Inertを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 4285件
The analyzing device is provided with both an ultraviolet irradiation light source part 55 incorporating an ultraviolet irradiation light source and a measuring cell part 56 to irradiate a gas to be measured with ultraviolet rays to measure components in the gas to be measured and is constituted so as to seal an inert gas in the ultraviolet irradiation light source part 55.例文帳に追加
紫外線照射光源を内蔵する紫外線照射光源部55と、紫外線照射光源部55からの紫外線を被分析ガスに照射して被分析ガス中の成分測定を行なう測定セル部56とをそなえ、紫外線照射光源部55内に、不活性ガスを密封するように構成する。 - 特許庁
By the use of the capacitance type precision pressure meter 3, inert gas is introduced into the chamber 4 to make the pressure of the chamber 4 larger that the atmospheric pressure, and the gate valve of the chamber 4 is opened so that the flow of air introduced into the chamber 4 is controlled to prevent the refuse from being whirled up with the introduced air.例文帳に追加
精度の高い静電容量型の圧力計3を用いて、外気に対しチャンバ4の圧力を陽圧になるように不活性ガスをチャンバ内に導入しチャンバのゲ−トバルブを開くことによって、チャンバ内に流れ込む空気の流れを抑制し、流れ込む空気によるゴミの舞上がりを防止する。 - 特許庁
Thereafter, gas spouted out from the first supply nozzle 40 is switched from the IPA vapor to nitrogen gas (inert gas), a flow area of nitrogen gas is formed at the same position with the flow area AI, and the substrate W is made to pass through the flow area of nitrogen gas so as to be dried out by vaporizing droplets of IPA condensed on the surface of the substrate W.例文帳に追加
その後、第1供給ノズル40からの吐出を窒素ガス(不活性ガス)に切り替え、AIと同じ位置に窒素ガスの気流域を形成し、この気流域に基板Wを通過させ、基板W表面に凝縮したIPAの液滴を気化させることにより乾燥を行う。 - 特許庁
The oxidation-proof protective layer containing B4C(boron carbide) as a main ingredient of protecting layer is formed on a surface of the carbon material by dispersing and suspending BN(boron nitride) fine particles in dispersion medium, the obtained suspension is applied to the surface of the carbon material and drying and baking it at a high temperature in an inert atmosphere.例文帳に追加
BN(窒化ほう素)粉体を分散媒中に分散、懸濁した後、得られた懸濁液を、炭素質材料の表面に塗布した後、乾燥し、不活性雰囲気下で、高温焼成することにより、炭素質材料の表面に、B_4C(炭化ほう素)を主成分とする耐酸化保護層を形成させる。 - 特許庁
At dry etching of a silicon nitride film deposited on copper using a mixture gas containing a fluorocarbon based gas and an inert gas as a reaction gas, the fluorocarbon based gas contains CF4 and CHF3 at a flow rate ratio of 3:7 to 0:1 or CF4 and CH2F2 at a flow rate ratio of 2.5:1 to 0:1.例文帳に追加
銅の上に配されたシリコン窒化膜をフルオロカーボン系ガス及び不活性ガスとを含む混合ガスを反応ガスとしてドライエッチングするに際し、フルオロカーボン系ガスがCF_4とCHF_3とを3:7〜0:1の流量比、或いはCF_4とCH_2F_2とを2.5:1〜0:1の流量比で含むことを特徴とする。 - 特許庁
Taking the amount of the inert gas supplied into the irradiation chamber as A m^3/min, the amount discharged at the inlet section as B m^3/min and the amount discharged at the outlet section as C m^3/min, it is preferable for the apparatus that A is lower than B+C and B is lower than C.例文帳に追加
また本発明の活性エネルギー線照射装置においては、照射室内への不活性ガスの供給量を毎分A立方メートル、入口部の排気量を毎分B立方メートル、そして出口部の排気量を毎分C立方メートルとした場合に、A<B+CかつB<Cとするのが好適である。 - 特許庁
The method for preserving the banana flesh includes a precooling step of precooling ripened banana with its skin to 2-3°C, a peeling step of peeling the precooled banana, an enclosing step of enclosing the peeled banana flesh together with an inert gas in a packaging container, and a refrigerating step of refrigerating the banana flesh after the enclosing step at <10°C.例文帳に追加
熟成した皮付きのバナナを2〜3℃に予冷却する予冷却工程と、予冷却したバナナを剥皮する剥皮工程と、剥皮したバナナ果肉を不活性ガスとともに包装容器に封入する封入工程と、この封入工程後のバナナ果肉を10℃未満で冷蔵保存する冷蔵保存工程とからなる。 - 特許庁
The manufacturing method of the activated carbon includes: an activating step of activating a carbon raw material; a pulverizing step of adjusting the activated carbon to have 1-20 μm average particle diameter; and a heat treatment step of heating the pulverized activated carbon at 500-1,200°C under an inert gas atmosphere in this order.例文帳に追加
本発明の活性炭の製造方法は、炭素原料に賦活処理する賦活工程;得られた賦活炭を、平均粒子径1μm〜20μmに調整する粉砕工程;および、粉砕後の賦活炭を不活性ガス雰囲気下で500℃〜1200℃に加熱する熱処理工程;をこの順序で含むことを特徴とする。 - 特許庁
By using an open-type head 24 for performing the atmospheric control with inert gas, a step of discharging the functional particles 4 in the liquid onto a substrate 3 with the desired distribution by the mist jet technology, and a step of depositing a thin film 8 by the atmospheric-pressure plasma chemical transport method thereafter are alternately repeated.例文帳に追加
開放型で不活性ガスを用いて雰囲気制御を行うヘッド24を用いて、液中の機能性微粒子4をミストジェット技術にて所望の分布で基板3上に吐出させる工程と、その後に大気圧プラズマ化学輸送法により薄膜8を成膜させる工程とを交互に繰り返す。 - 特許庁
The eluate is manufactured by a process of filling the eluate while including a head space in an airtight, flexible vessel including at least one openable/closable opening; a process of substituting an inert gas for the head space; and a process of closing the openable/closable opening.例文帳に追加
開閉可能な開口部を少なくとも一つ以上設けた気密性を有する可撓性容器にヘッドスペースを有した状態で溶離液を充填する工程、前記ヘッドスペースを不活性ガスで置換する工程、前記開閉可能な口を閉じる工程、により製造した溶離液により、前記課題を解決することができた。 - 特許庁
In the method of manufacturing the light-emitting device by mounting a light-emitting element 2 on an element mounting substrate 3 and sealing the light-emitting element 2 on the element mounting substrate 3 with heated glass 51, the light-emitting element 2 is sealed in an atmosphere of inert gas containing oxygen, thereby preventing a reduction action of the glass 51 during sealing.例文帳に追加
発光素子2を素子実装基板3に実装し、素子実装基板3上の発光素子2を加熱されたガラス51により封止する発光装置の製造方法において、発光素子2の封止は、酸素含有の不活性ガスの雰囲気にて行うようにし、封止時におけるガラス51の還元作用を抑制した。 - 特許庁
The carbon material suitable for the electrode catalyst for the fuel cell and the like is obtained by firing a wholly aromatic polybenzimidazole comprising a specific repeating unit and having a characteristic viscosity of 0.05-200 dL/g (methanesulfonic acid solvent, sample concentration: 0.03 g/100 mL, measuring temperature: 25°C) at 500-1,500°C in an inert gas atmosphere.例文帳に追加
特定の繰り返し単位からなり、特有粘度が0.05〜200dL/g(メタンスルホン酸溶媒、試料濃度0.03g/100mL、測定温度25℃)である全芳香族ポリベンゾイミダゾールを、不活性ガス雰囲気下、500〜1,500℃において焼成することにより、燃料電池用電極触媒等に好適な炭素材料を得る。 - 特許庁
When shield gas is supplied from the vicinity of a steel plate clamp surface, a front surface of a clamp member becomes a wall by allowing the front surface (a surface having a shield gas supply hole) of the clamp member to have a sufficient height, the air entrainment is suppressed, and a relatively narrow space surrounded by the steel plate and the clamp member can be replaced with an inert gas.例文帳に追加
鋼板クランプ面近傍からシールドガスを供給する際に、クランプ部材の前面(シルードガス供給孔がある面)に十分な高さを持たせることにより、クランプ部材の前面が壁となり、大気の巻き込みが抑制され、鋼板とクランプ部材で囲まれた比較的狭い空間を不活性ガスで置換することができる。 - 特許庁
The cleaning device 1 removes the deposit T deposited in the distal end part 621 of the nozzle 62 by sucking the inert gas G3 which is blown from the outer periphery to the whole circumference of the distal end part 621 of the nozzle 62 through the blowing clearance 21 to the suction flow passage 3 in the state where the pilot arc P is generated.例文帳に追加
清掃装置1は、パイロットアークPを発生させた状態において、吹付間隙21からノズル62の先端部621の全周へ外周側から吹き付けた不活性ガスG3を吸引流路3へ吸引することにより、ノズル62の先端部621に堆積した堆積物Tを除去する。 - 特許庁
The quantity of the inert gas to be supplied by a gas supply means 18 is gradually reduced with the reduction of the volume in the drawing furnace 11 by being partitioned by the partition plates 12-16 by a control means 21 so that the pressure of the drawing furnace 11 is kept constant according to the measured value by the furnace internal pressure measuring instrument 20.例文帳に追加
そして、炉内圧測定器20の測定値に応じて線引炉11内の圧力を一定に保つように、仕切板12〜16によって仕切られることによる線引炉11内の容積の減少に従い、ガス供給手段18による不活性ガスの供給量を制御手段21によって徐々に減少させる。 - 特許庁
The solid-state image pickup device is characterized in that the closed space 11 of the light receiving region formed on a solid-state image pickup element as an upper layer of a silicon substrate 1 with a frame wall 6 and a sealing glass plate 7 is filled with transparent inert oil 10 of ≤1.3 in refractive index, especially, fluorine-based oil typically of perfluoro-polyester oil.例文帳に追加
シリコン基板1上層の固体撮像素子の上に枠壁6と封止ガラス板7により形成された受光領域の閉鎖空間11に、屈折率1.3以下の透明不活性オイル10、特に、パーフルオロポリエーテル油を代表とするフッ素系オイルが充填されていることを特徴とする固体撮像装置である。 - 特許庁
Molding formed by mixing binders such as a petroleum system pitch or polyvinyl alcohol with powders of an ion exchange resin is calcinated at 200-300°C in the air, a fired material is carbonized at 600-700°C in an inert gas, and a carbide is activated at 800-1,000°C, and thus the adsorbent for nitrogen monoxide is manufactured.例文帳に追加
イオン交換樹脂の粉末を、石油系ピッチまたはポリビニルアルコール等のバインダーと混合して成型した成型物を、200〜300℃の空気中で焼成し、焼成物を600〜700℃の不活性ガス中で炭化し、炭化物を800〜1000℃で賦活して一酸化窒素用吸着材を製造する。 - 特許庁
The process for producing the sputtering target comprises the steps of: forming a molded object comprising a mixed powder composed of an NaF powder and a Cu-Ga powder or a mixed powder composed of an NaF powder, a Cu-Ga powder and a Cu powder; and sintering the molded object in a vacuum atmosphere, an inert gas atmosphere or a reductive atmosphere.例文帳に追加
また、このスパッタリングターゲットを作製する方法は、NaF粉末とCu−Ga粉末との混合粉末、又はNaF粉末とCu−Ga粉末とCu粉末との混合粉末からなる成形体を形成し、その後、真空、不活性ガスまたは還元雰囲気中で焼結する工程を有している。 - 特許庁
The manufacturing apparatus of a semiconductor device includes a chamber 10 for bake processing a substrate 2 to be processed, a plurality of gas supply ports 12 provided on an internal surface of the chamber 10, and a moisture control unit 14 capable of supplying inert gases which differ in humidity, respectively to the plurality of gas supply ports 12.例文帳に追加
被処理基板2をベーク処理するチャンバー10と、チャンバー10の内面に設けられた複数のガス供給口12と、複数のガス供給口12のそれぞれに、湿度が異なる不活性ガスを供給可能な湿度制御部14と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造装置を提供する。 - 特許庁
The method for producing the (poly)glyceryl ether by reacting alcohols (other than glycidol and glycerol) and glycidol comprises: adjusting the pressure inside a reaction system to 0.1-25 MPa (gauge pressure) with an inert gas; and carrying out the reaction while maintaining a reaction temperature of within 150-270°C and the pressure inside the reaction system within the pressure range.例文帳に追加
アルコール類(但し、グリシドール及びグリセリンを除く)とグリシドールを反応させる(ポリ)グリセリルエーテルの製造方法であって、不活性ガスで系内圧力を0.1〜25MPa(ゲージ圧)に調整した後、反応温度を150〜270℃で、かつ系内圧力を当該範囲に維持して反応させる、(ポリ)グリセリルエーテルの製造方法である。 - 特許庁
The valve metal foil having an arithmetic mean surface roughness Ra of 0.040 to 0.10 μm is prepared, a mixed thin film comprising a valve metal and a different-phase component is formed on a surface thereof, and only the different-phase component in the mixed thin film is removed after a heat treatment in a vacuum or in an inert gas atmosphere.例文帳に追加
表面の算術平均粗さRaが0.040μm以上0.10μm以下のバルブ金属箔を準備し、その表面上にバルブ金属と異相成分とからなる混合薄膜を形成し、真空中又は不活性ガス雰囲気中において熱処理を施した後、混合薄膜中の異相成分のみを除去する。 - 特許庁
Hafnium carbide powder F is filled into a cylindrical die 20 whose both edges are provided with opening parts 20a, 20b, and the hafnium carbide is subjected to pulse conduction heating and sintered in a vacuum or in an inert gas atmosphere while performing pressurization in a state of being held between an upper punch 40 and a lower punch 30 arranged at the opening parts 20a, 20b.例文帳に追加
両端に開口部20a,20bが設けられた筒状のダイ20内に炭化ハフニウム粉末Fを充填し、真空中又は不活性雰囲気中で炭化ハフニウムを、開口部20a,20bに配置された上パンチ40と下パンチ30で挟んだ状態で加圧しながら、パルス通電加熱して焼結する。 - 特許庁
In a method of brazing plated products, after flux is applied to brazing parts 2a, 2b of joining members, the brazing parts 2a, 2b are heated and brazed under an inert gas atmosphere and then, plating is performed as post processing, wherein the flux is diluted to be 10-40 wt.% in effective component concentration.例文帳に追加
接合部材のろう付部2a,2bにフラックスを塗布した後、不活性ガス雰囲気下において前記ろう付部2aを加熱しつつろう付し、次いで後処理としてめっき処理を施すめっき処理製品のろう付方法において、前記フラックスが有効成分濃度10wt%〜40wt%に希釈されてなる。 - 特許庁
The production method for heat-resistant fiber comprises dissolving in water a water-soluble polymer compound and a water-soluble transition metal compound, spraying the obtained aqueous solution from a nozzle to a collector while applying voltage to the aqueous solution, and baking the formed fire-resistant precursor in an inert gas atmosphere.例文帳に追加
水溶性高分子化合物および水溶性遷移金属化合物を水に溶解させ、得られた水溶液に電圧を印加しながら当該水溶液をノズルからコレクタに飛散させ、形成された耐熱性繊維前駆体を不活性ガス雰囲気中で焼成することを特徴とする耐熱性繊維の製造方法。 - 特許庁
To prepare a sustained- or controlled-release dosage form composed of a drug topically active in the gastrointestinal tract, wherein, following administration, controlled release from a first phase is ensured when an inert matrix shows the maximum release rate inside the logarithmic phase, namely a higher deviation from linear release.例文帳に追加
胃腸管で局所的に活性な薬剤から成る、徐放放出性、制御放出性投与製剤を調製する場合において、投与後の第一相、即ち、不活性マトリックスが対数期中最大の放出速度、つまり線形放出よりも高い偏差を有する時に、確実に放出を制御すること。 - 特許庁
Cadmium sulfide nanotubes comprising a hexagonal single crystal are formed by charging a mixture of cadmium sulfide powder, tin monoxide powder, tin dioxide powder and activated carbon powder into a graphite crucible and heating the mixture at 1,100-1,200°C for 3-5 h in a stream of an inert gas such as nitrogen gas.例文帳に追加
硫化カドミウム粉末、一酸化スズ粉末、二酸化スズ粉末及び活性炭粉末の混合物をグラファイト製の坩堝に入れ、窒素ガス等の不活性ガス気流中において、1100〜1200℃で3〜5時間加熱することにより、六方晶系の単結晶からなる硫化カドミウムナノチューブを形成する。 - 特許庁
A polyester composition polymerized by using a polycondensation catalyst containing an aluminum compound and a lithium compound contains 0.01 to 1.0 wt.% inert inorganic particles having 0.5 to 3.0 mμ average particle diameter and ≤1,000/mm^2 coarse particles having ≥10 μm size.例文帳に追加
アルミニウム化合物と、リチウム化合物を含有する重縮合触媒を用いて重合されたポリエステル組成物であり、平均粒子径が0.5〜3.0μmである不活性無機粒子を0.01〜1.0重量%含有し、10μm以上の粗大粒子の数が1000個/mm^2以下であることを特徴とするポリエステル組成物。 - 特許庁
By bringing the ferritic stainless steel into contact with the nitrogen gas-containing inert gas at ≥800°C and performing the nitrogen absorbing treatment (S8), the whole or a part thereof can be austenitized, thus the product made of the stainless steel having excellent strength and corrosion resistance, and further free from Ni can be produced.例文帳に追加
フェライト型ステンレス鋼を、窒素ガスを含む不活性ガスと800℃以上で接触させて窒素吸収処理(S8)することにより、全体又は一部をオーステナイト化することができ、強度及び耐食性に優れ、しかもNiを含まないニッケルフリーステンレス鋼製製品を製造することが可能となる。 - 特許庁
A flat plate type silicon carbide-carbonaceous body obtained by mixing silicon carbide powder with carbon powder in a prescribed ratio and molding the mixture is impregnated with the metallic silicon in an inert gas atmosphere with pressure reduced in which the metallic silicon exists or in a vacuum and the obtained product is baked.例文帳に追加
炭化珪素粉末と炭素粉末とを所定の割合で混合し成形して得られた平板状の炭化珪素-炭素質成形体を、金属珪素が存在する減圧の不活性ガス雰囲気又は真空中において前記金属珪素を含浸させながら焼成するフラットディスプレイパネル熱処理用平板の製造方法である。 - 特許庁
This medium is prepared by irradiating the surface of its protective layer with ultraviolet rays in an inert gas atmosphere and applying as the outermost layer a lubricant containing an ester of a hydroxyl-terminated perfluoropolyether with a long-chain carboxylic acid and a branched carboxylic acid perfluoroalkyl monoester on the surface of the protective layer.例文帳に追加
保護膜の表面に、不活性ガス雰囲気中で紫外線を照射し、その後、上記保護膜表面に、末端に水酸基を有するパーフルオロポリエーテルと長鎖カルボン酸とのエステル化合物及び分岐カルボン酸パーフルオロアルキルモノエステルを含有する潤滑剤が最外層に保持されてなることを特徴とする。 - 特許庁
To provide a method of a heat treatment capable of reducing the face roughness on a wafer surface, notably generated especially in the periphery of the wafer in the high temperature anealing for reduction of void defect performed in hydrogen gas, an inert gas such as argon, or alternatively thereof mixing gas.例文帳に追加
水素ガスまたはアルゴンなどの不活性ガス中、あるいはその混合ガス中で行われるボイド性欠陥の低減のための高温熱処理において、ウェーハ表面に面荒れが発生し易い問題、特にウェーハの外周部に顕著に発生する面荒れを低減できる半導体ウェーハの熱処理方法の提供。 - 特許庁
To provide an apparatus for manufacturing alloys or metal compounds capable of almost successively sending more metal raw materials to a reaction tank, improving the productivity, and finishing displacement with inert gas in a short time, and a device and a method for supplying solids.例文帳に追加
より多量の金属原料を略連続的に反応槽に送り込み可能で、生産性を高めることができ、しかも不活性ガス置換を短時間に完了することができる生産効率の高い合金または金属化合物の製造装置、固体供給装置および固体供給方法を提供する。 - 特許庁
The method for etching the high dielectric film uses a mask made of an inorganic material and a mixed gas of an inert gas with a fluorine gas or a gas of fluorine compound gas as an etching gas, where the mixed gas is doped with an oxygen gas, to etch the high dielectric film.例文帳に追加
高誘電体膜をエッチングする際、無機材料からなるマスクを用いると共に、フッ素ガス又はフッ素化合物からなるガスと不活性ガスとの混合ガスをエッチングガスとして用いる高誘電体膜のエッチング方法であって、前記混合ガスに、酸素ガスを添加して、前記高誘電体膜をエッチングすることを特徴とする。 - 特許庁
In this mounting method, the electrode 6 on the substrate 1 is subjected to plasma cleaning and then cooled in inert gas, and after that, in the air, the salient electrode 5 of the electronic component 2 is connected with the electrode 6 of the substrate 1 via conductive resin 14.例文帳に追加
そしてこの目的を達成するために、本発明は基板1の電極6をプラズマクリーニングし、次にこの基板1の電極6を不活性ガス中において冷却し、その後大気中において電子部品2の突起電極5を導電性樹脂14を介して前記基板1の電極6上に接続するものである。 - 特許庁
When pure titanium materials or titanium alloy materials are joined with welding, after executing the welding without gas shielding with inert gas to the welding portion, the surface shell of the welded part is removed by the suitable thickness to reduce or remove the thickness of α layer having rich oxygen formed on the surface layer of the welded part.例文帳に追加
溶接によって純チタン材乃至はチタン合金材同士を接合するに当り、 溶接部分を不活性ガスでシ−ルドすることなく溶接を行った後、 溶接部の表皮を適宜厚さだけ取り除いて溶接部表層に形成されていた酸素リッチなα層の厚さ減少乃至は除去を行う。 - 特許庁
Specifically, for example, this synthetic fiber is obtained by forming a polyester polymer incorporated with, as the photocatalyst, titanium oxide powder 2 coated with an inert porous film 22 into a fiber followed by melting and removing the surface of the resultant polyester fiber with caustic soda to effect exposure of the titanium oxide powder 2 onto the resultant surface of the fiber.例文帳に追加
この合成繊維1は、例えば、光触媒として不活性な多孔質膜22で覆われた酸化チタン粉末2を含有させたポリエステルポリマーを繊維に成形した後、このポリエステル繊維の表面を苛性ソーダで溶解除去することにより該繊維の表面に酸化チタン粉末2を露出させることができる。 - 特許庁
The inert gas generation device 5 is provided with an air electrode 51 having oxygen-reducing catalyst, a reducer electrode 53 having a reducer-oxidizing catalyst , an electrolyte 52 laid between the air electrode 51 and the reducer electrode 53, and a connection circuit 9 electrically connecting the air electrode 51 and the reducer electrode 53.例文帳に追加
不活性ガス生成装置5は、酸素還元触媒を有する空気極51と、還元剤酸化触媒を有する還元剤極53と、空気極51と還元剤極53の間に挟持された電解質52と、空気極51と還元剤極53とを電気的に接続する接続回路9を備える。 - 特許庁
A gas pipe 3A is formed into a double tube, N2 gas or inert gas is sealed in its outer pipe 10 by a pressure higher than a gas pressure in an inner pipe 11, a pressure switch 12 for detecting the pressure of the N2 gas is provided, and an alarm is issued, when the pressure of the N2 gas lowers to a prescribed value or less.例文帳に追加
ガス配管3Aを二重管とし、その外側管10内に、内側管11内のガス圧力より高い圧力で不活性ガスであるN_2 ガスを封入すると共に、該N_2ガスの圧力を検出する圧力スイッチ12を設け、同N_2 ガスの圧力が所定値以下に下がった場合に警告を発するようにした。 - 特許庁
This method for forming the optical thin film having many optical layers with a magnetron sputtering method on the surface of a substrate 8 comprises, introducing inert gas and reactive gas into a sputter chamber 1, and sequentially forming the optical layer on the substrate 8, under a condition of a discharge pressure of 1.3×10-1 Pa or less, with a reactive magnetron sputtering method.例文帳に追加
マグネトロンスパッタ法により基板8面上に多層の光学層を有する光学薄膜を形成する際、スパッタ槽1内に不活性ガスおよび反応性ガスを導入し、1.3×10^-1Pa以下の放電圧力の条件下において反応性マグネトロンスパッタ法により基板8面上に順次光学層を形成させる。 - 特許庁
An LC cut quartz resonator 17 is sealed in a container 21 together with an inert gas, a metal sheathed cable 22 which outputs a signal from the quartz resonator 17 to the outside via a lead wire 19 is connected, and the outside diameter of a metal cap 26 used to house the container 21 is formed to be identical to the sheath outside diameter of the cable 22.例文帳に追加
不活性ガスとともにLCカット水晶振動子17を容器21に封入し、LCカット水晶振動子17からの信号をリード線19を介して外部に出力する金属シースケーブル22に接続し、容器21を収納する金属製キャップ25を金属シースケーブル22のシース外径と同一外径に形成する。 - 特許庁
To provide a method of producing a silicon oxide film by which the adverse effect of an oxidizing gas containing oxygen atoms or an inert gas, used together with an organosilicon gas being a gaseous raw material, on a base material can be suppressed at the minimum when the silicon oxide film is deposited by a plasma CVD method.例文帳に追加
本発明は、プラズマCVD法により酸化珪素膜を成膜する際に、原料ガスである有機珪素ガスと共に用いられる酸素原子を含む酸化性ガスもしくは不活性ガスによる基材に対する不具合を最小限に抑えることができる酸化珪素膜の製造方法を提供することを主目的とする。 - 特許庁
Pressure of a processing chamber (or called as a printing chamber) for forming an EL layer by using a printing method in a pixel part of a light-emitting device is put in a pressurizing state of atmospheric pressure (normal pressure) or more than the atmospheric pressure, and the inside of the printing chamber is filled with inert gas or put in a solvent atmosphere.例文帳に追加
本発明では、発光装置の画素部に印刷法を用いてEL層を形成するための処理室(または、印刷室と呼ぶ)の圧力を大気圧(常圧)又は大気圧以上の加圧状態にし、さらに印刷室内を不活性気体で充填したり、溶媒雰囲気とすることを特徴とする。 - 特許庁
A graphite material to be treated W, which is treated beforehand by a chemical or the like, is placed in the heat-insulating box 18 inside the treatment container 12, in allowing an inert gas to flow a microwave is generated by the microwave oscillator 38, and the microwave is irradiated into the treatment container 12 through the waveguide 40.例文帳に追加
熱処理は、予め薬品処理等を行った被処理用黒鉛材料Wを処理容器12の断熱箱18に入れて、不活性ガスを流通した状態で、マイクロ波発信器38からマイクロ波を発生させ、導波管40を介して処理容器12内にマイクロ波を照射する。 - 特許庁
The polyamide resin composition comprises 100 pts.mass of a polyamide resin, 0.5-20 pts.mass of carbon particles wet treated with an acid solvent and having 1-20 mass% of mass loss ratio when heated from 25°C to 600°C in an inert gas atmosphere and 0.5-10 pts.mass of a swellable phyllosilicate.例文帳に追加
ポリアミド樹脂組成物であって、ポリアミド樹脂100質量部と、酸溶媒で湿式処理され、不活性ガス雰囲気中で25℃から600℃まで昇温させたときの質量減少率が1〜20質量%であるカーボン粒子0.5〜20質量部と、膨潤性の層状ケイ酸塩0.5〜10質量部とを含有する。 - 特許庁
In the fire-fighting installation in which a fire fighting head 11 is connected to secondary side piping 12, a micro-bubble generating apparatus 17, which generates micro-bubbles, is formed, the micro-bubbles, which enclose an inert gas, is generated by the micro-bubble generating apparatus 17, and water containing the micro-bubbles is supplied to the secondary side piping 12.例文帳に追加
二次側配管12に消火ヘッド11が接続された消火設備において、マイクロバブルを発生されるマイクロバブル発生装置17を設け、そのマイクロバブル発生装置17により不活性ガスを封入したマイクロバブルを発生させ、そのマイクロバブルを含んだ水を二次側配管12に供給する。 - 特許庁
A β-type silicon carbide and a particle growth accelerator being aluminum or an aluminum compound or boron or a boron compound are added to an α-type silicon carbide and the mixture is formed, and the plate like grain growth accelerated by a crystal transition phenomenon of the silicon carbide is caused when the formed body is fired in an inert gas atmosphere at a high temperature.例文帳に追加
α型炭化ケイ素にβ型炭化ケイ素と、アルミニウム若しくはアルミニウム化合物、又はホウ素若しくはホウ素化合物の粒成長促進剤を混合し、成形して、不活性ガス雰囲気の高温で焼成すると炭化ケイ素の結晶転移現象に加速された板状粒成長が起こる。 - 特許庁
To prevent breakage of a centrifugal circulating fan for circulating furnace gas during a dry distillation furnace operation by reducing centrifugal force from blades acting on a disk of the circulating fan, in an induction heating type dry distillation furnace for induction-heating a furnace body housing objects subject to dry distillation in the furnace in an inert gas atmosphere to subject the objects to dry distillation.例文帳に追加
被乾留物を収容した炉体を不活性ガス雰囲気の炉内で誘導加熱し、被乾留物を乾留処理する誘導加熱式乾留炉において、炉内ガスを循環させる遠心式循環ファンのディスクに作用する羽根の遠心力を軽減し、乾留炉運転中の循環ファンの破損を防止する。 - 特許庁
An inert gas in a supercritical state is mixed with and dissolved in a molding material containing a crystalline thermoplastic resin in an extruder 2 while melting the molding material and the resulting mixture is extruded from a die 4, of which the temperature is controlled to a temperature range higher than the crystallizing temperature of the molding material by 0.5-5°C, under atmospheric pressure.例文帳に追加
押出機2において、結晶性の熱可塑性樹脂を含む成形材料を溶融しつつ、その成形材料に超臨界状態の不活性ガスを混合溶解し、その後、成形材料の結晶化温度よりも0.5〜5℃高い温度範囲に温度制御されているダイ4から大気圧下に押し出す。 - 特許庁
A heat exchanger tube stock formed of an alloy comprising 0.90 to 1.50% Mn, and the balance Al with inevitable impurities is heated at 550 to 600°C in an air atmosphere or in an inert gas atmosphere, is held for 10 to 600 min, and is then cooled, so as to produce the heat exchanger tube (4) made of aluminum.例文帳に追加
Mn0.90〜1.50質量%を含み、残部Alおよび不可避不純物からなる合金で形成された熱交換管素材を、大気雰囲気中または不活性ガス雰囲気中において550〜600℃に加熱して10〜600分間保持し、ついで冷却することによって、アルミニウム製熱交換管(4)を製造する。 - 特許庁
In the method for manufacturing the reduced-iron using the rotary hearth type reducing furnace, the reduced-iron pellet reduced in the rotary hearth type reducing furnace is cooled to the temperature of 200-400°C under inert gas atmosphere with a rotary cooler, and thereafter, the reduced-iron pellet is further cooled by the direct water spray of the cooling water in the air.例文帳に追加
回転炉床式還元炉を用いた還元鉄の製造方法であって、回転炉床式還元炉にて還元した還元鉄ペレットを、ロータリークーラーにて、不活性ガス雰囲気下で200〜400℃の温度まで冷却後、当該還元鉄ペレットを、空中にて、冷却水の直接散水で、更に冷却する。 - 特許庁
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