「Random-access memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

A resistive cross point memory (RXPtM) cell array device 10 (one example of which is a magnetic random access memory(MRAM) device) includes a chip 40 on which an array 12 of RXPtM cells is formed, an array 44 of sense amplifiers used in sensing resistance values of the RXPtM cells 14, and an input/output(I/O) controller 48 are formed.例文帳に追加

抵抗性交点メモリ(RXPtM)セルアレイデバイス10（この１つの例は、磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)デバイスである）は、RXPtＭセルのアレイ１２、RXPtＭセル14の抵抗値を読み取る際に使用されるセンス増幅器のアレイ44、及び、入力／出力(I/O)コントローラ48が形成されたチップ40を備える。 - 特許庁

A magnetic random access memory is provided with memory cells MC11∼MCnm having a TMR (tunneling magnetoresistive) element 10 and a selection element Tr, and a read-out circuit 50 reading out storage information from the TMR element by applying read-out voltage to a selected memory cell and making to flow in the TMR element through the selection element.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリは、ＴＭＲ素子１０と選択素子Ｔｒとを有するメモリセルＭＣ１１〜ＭＣｎｍと、選択したメモリセルに読み出し電圧を印加し、選択素子を介してＴＭＲ素子に電流を流すことにより、ＴＭＲ素子から記憶情報を読み出す読み出し回路５０とを備えている。 - 特許庁

To reduce a fault rate by leveling frequently accessing regions over an entire region by using a simple means even when carrying out random access is made in a magnetic recording device, such as, HDD and a semiconductor recording device, such as flash memory.例文帳に追加

HDDなど磁気記録装置やフラッシュメモリなど半導体記録装置において、ランダムアクセスを頻繁に行う場合でも、簡易な手段で頻繁にアクセスする領域を全領域内で平準化し、故障率を下げる。 - 特許庁

An antialias circuit 250 is provided with bit counters 251 of 16 above the number obtained, by dividing the number of bits that is a writing unit of data in a VRAM (video random access memory) by the number of bits per pixel in output image data.例文帳に追加

アンチエイリアス回路２５０には、ＶＲＡＭにおけるデータの書き込み単位となるビット数を、出力画像データにおける１画素あたりのビット数で除した数以上の１６個のビットカウンタ２５１が設けられている。 - 特許庁

Further, the magnetic random access memory includes a second selection transistor including the first diffusion region and a third diffusion region which are formed in the active region 12, and first wiring electrically connected to the first pinned layer.例文帳に追加

さらに、アクティブ領域１２に形成された前記第１の拡散領域及び第３の拡散領域を有する第２の選択トランジスタと、固定層に電気的に接続された第１の配線とを備える。 - 特許庁

To reduce power request at a data route by using a multiplayer metal layer for reducing a capacity on a data bus in an architecture for an embedded dynamic random access memory(DRAM) of an integrated circuit, having a large aspect ratio.例文帳に追加

アスペクト比が大きい、集積回路の埋込型ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）のためのアーキテクチャが、データバス上の容量を減じる多層の金属層を用いることにより、データ経路での電力要求を減じる。 - 特許庁

By using a data input path independent of a clock in an integrated circuit device incorporating a random access memory array, data written in the array is rippled through to all banks all the way up to a local write circuitry.例文帳に追加

ランダムアクセスメモリアレイを内蔵する集積回路装置にクロックと独立のデータ入力経路を用いることで、アレイに書込まれたデータをすべてのバンクを通ってローカル書込回路にまでリップルさせることが可能となる。 - 特許庁

This magnetic random access memory system is provided with tunnel magnetic resistance elements 10, word lines WL1 to WLn, bit lines BL1 to BLm, a writing driver and a writing circuit 52 that can simultaneously select all writing drivers.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリシステムは、トンネル磁気抵抗素子１０、ワード線ＷＬ１〜ＷＬｎ、ビット線ＢＬ１〜ＢＬｍ、書き込みドライバ、及び全ての書き込みドライバを同時に選択状態にできる書き込み回路５２を備えている。 - 特許庁

A delivery control substrate stores the number of unpaid-off rental balls on a backup RAM(random access memory) so that the payoff control of game mediums can be resumed based on the number of the unpaid-off rental balls when the power feed is resumed.例文帳に追加

払出制御基板は、未払出しの貸し球数をバックアップＲＡＭに記憶し、電力供給再開時に未払出しの貸し球数にもとづいて遊技媒体の払出制御を再開することが可能な構成とする。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit device comprises an RAM circuit divided into a plurality of RAM (random access memory) circuit blocks (RAM1-RAMn), and an internal power supply circuit (10).例文帳に追加

本発明の半導体集積回路装置は、複数のＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）回路ブロック（ＲＡＭ１〜ＲＡＭｎ）に分割されたＲＡＭ回路と、内部電源回路（１０）と、を具備している。 - 特許庁

The processor 806 periodically reads the 2-port random access memory 802 and further corrects the corrected sequence included in additional waveform data gathered by a detector 808 so that the waveform data are reflected.例文帳に追加

プロセッサ８０６は、２ポート・ランダム・アクセス・メモリ８０２を周期的に読み出し、検出器８０８によって集められた付加的な波形データを反映するよう、そこに含まれている修正されたシーケンスを更に修正する。 - 特許庁

The magnetic random access memory includes a transistor which has a gate electrode 11a located above a surface of a substrate 1 and a first and second impurity diffusion regions 13a, 12 interposing a channel region below the gate electrode between them.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリは、基板１の表面の上方に設けられたゲート電極１１ａと、ゲート電極の下方のチャネル領域を挟む第１、第２不純物拡散領域１３ａ、１２とを有するトランジスタを含む。 - 特許庁

This refreshing method is for a dynamic random access memory (DRAM) 3 provided in the microcontroller 1, and the DRAM 3 is refreshed during the preset standby time Tw of a microprocessor 2 controlling the microcontroller 1.例文帳に追加

マイクロコントローラ１内に設置されるダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）３のリフレッシュ方法であって，ＤＲＡＭ３は，マイクロコントローラ１を制御するマイクロプロセッサ２の予め設定された待機時間Ｔｗ中にリフレッシュされる。 - 特許庁

To define a command for partial output and partial rewrite of a file on a camcorder using a random access memory medium and to obtain only header data from a controller such as a personal computer and rewrite thumbnail data.例文帳に追加

ランダムアクセス可能なメモリ媒体を使用したカムコーダにファイルの部分出力、部分書き換え用コマンドを定義してＰＣ等のコントローラからヘッダデータのみの取得やサムネールデータの書き換えなどを行えるようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit, in which the degree of freedom of the interface of a DRAM(dynamic random access memory) is improved, by optimizing the area and the consumption power of the DRAM to a necessary minimum limit, according to the power source specification of the integrated circuit.例文帳に追加

ＤＲＡＭの面積と消費電力とを本半導体集積回路の電源仕様に応じて必要最小限に最適化しＤＲＡＭのインターフェースの自由度を増大させた半導体集積回路を提供する。 - 特許庁

A data control part records a series of control parameters in a predetermined period having preset acquisition conditions among the time-series control parameters recorded in the random access memory 8 in a data recording part 9.例文帳に追加

そして、データ制御部は、ランダムアクセスメモリ８に記録された時系列的な制御パラメータのうち、予め設定された取得条件を具備する所定の期間における一連の制御パラメータを、データ記録部９に記録する。 - 特許庁

A magnetic random access memory according to an embodiment has a magnetic resistance effect element, on which a first magnetic layer, a first interface magnetic layer, a non-magnetic layer, a second interface magnetic layer, and a second magnetic layer are sequentially laminated.例文帳に追加

実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリは、第１の磁性層、第１の界面磁性層、非磁性層、第２の界面磁性層、及び第２の磁性層が順に積層された磁気抵抗効果素子を有する。 - 特許庁

The technical fields of the specified invention (Claim 1) and related invention (Claim 2) are "MIS type semiconductor device" and "semiconductor random access memory device application". Application of the art of the technical field of MIS type semiconductor device to the technical field of semiconductor random access memory consisting of many circuit elements is extremely appropriate. The technical fields of both inventions are related directly and technically, therefore their industrial fields of application of both inventions are the same. 例文帳に追加

（請求項１）と関連発明（請求項２）の技術分野は各々「MIS型半導体装置」、「半導体ランダムアクセスメモリ装置」であるが、MIS型半導体装置の技術分野の技術を多数の回路素子からなる半導体ランダムアクセスメモリ装置の技術分野に適用することは極めて適切であると認められるので、両発明の技術分野は技術的に直接関連性を有し、産業上の利用分野は同一である。 - 特許庁

The large capacity multi-port cache memory having random access band width, to which parallel access from plural ports are enabled and suitable for use for the most advanced microprocessor with low probability of the erroneous cache is easily provided since the multi-port cache memory is formed by using one port cell block suitable for capacity increase as the component.例文帳に追加

本発明のマルチポートキャッシュメモリは、大容量化に適した１ポートセルブロックを構成要素として形成されるため、高いランダムアクセスバンド幅を有し、複数のポートからの並列アクセスが可能で、かつ、キャッシュミスの確率が小さい最先端のマイクロプロセッサへの使用に適した大容量のマルチポートキャッシュメモリを容易に提供することが可能になる。 - 特許庁

The semiconductor memory device is equipped with: a SRAM (Static Random Access Memory) cell 10 provided with first and second driving transistors N3, N4 which constitute a pair of inverters; and a circuit 11 for applying a voltage lower or higher than a grounding voltage to one end of current routes of the first and second driving transistors.例文帳に追加

半導体記憶装置は、一対のインバータを構成する第１、第２駆動トランジスタＮ３、Ｎ４を備えたＳＲＡＭセル１０と、前記第１、第２駆動トランジスタの電流経路の一端に接地電圧よりも低いかまたは高い値の電圧を印加する回路１１とを具備する。 - 特許庁

The method adopts predictive bank switching to hide random access latencies, adopts packet length dependent variable memory write burst lengths to minimize bank switching, and further performs memory read and write operations during corresponding read and write windows.例文帳に追加

本方法は、ランダム・アクセスの待ち時間を隠すために予測的バンク切り替えを採用し、バンク切り替えを最小化するためにパケット長に依存した可変メモリ書き込みバースト長を採用し、更に、メモリ読み出し及び書き込みを対応する読み出し及び書き込みウインドウで行うようにしている。 - 特許庁

A sub CPU 82 displays a guide menu screen on the screen of a liquid crystal display 22, and displays the game records stored in a memory region for game record data of a RAM 84 or a random access memory on the screen of the liquid crystal display 22 if there is a request to display the game records.例文帳に追加

サブＣＰＵ８２は、液晶表示装置２２の画面にガイドメニュー画面を表示しており、遊技履歴表示要求があると、その時ＲＡＭ８４の遊技履歴データ記憶領域に記憶されている遊技履歴を液晶表示装置２２の画面に表示する。 - 特許庁

The image processing apparatus includes an image reading part 201, an electronic sorter part 203, a printer part 204, and a CPU circuit part 205, and the CPU circuit part 205 is composed of a central processing unit (CPU) 206, a read only memory (ROM) 207, a random access memory (RAM) 208 and the like.例文帳に追加

画像処理装置は、画像読取部２０１と、電子ソータ部２０３と、プリンタ部２０４と、ＣＰＵ回路部２０５とを備え、ＣＰＵ回路部２０５は、中央演算処理装置（ＣＰＵ）２０６、読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）２０７及び読み出し書き込みメモリ（ＲＡＭ）２０８等により構成される。 - 特許庁

The memory controller 110 comprises a counter 120 counting the prescribed period after detection of an idle state, and self-refresh shift instructing circuits 130, 140 preforming processing required for instructing shifting to a self-refresh state for the dynamic random access memory after the counter 120 counts the period.例文帳に追加

前記メモリコントローラ１１０は、アイドル状態を検出したあと、所定期間をカウントするカウンタ１２０と、前記カウンタ１２０が前記期間をカウント後に、ダイナミックランダムアクセスメモリに対しセルフリフレッシュ状態への移行を指示するために必要な処理を行うセルフリフレッシュ移行指示回路１３０，１４０と含む。 - 特許庁

A magnetic random access memory includes a plurality of hard masks 410; a plurality of magnetic memory elements 100 formed each by using a corresponding hard mask in the plurality of hard masks; and at least one of conductor 430a or 430b formed near the hard mask 410.例文帳に追加

複数のハードマスク（４１０）と、前記複数のハードマスクのうちの対応する１つを使用してそれぞれ形成された複数の磁気メモリ素子（１００）と、前記ハードマスク（４１０）の近くに形成された少なくとも１つの導体（４３０ａ及び４３０ｂ）とを含む、磁気ランダムアクセスメモリ。 - 特許庁

When one macro block consists of 16×16 pixels (bytes) and macro blocks are stored in a frame memory consisting of a DRAM(dynamic random access memory) or the like, addresses are successively assigned in the ascending order, for example, addresses 0000 to 0255 are assigned to a first macro block and addresses 0256 to 0512 are assigned to a second macro block.例文帳に追加

１マクロブロックが１６×１６ピクセル（byte）で構成され、そのマクロブロックをDRAMなどから構成されるフレームメモリに記憶させる際、第１マクロブロックは、アドレス００００乃至０２５５に、第２マクロブロックは、アドレス０２５６乃至０５１２といったふうに、順次、昇順にアドレスが割り振られ、記憶されていく。 - 特許庁

The system and method of black line insertion for overly tall imagers having random row access includes the step of periodically writing in a predetermined number of input video lines into a memory and the step of speeding up the reading of the predetermined number of input video lines out from the memory to provide a time enhancement.例文帳に追加

ランダム行アクセス式の縦が長すぎるイメージャのための黒ライン挿入のためのシステム及び方法は、所定数の入力ビデオラインをメモリへ定期的に書き込む段階と、時間エンハンスメントを与えるためにメモリからの所定数の入力ビデオラインの読み出しを加速する段階とを含む。 - 特許庁

In the buffer cache management method for managing data transfer between a non-volatile memory 1 and a buffer cache 8 prepared in a random access memory 2 by an operating system, flashing operation for reflecting update contents on a secondary recording medium in the cache 8 is executed in each user's writing operation.例文帳に追加

不揮発性メモリ１とランダムアクセスメモリ２上に用意されたバッファキャッシュ８との間のデータ転送をオペレーティングシステムで管理するバッファキャッシュ管理方法において、バッファキャッシュ８の二次記録媒体への更新内容を反映するフラッシュ動作をユーザの書き込み動作ごとに行う。 - 特許庁

A magnetic random access memory includes a magnetic recording layer 10 which is a ferromagnetic layer having vertical magnetic anisotropy, a pin layer 30, and a non-magnetic tunnel barrier layer 32 provided between the magnetic recording layer 10 and the pin layer 30.例文帳に追加

本発明の磁気ランダムアクセスメモリは、垂直磁気異方性をもつ強磁性層である磁気記録層１０と、ピン層３０と、磁気記録層１０とピン層３０との間に設けられた非磁性のトンネルバリア層３２とを具備する。 - 特許庁

To suppress conventional overheads for rewriting of operation setting to a RAM (Random Access Memory) after transfer of an operational state when transferring from a normal operational state to a power-saving state in a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置において、通常の動作状態から省電力状態に移行した際に、従来における動作状態の移行後にあるＲＡＭへの動作設定の書き換えのためのオーバーヘッドを抑えることを目的とする。 - 特許庁

To provide an SRAM (Static Random Access Memory) cell circuit which makes a dedicated read line unnecessary by suppressing limiting conditions on transistor dimensions in ensuring certain write operation and read operation and reducing the number of transistors used, and to provide its driving method.例文帳に追加

書き込み動作や読み出し動作を確実にすることに伴うトランジスタ寸法への制約条件を抑制し、使用トランジスタ数を少なくし、読み出し専用線を不要とするＳＲＡＭセル回路およびその駆動方法を提供する。 - 特許庁

An FPD correction part 154 generates a correction YUV 203, in which the FPD is corrected, from an FPD YUV 202 (image data converted from FPD RAW 201), in which the FPD is caused, and stores it in a DRAM (Dynamic Random Access Memory) 119.例文帳に追加

ＦＰＤ補正部１５４は、このＦＰＤが生じたＦＰＤ ＹＵＶ２０２（ＦＰＤ ＲＡＷ２０１から変換された画像データ）から、ＦＰＤが補正された補正ＹＵＶ２０３を生成してＤＲＡＭ１１９に記憶する。 - 特許庁

Particularly, when the layer 4 nearer to a substrate is larger than the layer 8, the layer 8 can be formed stably above the layer 4 without flattening the layer 8 in the manufacturing process of the magnetic random access memory.例文帳に追加

特に、基板に近い強磁性層４が自由強磁性層８よりも大きいと、製造プロセスにおいて平坦化することなく、自由強磁性層８を安定的に強磁性層４の上方に形成することが可能となる。 - 特許庁

One of the source area and drain area of a TFT 21 for selection is connected to one of source signal lines 23 and the other is connected to the input side of an SRAM (static random access memory) 24, whose output side is connected to a light emitting element 25.例文帳に追加

選択用ＴＦＴ２１のソース領域とドレイン領域のうち、一方をソース信号線２３の１つと、他方をＳＲＡＭ２４の入力側とそれぞれ接続し、ＳＲＡＭ２４の出力側と発光素子２５とを接続する。 - 特許庁

When an CPU (Central Processing Unit) 10 stores job data necessary for executing a job, the CPU 10 performs encryption of the job data and then stores a part 42 of the encrypted job data in a RAM (Random Access Memory) 14 and stores the remaining file to be stored 40 in a HDD (Hard Disk Drive) 16.例文帳に追加

ＣＰＵ１０は、ジョブの実行に必要なジョブデータを保存する際には、そのジョブデータに暗号化を施した上で、その一部分４２をＲＡＭ１４に格納し、残りの格納ファイル４０をＨＤＤ１６に格納する。 - 特許庁

The IC includes a dynamic random access memory (DRAM) for storing at least one of graphic pixel data and video pixel data, and a pixel data unit (PDU) for processing the pixel data, integrated in the same integrated circuit (IC) chip as the DRAM.例文帳に追加

グラフィック画素データとビデオ画素データの少なくとも１つを記憶するダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）と、画素データを処理するための画素データユニット（ＰＤＵ）とから構成され、ＤＲＡＭと同じ集積回路（ＩＣ）チップに集積される。 - 特許庁

Broadcast programs, within the past sixty minutes or two weeks from the present time, are recorded in a hard disk being a random access memory, and if a reviewing request is received during recording operation, recording and reproduction is performed alternately to perform reproduction, while performing recording.例文帳に追加

現在日時から過去６０分以内あるいは２週間以内の放送番組はランダムアクセスメモリであるハードディスクに記録し、記録動作中に閲覧要求があるときは、記録と再生を交互に行って、記録をしつつ再生をする。 - 特許庁

The ferroelectric random-access memory of the present invention has a ferroelectric capacitor formed by laminating a lower electrode, a PZT film and an upper electrode including SrRuO_3, and the PZT film includes pinholes at densities of less than or equal to about 17 holes/μm^2.例文帳に追加

本発明の強誘電体ランダムアクセスメモリ装置は、下部電極と、PZT膜と、SrRuO_3を含む上部電極の積層により形成された強誘電体キャパシタを有し、PZT膜は、約１７個／μｍ^２以下の密度のピンホールを含む。 - 特許庁

To especially ensure capacitance of a capacitor and easily form a contact which is formed on a portion except a capacitor forming part, concerning a semiconductor device having the capacitor of concave structure in a DRAM (dynamic random access memory) mixed loading device etc.例文帳に追加

ＤＲＡＭ部混載デバイスなどにおけるコンケーブ構造のキャパシタを有する半導体装置に関し、特にキャパシタの容量を確保するとともに、キャパシタ形成部以外の箇所に形成されるコンタクト部の形成を容易行うものである。 - 特許庁

The single chip display processor is constituted of a dynamic random access memory (DRAM) storing at least one of graphic pixel data and video pixel data and a pixel data unit (PDU) for processing the pixel data and is integrated on the same integrated circuit (IC) as the DRAM.例文帳に追加

グラフィック画素データとビデオ画素データの少なくとも１つを記憶するダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）と、画素データを処理するための画素データユニット（ＰＤＵ）とから構成され、ＤＲＡＭと同じ集積回路（ＩＣ）チップに集積される。 - 特許庁

The contiguous ranges of clusters in the linked list of clusters are compressed into packed records, each including location information of a first cluster and length information of a contiguous range of clusters; and the packed records are stored into a random access memory in order.例文帳に追加

クラスタのリンク・リストにおけるクラスタの隣接領域がパック・レコードに圧縮され、各々は、第１のクラスタの位置情報と、クラスタの隣接領域の長さ情報とを含み、パック・レコードは、ランダム・アクセス・メモリに順番に記憶される。 - 特許庁

In a step S1, FAT blocks corresponding to a size to the capacity of a synchronous dynamic random access memory (SDRAM) for the FAT blocks are copied in the SDRAM for the FAT blocks in order from the head side out of the FATs recorded in the information recording medium.例文帳に追加

ステップＳ１で、情報記録媒体に記録されているＦＡＴのうち、先頭側から順に、ＦＡＴブロック用ＳＤＲＡＭの容量に対するサイズに対応するＦＡＴブロックを、ＦＡＴブロック用ＳＤＲＡＭにコピーさせる。 - 特許庁

A CPU (Central Processing Unit) 4 reads encrypted data 16, makes a cipher circuit 6 decrypt them to generate plain text data 17, makes a scramble circuit 14 perform scramble processing using a scramble key, and temporarily stores them in a secure RAM (Random Access Memory) 13.例文帳に追加

ＣＰＵ４は、暗号化データ１６を読み出し、暗号回路６に復号化させて平文データ１７を生成し、スクランブル回路１４によりスクランブルキーを使用したスクランブル処理を行わせ、セキュアＲＡＭ１３に一時記憶する。 - 特許庁

Also, identification information matched with the detected identification information is selected from the identification information of the call origin, stored in the printing cooler table of a RAM(random access memory) 6 beforehand and a printing color made to correspond to the identification information is selected.例文帳に追加

また、ＲＡＭ６の印字色テーブルに予め記憶された発信元の識別情報の中から、検出された識別情報に合致する識別情報を選択し、該識別情報に対応付けられた印字色を選択する。 - 特許庁

To prevent writing errors of TMR elements having a small writing margin, by equalizing to each other the values of the writing currents flowing through the writing wirings formed in the array of the respective stages of the laminated cell array of a magnetic random access memory.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリの積層セルアレイの各段アレイに形成された書き込み配線に流れる書き込み電流の値を各段で等しくなるようにし、書き込みマージンの少ないＴＭＲ素子の誤書き込みを防止する。 - 特許庁