction, a detection unit 64 comprising a collimeter and a line sensor detects radiation emitted from a specimen 28 on a stretcher 26 positioned in between guide rails 16a, 16b, and then a radiation source distribution image is formed for the specimen 28.例文帳に追加

Ｘ方向移動モータ３０ａ、３０ｂを駆動し、放射線情報検出部１８を矢印Ｘ方向に移動させ、ガイドレール１６ａ、１６ｂ間に配置されたストレッチャー２６上の被検体２８から放出される放射線を検出ユニット６４を構成するコリメータおよびラインセンサを用いて検出し、被検体２８の放射線源分布画像を形成する。 - 特許庁

The defect inspection device for processing image information imaging an inspection object having a prescribed area to be inspected by a plurality of area sensors and discriminating a defect based on a characteristic amount calculated from brightness change in the area includes correction means between characteristic amount imaging systems for correcting the difference between the characteristic amounts to the same defect between the plurality of the area sensors in each area sensor.例文帳に追加

所定の被検査エリアを有する検査対象を、複数のエリアセンサにより撮像した画像情報を処理し、前記エリア内の輝度変化から計算した特徴量に基づいて欠陥を識別する欠陥検査装置において、 前記複数のエリアセンサ間の同一欠陥に対する特徴量の差を補正する、特徴量撮像系間補正手段を前記エリアセンサ毎に備える。 - 特許庁

The super-slim mobile camera optical lens system includes: two or more lens systems for passing light beams entering through the two or more identical split view angles into which the view angle of the mobile camera optical lens system is divided, the lens systems corresponding to the split view angles; and a single image sensor for receiving the light beams passing through the two or more lens.例文帳に追加

モバイルカメラ光学系の画角を同一の量で２以上分割させ、前記分割された画角のそれぞれに対応し、前記それぞれの分割された画角によって入射した光ビームを透過させる２以上のレンズ系と、前記２以上のレンズ系を介して透過した光ビームを受光する単一のイメージセンサとを含んでなる、超薄型モバイルカメラ光学レンズシステムを提供する。 - 特許庁

In a white criterion reading method, the white criteria of a plurality of lines are read in a subscanning direction with respect to each image pickup element of a line sensor and an averaging section 21 of a white criterion setting section 20 averages first and second line groups corresponding to both end sections of the read white criteria in the subscanning direction.例文帳に追加

ラインセンサの各撮像素子について副走査方向に複数ラインの白基準を読取り、読取られた白基準の副走査方向両端部に相当する第１および第２のライン群についてそれぞれ白基準データ設定部２０の平均化回路２１で平均化処理を施し、これらの平均値を比較回路２２で比較し、その大きい方を設定回路２３で白基準データとして設定する。 - 特許庁

The illumination control apparatus 1 is provided with: a light source portion 10 which can change luminance and color temperature; an infrared image sensor 20 which photographs a predetermined range of an illumination environment; and a controlling portion 30 which analyzes a temperature status of the illumination environment and controls at least one of the luminance or the color temperature of the light source portion, based on the analysis results.例文帳に追加

明るさまたは色温度が可変な光源部１０と；照明環境の所定範囲を撮影する赤外線画像センサ２０と；赤外線画像センサの検出信号に基づき照明環境の温度状態を解析し、解析結果に基づき光源部の明るさまたは色温度の少なくとも一方を制御する制御部３０と；を具備する照明制御装置１を構成する。 - 特許庁

In measurement, the sensor 14 outputs a trigger signal for releasing the shutter, when it detects the passage of a golf club, the camera 11 repeatedly releases the shutter 11b on receiving the signal, white the flash lights 13-1 to 13-4 successively emit light which is synchronized with the release, thus taking a plurality of pictures, of the struck golf ball 31 sprinting out within an image frame.例文帳に追加

測定は、ゴルフクラブの通過を検知した打撃速度測定用センサー１４がシャッター開閉用のトリガー信号を出力し、該信号を受けたＣＣＤカメラ１１は多重シャッター１１ｂを連続開閉すると共に当該開閉と同期して各ストロボ１３−１〜４が順次発光して、打撃されて飛び出したゴルフボール３１を一映像フレーム内に複数個撮影する。 - 特許庁

The exciting and detecting means of a box shape provided with the grooves of the stimulus phosphor sheet having the linear grooves at both edges on their upper side and a line light source and line sensor read radiation image information from the sheet while moving the sheet in its groove direction in the state that the projections of the exciting and detecting means having the linear projections at both edges on their lower side are meshed with the grooves.例文帳に追加

上側両縁部に線状の溝を有する蓄積性蛍光体シートの溝と、ライン光源とラインセンサとを備えた箱型の励起・検出手段であって、その下側両縁部に線状の突起を有する励起・検出手段の突起とが噛み合った状態で、シートをその溝方向に移動させながら、シートから放射線画像情報を読み取ること。 - 特許庁

A naked eye stereoscopic display device includes: a two-dimensional display 11 where color pixels are arranged in horizontal and vertical directions; a plurality of cylindrical lenses 12 arranged in parallel with each other, through which the color pixels are observed; a temperature sensor 31 which measures an ambient temperature of the cylindrical lenses 12; and a parallax image changing part 22 which changes parallax images on the basis of the measured ambient temperature.例文帳に追加

裸眼立体ディスプレイ装置は、水平・垂直方向に色画素が配列された二次元ディスプレイ１１と、色画素がそれを通して観察され、互いに平行に配列された複数のシリンドリカルレンズ１２と、シリンドリカルレンズ１２の周辺温度を測定する温度センサ３１と、測定された周辺温度に基づいて視差映像を変更する視差映像変更部２２とを備える。 - 特許庁

To provide a radiation sensitive composition suitable for electronic components of an integrated circuit device, a liquid crystal display, a solid-state image sensor, etc., and giving a resin film excellent in sensitivity to radiation and excellent also in light resistance and dielectric characteristics, and to provide a laminate obtained by forming a resin film using the radiation sensitive composition on a substrate and a method for manufacturing the laminate.例文帳に追加

放射線に対する感度に優れ、耐光性にも優れ、更に誘電特性にも優れた樹脂膜を与える、集積回路素子、液晶表示素子、固体撮像素子等の電子部品に好適な感放射線組成物、この感放射線組成物を用いてなる樹脂膜を基板上に形成した積層体、及びこの積層体の製造方法を提供する。 - 特許庁

When an automatic mode is selected, an obstacle nearest to its own vehicle is judged based on data expressing the output signal of an obstacle sensor, the judged obstacle is related with a radiant heat source (a group of pixels) included in the photographic image of an infrared camera, and a display displays only a picture equivalent to an obstacle nearest to its own vehicle (S5 to S7).例文帳に追加

オートモードが選択されているときには、障害物センサの出力信号を表わすデータに基づいて自車両に最も近い障害物を判定し、その判定した障害物と赤外光カメラの撮影画像に含まれる輻射熱源（画素群）とを関連付け、ディスプレイには、当該自車両に最も近い障害物に相当する画像だけを表示する(S5-S7)。 - 特許庁

In the solid state image sensor having a semiconductor substrate having a plurality of photo detecting parts arranged like an array for performing the photoelectric conversion and microlenses formed on the photo detecting parts, the film thickness of the microlens at 0.3 μm centered from its end side of the microlens is not less than 35% of the maximum film thickness of the microlens.例文帳に追加

アレー状に複数配設された光電変換を行う受光部を形成した半導体基板と、前記各受光部上に形成されたマイクロレンズとを少なくとも有する固体撮像装置において、前記マイクロレンズの端辺からマイクロレンズの中央方向に向け０．３μｍ入った部位におけるレンズの膜厚を、マイクロレンズの最大膜厚の３５％以上としたことを特徴とする固体撮像装置。 - 特許庁

This CMOS image sensor includes a semiconductor substrate in which an active region and an element isolation region are segmented, a photodiode region and a transistor region which are formed on the active region, a gate electrode formed on the transistor region and having first and second heights, and a diffusion region formed by implanting impurity ions into the photodiode region and the transistor region.例文帳に追加

本発明に係るＣＭＯＳイメージセンサは、アクティブ領域と素子分離領域が区画された半導体基板と、アクティブ領域に形成されたフォトダイオード領域とトランジスタ領域と、トランジスタ領域に形成された第１の高さと第２の高さを有するゲート電極と、フォトダイオード領域とトランジスタ領域に不純物イオンが注入されて形成された拡散領域と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The image sensor according to an embodiment includes a first substrate where a lower interconnection 110 and the circuitry are formed, a crystalline semiconductor layer bonded to the first substrate 100 in contact with the lower interconnection 110, the photodiode formed in the crystalline semiconductor layer to be electrically coupled to the lower interconnection, and a light shield layer formed in the photodiode.例文帳に追加

実施の形態によるイメージセンサは、下部配線と回路（ｃｉｒｃｕｉｔｒｙ）が形成された第１基板と、前記下部配線と接触するとともに前記第１基板とボンディングされた結晶半導体層（ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｌａｙｅｒ）と、前記結晶半導体層内に前記下部配線と電気的に連結されるように形成されたフォトダイオードと、前記フォトダイオード内に形成された光遮断層と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

A radiation image sensor includes: a scintillator plate that is provided with a scintillator layer on a substrate; and a photoelectric conversion element array unit that is provided with a photoelectric conversion element layer formed with plural photoelectric conversion elements constituting a photoelectric conversion element array and a spacer layer formed with plural spacers respectively in contact with the scintillator plate in order to maintain a uniform distance between the scintillator plate and the photoelectric conversion element layer.例文帳に追加

基板にシンチレータ層が設けられたシンチレータプレートと、光電変換素子アレイを構成する複数の光電変換素子が形成された光電変換素子層と、前記シンチレータプレートと前記光電変換素子層との間の距離を均一に保つべく前記シンチレータプレートにそれぞれ当接する複数のスペーサが形成されたスペーサ層と、が設けられた光電変換素子アレイユニットと、を備える。 - 特許庁

By using the inspection device including a pressure sensor sheet 2 which has a pressure information acquisition means for quantitatively detecting a pressure applied to the image display surface 1a of a liquid crystal display device 1, and a position information acquisition means for acquiring the position of the detection of the pressure as coordinates, pressure information and position information of pressing work by an inspector 6 can be managed quantitatively.例文帳に追加

液晶表示装置１の画像表示面１ａに加えられた圧力を定量的に検知する圧力情報取得手段と、その圧力を検知した位置を座標として取得する位置情報取得手段を有する圧力センサシート２を備えた検査装置を用いることにより、検査員６による押圧作業の圧力情報および位置情報を定量的に管理することが可能である。 - 特許庁

In this image reader, the plurality of LEDs are made to simultaneously emit light toward a shading reference plate, a luminance value pattern corresponding to the arrayed LEDs from a detection result of an optical sensor based on reflected light from the shading reference plate, is obtained, and when a recessed part lower than a first predetermined threshold exists in the luminance value pattern, it is determined that the defect occurs in the LED single article corresponding to the recessed part.例文帳に追加

画像読取装置において、複数のＬＥＤに同時にシェーディング基準板に向けて発光させ、シェーディング基準板からの反射光に基づく光センサの検出結果からアレイ状のＬＥＤに対応した輝度値を取得し、当該輝度値に所定の第１のしきい値より低い凹箇所が存在する場合に、凹箇所に対応したＬＥＤ単品に異常が発生していると判定する。 - 特許庁

The head separate type camera device and video signal processing method are characterized by the serial conversion of a video signal acquired by an image sensor, the parallel conversion of a vide signal inputted after the serial conversion, and the adjustment of the timing of writing to a circuit for standardization by an asynchronous FIFO memory before the standardization of the parallel-converted video signal in accordance with characteristics of a video reproduction portion in a succeeding stage.例文帳に追加

この発明のヘッド分離式カメラ装置および映像信号処理方法は、イメージセンサが取得した映像信号をシリアル変換し、シリアル変換して入力される映像信号をパラレル変換し、パラレル変換された映像信号を後段の映像再生部の特性にあわせて規格化する前段で、規格化する回路への書き込みタイミングを、非同期ＦＩＦＯメモリにより調整することを特徴とする。 - 特許庁

The method of manufacturing the solid-state image sensor includes a barrier forming step of forming a barrier on a scribe line defining an element forming region including an imaging region having microlenses formed on the surface thereof with a predetermined gap provided between the sidewall of the element forming region and the barrier, an antireflection film forming step of forming an antireflection film on the surfaces of the microlenses and in the gap, and a barrier removing step of removing the barrier.例文帳に追加

表面にマイクロレンズが形成された撮像領域を含む素子形成領域を区画するスクライブライン上に、素子形成領域の側壁との間に所定の間隙設けて障壁部を形成する障壁部形成工程と、マイクロレンズ表面及び前記間隙内に反射防止膜を形成する反射防止膜形成工程と、障壁部を除去する障壁部除去工程とを有する。 - 特許庁

In the CMOS image sensor provided with photodiodes PD and a plurality of transistors for transferring electric charges stored in the photodiodes to one column line, a gate electrode of at least one of the transistors is provided with a voltage drop means for dropping a gate voltage received by the gate electrode of the transistor to extend the saturation region of the transistor.例文帳に追加

フォトダイオードと、該フォトダイオードに蓄積された電荷を１つのカラムラインに転送する複数のトランジスタを備えるＣＭＯＳイメージセンサにおいて、前記トランジスタのゲート電極に入力されるゲート電圧を降下させ、前記トランジスタの飽和領域を拡張させるため、前記複数のトランジスタの少なくともいずれか１つのトランジスタのゲート電極に電圧降下手段を備えるＣＭＯＳイメージセンサを提供する。 - 特許庁

When it is determined that the vehicle 10 approaches a structure which can cause significant changes in brightness in an imaging region of the image sensor 300 such as a tunnel entrance and a tunnel exit, it is determined that pattern detection accuracy by the pattern detection part 130 is not sufficiently secured, and patterns corresponding to detected objects are not extracted as objects but ignored.例文帳に追加

一方で、車両１０が、トンネルの出入り口等、画像センサ３００の撮像領域に顕著な明るさの変化を生じさせる可能性のある構造物に接近中である旨が判別された場合には、パターン検出部１３０によるパターンの検出精度が十分に担保されないものと判断され、検出された対象物に対応するパターンは、対象物として抽出されることなく無視される。 - 特許庁

To improve readout property of signal charges without increasing readout voltage, in a solid state image sensor like a CCD imaging element of V times dense texture wherein the number of pixels of unidirection is made predetermined times of effective resolution, and first electrodes which exist between pixels which are adjacent to each other and second electrodes which correspond to the respective pixels are installed as means capable of reading out the signal charges from the pixels.例文帳に追加

Ｖ倍密構造のＣＣＤ撮像素子のような、一定方向の画素数が有効解像度の所定数倍にされるとともに、それらの画素から信号電荷を読出し可能な手段として、隣り合うの画素の間に存在する第１の電極と、各画素に対応する第２の電極とを有する固体撮像素子において、読出し電圧を高くすることなく信号電荷の読出し特性を改善する。 - 特許庁

The cordless handset 3 has a sensor that creates emergency information indicative of the occurrence of an emergency around the cordless handset 3 upon detecting any moving object around the handset; a camera that photographs ambient conditions; and an RF part that sends to the facsimile device 2 both the emergency information and image information including the ambient conditions photographed by a photographing means and the time and date of the photographing.例文帳に追加

コードレス子機３は、その周囲の動体物を検出して、コードレス子機３の周囲で異変があることを表す異変情報を生成する検知センサと、異変情報が生成されると、周囲の状況を撮影するカメラと、異変情報ならびに撮影手段によって撮影された周囲の状況および撮影された日時を含む画像情報をファクシミリ装置２に送信するＲＦ部とを有する。 - 特許庁

When the pressure sensor 20 is pressed by the finger, a cellphone terminal makes the sub liquid crystal display 25 be in the transmission display, turns on the infrared LED, makes the authenticating camera module 21 start photographing, extracts a vein pattern of the finger from its photographic image information, and collates the vein pattern and a previously registered vein pattern to authenticate the specific user.例文帳に追加

そして、携帯電話端末は、圧力センサ２０が指により押されたとき、サブ液晶ディスプレイ２５を透過表示にさせると共に赤外線ＬＥＤを点灯させた後、認証用カメラモジュール２１による撮影を開始させ、その撮影画像情報から指の静脈パターンを抽出し、その静脈パターンと、予め登録されている静脈パターンとを照合して特定使用者の認証を行う。 - 特許庁

The image sensor includes: a semiconductor substrate 10 including pixels; an interlayer insulating film 11 formed on the semiconductor substrate 10 and including a metal wiring; a color filter layer 30 and a planarizing layer 40 formed on the interlayer insulating film 11; and seed microlenses formed on the planarizing layer 40, wherein the seed microlenses are formed so as to be separated from or to contact with an adjacent seed microlens.例文帳に追加

イメージセンサは、画素を含む半導体基板１０と、該半導体基板１０上に形成されて金属配線を含む層間絶縁膜１１と、該層間絶縁膜１１上に形成されたカラーフィルタ層３０及び平坦化層４０と、該平坦化層４０上に形成されたシードマイクロレンズを含んで、前記シードマイクロレンズは隣合うシードマイクロレンズと離隔または接するように形成されることを含む。 - 特許庁

An image sensor comprises a first conductive type semiconductor substrate on which a trench is formed in a specified region, a second conductive type impurity region for a photo diode formed on the substrate at a lower part of the bottom surface of the trench, a second conductive type first epitaxial layer for the photo diode embedded in the trench, and a first conductive type second epitaxial layer formed on the first epitaxial layer.例文帳に追加

所定領域にトレンチが形成された第１導電型の半導体基板と、前記トレンチの底面下部の前記基板内に形成されたフォトダイオード用第２導電型の不純物領域と、前記トレンチに埋め込まれたフォトダイオード用第２導電型の第１のエピタキシャル層と、該第１のエピタキシャル層上に形成された第１導電型の第２のエピタキシャル層とを備えるイメージセンサが提供される。 - 特許庁

The method of fabricating the CMOS image sensor includes the steps of providing a substrate in which a predetermined process has completed; forming a patterned block layer on top of a region of the substrate where the photodiode is to be formed; using mask to implant ions into a remaining region except the region where the photodiode is to be formed, leaving the patterned block layer; and removing the mask.例文帳に追加

本発明のＣＭＯＳイメージセンサの製造方法は、所定の工程が完了した基板を用意するステップと、該基板のフォトダイオードの形成される領域の上部にパターニングされたブロック層を形成するステップと、該パターニングされたブロック層を残した状態で、前記フォトダイオードの形成される領域を除く残りの領域に対して、マスクを用いたイオン注入を行うステップと、前記マスクを除去するステップとを含む。 - 特許庁

In the solid state image sensor where a plurality of light receiving portions 12 are arranged in two-dimensional array in the light receiving region of a semiconductor substrate and a top microlens 19 is placed above each light receiving portion 12 in correspondence therewith, the top microlens 19 provided on the periphery of the light receiving region is made thinner than the top microlens 19 provided in the center of the light receiving region.例文帳に追加

半導体基板の受光領域に複数の受光部１２が２次元アレイ状に配列形成されると共に各受光部１２の上にトップマイクロレンズ１９が各受光部１２対応に積層される固体撮像素子において、受光領域の中央部に設けられるトップマイクロレンズ１９の厚さに対して受光領域の周辺部に設けられるトップマイクロレンズ１９の厚さを薄くする。 - 特許庁

A CMOS image sensor is composed of pixels which are each equipped with a photodiode and an amplifying MOSFET that amplifies charge generated by the photodiode through photoelectric conversion and arranged in lines or an array, where the well of the amplifying MOSFET is electrically isolated from that of the other device contained in the pixel, and the source and well of the amplifying MOSFET are kept at the same potential.例文帳に追加

フォトダイオードとこのフォトダイオードにおいて光電変換により生成された電荷を増幅するアンプ用ＭＯＳＦＥＴとを有する画素を複数個ライン状またはアレイ状に配列したＣＭＯＳイメージセンサにおいて、前記アンプ用ＭＯＳＦＥＴのウェルを前記画素に含まれる他の素子のウェルと電気的に分離し、かつ、前記アンプ用ＭＯＳＦＥＴのソースと前記アンプ用のＭＯＳＦＥＴの前記ウェルとを同電位とした。 - 特許庁

The method of manufacturing the image sensor includes the steps of: forming an interlayer insulating film including pads on a semiconductor substrate having a plurality of unit pixels formed thereon; forming a color filter array on the interlayer insulating film; forming micro lenses on the color filter array; forming a capping film on the semiconductor substrate including the micro lenses; forming a pad mask on the capping film; and exposing the pads.例文帳に追加

複数の単位画素が形成された半導体基板上に、パッドを含む層間絶縁膜を形成するステップと、層間絶縁膜上にカラーフィルタアレイを形成するステップと、カラーフィルタアレイ上にマイクロレンズを形成するステップと、マイクロレンズを含む半導体基板上にキャッピング膜を形成するステップと、キャッピング膜上にパッドマスクを形成するステップと、パッドを露出させるステップとを含むイメージセンサの製造方法とする。 - 特許庁

The main features of the CMOS image sensor comprise: multiple light-sensing elements formed on a semiconductor substrate; multiple internal microlenses formed on the multiple light-sensing elements; multiple internal micro lenses formed on multiple light-sensing elements; an interlayer insulation film formed on the internal microlens, multiple interconnections formed inside the interlayer insulation film; and multiple microlenses formed on the element protecting film.例文帳に追加

本発明に係るＣＭＯＳイメージセンサーは、半導体基板に形成された複数の光感知素子と、複数の光感知素子上に形成された複数の内部のマイクロレンズと、内部のマイクロレンズ上に形成された層間絶縁膜と、層間絶縁膜内に形成された複数の金属配線と、層間絶縁膜上に形成された素子保護膜と、素子保護膜上に形成された複数のマイクロレンズとを含むことを特徴とする。 - 特許庁

The image sensor includes two-dimensional arrays, in which quantum type visible light detectors and thermal infrared light detectors cyclically aligned on a substrate, signal lines arranged for each column along the visible light detectors and the thermal infrared light detectors that are aligned in the column direction, and a drive lines arranged for each row along the visible light detectors and the thermal infrared light detectors that are aligned in the row direction.例文帳に追加

量子型の可視光検出器と熱型の赤外光検出器とが基板上に周期的に並んだ２次元アレイと、列方向に並ぶ前記可視光検出器または前記赤外光検出器に沿って列ごとに配置された信号線と、行方向に並ぶ前記可視光検出器または前記赤外光検出器に沿って行ごとに配置された駆動線とを前記基板上に備えたイメージセンサとしたこと。 - 特許庁

The image sensor includes a semiconductor substrate including unit pixels, an interlayer dielectric including metal interconnections formed on the semiconductor substrate, a plurality of bottom electrodes formed on the interlayer dielectric in correspondence with the unit pixels and having different sizes, a photodiode formed on the interlayer dielectric including the bottom electrodes, and color filters formed on the photodiode in correspondence with the unit pixels.例文帳に追加

単位ピクセルを含む半導体基板と、前記半導体基板上に単位ピクセル別に配置された金属配線を含む層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に単位ピクセル別に配置されて、互いに違う大きさで形成された複数の下部電極と、前記下部電極を含む層間絶縁膜上に配置されたフォトダイオードと、前記フォトダイオード上に単位ピクセル別に配置されたカラーフィルターを含む。 - 特許庁

The image sensor receives light emitted from these localization units and the auxiliary units to calculate spatial coordinates of these localization units and the auxiliary units based on the received light and also obtain identification codes of these localization units based on spatial relation between these localization units and the auxiliary units, accurately performing directional localization process by using coordinates of the localization units associated with sequence of identification codes.例文帳に追加

イメージセンサはこれらの定位ユニット及び該補助ユニットから発光される光を受け取って、この受け取った光によってこれらの定位ユニット及び該補助ユニットの空間座標を求め、これらの定位ユニット及び補助ユニットとの間の空間関係に基づいてこれらの定位ユニットの識別コードを求め、識別コードの順序に対応する定位ユニットの座標で指向性の定位プロセスが正確に行われる。 - 特許庁