「PRINCIPAL」に関連した英語例文の一覧と使い方(59ページ目) - Weblio英語例文検索

The fixing device 38, having a first heat generating means 63 which uses a gas whose principal component is argon and a second heat generating means 64 which uses a gas whose principal component is xenon and the image forming apparatus provided with the fixing device 38 are provided.例文帳に追加

主成分がアルゴンである気体を用いた第１の発熱手段６３と、主成分がキセノンである気体を用いた第２の発熱手段６４とを有する定着装置３８およびこの定着装置３８を備えた画像形成装置。 - 特許庁

Concerning this SAW device, an exciting electrode 5 is formed on one principal face of a piezoelectric substrate 1 composed of a monocrystal and a protecting substrate 3 composed of a non-monocrystal is bonded through a glass layer 8 onto the other principal face.例文帳に追加

単結晶から成る圧電基板１上の一主面上に励振電極５を形成し、他主面上にガラス層８を介して非単結晶から成る保護基板３を接合させたことを特徴とする弾性表面波装置とする。 - 特許庁

There are used a 4H-SiC substrate 31 where the principal surface is composed of {0001} surfaces in general with off-angle α, and a trench formation device where the standard deviation is set up at σ in the variation of the angle settled by the trench side wall surface and the substrate principal surface in the wafer.例文帳に追加

主面が概ね｛０００１｝面であり、かつオフ角αを有する４Ｈ−ＳｉＣ基板３１と、トレンチ側壁面と基板主面とのなす角度のウェハ面内におけるばらつきの標準偏差がσとなるトレンチ形成装置を用いる。 - 特許庁

The wiring board 1 is provided with a principal plane-side connection terminal to be soldered to connection terminals of an IC chip on a principal plane 1A, and a rear face-side connection terminal 41 to be mechanically brought into contact with connection terminals of a mother board on a rear face 1B.例文帳に追加

配線基板１は、その主面１ＡでＩＣチップの接続端子とハンダ接続させる主面側接続端子３３と、裏面１Ｂでマザーボードの接続端子と機械的に接触接続させる裏面側接続端子４１とを備える。 - 特許庁

In the process monitoring method, a principal component is set based upon data acquired in manufacturing processes of a product, the square value MD2 of a Mahalanobis distance is calculated based upon the principal component, and the quality of the product is predicted based upon MD2.例文帳に追加

工程監視方法において、製品の製造工程において取得されたデータに基づいて主成分を設定し、この主成分に基づいてマハラノビス距離の二乗値ＭＤ２を算出し、ＭＤ２に基づいて製品の出来映えを予測する。 - 特許庁

The semiconductor layer growth substrate is one in which the principal surface for the growth of a GaN semiconductor layer thereon gives an X-ray reflectivity curve with a half-width not longer than 100 sec as measured by a grazing incidence X-ray reflectivity technique, and the principal surface has an atomically stepped structure.例文帳に追加

半導体層成長用基板は、ＧａＮ系半導体層を成長させるための主面の、Ｘ線反射率法によるＸ線反射率曲線の半値幅を１００秒以下とし、かつ、前記主面に、原子ステップ構造を形成した。 - 特許庁

The capacitor 10 is formed on the first principal surface of a plate-shaped substrate 50 and class 1 substrate-side terminals 7a and class-2 substrate-side terminals 7b which are separated from each other in DC sense are formed on the second principal surface of the substrate 50.例文帳に追加

薄膜コンデンサ１０は、板状基体５０の第一主表面上に形成され、該板状基体５０の第二主表面に、直流的に互いに分離された第一種基体側端子７ａと第二種基体側端子７ｂとが形成される。 - 特許庁

The lamp apparatus includes an LED board 13 having an LED 35 disposed on one principal surface of an LED board body 34 and a connector-receiving portion disposed on the other principal surface of the LED board body 34 and in a position away from the center position and electrically connected to the LED 35.例文帳に追加

ＬＥＤ基板本体34の一主面側にＬＥＤ35を配置し、ＬＥＤ基板本体34の他主面側でかつ中心位置からずれた位置にＬＥＤ35と電気的に接続したコネクタ受部を配置したＬＥＤ基板13を備える。 - 特許庁

The device has a structure where one end (broad width part 30b) of wire 30 composed of copper is bonded onto a pad (electrode pad) 11 formed on a principal surface (first principal surface) 10a of a semiconductor chip 10 possessed by the semiconductor device via a bump 31.例文帳に追加

半導体装置が有する半導体チップ１０の主面（第１主面）１０ａ上に形成されるパッド（電極パッド）１１上に、銅製のワイヤ３０の一方の端部（幅広部３０ｂ）を、バンプ３１を介して接合した構造とする。 - 特許庁

The nitride semiconductor laser element 100 (nitride semiconductor chip) includes a GaN substrate 10 having a principal growth plane 10a, and respective nitride semiconductor layers 12-18 formed on the principal growth plane 10a of the GaN substrate 10.例文帳に追加

この窒化物半導体レーザ素子１００（窒化物半導体素子）は、成長主面１０ａを有するＧａＮ基板１０と、このＧａＮ基板１０の成長主面１０ａ上に形成された窒化物半導体各層１２〜１８とを備えている。 - 特許庁

A nitride semiconductor laser chip 100 (nitride semiconductor chip) includes: a GaN substrate 10 having a principal growth plane 10a; and individual nitride semiconductor layers 11 to 18 formed on the principal growth plane 10a of the GaN substrate 10.例文帳に追加

この窒化物半導体レーザ素子１００（窒化物半導体素子）は、成長主面１０ａを有するＧａＮ基板１０と、このＧａＮ基板１０の成長主面１０ａ上に形成された窒化物半導体各層１１〜１８とを備えている。 - 特許庁

In this method of producing bread by using cereal powder such as wheat flour as a principal raw material, the premix for bread or the quality improving composition which features comprising both of pectin composed of galacturonic acid as a principal ingredient and soybean polysaccharides is formulated.例文帳に追加

小麦粉等の穀類粉末を主原料とするパン類の製造法においてガラクツロン酸を主成分とするペクチン、及び大豆多糖類を共に含むことを特徴とするパン用プレミックスまたは品質改良組成物を添加混合する。 - 特許庁

To improve the operability by automatically inputting information to an input request of information on a principal after authenticating the principal by organismic information in an automatic input method of information by organismic authentication.例文帳に追加

生体認証による情報の自動入力方法に関し，生体情報による本人認証後は，その本人に関する情報の入力要求に対して情報を自動入力することにより，操作性を向上させることを目的とする。 - 特許庁

A display medium 100 is equipped with a sheet 12 which has a first principal surface 12a and a second principal surface 12b which oppose to each other and has a first region R1 for displaying information statically and a second region R2 for displaying information dynamically.例文帳に追加

表示媒体１００は、互いに対向する第１主面１２ａおよび第２主面１２ｂとを有するシート１２を備え、情報を静的に表示する第１領域Ｒ１と、情報を動的に表示する第２領域Ｒ２とを有する。 - 特許庁

Flatness of the principal surface of the thermoplastic substrate 3 and the thin film 2 transferred to the principal surface can be made satisfactory, and the film 2 having a property being sufficient for the thermoplastic substrate 3 of which the heat resistance is low.例文帳に追加

熱可塑性基板３の主面、およびその主面に転写された薄膜２の平坦性を良好にすることができ、耐熱性の低い熱可塑性基板３に対しても充分な特性を有する薄膜２を形成することができる。 - 特許庁

This ion implantation group III nitride semiconductor substrate 20 includes an ion implantation region 20i which resides at one principal plane 20m side and is formed by a predetermined depth D from the principal plane 20, and has a thickness T of 500 μm or larger.例文帳に追加

本イオン注入ＩＩＩ族窒化物半導体基板２０は、一方の主面２０ｍ側であって主面２０から所定の深さＤで形成されているイオン注入領域２０ｉを含み、５００μｍ以上の厚さＴを有する。 - 特許庁

A compound semiconductor light-emitting unit U provided with a plurality of compound semiconductor layers on a pair of principal surfaces and an electrode pad E2 electrically conductive with a surface electrode 281 on one principal surface 11 are juxtaposed on a support substrate S.例文帳に追加

一対の主表面間に複数の化合物半導体層を備える化合物半導体発光ユニットＵと、一方の主表面１１上の表面電極２８１と電気的に導通する電極パッドＥ２を支持基板Ｓ上に並設する。 - 特許庁

The principal optical system singly becomes a Gauss type large-aperture standard lens having sharp image-forming performance, but spherical aberration is increased by arranging the compound aspherical lens in the principal optical system, whereby the soft focus lens capable of realizing soft focus depiction is constituted.例文帳に追加

主光学系単独では、シャープな結像性能を有するガウスタイプの大口径標準レンズとなるが、この主光学系内に複合非球面レンズを配置すると球面収差が増大し、軟焦点描写が可能なソフトフォーカスレンズが構成される。 - 特許庁

the principal place of business in India of the applicant as disclosed in the application or, in the case of joint applicants, the principal place of business in India of the applicant whose name is first mentioned例文帳に追加

出願人の願書に開示された当該出願人のインドにおける主営業所，又は共同出願人の場合は営業所を有する者として名称が願書に最初に記載されている出願人のインドにおける主営業所の所在地 - 特許庁

Every application for registration of a trade mark shall state the principal place of business in India, if any, of the applicant or in the case of joint applicants, of such of the joint applicants as have a principal place of business in India.例文帳に追加

各商標登録願書には，出願人がインドにおける主営業所を有する場合はその営業所を，又は共同出願人の場合はインドにおける主営業所を有する共同出願人の営業所を記載しなければならない。 - 特許庁

Then, the principal authentication device 10, on the basis of relevant user identification information input to the input screen, extracts a user who has the predetermined relation with the relevant user as an authentication user candidate of a user as the object of principal authentication.例文帳に追加

そして、本人認証装置１０は、入力画面に入力された関係ユーザ識別情報に基づいて、当該関係ユーザと所定の関係を有するユーザを本人認証の対象となるユーザの認証ユーザ候補として抽出する。 - 特許庁

The light source body is constructed with an insulating substrate 8 of which the principal surface is disposed in a direction vertical to the end face of the light guide plate, a plurality of light emitting diode modules 7 aligned and implemented on a principal surface of the insulating substrate 8, and a heat sink substrate 10.例文帳に追加

光源体は、その主面が前記導光板の端面に直交方向に配置された絶縁基板８と、該絶縁基板８の一方主面に複数配列実装された発光ダイオードモジュール７と、ヒートシンク基板１０とからなる。 - 特許庁

The skin layer material 2, in which a polymerization part is formed by folding a principal part skin layer piece 11 and each end portion on the outside from the seam of a side part skin layer piece 12 in the side of the principal part skin layer piece 11 and a decoration stitch 10 is formed in the polymerization part, is obtained.例文帳に追加

主部表皮片１１及び側部表皮片１２の縫目よりも外側のそれぞれの端部を、主部表皮片１１の側へ折り畳んで重合部を形成し、その重合部に装飾ステッチ１０を形成した表皮材２を得た。 - 特許庁

To provide an IC card, a register device and a service providing system that ensure sharing of a principal authentication function in the IC card among a plurality of services and permit a service user's own selection of a plurality of principal authentication methods to a degree keeping safety intact.例文帳に追加

複数のサービスから、ＩＣカード内の本人認証機能を共有し、サービス利用者自身が複数の本人認証方法を、安全性を損なわない範囲で選択できるＩＣカード、登録装置、及びサービス提供システムを提供する。 - 特許庁

The GaN substrate has the principal surface, and a vector AB corresponding to [0001] plane orientation with respect to the normal vector of the principal surface is inclined to the direction of a vector AD inclined at two different off-axis angles θ1 and θ2.例文帳に追加

ＧａＮ基板は、主表面を有するＧａＮ基板であって、主表面の法線ベクトルに対し、面方位［０００１］に対応するベクトルＡＢを、互いに異なる２つのオフ角θ１およびθ２だけ傾斜させたベクトルＡＤの方向に傾斜させる。 - 特許庁

The cutter 32 mounted on a rotary shaft by a screw is constituted of a substantially circular-shaped principal part 33 and a projected part 34 having a cutting edge tip 35 extended in a radial direction from the principal part 33 and displaced in an axis direction.例文帳に追加

ねじにより回転軸に取付けるカッター３２はほぼ円形の主要部分３３と、該主要部分から半径方向に延伸させると共に軸線方向に変位させた刃先３５を有する突出部分３４とから構成されている。 - 特許庁

In the signal recording layer, a first information signal is read out by luminous flux made incident nearly vertically to the principal surface part of the base body and a second information signal is read out by luminous flux made incident to be nearly parallel to the principal surface part of the base body.例文帳に追加

信号記録層は、基体の主面部に略々垂直に入射される光束によって第１の情報信号を読出され、基体の主面部に略々平行に入射される光束によって第２の情報信号を読出される。 - 特許庁

When the position PO1 of an exit pupil is changed to a photographic lens side by ΔPO by a focusing operation, the incident position on an imaging surface 5a of a principal ray 40, having a principal ray angle γ, is moved in the radial direction and receding from an optical axis J by Δx1.例文帳に追加

フォーカス動作によって射出瞳位置PO1が撮影レンズ側へΔPOだけ変化すると、主光線角γの主光線４０の撮像面５ａ上における入射位置は放射方向に移動して、Δx1だけ光軸Ｊから遠ざかる。 - 特許庁

A principal correction value for correcting the thrust ripple is calculated by a principal correction value calculation means 103, on the basis of the error component at the correction by the first preliminary correction value and the error component at the correction by the second preliminary correction value.例文帳に追加

そして、本補正値算出手段１０３により、第１の仮補正値による補正時における誤差成分、および第２の仮補正値による補正時における誤差成分に基づいて、推力リップルを補正するための本補正値を算出する。 - 特許庁

Further, the control means 7 revises the sensitivity and the exposure time of the imaging element in the operating state of the image blurring correction means when a difference between the luminance of a principal object and the luminance of a bright part other than the principal object obtained by a photometry means 6 is a prescribed value or below.例文帳に追加

また、振れ補正手段の作動時であり、かつ測光手段６により得られた主被写体の輝度と主被写体以外の明部の輝度との差が所定値以下であるときに撮像素子の感度と露光時間とを変更する。 - 特許庁

The n-type GaN semiconductor region 17, the active layer 19, and the p-type GaN semiconductor region 21 are mounted to a principal surface 13a, and disposed in a direction of a predetermined axis Ax orthogonal to the principal surface 13a.例文帳に追加

ｎ型ＧａＮ系半導体領域１７、活性層１９及びｐ型ＧａＮ系半導体領域２１は、主面１３ａ上に搭載されており、また主面１３ａに直交する所定の軸Ａｘの方向に配置されている。 - 特許庁

A channel layer 4 is grown from a principal surface of a substrate 2 having a nonpolar surface as the principal surface and an electron confinement layer 5 is further grown on the channel layer 4 to form a nitride semiconductor stack structure portion 3 on one surface side of the substrate 2.例文帳に追加

非極性面を主面とする基板２の主面からチャネル層４を成長させ、このチャネル層４上にさらに電子閉じ込め層５を成長させることによって、基板２の一方側に窒化物半導体積層構造部３を形成する。 - 特許庁

Thus, the principal authentication is made possible even when a photography environment or communication environment is bad and the person is not identified as a principal by one authentication system, so that the personal identification device easier for a user to use can be provided.例文帳に追加

よって、撮影環境または通信環境が悪く、一方の認証方式によって本人と特定されない場合であっても本人と認証することが可能になり、使用者が利用しやすい個人識別装置を提供することが可能になる。 - 特許庁

This micro-heater 1 is mainly composed of: a glass substrate 11 having a pair of principal surfaces 11a and 11b; and a cross-sectionally nearly-U-shaped silicon member 12 embedded to be exposed from the pair of principal surfaces 11a and 11b of the glass substrate 11.例文帳に追加

マイクロヒータ１は、一対の主面１１ａ，１１ｂを有するガラス基板１１と、このガラス基板１１の一対の主面１１ａ，１１ｂで露出するように埋め込まれた断面略Ｕ字形状のシリコン部材１２とから主に構成されている。 - 特許庁

In such a case, the luminance of the pixel included in the subject area at a foreground part of a principal subject is decreased and the luminance of the pixel included in the subject area at a background part of the principal subject is increased, so as to improve luminance saturation at the foreground part and pitch-black at the background part.例文帳に追加

その際、主たる被写体の前景部分の被写体エリアに含まれる画素の輝度を下げ、主たる被写体の背景部分の被写体エリアに含まれる画素の輝度を上げ、前景部分の白飛びや背景部分の黒つぶれを改善する。 - 特許庁

The silicon carbide substrate 10 having a principal face comprises an SiC single crystal substrate 1 formed at least partially on the principal face, and a base member 20 arranged to surround the periphery of the SiC single crystal substrate 1.例文帳に追加

炭化珪素基板１０は、主表面を有する炭化珪素基板１０であって、主表面の少なくとも一部に形成されたＳｉＣ単結晶基板１と、ＳｉＣ単結晶基板１の周囲を囲むように配置されたベース部材２０とを備える。 - 特許庁

First to fourth polarizers 37 to 40 supported by a transparent glass plate 43 and upper reflecting mirrors 41 and 42 are provided above an upper principal surface of the PEM element, and a lower reflecting mirror 44 supported by a support plate 45 is provided below a lower principal surface.例文帳に追加

ＰＥＭ素子の上側主面の上方には、透明ガラス板４３に支持された第１〜第４偏光子３７〜４０と上側４１，４２が設けられ、下側主面の下方には、支持板４５に支持された下側反射ミラー４４が設けられる。 - 特許庁

This range-finding device is equipped with a sensor for detecting a subject image signal and a control part (CPU) recognizing a person's head, for example, out of the subject image signal, deciding the principal subject and controlling so that range-finding is performed to the principal subject.例文帳に追加

この測距装置は、被写体像信号を検出するセンサと、この被写体像信号の中から例えば人物の頭部を認識し主要被写体を判定してこの主要被写体に測距を行なうように制御する制御部(ＣＰＵ)とを備える。 - 特許庁

The developing roller has an electroconductive shaft and a resin layer provided around the shaft, the resin layer comprises a surface layer containing silicone copolymer resin as the principal component and a layer containing resin-silica hybrid composite as a principal component provided directly under the surface layer.例文帳に追加

導電性シャフトの周りに樹脂層を有する現像ローラで、該樹脂層がシリコーン共重合体樹脂を主成分として含有する表面層と、表面層の直下に樹脂−シリカハイブリッド体を主成分として含有する層とを有する。 - 特許庁

He moved to 'Chienkan school' (the principal was a missionary named Guido Herman Fridolin VERBEEK), which was a Saga Domain school to learn Western studies in English, remodelled the residence of the feudal retainer of the Isahaya clan Yamamoto family in Goto Town, Nagasaki, and served along with Taneomi SOEJIMA with the same rank of vice-principal. 例文帳に追加

そして慶応元年（1865年）、佐賀藩が長崎の五島町にあった諌早藩士山本家屋敷を改造した佐賀藩校英学塾「致遠館」（校長：宣教師グイド・フルベッキ）にて、副島種臣と共に教頭格となって指導に当たった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

(4) The provision of paragraph (1) shall not preclude the Principal Bank from exercising its right to obtain reimbursement from the Bank Agent, and the provision of the preceding paragraph shall not preclude the Principal Bank Agent from exercising his/her right to obtain reimbursement from the Entrusted Bank Sub-Agent. 例文帳に追加

４　第一項の規定は所属銀行から銀行代理業者に対する求償権の行使を妨げず、また、前項の規定は銀行代理業再委託者から銀行代理業再受託者に対する求償権の行使を妨げない。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

The polarizing plate protective film has a resin layer containing a polyester resin as a principal component and having an equilibrium moisture content of 0.5 to 5% and has at least one outermost layer containing hydrophobic cellulose ester as a principal component.例文帳に追加

ポリエステル樹脂を主成分として含有し、平衡含水率が０．５％〜５％である樹脂層を有し、且つ、疎水性セルロースエステルを主成分として含有する少なくとも一つの最外層を有することを特徴とする偏光板保護フィルム。 - 特許庁

A laser diode 10 comprises a semiconductor laminate structure 14 provided on the principal surface 12a of a semiconductor substrate 12 and including an optical resonator extending along the principal surface 12a, and an anode electrode 16 provided on the semiconductor laminate structure 14.例文帳に追加

レーザダイオード１０は、半導体基板１２の主面１２ａ上に設けられ、該主面１２ａに沿って延びる光共振器を含む半導体積層構造１４と、半導体積層構造１４の上に設けられたアノード電極１６とを備える。 - 特許庁

The electrode is formed to the surface of the piezoelectric substrate with an electrode material of an alloy, the principal component of which is copper and in which molybdenum is added thereto or an alloy the principal component of which is copper and in which molybdenum and aluminum are added thereto.例文帳に追加

上記目的を達成するために、本発明では、圧電基板の表面に、銅を主成分としてモリブデンを添加した合金、あるいは銅を主成分とし、モリブデンとアルミニウムとを添加した合金を電極材料として電極を形成する。 - 特許庁

This ion conductive solid electrolyte contains an organic polymer, and the organic polymer has a repeating unit made of an origoethylene oxide chain as a principal chain, and a combination molecule bonded to the principal chain.例文帳に追加

有機ポリマーを含むイオン伝導性固体電解質であって、前記有機ポリマーは主鎖にオリゴエチレンオキシド鎖と該オリゴエチレンオキシド鎖に結合した連結分子とからなる繰り返し単位を有することを特徴とするイオン伝導性固体電解質。 - 特許庁