Memory Deviceの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 24675件
A memory management device of improved memory use efficiency suitable for real time parallel processing has an interface for every processor to prevent a load concentration, has an exclusive register separate from the interfaces to ensure page mapping in a fixed time, and gives the interfaces a function of requesting page mapping to the register to allocate and release a page without the intervention of a CPU 5.例文帳に追加
プロセッサ毎にインターフェースを設けて負荷の集中を防止し、インターフェースと別に専用の登録装置を設けて一定時間内のページマッピングを保証し、インターフェースには登録装置にページマッピングを要求する機能を与えてCPUの介入なしにページの割当てと開放を行い、リアルタイムな並列処理に適したメモリ利用効率の良いメモリ管理装置を提供する。 - 特許庁
A postcard printer 10 reads the image reading program 20, image confirming program 21, postcard surface postal code frame position data 22, inside and outside judging program 23, postcard surface top and bottom judging program 24 and unjust setting warning program 25 stored in a recording medium 12 through an external memory medium input and output device 19 to develop them on a program memory 13.例文帳に追加
はがき印刷装置10は、外部記憶媒体入出力デバイス19を介して、記録媒体12に記憶されている画像読み取りプログラム20、画像イメージ認識プログラム21、はがき表面郵便番号枠位置データ22、判定表裏判定プログラム23、はがき表面上下判定プログラム24および不正セット警告プログラム25などを読込み、プログラムメモリ13に展開する。 - 特許庁
In the exchange unit (the toner bottle) exchangeably mounted on a prescribed device for use, when the exchange unit body (a toner bottle body) is packed in the packing box or packing material, the contactless type memory tag RFID to be mounted on the exchange unit body in use is installed in the prescribed position A of the packing box or packing material where the memory access is possible.例文帳に追加
所定の装置に交換可能に装着させて用いられる交換ユニット(トナーボトル)において、交換ユニット本体(トナーボトル本体)が梱包箱または梱包材に梱包されているときには、使用時に交換ユニット本体に取り付けられるべき非接触型メモリタグRFIDは、梱包箱または梱包材のメモリアクセス可能な所定の位置Aに設置されていることを特徴としている。 - 特許庁
To provide a semiconductor device configured by loading an ECC (Error Correcting Code) circuit and a BIST (Built In Self Test) circuit on a memory configured to surely correct an error by the ECC circuit in an activated state of the ECC circuit and the BIST circuit at a test, and conducting sufficient screening for the ECC circuit and the critical path of the memory.例文帳に追加
メモリにECC回路とBIST回路とを搭載して構成された半導体装置において、テスト時に、ECC回路とBIST回路とが活性化された状態で、ECC回路によるエラー訂正が必ず行われるように構成され、ECC回路やメモリのクリティカルパスなどの十分なスクリーニングを行うことができる、半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide a method of fabricating a flash memory device capable of improving the operation performance of a memory cell in which a nitride film is first deposited on a semiconductor substrate or a polysilicon film and then an oxide film is formed under the nitride film by an oxidization process using an anneal process, so that a tunnel oxide film or an ONO1 oxide film having a thin thickness and a good film quality can be formed.例文帳に追加
半導体基板またはポリシリコン膜の上に窒化膜をまず蒸着した後、アニール工程を用いた酸化工程によって窒化膜の下方に酸化膜を形成することにより、さらに薄くて優れた膜質を有するトンネル酸化膜またはONO1酸化膜を形成してメモリセルの動作性能を向上させることが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法の提供。 - 特許庁
The device comprises a pixel data location determination part which determines a location of pixel data so that a plurality of pixel data in each element texture which is located in the same position for a texture is continuously arranged on one image data storage memory for each of the same positions; and a pixel data storage part which stores the plurality of pixel data in one image data storage memory according to the determined storage position.例文帳に追加
テクスチャに対して同一位置にある、各要素テクスチャにおける複数の画素データが、同一位置毎に1つの画像データ格納メモリ上に連続して並ぶように、画素データの格納位置を決定する画素データ格納位置決定部と、決定された格納位置にしたがって、複数の画素データを1つの画像データ格納メモリに格納する画素データ格納部とを備える。 - 特許庁
Relating to a memory control device 1 provided with a word line selecting information storing section arranged between a memory cell array 9 and a row decoder 33, a column selecting information storing section 17 arranged between a column selector 39 and a column decoder 37, and a control circuit 19, each selecting information storing section 11, 17 is constituted of sift registers including a selector 23 and a flip-flop 21.例文帳に追加
メモリアレイ9とロウデコーダ33との間に介装されたワード線選択情報記憶部11と、カラムセレクタ39とカラムデコーダ37との間に介装されたカラム選択情報記憶部17と、制御回路19とを備えるメモリ制御装置1において、セレクタ23とフリップフロップ21とを含むシフトレジスタで各選択情報記憶部11,17を構成する。 - 特許庁
This device is provided with a Web server function means 31 and a status memory 32m for storing the status information of a label printer 7, and the Web server function means 31 is composed of a means for transmitting the status information stored in the status memory 32m via the Internet to a client, when the received data transmitted from the browser of the client via the Internet show the read request of that status information.例文帳に追加
Webサーバ機能手段31と、ラベルプリンタ7のステータス情報を記憶するステータスメモリ32mとを具備し、Webサーバ機能手段31は、クライアントのブラウザからインターネットを介して送信され受信データがステータスメモリ32mに記憶されているステータス情報の閲覧要求であった場合には、そのステータス情報をインターネットを介してクライアントに送信する手段とから構成される。 - 特許庁
The above problem is solved by providing the vehicular anti-glare device 1 having shielding parts 410a-430a for shielding a sunlight; an individual memory part 101 for memorizing a control parameter of the shielding parts 410a-430a in every driver; and a control part 100 for driving the shielding parts based on the control parameter memorized in the individual memory part 101.例文帳に追加
日射を遮光するシールド部410a〜430aと、運転者毎にシールド部410a〜430aの制御パラメータを記憶した個人別記憶部101と、個人別記憶部101に記憶された制御パラメータに基づきシールド部を駆動する制御部100と、を有することを特徴とする車両用防眩装置1を提供することで上記課題を解決する。 - 特許庁
The ferroelectric memory device is provided with; first and second bit lines to which a plurality of memory cells are connected; a sense amplifier connected to the first and the second bit lines; and a switch which disconnects at least one of the first and the second bit lines from the sense amplifier when the first and the second bit lines are in a short circuit state.例文帳に追加
複数のメモリセルが接続された第1のビット線及び第2のビット線と、第1のビット線及び第2のビット線に接続されたセンスアンプと、第1のビット線と第2のビット線が短絡状態にあるときに、第1のビット線及び第2のビット線の少なくとも一方をセンスアンプから切り離すスイッチと、を備えたことを特徴とする強誘電体メモリ装置。 - 特許庁
The memory management device has mapping information managing mapping between areas (virtual pages) per predetermined data in the virtual address space and areas (real pages) per predetermined data in the real address space, and deletes the mapping between the virtual pages and the real pages concerning the data read-out, from the corresponding information, when the reading of the data per predetermined data from the memory by the image processing circuit ends.例文帳に追加
メモリ管理装置は仮想アドレス空間における所定データ単位領域(仮想ページ)と、実アドレス空間における所定データ単位領域(実ページ)の対応づけを管理する対応情報を有し、画像処理回路によりメモリから所定データ単位のデータの読出しが終了したときに、その読み出したデータに関する仮想ページと実ページの対応づけを対応情報から削除する。 - 特許庁
The mobile terminal device has a software storage memory 41 which stores software; an update buffer 31 to store the update software that has updated the above software, which is included in received digital broadcast signals; and a control means 42 for rewriting software stored in the software storage memory using the update software stored in the update buffer if receiving a power-on signal.例文帳に追加
ソフトウェアを格納しているソフトウェア格納メモリ41と、受信したデジタル放送信号に含まれる、上記ソフトウェアを更新した更新ソフトウェアを蓄積する更新用バッファ31と、電源投入の信号を受けて、更新用バッファに蓄積されている更新ソフトウェアによりソフトウェア格納メモリに格納されているソフトウェアを書き換える制御手段42とを備えている。 - 特許庁
In the semiconductor memory device compressing data read from a memory cell in synchronization with a rise edge of a first external clock signal, the timing of controlling a latch circuit and an output buffer circuit connected to a data bus transmitting the summary result is synchronized with a rise edge of a second external clock signal and a rise edge of a third external clock signal.例文帳に追加
第1の外部クロック信号の立ち上がりエッジに同期してメモリセルからの読み出しデータの縮約を行う半導体記憶装置において、縮約結果を伝送するデータバスに接続されるラッチ回路及び出力バッファ回路の制御タイミングを、それぞれ第2の外部クロック信号の立ち上がりエッジ、第3の外部クロック信号の立ち上がりエッジに同期するタイミングとした。 - 特許庁
In the game machine, a variation time determining means can set a regular time as the variation time for the variable display game even if a starting memory number determining means determines that the number of starting memories reaches the prescribed number when a starting memory number instructing means instructs a variable display device to display the prescribed number as the number of starting memories.例文帳に追加
変動時間決定手段は、始動記憶数指示手段が所定数を始動記憶数として変動表示装置に表示する指示を行う場合には、始動記憶数判定手段によって始動記憶数が所定数に達していると判定されたにもかかわらず、変動表示ゲームの変動時間として通常時間を設定可能にしたことを特徴とする遊技機。 - 特許庁
The nonvolatile semiconductor memory device includes: a memory cell array with a plurality of blocks each being the erasing unit; a ready/busy control circuit that outputs a busy signal when an internal operation is being done to the blocks; and a control unit that registers the blocks as defective blocks when the ready/busy control circuit outputs the busy signal in receiving an input of a bad block command.例文帳に追加
不揮発性半導体記憶装置は、消去単位であるブロックを複数有するメモリセルアレイと、ブロックに対する内部動作の実行期間中は、ビジー信号を出力するレディ/ビジー制御回路と、バッドブロックコマンドの入力を受けた時に、レディ/ビジー制御回路がビジー信号を出力している場合は、ブロックを不良ブロックとして登録する制御部と、を具備する。 - 特許庁
To obtain a high image quality according to situations in spite of an inexpensive device having a small memory capacity, in an image forming apparatus which reads a document image by a reader and performs coding with data compression and decoding with data decompression by a coder/decoder (CODEC) apparatus when storing read image data into a memory and prints out the read image data by a printer.例文帳に追加
原稿画像を読取り装置で読取り、その読取った画像データをメモリへ記憶させるにあたって、符号化復号化装置(CODEC)でデータ圧縮を伴う符号化およびデータ伸張を伴う復号化を行い、読出した画像データをプリンタで印字出力する画像形成装置において、メモリの容量が小さい低価格機であっても、状況に応じた高い画質を得る。 - 特許庁
A data relay device 10 provided a plurality of communication ports which transmits and receives packet data includes a memory 310 which stores packet data; and a memory control part 300 which secures, based on a delay time required before an answer to packet data is received after the plurality of communication ports transmits the packet data, a buffer area having a larger size for the communication port with a larger delay time.例文帳に追加
パケットデータを送受信する複数の通信ポートを備えるデータ中継装置10であって、パケットデータを格納するメモリ310と、複数の通信ポートがパケットデータを送信してから当該パケットデータに対する応答を受信するまでに要する遅延時間に基づいて、遅延時間が大きい通信ポートほど大きいサイズのバッファ領域を確保するメモリ制御部300を備えた。 - 特許庁
The semiconductor memory device includes a memory element which includes a diode-connected first transistor, a second transistor whose gate is connected to one terminal of a source electrode and a drain electrode of the diode-connected first transistor, and a capacity element connected to the one terminal of the source electrode and the drain electrode of the diode-connected first transistor and the gate of the second transistor.例文帳に追加
ダイオード接続した第1のトランジスタと、ダイオード接続した第1のトランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方の端子にゲートが接続する第2のトランジスタと、ダイオード接続した第1のトランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方の端子及び第2のトランジスタのゲートに接続する容量素子を有するメモリ素子を含む半導体記憶装置である。 - 特許庁
The terminal device having predefined functions including reception and recording of a digital broadcast includes a memory in which one or a plurality of programs to be recorded among programs of the digital broadcast are registered, and a video recording controller of targeting the programs registered in the memory as objects of video recording in series in order determined on the basis of a schedule of the digital broadcast.例文帳に追加
ディジタル放送の受信および録画を含む既定の機能を有する端末装置であって、前記ディジタル放送の番組の内、前記録画の対象となる1つまたは複数の番組が登録される記憶手段と、前記記憶手段に登録された番組を前記ディジタル放送のスケジュールに基づいて定まる順序で直列に前記録画の対象とする録画制御手段とを備える。 - 特許庁
A memory system includes: a controller so configured as to convert data on the basis of a first bit pattern sequence; and a nonvolatile memory device so constituted as to program the converted data by a program method corresponding to the first bit pattern sequence and to read data by a reading method corresponding to a second bit pattern sequence different from the first bit pattern sequence.例文帳に追加
メモリシステムは第1ビットパターン順序に基づいてデータを変換するように構成された制御器と、そして第1ビットパターン順序に対応するプログラム方法によって変換されたデータをプログラムするように、そして第1ビットパターン順序と異なる第2ビットパターン順序に対応する読み出し方法によってデータを読み出すように構成された不揮発性メモリ装置を含む。 - 特許庁
The semiconductor memory device includes: a plurality of word lines 3 disposed in parallel; a plurality of bit lines 4 disposed to intersect with the word lines 3; a plurality of memory cells, respectively disposed at intersection portions between the word lines 3 and the bit lines 4 and having a resistance change element 1 and a diode 2; a row decoder 42 for selecting the word lines 3; and a column decoder 43 for selecting the bit lines 4.例文帳に追加
半導体記憶装置は、平行に配置された複数のワード線3と、ワード線3に交差するように配置された複数のビット線4と、ワード線3とビット線4との各交差部に配置され、抵抗変化素子1及びダイオード2を含む複数のメモリセルと、ワード線3を選択する行デコーダ42と、ビット線4を選択する列デコーダ43とを備える。 - 特許庁
The device includes: a nonvolatile memory 44b including a data block area and a backup block area; a volatile memory 44a which stores an address pair constituted by associating the head address of a defective block with the head address of a backup block to be alternated for the defective block; and a control part 45 which accesses the backup block alternated for the defective block by referring the address pair.例文帳に追加
データブロック領域と予備ブロック領域とを備える不揮発性メモリ44bと、不良ブロックの先頭アドレスと当該不良ブロックを代替する予備ブロックの先頭アドレスとを対応させて構成されるアドレス対を記憶する揮発性メモリ44aと、アドレス対を参照することによって不良ブロックに代替された予備ブロックにアクセスする制御部45と、を備える。 - 特許庁
A management PC (Personal Computer) 10 reads the card ID, the terminal ID, and the ID permission flag from the NFC memory 363, determines whether or not the ID permission flag indicates permission and whether or not a combination between the card ID and the terminal ID is stored as a permitted combination, and writes, when stored, a management device permission flag of operation permission into the NFC memory 363.例文帳に追加
管理PC10は、NFCメモリ363からカードID、端末ID及びID許可フラグを読み取り、ID許可フラグが許可を示し且つカードID及び端末IDの組合せが、許可されている組合せとして記憶されているか否かを判別し、記憶されている場合に、NFCメモリ363に動作許可の管理装置許可フラグを書き込む。 - 特許庁
The storage device has a semiconductor film having two dopant regions, a gate electrode, and a memory cell including two wires each connected to the dopant regions on an insulating surface; and for the memory cell, two wires are insulated by applying voltage to at least any one of the gate electrode and two wires out of the gate electrode and two wires to deteriorate the semiconductor film.例文帳に追加
記憶装置は、絶縁表面上に、2つの不純物領域を有する半導体膜と、ゲート電極と、不純物領域にそれぞれ接続された2つの配線を含むメモリセルを有し、メモリセルは、ゲート電極と、2つの配線のうち少なくとも一方との間に電圧を印加して半導体膜を変質させることにより、2つの配線間が絶縁されていることを特徴とする。 - 特許庁
The selection voltage adjustment method of the ferroelectric storage device has a step for respectively detecting voltages V_0 to V_4 outputted via either one of a wordline 14 and a bit line 16 connected to a ferroelectric memory cell 18 when a plurality of inspection voltages V_+S0 to V_+S4 are successively applied to the ferroelectric memory cell 18 in a prescribed unit of voltage.例文帳に追加
強誘電体記憶装置の選択電圧調整方法は、強誘電体メモリセル18に所定電圧刻みで複数の検査電圧V_+S0〜V_+S4を順次印加した時に、その強誘電体メモリセルに接続されたワード線14及びビット線16のいずれか一方を介して出力される電圧V_0〜V_4をそれぞれ検出する工程を有する。 - 特許庁
The external memory 30 is equipped with an image memory section 34 which stores the image obtained when the object is observed from a plurality of azimuths, an image conversion section 35 which converts the image according to the relative azimuth, and an external communication section 31 which receives the relative azimuth information from the image display device 10B and transmits the image information meeting the relative azimuth information.例文帳に追加
また、外部記憶装置30は、オブジェクトを複数の方位から観察したときに得られる画像を記憶する画像記憶部34と、画像を相対方位に応じて変換させる画像変換部35と、画像表示装置10Bから相対方位情報を受信するとともに、該相対方位情報に応じた画像情報を送信する外部通信部31とを備える。 - 特許庁
This device has a storage part 106 for temporarily holding different types of codecs and a memory control part 107 which performs control for downloading a specific codec from the storage part to the DSP and gives an indication for downloading the specific codec to the DSP corresponding to a telephone terminal or telephone automatic exchange used for a voice call from a CPU part 102 to the memory control part 107.例文帳に追加
複数種類のCODECを一時的に保持する記憶部と、DSPに記憶部から所定のCODECをダウンロードさせるための制御を行うメモリ制御部とを有し、CPU部からメモリ制御部に、音声呼で用いる電話端末または電話自動交換機に対応するDSPへ所定のCODECをダウンロードさせるための指示を与える。 - 特許庁
A memory control device which accesses the memory module having a plurality of ranks includes: an interface part having a select signal line for a select signal for rank selection and an address signal line for an address signal indicating an address on a selected rank; and a control part which transmits the signal for rank selection through a part of an address signal line and the select signal line.例文帳に追加
複数のランクを有するメモリモジュールにアクセスするメモリ制御装置であって、ランクを選択するためのセレクト信号を介するセレクト信号線及び選択されたランク上のアドレスを示すアドレス信号を介するアドレス信号線を有するインターフェイス部と、前記アドレス信号線の一部及びセレクト信号線を介して前記ランクを選択する信号を送信する制御部とを備えた。 - 特許庁
The semiconductor device has a first insulating film 9 formed over a semiconductor substrate 1; a plurality of actual operating capacitors 10 formed on the first insulating film 9 in the memory cell region vertically and horizontally; dummy capacitors 10D formed selectively at four corners of the memory cell region; and a second insulating film 13 formed on the actual operating capacitors 10 and the dummy capacitors 10D.例文帳に追加
半導体基板1の上方に形成された第1絶縁膜9と、第1絶縁膜9上でメモリセル領域内に縦横に形成された複数の実動作キャパシタ10と、メモリセル領域の四隅において選択的に形成されたダミーキャパシタ10Dと、実動作キャパシタ10とダミーキャパシタ10Dの上に形成された第2絶縁膜13とを有する。 - 特許庁
The apparatus for preparing data comprises a memory 21 provided in a processor 20 for storing basic mounting data including component information on a plurality of components and component mounting related information, and a mounting data creating means 41 provided in a control unit 40 for preparing mounting data according to basic mounting data read from the memory 21 and mounting position data read from a CAD device 30.例文帳に追加
複数部品についての部品情報並びに部品実装関連情報を有する実装用基本データを記憶するメモリ21が処理装置20内に設けられ、このメモリ21から読み出される実装用基本データとCAD装置30から読み出される実装位置データとに応じて実装データを作成する実装データ作成手段41が制御ユニット40に設けられる。 - 特許庁
To provide an information recording device which improves efficiency, when recording data to a disk recording medium using a nonvolatile memory as a cache, in writing data recorded in the nonvolatile memory to the disk recording medium, prevents data errors as much as possible and keeps high reliability of data, and to provide a control method therefor.例文帳に追加
この発明は、ディスク状記録媒体に不揮発性メモリをキャッシュとしてデータの記録を行なう際、不揮発性メモリに記録されたデータをディスク状記録媒体に書き出す処理の効率化を図り、データエラーの発生を極力防止してデータの信頼性を高く保持し得るようにした情報記録装置及びその制御方法を提供することを目的としている。 - 特許庁
Therefore, in this device, efficiency of a memory chip is improved by dividing plural memory banks into input/output sense amplifier blocks, pairs of wide band input/output lines are crossed and addressing of a bank is made easy by arranging input/output line transmitting transistors and sense amplifier driving transistors alternately, then high speed operation margin can be improved.例文帳に追加
したがって、本発明では入出力センス増幅器ブロックに複数のメモリバンクを分割することによりメモリチップ能率を改善して、入出力ライン伝達トランジスタとセンス増幅器駆動トランジスタの配置領域を交互で配置することにより広域入出力ライン対を交差してバンクのアドレッシングを容易にして、高速動作マージンを改善することができる。 - 特許庁
To provide an image forming apparatus including a developing device employing a hybrid developing system, wherein a printing history on a developing roller causing an image memory is directly dissolved, and also, failures possibly arising when the image memory is dissolved, due to poor solid followability (besides, poor gradation reproducibility, poor thin-line reproducibility, poor graininess and image density unevenness) are suppressed.例文帳に追加
ハイブリッド現像方式の現像装置を備えた画像形成装置において、画像メモリの原因となる現像ローラ上の印字履歴を直接に解消しつつ、この画像メモリを解消した際に起こり得る、ベタ追随性不良(或いはこれに加えて階調再現性不良,細線再現性不良,粒状性不良,画像濃度ムラ不良)による不都合の発生を抑制する。 - 特許庁
A data save unit 3, which is a digital circuit for processing a data read request or write request to be transmitted from a CPU 2 to a first memory area 4, reads data from a storage device inside the data save unit 3 or the first memory area 4 and transmits the data to the CPU 2, when the CPU 2 requires to read data.例文帳に追加
データ退避装置3は、CPU2から第1のメモリ領域4に送られるデータの読み出し要求及び書き込み要求を処理するデジタル回路であり、CPU2からデータの読み出し要求があると、データ退避装置3は、当該データ退避装置3内部の記憶装置又は第1のメモリ領域4から該当するデータの読み出しを行い、そのデータをCPU2に送る。 - 特許庁
To provide a failure diagnostic device capable of eliminating capacitive waste as a storing part of failure information while suitably attaining both the improvement of reliability for storing the failure information and the reduction of a processing load required to write the failure information by positively utilizing different characteristics between a backup memory and a nonvolatile memory, and a failure diagnostic method.例文帳に追加
バックアップメモリと不揮発性メモリとの相異なる性質を積極的に利用して、故障情報の保持に対する信頼性の向上と故障情報の書き込みにかかる処理負荷の軽減との好適な両立を図りつつ、それら故障情報の格納部としての容量的な無駄を排除することのできる故障診断方法及び故障診断装置を提供する。 - 特許庁
The device comprises a facility data memory means that stores position information facility data including position information and presence information of battery charging equipment, and an energy supplying facility information providing means that provides the position information on the facilities with the battery charging equipment such as a battery stand based on the facility data stored in the facility data memory means.例文帳に追加
位置情報、及び電気自動車用のバッテリ充電設備の有無に関する情報を含んだ施設データを記憶する施設データ記憶手段と、その施設データ記憶手段に記憶された施設データに基づいて、バッテリ充電設備を有する施設(例えば、バッテリスタンド等)の位置情報をユーザーに提供するエネルギー供給施設情報提供手段とを装備する。 - 特許庁
The semiconductor device comprises a semiconductor substrate 1, a memory cell region and a peripheral circuit region provided on the semiconductor substrate 1, a gate electrode having a gate insulator 7 and a conductive layer 10 with a metal silicide upper portion on the memory cell region, and a gate electrode having the gate insulator 7 and the conductive layer 10 with a metal silicide upper portion on the peripheral circuit region.例文帳に追加
半導体基板1と、半導体基板1上に設けられたメモリセル領域および周辺回路領域と、メモリセル領域上にゲート絶縁膜7と上部が金属シリサイド化された導電層10とを有するゲート電極と、周辺回路領域上にゲート絶縁膜7と上部が金属シリサイド化された導電層10とを有するゲート電極とを備える。 - 特許庁
When reproducing the recorded sound signal, the signal level display control part 44 acquires the level of the reception signal stored in the memory 43 while being made to correspond to the sound signal to be reproduced and selects an image for signal level display based on the acquired level, from among images stored in an image memory 45 and causes a display device 60 to display the selected image.例文帳に追加
録音した音声信号を再生するときには、信号レベル表示制御部44は、再生する音声信号に対応付けられてメモリ43に記憶されている受信信号のレベルを取得して、その取得したレベルに基づいた信号レベル表示用の画像を画像メモリ45に記憶されている画像から選択して、選択した画像を表示装置60に表示させる。 - 特許庁
This image compression device consists of an image buffer memory, that cyclically stores digital image of a plurality of channels by each frame, a compression means hat selectively takes frame correlation of the images of a plurality of channels stored in this image buffer memory by each channel and a means that arranges the image compressed by this compression means and the in-frame compressed image as a series of groups.例文帳に追加
複数チャンネルのデジタル画像を巡回的にフレーム毎に記憶する画像バッファメモリと、この画像バッファメモリに記憶された複数チャンネルの画像を各チャンネル毎に選択的にフレーム相関を取り圧縮する圧縮手段と、この圧縮手段により圧縮された画像及びフレーム内圧縮された画像を一連のグループとしてまとめる手段とから成る。 - 特許庁
The interface control method for transferring data to be transferred to a communication partner in a data transfer device including a memory for storing data and a frame control part for creating and transmitting a frame containing the data to be transferred comprises: a frame transmitting step of creating and transmitting a frame having the data to be transferred read from the memory just before a check code part.例文帳に追加
データを記憶するメモリと、転送すべきデータを含むフレームを生成して送信するフレーム制御部とを有するデータ転送装置において、通信相手に前記転送すべきデータを転送するインタフェース制御方法であって、前記メモリから読み出された前記転送すべきデータをチェックコード部の直前に有するフレームを生成して送信するフレーム送信ステップを備える。 - 特許庁
The planar display device is provided with display pixels PX of a structure holding a light modulation layer between a pair of electrodes, pixel switches 11 for retrieving video signals, static memory parts 13 for holding the video signals applied to the display pixels PX from the pixel switches, and connection control parts 14 for controlling the electrical connections between the display pixels PX and the static memory parts 13.例文帳に追加
平面表示装置は一対の電極間に光変調層を挟持した構造の表示画素PXと、映像信号を取り込む画素スイッチ11と、画素スイッチから表示画素PXに印加される映像信号を保持するスタティックメモリ部13と、表示画素PXおよびスタティックメモリ部13間の電気的な接続を制御する接続制御部14とを備える。 - 特許庁
The resistance change memory device includes a number of memory cells, each having two transistors parallel connected between the first node and connection node and a variable resistance element at least in two different resistance states with its one end connected to the connection node, and arranged in a matrix consisting of a first axis and a second axis; and a number of bit lines BL.例文帳に追加
抵抗変化型メモリ装置は、第1ノードと接続ノードとの間に並列接続された2つのトランジスタと、一端を接続ノードと接続され且つ抵抗値が異なる少なくとも2つの状態を有する抵抗変化素子と、を各々が具備し、第1軸および第2軸からなる行列状に配置された複数のメモリセルMCと、複数のビット線BLと、を含んでいる。 - 特許庁
When a video signal from an interphone device 210 is input to an external input 119 during the automatic answering mode, the action management section 108 temporarily records the input video signal in a frame memory 107, and then makes an AV Codec 116 and the system control section 109 operate temporarily to move the video signal temporarily recorded in the frame memory 107 to an HDD 117.例文帳に追加
動作管理部108は、留守モード時に、外部入力119にインターホン装置210からの映像信号が入力されると、この入力された映像信号をフレームメモリ107に一時記録した後に、フレームメモリ107に一時記録された映像信号をHDD117に移動させるように、AVコーデック116及びシステム制御部109を一時的に動作させる。 - 特許庁
The acceptor terminal stores the identification information into a terminal information memory 17 in association with the identification information of the initiator terminal, the initiator terminal stores the identification information of the own Bluetooth communication device 13 transmitted together with the requests in association with the identification information of the acceptor terminal into a notified information memory 18.例文帳に追加
このとき、アクセプタ端末は、通信に同意したイニシエータ端末のBluetooth通信装置13の識別情報を、当該イニシエータ端末の識別情報と対応付けて端末情報メモリ17に記憶し、イニシエータ端末は、通信開始要求とともに送信した自身のBluetooth通信装置13の識別情報をアクセプタ端末の識別情報と対応付けて通知済情報メモリ18に記憶する。 - 特許庁
The photographic device having a function to shoot a plurality of photos and then composites them, to create the panoramic photograph has at least a means to monitor usage of the buffer memory temporary, used during composition of the plurality of photos and notify the information that indicate the usage of the buffer memory, when an image of the photo which is being on displayed a display is to be displayed.例文帳に追加
複数の写真を撮影し、前記複数の写真を合成してパノラマ写真を作成する機能を備える撮影装置において、前記複数の写真の合成時に一時的に使用するバッファメモリの使用状況を監視し、撮影中の写真の画像をディスプレイ上に表示する際に、前記バッファメモリの利用状況を示す情報を通知する手段を少なくとも備える。 - 特許庁
This device includes a memory array, a decoder circuit for asserting a decoding signal for selecting an access position in the memory cell array in response to an address signal supplied from the outside, and a circuit for setting the decoding signal of the decoder circuit in an asserted state irrespective of the value of the address signal in response to the assertion of a standby signal supplied from the outside.例文帳に追加
半導体記憶装置は、メモリセルアレイと、外部から供給されるアドレス信号に応答して、該メモリセルアレイ内のアクセス位置を選択するデコード信号をアサートするデコーダ回路と、外部から供給されるスタンバイ信号のアサートに応答して、該デコーダ回路の該デコード信号を該アドレス信号の値に関わらずにアサート状態にする回路を含むことを特徴とする。 - 特許庁
The imaging apparatus comprises a timing controller which sequentially fetches outputs presented by pixels of an infrared solid-state imaging device into the frame memory and sequentially switching fetching cycles to a preset value, and flicker defect pixels are detected in a predetermined cycle based on a difference between an integration pixel output integrating the frame memory over a plurality of cycles and an average value of all pixel outputs.例文帳に追加
赤外線固体撮像素子の各画素が呈する出力を順次フレームメモリに取り込み、その取り込み周期をあらかじめ設定した値に順次切り替えるタイミングコントローラを備えて、フレームメモリを複数に亘り積分した積分画素出力と全画素出力の平均値との差分に基づいて、点滅欠陥画素を所定の周期で検出するようにした。 - 特許庁
The semiconductor memory device includes a scrambler configured to output a control signal enabled when an address is an address for accessing a memory cell of a complementary bit line, a write selector configured to selectively transmit data of a write path in response to the control signal, and a read selector configured to selectively transmit data of a read path in response to the control signal.例文帳に追加
本発明に係る半導体メモリ装置は、アドレスが相補ビットラインのメモリセルにアクセスしようとするアドレスである場合、イネーブルされる制御信号を出力するスクランブル部と、前記制御信号に応じて書き込み経路のデータを選択的に伝送する書き込み選択部と、前記制御信号に応じて読み取り経路のデータを選択的に伝送する読み取り選択部とを備える。 - 特許庁
When the computing part 49 of a control device 7 determines the conveying positions and directions of products by use of process data stored in a process program memory 45, the conveying positions and directions of all of the products are determined in sequence as the conveying positions and directions of the leading products are sequentially stored in a product position memory 47, so that the minimum area is occupied.例文帳に追加
制御装置7の演算部49が加工プログラムメモリ45に記憶されている加工データを用いて製品Pの搬出位置および向きを決定する際に、先の製品Pに関する搬出位置および向きを順次製品位置メモリ47に記憶しながら最小の占有面積となるように全ての製品Pについて搬出位置および向きを次々に決定していく。 - 特許庁
A semiconductor test device 10 is provided with an address generator 13 generating a two-dimensional address given to a DUT 40, an address conversion part 16 converting the two-dimensional address A2 generated by the address generator 13 to one-dimensional address A4, and a collection memory controller 17 performing burst-transfer of fail data D3 output from a comparator 14 using an address A4 to a correction memory 18.例文帳に追加
半導体試験装置10は、DUT40に与える二次元アドレスを生成するアドレスジェネレータ13、アドレスジェネレータ13が生成した二次元のアドレスA2を一次元のアドレスA4に変換するアドレス変換部16、及びアドレスA4を用いてコンパレータ14から出力されるフェイルデータD3を収集メモリ18にバースト転送する収集メモリコントローラ17を備える。 - 特許庁
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