「Phase 2」に関連した英語例文の一覧と使い方(63ページ目) - Weblio英語例文検索

Four electrodes, namely, the first electrode 1, the second electrode 2, the third electrode 3 and the fourth electrode 4, are arranged in due order at every 90 degree around the nonpolar molecule 5, and an inphase alternating voltage is applied to the first electrode 1 and the third electrode 3, and an alternating voltage in the opposite phase to the alternating voltage is applied to the second electrode 2 and the fourth electrode 4.例文帳に追加

非極性分子５の周囲に、９０度ごとに第１の電極１，第２の電極２，第３の電極３，第４の電極４の４つの電極を順に配置し、第１の電極１と第３の電極３に同位相の交流電圧を印加し、この交流電圧とは逆位相の交流電圧を第２の電極２と第４の電極４に印加する。 - 特許庁

The silicon carbide porous body 10 contains silicon carbide particles 1 as an aggregate and metallic silicon particles 2 as a binder bonding the silicon carbide particles 1 together, where fine pores 4 are formed among the silicon carbide particles 1 and at least a part of the surface of each metallic silicon particle 2 is coated with a phase 3 containing silicon and carbon.例文帳に追加

炭化珪素質多孔体１０は、骨材としての炭化珪素粒子１と、その炭化珪素粒子１どうしを結合する結合材としての金属珪素粒子２と、を含み、炭化珪素粒子１の間に細孔４が形成されてなるものであり、結合材である金属珪素粒子２の表面の少なくとも一部が、珪素と炭素とを含む相３で覆われている。 - 特許庁

In the power conversion equipment, which converts input power into a three-phase AC by a PWM inverter 2, a controller 5, which controls the PWM inverter 2, includes a carrier frequency changer 10, which temporally changes the frequency of carrier waves in PWM control discretely and periodically, and a carrier output part 11, which outputs carriers to PWM comparators 8a, 8b, and 8c.例文帳に追加

ＰＷＭインバータ２により入力電力を三相交流に変換する電力変換装置において、ＰＷＭインバータ２を制御する制御装置５は、ＰＷＭ制御の搬送波の周波数を、離散的かつ周期的に時間変化させるキャリア周波数変化部１０と、キャリアをＰＷＭ比較部８ａ，８ｂ，８ｃへ出力するキャリア出力部１１とを備える。 - 特許庁

The organic matter-containing liquid S is made to continuously flow into an anaerobic digestion tank 1 in which microorganism carriers 2 to which the methane fermentation microorganism group 3 adhere are immobilized, and the hydraulic retention time of the organic matter-containing liquid S in the digestion tank 1 is adjusted so that a growth rate of the methane fermentation microorganism group 3 in the liquid phase S is larger than that on the carrier 2.例文帳に追加

メタン発酵微生物群３の付着する微生物担体２が固定された嫌気性消化槽１内に有機物含有液Ｓを連続流入させ、消化槽１内の有機物含有液Ｓの水理学的滞留時間をメタン発酵微生物群３の液相Ｓ中における増殖速度が担体２上における増殖速度より大きくなるように調整する。 - 特許庁

This anti-fogging film is formed by removing one-dimensionally grown columnar phases 2 from a composite film 4 consisting of a great number of the columnar phases 2 and a matrix phase 3 surrounding the columnar phases on a substrate 1 and has a great number of one-dimensionally penetrated pores enclosed by walls continuous from one surface of the film to the other surface and ≤30° contact angle to water.例文帳に追加

基体１上に一次元的に成長した多数の柱状相２と、それを取り囲むマトリックス相３とからなる複合膜４中の、柱状相２を除去することにより形成され、膜の一方の表面から他方の表面まで連続する壁で取り囲まれた一次元的に貫通する多数の気孔を有し、水に対する接触角が３０°以下である、防曇膜５。 - 特許庁

This method for producing the 4-methyl-5-formylthiazole expressed by general formula (2) comprises reacting 4-methyl-5-(2-hydroxyethyl)thiazole expressed by general formula (1) with at least one kind of oxidizing agent selected from chromium oxide (CrO_3) and an inorganic bichromate salt in the presence of an acid in a two-phase system composed of water and an organic solvent.例文帳に追加

本発明が提供しようとする下記一般式（２）で表される４−メチル−５−ホルミルチアゾールの製造方法は、下記一般式（１）で表される４−メチル−５−（２−ヒドロキシエチル）チアゾールと、酸化クロム（ＣｒＯ_３）又は無機重クロム酸塩から選ばれる少なくとも１種以上の酸化剤とを、酸の存在下に水と有機溶媒からなる２相系で反応させることを特徴とする。 - 特許庁

In the method for producing the decahydronaphthalen-2-one-based compound by dehydrogenating a decahydronaphthalen-2-ol-based compound in the presence of at least one kind of a catalyst selected from the group consisting of a copper-based catalyst and a Raney-type catalyst in a liquid phase, the dehydrogenation reaction is carried out in the presence of an inert solvent while continuously or intermittently extracting evolved hydrogen.例文帳に追加

デカヒドロナフタレン−２−オール系化合物を銅系触媒およびラネー系触媒よりなる群から選ばれる少なくとも１種の触媒の存在下、液相で脱水素化反応してデカヒドロナフタレン−２−オン系化合物を製造するに際し、該反応を不活性溶媒の存在下、発生した水素を連続的に又は間欠的に抜き出しながら脱水素化反応を行う。 - 特許庁

A diffraction grating 2 forming sub-beams used in tracking control besides main beams used in reading of signals of a disk is formed in the 1/4 wavelength plate 3, the 1/4 wavelength plate 3 is set in the direction having an action that the phase difference of 1/4 wavelength is generated to the emitting beams by adjusting the grating direction of the diffraction grating 2.例文帳に追加

ディスクの信号読み出しに使用するメインビームの他にトラッキング制御に使用するサブビームを形成する回折格子２を１／４波長板３に形成し、その回折格子２の格子方向を調整することにより前記１／４波長板３が出射ビームに対して１／４波長の位相差を生じさせる作用を有する方向に設定されるようにしている。 - 特許庁

The continuous casting method of molten metal is characterized in that a temperature of molten metal 2 at a central part of a depth beneath the surface of molten metal in the continuous casting mold 1 is made higher by 5°C or more than a liquid-phase line temperature and a forced fluidity of molten metal 2 along a solid-liquid interface is provided in the continuous casting mold.例文帳に追加

溶融金属の連続鋳造方法であって、連続鋳造鋳型１内の溶融金属表面直下の厚み中央部における溶融金属２の温度を液相線温度＋５℃以上とし、連続鋳造鋳型内において固液界面に沿った溶融金属２の強制流動を起こさせることを特徴とする溶融金属の連続鋳造方法。 - 特許庁

In order to support a preselected resonant mode, a series of concentric rings 18 are formed in the blocking layers 16, 19 surrounding the resonant cavity 2 so as to provide a Bragg structure which reflects light from the cavity with a phase characteristic that supports the preselected transverse resonant mode.例文帳に追加

予め選んだ共振モードを支持するために、一連の同心円状リング１８が共振空洞２を取囲んでいる阻止層１６，１９内に形成されて、予め選んだ横共振モードを支持するような位相特性をもつ空洞からの光を反射するBragg構造を呈するようにしている。 - 特許庁

A phase converting mechanism 4 has a joint plate 6 joined to a housing 5 via a plurality of bolts 7, the electric motor 12 to which an electric current is carried via the brushes 23a and 23b, and a reduction gear 8 for transmitting reciprocal torque of the electric motor to a camshaft 2 by reducing a speed.例文帳に追加

位相変換機構４は、ハウジング５に複数のボルト７を介して結合された継手板６と、ブラシ２３ａ、２３ｂを介して通電される電動モータ１２と、該電動モータの正逆回転力を減速してカムシャフト２に伝達する減速機８と、を備えている。 - 特許庁

Adhesive force between the support body and the stimulable phosphor layer is 2-100MPa, in this radiographic image conversion panel formed with the stimulable phosphor layer on the support body by a vapor deposition method (vapor phase method), and provided with the protection layer on the stimulable phosphor layer.例文帳に追加

支持体４上に輝尽性蛍光体層を気相堆積法（気相法）により形成し、該輝尽性蛍光体層上に保護層を設けた放射線画像変換パネルにおいて、支持体と輝尽性蛍光体層間の付着力が２〜１００ＭＰａであることを特徴とする。 - 特許庁

At the end of the second phase, a detect means 2 for detecting a code of over-voltage in one terminal Vy of an induction coil connected to the switch and supplying the detected signal to be kept in a high state and a low state according to the detected code of over-voltage.例文帳に追加

第２フェーズの終わりに、スイッチに接続された誘導コイルの一方の端子Ｖｙでの過電圧の符号を検出し、検出された過電圧の符号に応じてハイ状態またはロー状態に保たれる検出信号を供給する検出手段２が設けられる。 - 特許庁

The clock modulation device includes a delay circuitry 2 being formed with series coupled delay buffers DB0-DB30 outputting pulses being delayed for each phase delay time τ responding to input pules, and a selection circuitry 4 that sequentially selects the output pulses from the delay buffers DB0-DB30.例文帳に追加

入力パルスに対してそれぞれ位相遅延時間τだけ遅れて出力パルスを出力するディレイバッファＤＢ０〜ＤＢ３０が直列に接続された遅延回路２と、各ディレイバッファＤＢ０〜ＤＢ３０から出力される出力パルスを順次選択する選択回路４とを備えている。 - 特許庁

The reducible gas sensor has an alumina substrate 1, a YSZ thin film 2 being the oxide ion conductor precipitated on the alumina substrate 1 by a liquid phase precipitation method, the detection electrode 4 and reference electrode 3 respectively joined to the YSZ thin film and the glass like material 5 covering the reference electrode 3.例文帳に追加

アルミナ基板１と、液相析出法により前記アルミナ基板１に析出した酸化物イオン伝導体であるＹＳＺ薄膜２と、前記ＹＳＺ薄膜２にそれぞれ接合された検知極４及び基準極３と、前記基準極３を被覆するガラス状材料５と、を有する。 - 特許庁

This circuit detects a clock CLK-1 before changing with a changed clock CLK-2 being faster than the clock CLK-1 before changing and compares a timing signal TIM of a fixed cycle generated from a self-operating counter with the changed clock with a phase comparison signal COMP being clock detection results.例文帳に追加

乗換前のクロックＣＬＫ＿１を乗換前より高速な乗換後のクロックＣＬＫ＿２で検出し、乗換後のクロックで自走するカウンタから発生する一定周期のタイミング信号ＴＩＭと前記クロック検出結果である位相比較信号ＣＯＭＰと比較させる。 - 特許庁

An MOS transistor 5 which operates as a switch for switching over gain and phase compensation by inputting a gain switching signal 53 is arranged, via a feedback resistor 4, between an input side of an inversion amplification circuit 1 and an output side of a buffer circuit 2 arranged on an output side of the circuit 1.例文帳に追加

利得切替信号５３を入力して利得および位相補償切り替えのためのスイッチとして動作し帰還抵抗４を介し反転増幅回路１の入力側とこの反転増幅回路１の出力側に有するバッファ回路２の出力側との間にＭＯＳトランジスタ５を設ける。 - 特許庁

Four conductors 21, 22, 23 and 24 are wound around the side surface of a cylindrical dielectric 1, and a four-wire helical antenna 2 is formed by connecting a power feeder circuit for feeding high frequency power to the four conductors 21 to 24 so as to make phase to be sequentially different 90°.例文帳に追加

円筒状誘電体１の側面に４本の導体２１、２２、２３、２４が巻き付けられ、その４本の導体２１〜２４に位相が順次９０°ずつ異なるように高周波電力を給電する給電回路が接続されることにより４線ヘリカルアンテナ２が形成されている。 - 特許庁

In a crystal semiconductor substrate 1, on which a thin film 2 made of constituting elements different from those of the semiconductor which is provided with grid-shaped grooves 3 in which the surface of the substrate 1 is exposed, is formed, semiconductor net-shaped films 4 are selectively grown in the grooves by gas phase epitaxial method.例文帳に追加

結晶半導体基体１にこの半導体とは異なる構成元素からなり、かつ前記基体表面が露出する格子状の溝３を有する薄膜２が形成されている基板の、前記溝内に選択的に半導体網状膜４を気相エピタキシャル法で成長させる。 - 特許庁

A hydrogen buffer tank 2 and a hydrogen storage tank 1 for storing hydrogen in gas phase are connected in parallel by a three-way pipe 8a and supply hydrogen to the negative electrode 31 of a fuel-cell stack 3 from the three-way pipe 8a via a selector-valve-equipped regulator 10 and a flow controller 7.例文帳に追加

気相の水素を貯蔵する水素バッファタンク２と水素吸蔵タンク１とは、三方管８ａにより並列接続され、三方管８ａから開閉弁付レギュレータ１０及び流量コントローラ７を介して、燃料電池スタック３の負極３１へ水素を供給する。 - 特許庁

Two neutral particle beams 14 generated by a neutral particle beam source 1 are radiated in the predetermined angle to a substrate 3 to generate a crystal core controlling the crystal alignment, and the substrate 3 is also heated with a heating apparatus 2 to realize solid-phase epitaxial growth of this crystal core.例文帳に追加

中性粒子ビーム源１により発生させた２つの中性粒子ビーム１４を、基板３に対し所定の角度から照射して結晶方位を制御しながら結晶核を発生させ、基板３を加熱装置２により加熱して、この結晶核を固相エピタキシャル成長させる。 - 特許庁

Phase of the intake valve is changed in same direction in both of the first region between the most retarded angle and CA(1) and the second region between CA(2) and the most advanced angle as far as relative rotation directions of the output shaft of the electric motor and the sprocket is same.例文帳に追加

電動モータの出力軸とスプロケットとの相対的な回転方向が同じである限り、最遅角とＣＡ（１）との間の第１の領域およびＣＡ（２）と最進角との間の第２の領域の両方の領域において同じ方向にインテークバルブの位相が変化される。 - 特許庁

Two unidirectional rotary gates 2, 6 rotating always with the phase difference of 90° from each other are adjacently arranged in parallel with a passage of users to provide a two-wheeler gate with a function of a so-called unidirectional revolving door (reverse advance and a plurality of passing can be completely prevented).例文帳に追加

互いに常に９０度の位相差を持って回転する２台の一方向回転ゲート２、６を利用者の通路と平行に２台隣接して配置させ、いわゆる一方向回転扉（逆進や複数通過を完全に防止できる）の機能を二輪車用ゲートに持たせた。 - 特許庁

The method for producing the group III nitride crystal substrate involves a step to grow a group III nitride crystal 2 by a liquid phase method on the recessed and projected surface of a ground substrate 1 having at least a group III nitride crystal layer 1a on which the recessed and projected surface is formed.例文帳に追加

凹凸表面が形成されたＩＩＩ族窒化物結晶層１ａを少なくとも有する下地基板１を準備し、下地基板１の凹凸表面上に液相法によりＩＩＩ族窒化物結晶２を成長させる工程を含むＩＩＩ族窒化物結晶基板の製造方法。 - 特許庁

A substrate 1 that is a solid solution phase consisting of a transition metal oxide and a nonreducible metal oxide is heated up in a methane gas and then the transition metal oxide is reduced and the transition metal is formed on the surface of the substrate and then the carbon nanofibers 2 are precipitated from this transition metal.例文帳に追加

遷移金属の酸化物および難還元性金属酸化物との固溶体相からなる基体１をメタンガス中で加熱することで、前記遷移金属の酸化物を還元し、前記基体表面に遷移金属を形成すると共に、この遷移金属からカーボンナノファイバー２を析出させる。 - 特許庁

The method includes using an autoregression model to update each of coefficients of a plurality of parameters from a CEDB (Channel Estimate DataBase), i.e., the complex channel amplitude (parameter 1), the phase offset (parameter 2), and the noise power (parameter 3), and using these coefficients and received OFDM symbols for channel estimation to track transmission path variation.例文帳に追加

ＣＥＤＢ（チャネル推定データベース）からの複数のパラメータ、複素チャネル振幅（パラメータ１）、位相オフセット（パラメータ２）、雑音電力（パラメータ３）の各係数を、自己回帰モデルにより更新を行い、この係数と受信ＯＦＤＭシンボルから、チャネル推定を行ない、伝送路変動のトラッキングを行なう。 - 特許庁

The second drum 5 is freely rotatable, and its rotation speed is irregular owing to slipping occurring between it and the wheel 3, thereby providing wide-range changes in the rotational phase difference with the first drum 4, and hence, reproducing an actual road surface travel condition with vibrations over a wide frequency range added in the vehicle 2.例文帳に追加

第２ドラム５はフリー回転自在で、また車輪３との間に生じる滑りによってその回転速度は不定となるので、第１ドラム４との回転位相差の変化は広範に及び、したがって車両２には広い周波数域の振動が加わった実路面走行状態を再現できる。 - 特許庁

The waste water containing acetic acid, formic acid and formaldehyde is continuously treated in the presence of an oxygen-containing gas and the waste water at a pressure at which the waste water retains a liquid phase by using a noble metal-deposited solid catalyst having 10-50 m2 noble metal surface area per gram of the deposited metal.例文帳に追加

酸素含有ガス及び廃水の存在下、該廃水が液相を保持する圧力下で、坦持金属単位重量グラムあたりの貴金属表面積が１０〜５０ｍ^2の貴金属担持固体触媒を用い、酢酸、ギ酸およびホルムアルデヒドを含有する廃水を連続的に処理する。 - 特許庁

This drill for machining the printed circuit board is manufactured from cemented carbide formed by bonding tungsten carbide grains with the average grain diameter of 0.9 μm or less by a bond phase of 3-15 mass% comprising cobalt solid-solubilizing 2-6 mass% chromium and nickel at a rate of 10-100 ppm.例文帳に追加

クロムを２〜６質量％と、ニッケルを１０〜１００ｐｐｍの割合で固溶したコバルトからなる結合相３〜１５質量％にて平均粒径０．９μｍ以下の炭化タングステン粒子間を結合した超硬合金からなるプリント基板加工用ドリルを作製する。 - 特許庁

In this case, by operating a torque adjusting part 17 with the aid of the cam mechanism part 24B, the phase between a first magnet 21 and a second magnet 23 on both sides of each hysteresis plate 16b is varied to adjust a torque, thereby switching over the winding and fastening condition of the cap 2.例文帳に追加

このとき、このカム機構部２４Ｂによってトルク調整部１７を駆動してヒステリシス板１６ｂの両側の第１のマグネット２１と、第２のマグネット２３との間の位相を変化させてトルク調整を行うことにより、キャップ２の巻締状態を切換えるものである。 - 特許庁

A cross connect device 104 builds a phase information for clock signal taken out of the 2 kHz clock source (not shown) and a discrimination information ('H4' byte) for reproducing a frequency identical with the clock signal into an STM-1 frame, which are transmitted to the devices 1031-103M.例文帳に追加

クロスコネクト装置１０４は図示しない２ＫＨｚクロック源から取り出したクロック信号の位相情報およびこのクロック信号と同一周波数を再生するための識別情報（“Ｈ４”バイト）をＳＴＭ−１フレームに組み込んでこれらの装置１０３_1〜１０３_Mに転送する。 - 特許庁

To realize a C-2-phase, at least having a contrast ratio of about 200:1 or higher with excellent reproducibility, by suppressing generation of zigzag defect and hairpin defect causing contrast ratio lowering in the manufacture of an active matrix drive ferroelectric liquid crystal display element.例文帳に追加

アクティヴマトリクス駆動強誘電性液晶表示素子の作製において、コントラスト比低下の原因となるジグ−ザグ欠陥及びヘアピン欠陥の発生を抑えて少なくともコントラスト比が２００：１程度またはそれ以上となるＣ−２一様相を再現性よく実現する。 - 特許庁

Switching elements 21-26 on the upper arm side (lower arm side) of a three-phase inverter circuit 2 are conducted by 180° and the switching elements 21-23 in the upper arm are subjected to its own PWM control whereas the switching elements 24-26 in the lower arm sustain conduction during its own conduction interval.例文帳に追加

三相インバータ回路２の上アーム側（下アーム側）のスイッチング素子２１〜２６を１８０度通電し、通電期間に上アームのスイッチング素子２１〜２３を自己の通電期間にＰＷＭ制御し、下アームのスイッチング素子２４〜２６を自己の通電期間に持続通電する。 - 特許庁

The first gold alloy has a composition comprising, by mass, 0.5 to 1.49% gallium, 0.01 to 2% iridium and 73 to 75.5% gold, and in which the total of the gold and iridium is ≥75%, and the balance is copper with inevitable impurities, and has a single phase structure.例文帳に追加

第１の金合金は、０．５質量％〜１．４９質量％のガリウム、０．０１質量％〜２質量％のイリジウム、７３質量％〜７５．５質量％の金を含有し、金とイリジウムの合計が７５質量％以上で残部が銅および不可避的不純物であり単相組織である。 - 特許庁

The single-phase magnet type generator 1 includes a rotor 2, having a plurality of N-pole permanent magnets 22N and S-pole permanent magnets 22S arranged alternately in the circumferential direction C, and with a stator 3, having a plurality of winding poles 4 wound with a winding 6 arranged in the circumferential direction C.例文帳に追加

単相磁石式発電機１は、Ｎ極の永久磁石２２ＮとＳ極の永久磁石２２Ｓとを周方向Ｃに交互に複数配列してなるロータ２と、巻線６を巻回した巻線ポール４を周方向Ｃに複数配列してなるステータ３とを有している。 - 特許庁

The voltage generated at a resistor R by the current supplied to a three-phase coil 2 from a driver 3 is inputted into the positive input terminal of a current limit circuit 8, and a differential signal to the voltage V inputted into a negative input terminal is transmitted to an OR circuit 9 as a voltage signal.例文帳に追加

ドライバ３から３相コイル２に供給される電流によって抵抗Ｒに発生する電圧が、カレントリミット回路８の正の入力端子に入力され、負の入力端子に入力される電圧Ｖとの差動信号が電圧信号としてＯＲ回路９に送出される。 - 特許庁

In the microwave heating device using a waveguide at a microwave frequency with a range of 300 MHz to 30 GHz, the microwave heating device is provided with a microwave oscillator 1, an isolator 2, a phase shifter 3, the waveguide type microwave heating oven 4, and a dummy load 5.例文帳に追加

被加熱物が幅の広い紙やフィルムを加熱及び乾燥、あるいは糸状な物を多数同時に加熱及び乾燥する場合に、マイクロ波加熱装置の導波管形マイクロ波加熱炉の電界分布を一様化させて、均一に加熱、乾燥するマイクロ波加熱装置を提供する。 - 特許庁

A voltage dividing type bridgeless PFC (Power Factor Correction) circuit 1 has a first power factor improvement circuit 2 that improves a power factor of a power by according a phase difference between a current generated by an applied positive voltage and the applied voltage in the case that a positive AC voltage is applied from exterior.例文帳に追加

分圧型ブリッジレスＰＦＣ回路１は、外部から正の交流電圧が印加された場合には、印加された正の電圧によって生じる電流と印加された電圧との位相差をそろえることで電力の力率を改善する第一力率改善回路２を有する。 - 特許庁

A voltage of a frequency obtained through eigenvalue analysis is applied to the piezoelectric element 3 in a thickness direction, thereby producing vibrations in the piezoelectric element 3 where the vibration on a surface thereof in contact with the stator 2 is opposite in phase to the vibration on a surface thereof in contact with the base member 4.例文帳に追加

圧電素子３に、固有値解析で得られた周波数の電圧を厚さ方向に印加することにより、圧電素子３には、ステータ２が接触配置されている面の振動と、ベース部材４が接触配置されている面の振動とが逆位相となる振動が形成される。 - 特許庁

The inventive organic semiconductor structure comprises an organic semiconductor layer having a high order smectic liquid crystal phase in a temperature range of at least -40 to +90°C, and its organic semiconductor layer has charge mobility of 10^-1 cm^2/V or above in at least normal temperature region.例文帳に追加

本発明の有機半導体構造物は、少なくとも−４０〜＋９０℃の温度範囲で高次のスメクティック液晶相を有する有機半導体層を備え、且つその有機半導体層は少なくとも常温領域で１０^−１ｃｍ^２／Ｖ・ｓ以上の電荷移動度を有する。 - 特許庁

This motor-driven injection molder is driven directly by at least one brushless 3-phase DC motor 1, which has a stator 3 with concentrated winding coils, a rotor 2 of an embedded permanent magnet type, and at least 14 poles of the rotor.例文帳に追加

ステータ３のコイルが集中巻きであり、回転子２が埋込永久磁石型であって、回転子の極数が１４以上のブラシレス三相ＤＣモータ１を１以上用いて該ブラシレス三相ＤＣモータにより直接駆動することを特徴とする電動射出成形機を提供する。 - 特許庁

The sintered compact production device 1 includes: a vacuum chamber 12 having an evacuation means 11; a sintered compact case 2 of storing a primarily sintered compact S obtained by liquid phase sintering in the vacuum chamber; and a heating means 3 capable of heating the sintered compact case.例文帳に追加

焼結体の製造装置１は、真空排気手段１１を有する真空チャンバ１２と、この真空チャンバ内で、液相焼結で得られた一次焼結体Ｓを収納する焼結体ケース２と、この焼結体ケースの加熱を可能とする加熱手段３とを備える。 - 特許庁

Each receiver applies phase conversion to the optical pulse received from the single photon light source at random by 0 or π/2, and makes those optical pulses interfere each other at the time intervals T, and detects the photons by two photon detectors A1 and A2 or B1 and B2 according to the interfering state.例文帳に追加

各受信機では、単一光子光源から受信した光パルスに対して０またはπ／２で無作為に位相変調を施し、時間間隔Ｔで干渉させて、干渉状態に応じて２つの光子検出器Ａ１およびＡ２、Ｂ１およびＢ２のいずれかで光子を検出する。 - 特許庁

The emulsified product of a visible light polymerizable composition is an emulsified product produced by dispersing an oil-soluble visible light polymerizable composition comprising at least a polymerizable monomer, a visible light absorbing dye and an organic borate compound in a water phase wherein the emulsified product has a dispersed particle size of not more than 2 μm.例文帳に追加

少なくとも、重合性モノマーと、可視光吸収色素と、有機ボレート化合物と、からなる油溶性の可視光重合組成物を水相中に分散させた乳化物であって、該乳化物の分散粒径が２μｍ以下であることを特徴とする可視光重合組成物の乳化物。 - 特許庁

The film thickness of a non-single crystal semiconductor thin film 4 is set to less than 50nm, and laser irradiation is crystallized in one direction growth on a substrate 2 by using a phase shifter 51 forming V-type optical intensity distribution 1 having an optical minimum region of a line shape.例文帳に追加

非単結晶半導体薄膜４の膜厚を５０ｎｍ未満として、基板２上においてレーザ照射を、ライン状の光最小強度領域を有するＶ型の光強度分布１を形成するような位相シフタ５１を用いて、一方向成長に結晶化する。 - 特許庁