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Seed ofの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 3292



例文

By this method, state variation of the solid particles in the reactor can be kept small, which variation is caused by a series of operations like drawing out of the solid particles from the reactor after the crystallization reaction, and introduction of the seed crystal to the reactor, thus preventing deterioration of quality of treated water generated in the crystallization reaction.例文帳に追加

該方法により、晶析反応後の晶析反応槽からの固体粒子の引き抜き、および晶析反応槽への種晶の導入という一連の操作により生じる、晶析反応槽内の固体粒子の状態変化を小さくすることができ、晶析反応時に生じる処理水質の悪化を防止することが可能となる。 - 特許庁

This manufacturing method of thermal storage medium comprises holding aqueous sodium acetate solution of concentration of 52-60 wt.% at a temperature of the melting point or more, adding carrier crystal into the solution so as to be more than saturated concentration of the carrier crystal, charging the solution into a container and then cooling and solidify it at a temperature under the melting point in existence of a seed.例文帳に追加

濃度が52〜60重量%の酢酸ナトリウム水溶液をその融点以上に保持し、担持結晶を該水溶液に担持結晶の飽和濃度となる量以上の量を添加し、容器に充填した後に種結晶の存在下に融点以下に冷却して固化させる蓄熱材組成物の製造方法。 - 特許庁

The semiconductor structure forming method comprises a step of providing an Si substrate 10 having a surface, a step of forming an interface involving an adjacent seed layer 18 on the surface of the Si substrate 10, a step of forming a buffer layer 20 utilizing molecules of O, and a step of forming one or more high permittivity oxide layers 22 on the buffer layer 20 utilizing active O.例文帳に追加

半導体構造を作成する方法は:表面12を有するシリコン基板10を設ける段階;シリコン基板10の表面12上に隣接するシード層18を含むインタフェースを形成する段階;分子酸素を利用してバッファ層20を形成する段階;および活性酸素を利用してバッファ層20上に1つ以上の高誘電率酸化物層22を形成する段階;を備える。 - 特許庁

The invention relates to a skin fibroblasts proliferation promoter, a collagen and/or hyaluronic acid production potentiating agent, and a skin aging inhibitor composed of the aqueous component of defatted lees of fruit and/or seed of Camellia japonica belonging to genus Theaceae Camellia, as the active component, and relates to the oral composition, preferably to a food or a drink, for beauty and health composed of at least one of the agents.例文帳に追加

ツバキ科ツバキ属に属するツバキ(Camellia japonica)の実及び/又は種子の脱脂粕の水性成分を有効成分として含有してなる皮膚繊維芽細胞増殖促進剤、コラーゲン及び/又はヒアルロン酸の産生増強剤、及び、皮膚老化防止剤が提供され、これらの剤のうち少なくとも1種を含有してなる美容健康用経口組成物、望ましくは飲食品が提供される。 - 特許庁

例文

A network side generates a series of first authentication information groups by repeated operation of a one-way function, allows a series of validity terms to correspond in reverse order to the generation order of authentication information and transmits the authentication information having a validity term including the end time of the authentication validity term of a mobile terminal 31 to the mobile terminal 31 as a seed.例文帳に追加

ネットワーク側は一方向関数の繰り返し演算によって一連の第1認証情報群を生成し、認証情報の生成順とは逆順に一連の有効期限を対応付け、移動端末31の認証有効期限の終了時点を含む有効期限を有する認証情報をシードとして移動端末31に送信する。 - 特許庁


例文

Article 61 (1) The Minister of Agriculture, Forestry and Fisheries shall, where he/she finds it particularly necessary in order to secure the distribution of designated seeds of good quality, determine and publicize standards relating to the production, conditioning, stocking or packaging, of the said designated seeds, that should be complied with by persons producing the said seeds in the course of business and seed dealers. 例文帳に追加

第六十一条 農林水産大臣は、優良な品質の指定種苗の流通を確保するため特に必要があると認められるときは、当該指定種苗の生産、調整、保管又は包装について当該指定種苗の生産を業とする者及び種苗業者が遵守すべき基準を定め、これを公表するものとする。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

Around 1985, when efforts for recovery from stagnation began, Nakagawa Shuzo, the producer of 'Fukujukai' and Yamane Shuzojo, the producer of 'Hiokizakura,' both breweries being in Tottori Prefecture, were given a handful of seed rice that had been kept as materials in the Faculty of Agriculture at Tottori University and started their revival with cooperation by farmers; in 1990, the yield reached a quantity sufficient to produce a minimum unit of moromi. 例文帳に追加

低迷からの模索が図られ始めた昭和60年(1985年)ごろに、県内「福寿海」の中川酒造と「日置桜」の山根酒造場が、鳥取大学農学部に資料として残されていた一握りの種籾を譲り受け、農家の協力を得て復刻開始、平成2年(1990年)に醪一本分の収量を得るに到った。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The method for manufacturing a GaN single crystal substrate includes an ingot forming step of forming an ingot 64 of a GaN single crystal by growing an epitaxial layer 62 made of hexagonal GaN on the GaN single crystal using the GaN single crystal as a seed crystal, and a cutting step of cutting the ingot 64 into a plurality of sheets.例文帳に追加

GaN単結晶基板の製造方法は、GaN単結晶を種結晶として当該GaN単結晶の上に六方晶のGaNからなるエピタキシャル層62を成長させて、GaN単結晶のインゴット64を形成するインゴット形成工程と、インゴット64を複数枚に切断する切断工程と、を備えることを特徴とする。 - 特許庁

An aqueous solution of silver nitrate and aqueous ammonia are mixed and are reacted so as to obtain an aqueous solution of a silver ammine complex, the aqueous solution of the silver ammine complex and the aqueous solution of a reducing agent are mixed in the air in the presence of grains to form into seed and an imine compound, and the silver grains are reductively precipitated.例文帳に追加

硝酸銀水溶液とアンモニア水とを混合して反応させて銀アンミン錯体水溶液を得、種になる粒子およびイミン化合物の存在下において、当該銀アンミン錯体水溶液と還元剤水溶液とを空中で混合して、銀粒子を還元析出させる銀粉の製造方法を提供する。 - 特許庁

例文

A method to manufacture a toner for electrostatically-charged image development includes: a process to produce water-based fluid dispersion of heteroaggregation which contains at least a resin particle and a coloring material; and a process to produce a shell layer by adding a polymerizable monomer to the water-based fluid dispersion of heteroaggregation in the presence of a polymerization initiator, and by providing seed polymerization of the polymerizable monomer to a surface of the heteroaggregation.例文帳に追加

少なくとも樹脂粒子と着色剤を含有するヘテロ凝集体の水系分散液を作製する工程、前記ヘテロ凝集体の水系分散液に重合開始剤存在下で重合性単量体を添加し、前記ヘテロ凝集体表面に重合性単量体をシード重合してシェル層を作製する工程を有することを特徴とする静電荷像現像用トナーの製造方法。 - 特許庁

例文

A substrate on the surface of which a Co film is formed as a seed layer is prepared, and when a Cu film is deposited on the Co film of the substrate by electrolytic plating using a plating solution mainly composed of a copper sulfate solution, before immersing the substrate surface into the plating solution, a negative voltage is applied to the substrate so that the surface potential of Co becomes lower than the oxidation potential of Co.例文帳に追加

表面にシード層としてCo膜が形成された基板を準備し、Co膜の上に硫酸銅溶液を主体とするメッキ液を用いて、電解メッキにより基板のCo膜上にCu膜を成膜するにあたり、基板表面をメッキ液に浸漬する前に、基板に対して、Coの表面電位がCoの酸化電位より低くなるような負の電圧を印加する。 - 特許庁

The agent comprising ferulic acid being an antioxidant component present in plant seed the cell walls of plant seeds such as rice, wheat, or the like, and vitamin C at a prescribed ratio and in a prescribed amount of a pH adjustor is used to effectively suppress fading and/or change in color of fish meat in which especially an oxidation reaction is involved (browning of myoglobin, fading and change in color of carotenoid pigment, oil staining, etc.).例文帳に追加

米や小麦等の植物種子細胞壁に存在する抗酸化成分であるフェルラ酸とビタミンCを所定の割合で併用し、更にpH調整剤を所定量配合して得られる剤を用いることで、特に酸化反応が関与する魚肉の退色及び/又は変色(ミオグロビンの褐変、カロテノイド色素の退色・変色、油焼けなど)を効果的に抑制する。 - 特許庁

In the manufacture of copper wiring substrate formation by a semi additive method, an etching solution containing a hydrogen peroxide of 0.1 to 10 wt.% and a phosphoric acid of 0.5 to 50 wt.% is used as an etching solution of a metal thin film layer (seed layer), whose weight ratio of a hydrogen peroxide/phosphoric acid is 0.02-0.2.例文帳に追加

セミアディティブ法における銅配線基板製造において、金属薄膜層(シード層)のエッチング液として、過酸化水素 0.1〜10重量%とリン酸 0.5〜50重量%を含有し、かつ過酸化水素/リン酸の重量比が 0.02〜0.2であるエッチング液を使用する銅配線基板製造方法。 - 特許庁

A server device 10 generates a series of first password group by repeated operation of a one-way function, associates a series of expiration dates to passwords thereof in the order opposite to the generation order of passwords, and transmits, as a seed, a password having an expiration date including the end time of a user expiration date to a client device 20.例文帳に追加

サーバ装置10は一方向関数の繰り返し演算によって一連の第1パスワード群を生成し、パスワードの生成順とは逆順に一連の有効期限を対応付け、ユーザ有効期限の終了時点を含む有効期限を有するパスワードをシードとしてクライアント装置20に送信する。 - 特許庁

This cosmetic composition includes a cationic polymer having a specific amount of a quaternary nitrogen-containing group which bases on a galactomannan polysaccharide which has the main chain whose constitutional unit is mannose obtained from the albumen of the seed of tara, a legume (scientifically called Caesal pinia Spinosa) and a side chain composed of galactose units, and has a mannose/galactose ratio of 3/1.例文帳に追加

豆科植物であるタラ(学名Caesalpinia Spinosa)の種子の胚乳の部分より得られる、マンノースを構成単位とする主鎖に、ガラクトース単位が側鎖として構成された、マンノースとガラクトースの組成比が3対1であるガラクトマンナン多糖を基材とし、特定量の第4級窒素含有基を導入したカチオン性ポリマーを用いる。 - 特許庁

The metal plated film, wherein a seed layer and a Cu plating layer are successively provided at least on the one side of a resin film base material, is constituted of a laminated plating layer having a multilayered structure formed by combining a plurality of sets of Cu plating layers in a state that each of the Cu plating layers and an In plating layer are set to one set.例文帳に追加

樹脂フィルム基材の少なくとも片面に、シード層、Cuめっき層を順次設けた金属めっきフィルムにおいて、前記Cuめっき層を、Cuめっき層およびInめっき層を一組として、これを複数組組み合わせて形成した多層構造の積層めっき層で構成することを特徴とする。 - 特許庁

The production method of the Langasite single crystal C by a Czochralski method comprises mounting a Langasite seed crystal S of a Y54 pulling orientation at a pulling shaft 5 for pulling the Langasite single crystal C and pulling the Langasite single crystal C in the state of20 rpm and ≤30 rpm in the number of revolutions of the pulling shaft 5.例文帳に追加

チョクラルスキ法によるランガサイト単結晶Cの製造方法であって、ランガサイト単結晶Cを引き上げるための引き上げ軸5にY54方位のランガサイト種結晶Sを取り付け、引き上げ軸5の回転数を、20rpm以上、30rpm以下の状態で、ランガサイト単結晶Cを引き上げることを特徴とする。 - 特許庁

After forming a wiring electrode 1 on the upper surface of an aluminum substrate 3 while interposing a seed metal layer 4, anodization is performed according to the time corresponding to the width of a predetermined wiring electrode 1 thus obtaining a circuit board in which an alumite layer of a predetermined thickness is formed entirely on the upper layer of the aluminum substrate 3 including the lower part of the wiring electrode 1.例文帳に追加

アルミニウム基板3の上面にシードメタル層4を介して配線電極1を形成した後、所定の配線電極1の幅に対応した時間に応じて陽極酸化処理を行うことにより、配線電極1の下部も含めて、アルミニウム基板3の上層部全域に所定の厚みのアルマイト層を形成した回路基板であることを特徴とする。 - 特許庁

In a hot wiring method consisting of contacting a nitrogen-containing gas to a heated catalyser, of reacting a chemical seed generated by the catalytic cracking reaction with a base material surface, and of forming a nitride film on the base material surface, the method of nitriding the base material surface includes using a gas obtained by adding hydrogen of 10% or less to a nitrogen gas as the nitrogen-containing gas.例文帳に追加

窒素含有ガスを加熱された触媒体に接触させ、接触分解反応により生じた化学種を基材表面と反応させ、基材表面に窒化物膜を形成することからなるホットワイヤー法において、窒素含有ガスとして、窒素ガスに10%以下の水素を添加したガスを用いることからなる基材表面の窒化方法。 - 特許庁

A growth member 7 has a plurality of growth portions 9 each equipped with a substrate 1, a buffer layer 2 formed on the substrate 1 and composed of a group III nitride, and a seed crystal film 3 formed on the buffer layer 2 and composed of a group III nitride single crystal, wherein a surface 1b of the substrate 1 is exposed between the plurality of adjacent growth portions 9.例文帳に追加

基板1と、基板1上に形成されたIII族窒化物からなるバッファ層2およびこのバッファ層2上に形成されたIII族窒化物単結晶からなる種結晶膜3を備える複数の育成部9とを備えており、隣り合う複数の育成部9の間に基板1の表面1bが露出している育成用部材7を使用する。 - 特許庁

The transgenic plant cell is obtained by isolating a promoter region of gluten gene capable of expressing gene specifically to albumen of seed of rice, etc., connecting soybean glycinin gene to the downstream of the promoter to build a vector and introducing the vector into rice cultured cell.例文帳に追加

作出したトランスジェニックイネ植物体において発現させたダイズグリシニンの組織特異性および形態につき検討を行った結果、イネにおいて発現させたダイズグリシニンがイネ種子に蓄積しており、また蓄積したダイズグリシニンがプロセシング過程を経た成熟型として存在することを見出した。 - 特許庁

This edible seed processed product is obtained by heat-treating edible seeds at 150-160°C for 5 min-10 min in a vegetable oil composition, in which burnt Bincho charcoal powder of 10 micron or smaller dispersed in vegetable oil, in a condition of being free from heat deterioration of 1 to dispersion limit per 100g of oil and fat component, or in vegetable oil in the presence of Bincho charcoal.例文帳に追加

植物油中に、10ミクロン以下の燃焼させた備長炭粉末が前記油脂成分100g当たり1〜分散限界まで熱劣化していない状態で分散している植物油組成物中であるいは備長炭の存在下で植物油中で、食用の種子を150から160℃で5分から10分間、熱処理して得られた食用種子加工物。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a silicon single crystal which can suppress the occurrence of a slip dislocation irrespective of the crystal orientation, can achieve a dislocation-free crystal simply, can improve the quality of the crystal, and is most suited in particular for pulling a <110> single crystal by using a seed crystal having a crystal orientation of <110> that is difficult to eliminate the slip dislocation.例文帳に追加

結晶方位に拘わらず、スリップ転位の発生を抑制し、無転位化を簡易に達成し、結晶品質の向上を図ることができ、特に、スリップ転位を消滅させるのが難しい結晶方位が<110>である種結晶を用い、<110>の単結晶を引上げるのに最適であるシリコン単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

A charge part 1 is constituted of a dielectric 4 comprising a photocatalytic substance or an electrode having a photocatalytic film to perform silent discharge and the energy of the light or active seed generated by silent discharge is accumulated on the surface of the photocatalytic electrode to be converted to the electrode surface energy of the dielectric 4 and this converted energy is allowed to contribute to the removal of harmful gas such as NOx or the like.例文帳に追加

光触媒物質からなる誘電体4若しくは光触媒膜を有する電極によって帯電部1を構成して無声放電を行わせ、無声放電によって発生する光や活性種のエネルギーを光触媒性の電極表面に蓄積して誘電体4の電極表面エネルギーに変換し、該変換された電極表面エネルギーをNOx等の有害ガスの除去に寄与させる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a laminated semiconductor circuit board in which a plated conductive film can be surely embedded, by electrolytic plating, into a through-hole of a laminated semiconductor circuit board having a plurality of circuit boards which are bonded together, and an undesired seed layer can be readily removed after the termination of the electrolytic plating process, and a method of manufacturing a laminated semiconductor device using the same.例文帳に追加

複数の回路基板が貼り合わされた積層半導体回路基板の貫通孔に電解メッキによって確実にメッキ導電膜を埋め込むことができるとともに、電解メッキ工程の終了後に不要なシード層を容易に除去することができる積層半導体回路基板およびそれを用いた積層半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a method of forming thin film, the pressure of the whole gaseous raw material contributing to the deposition of a thin film is maintained at the atmospheric pressure of 760 Torr or lower, so that no expensive vacuum evacuating device may be required even though the partial pressure of the gaseous raw material is maintained at ≤1 Torr so that a deposition seed may be transported to a substrate under such a gas pressure.例文帳に追加

本発明では、膜堆積に寄与する原料ガス自体の分圧はたとえば1Torr以下に保ちつつもガス圧全体としてはそれよりもはるかに高い760Torrの常圧またはそれ以下であっても高度な真空排気装置を必要としない減圧レベルとし、このようなガス圧下で基板までそれら堆積種が輸送されるようにした。 - 特許庁

The glycerol-containing alcoholic bactericide of the present invention is composed of about 40-90%, preferably about 50-80% of aqueous ethyl alcohol solution, about 1-20%, preferably about 3-7% of glycerol and about 0.01-5%, preferably about 0.1-1.0% of a grapefruit seed extract.例文帳に追加

この発明のグリセリン含有アルコール殺菌剤は、約40から90%、好ましくは約50から80%のエチルアルコールを含む水溶液に、約1から20%、好ましくは約3から7%のグリセリンと、約0.01から5%、好ましくは約0.1から1.0%のグレープフルーツ種子抽出物とからなっている。 - 特許庁

Furthermore, the method comprises definition of a first zone and a second zone in the surface of a substrate, formation of a seed crystal in the first zone, formation of an amorphous silicon layer to cover the first zone and the second zone and melting of the amorphous silicon layer by irradiating the amorphous silicon layer with laser.例文帳に追加

また、本発明に係る多結晶シリコン層の結晶方法は、基板の表面に第一区域および第二区域を定義することと、第一区域に種晶を形成することと、第一区域および第二区域を覆うように非晶質シリコン層を形成することと、レーザで非晶質シリコン層を照射して非晶質シリコン層を溶融させることとを含んでいる。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor device comprises the steps of: depositing a amorphous silicon film; forming a seed crystal on the side surfaces of the amorphous silicon film; and crystal-growing silicon toward the inside of the amorphous silicon film in a direction perpendicular to the film thickness direction of the amorphous silicon film by annealing using microwave.例文帳に追加

実施形態による半導体装置の製造方法は、非晶質シリコン膜を成膜する工程と、該非晶質シリコン膜の側面に種結晶を作成する工程と、マイクロ波を用いたアニーリングにより上記非晶質シリコン膜の膜厚の方向に直交する方向で上記非晶質シリコン膜の内部へシリコンを結晶成長させる工程と、を持つ。 - 特許庁

The client device 20 generates a series of second password group by repeated operation of the one-way function using the seed as an initial value of argument, associates a series of expiration dates to passwords thereof in the order opposite to the generation order of passwords, selects a currently valid password from the second password group at authentication execution and transmits it to the server device 10.例文帳に追加

クライアント装置20はシードを引数の初期値として一方向関数の繰り返し演算によって一連の第2パスワード群を生成し、パスワードの生成順とは逆順に一連の有効期限を対応付け、認証実施時に現在有効なパスワードを第2パスワード群から選定してサーバ装置10に送信する。 - 特許庁

Article 63 (1) The Minister of Agriculture, Forestry and Fisheries may, when he/she finds it necessary, cause the NCSS or the Incorporated administrative agency National Livestock Breeding Center (hereinafter referred to as "NLBC") in accordance with the classes, specified by the Ordinance of the Ministry of Agriculture, Forestry and Fisheries to collect from seed dealers such quantities of designated seeds as are necessary for inspection. However, compensation equivalent to the market value shall be paid. 例文帳に追加

第六十三条 農林水産大臣は、必要があると認めるときは、農林水産省令で定める区分により、種苗管理センター又は独立行政法人家畜改良センター(以下「家畜改良センター」という。)に、種苗業者から検査のために必要な数量の指定種苗を集取させることができる。ただし、時価によってその対価を支払わなければならない。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

(5) In the event that the plant protection officer considers as a result of the inspection pursuant to the provision of paragraph 1 or 2 that there are injurious animals or injurious plants under paragraph 3, he/she shall suspend the inspection and instruct matters, which he/she deems necessary for disinfestations of such injurious animals or injurious plants or prevention of their spread, to such Seed and Seedling Producer orally or in writing. 例文帳に追加

5 植物防疫官は、第一項又は第二項の規定による検査により、第三項の有害動物又は有害植物があると認めたときは、その検査を中止し、当該種苗生産者に対し、当該有害動物又は有害植物を駆除し、又はそのまん延を防止するため必要と認める事項を口頭又は文書により指示しなければならない。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

Silymarin is a generic name of flavonolignan (polyhydroxyphenylchromanone) extracted from the seed of Silybum marianum belonging to the family Compositae and ascertained main constituent components of silymarin are silybin, silidianin, silicristin, isosilybin, etc., which are isomers with each other having a molecular formula of C25H22O10.例文帳に追加

シリマリン(Silymarin)はキク科のオオアザミ(Silybum marianum)の種実から抽出されるフラボノリグナン(ポリヒドロキシフェニルクロマノン)の総称であって、確認されている主要構成成分は分子式C_25H_22O_10の、相互に異性体であるシリビン、シリジアニン、シリクリスチン、イソシリビン等である。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device includes: a film forming process of forming a silicon film on a substrate; a modifying process of supplying an oxidation seed onto the substrate, performing heat treatment on the silicon film and modifying the surface layer of the silicon film into an oxidized silicon film; and a removing process of removing the oxidized silicon film.例文帳に追加

基板にシリコン膜を形成する膜形成工程と、前記シリコン膜に酸化種を供給し、前記シリコン膜を熱処理し前記シリコン膜の表層を酸化シリコン膜に改質する改質工程と、前記酸化シリコン膜を除去する除去工程と、を有する半導体装置の製造方法を提供することで上記課題を解決する。 - 特許庁

The deodorant composition includes at least one antioxidant (A) selected from a grape seed extract, a bergenia lingulata root extract and a cranberry extract, a bactericide (B), and an antiperspirant (C), wherein the mass ratio (A/B) of the content of the extract of the component (A) to the content of the component (B) is 0.05-70.例文帳に追加

(A)ブドウ種子抽出物、ベルゲニアリグラダ根抽出物及びクランベリー抽出物から選択される少なくとも1種の抗酸化剤と、(B)殺菌剤と、(C)制汗剤とを含有し、前記(A)成分のエキス分含有量と前記(B)成分の含有量との質量比(A/B)が0.05〜70であるデオドラント組成物とする。 - 特許庁

The manufacture of the SiC single crystal by a solution method includes: adding a nitrogen and an aluminum to a melt with the ratio of concentration of 1≤[N]/[Al]≤50, when the concentrations of nitrogen and aluminum that are a donor element to assume an n-type semiconductor are represented by [N] and [Al], respectively; and immersing the SiC seed crystal to grow up n-type SiC single crystal.例文帳に追加

溶液法によるSiC単結晶の製造において、n型半導体とするためのドナー元素である窒素およびアルミニウムの濃度を各々[N]および[Al]で表わしたときに、窒素とアルミニウムとの濃度比を、1≦[N]/[Al]≦50として融液に添加し、SiC種結晶を浸漬することにより、n型SiC単結晶を成長させる。 - 特許庁

In either one of opposing distal end faces of two guide members 41-44 adjacent in the lamination direction, a plurality of projected parts projecting toward the distal end face of other guide member are provided in a state separated in a circumferential direction, and the guide member on the seed crystal side is laminated on the guide member on the SiC raw material 30 side through the projected parts.例文帳に追加

そして、積層方向に隣接する二つのガイド部材41〜44の相対する先端面のうち、いずれか一方のガイド部材の先端面には他方のガイド部材の先端面に向かって突出する複数の突出部を周方向に離間して備え、種結晶側のガイド部材を、SiC原料30側のガイド部材に突出部を介して積層する。 - 特許庁

To provide an apparatus and method for producing a silicon carbide single crystal, by which the growth of an SiC single crystal of different polymorphism is prevented and a high quality SiC single crystal is produced when the SiC single crystal is grown by using a seed crystal composed of an SiC single crystal of an ON-substrate in which the off-angle is almost zero, e.g., 0.5° or less.例文帳に追加

オフ角が0.5°以下とほとんどないオン基板のSiC単結晶からなる種結晶を用いてSiC単結晶を成長させる際に、異種多形のSiC単結晶の成長を防止し、高品質のSiC単結晶を製造することが可能なSiC単結晶の製造装置および製造方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of the indium based oxide fine particle comprises the steps of: (a) preparing an organic solvent dispersion of indium hydroxide and (b) heating the organic solvent dispersion to 120-400°C, or (a') preparing an organic solvent dispersion of indium based hydroxide and an indium based oxide seed particles and (b).例文帳に追加

下記の工程からなるインジウム系酸化物微粒子の製造方法;(a)インジウム系水酸化物の有機溶媒分散液を調製する工程、(b)前記有機溶媒分散液を120〜400℃の温度範囲で加熱処理する工程、または、(a')インジウム系水酸化物とインジウム系酸化物種粒子との有機溶媒混合分散液を調製する工程、(b)インジウム系水酸化物の有機溶媒分散を120〜400℃の温度範囲で加熱処理する工程。 - 特許庁

A melt 12 of silicon and carbon is prepared in a lithium flux in a crucible 3, and an LEP film of a 3H silicon carbide single crystal is grown to a the thickness of 30 μm or more on the C-plane [(000-1)] of a 4H silicon carbide single crystal or a 6H silicon carbide single crystal immersed as a seed crystal substrate 11 in the melt 12.例文帳に追加

ルツボ3内でリチウムフラックス中で珪素と炭素の融液12を形成し、種結晶基板11として融液12に浸漬した4H炭化珪素単結晶もしくは6H炭化珪素単結晶のC面[(000−1)面]上に、2H炭化珪素単結晶のLPE膜を30μm厚以上成長させる。 - 特許庁

When the polycrystalline silicon is etched to the depth of 15 μm with regard to the cross section using a mixed acid solution containing an aqueous solution of 50% hydrogen fluoride and an aqueous solution of 70% nitric acid in the ratio of 1:50, the etching depth at the boundary between the seed crystal part and the precipitated silicon part is at most 200 μm.例文帳に追加

その多結晶シリコンの横断面に対して、50%フッ化水素水溶液と70%硝酸水溶液との比率が1:50の混酸溶液により15μmのエッチング処理を行ったとき、種芯部分と析出シリコン部分との境界部分におけるエッチング深さが200μm以下となる。 - 特許庁

The composition can contain an effective amount of turmeric supercritical extracts and hydroalcoholic extracts, and may contain effective amounts of (A) ginger supercritical extracts and hydroalcoholic extracts, (B) supercritical extracts of rosemary, parsley seed, peppermint, or clove, (C) hydroalcoholic extracts of rosemary, parsley leaf, peppermint, or clove, and (D) green tea water extracts.例文帳に追加

組成物は、有効量のウコンの超臨界抽出物及び水アルコール抽出物を含むことができ、又、組成物は有効量の(A)ショウガの超臨界抽出物及び水アルコール抽出物、(B)ローズマリー、パセリの種子、ペパーミント及びクローブの超臨界抽出物、(C)ローズマリー、パセリの葉、ペパーミント及びクローブの水アルコール抽出物、並びに(D)緑茶の水抽出物を含んでいてもよい。 - 特許庁

The objective plant seed coating material comprises galactomannan, boron ion, tri- or more multivalent ions other than boron ion and includes50 mass % of a water-absorbing material with the absorption power of aqueous solution of divalent or monovalent cation40 times its self weight and has the gel strength of 2×10-5-1×10-3 N/mm2 after water absorption.例文帳に追加

ガラクトマンナン、ホウ素イオン、及びホウ素イオン以外の三価以上の多価金属イオンから成り、二価以下のカチオン水溶液吸水能が自重の40倍以上であり、且つ吸水後のゲル強度が2×10^-5〜1×10^-3N/mm^2である吸水材を50質量%以上含有する植物種子被覆材。 - 特許庁

To provide a single crystal-growing unit capable of growing a longer single crystal by inhibiting the growth of boundaries among multiple crystal particles, shortening an un-melted specimen part (a seed crystal), having less limitation in temperature gradient and capable of growing the single crystal at a sufficiently slow cooling rate and inhibiting a corrosion by the specimen, a reaction with the specimen and formation of an alloy.例文帳に追加

多結晶粒界の成長を抑制してより長い単結晶を成長させることができ、溶融させない試料部分(種結晶部分)を短くし、かつ温度勾配の制約が少なく、十分に遅い冷却速度で単結晶を成長させることができ、試料による腐食や試料との反応や合金形成を抑制することができる単結晶成長装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a plant oil comprising squeezing or squeezing/extracting a plant seed that permits simplification of a purification step and sharp cost reduction, and to provide a method for manufacturing plant lees that permits easy adjustment of ingredients of the plant lees obtained as a by-product in the manufacture of the plant oil.例文帳に追加

植物種子を圧搾又は圧搾・抽出することにより植物油を製造するにおいて、精製工程の簡素化およびコストの大幅な削減が可能となる製造方法、およびこの植物油の製造において副産物として生じる植物粕の成分調整が容易である植物粕の製造方法を提供する。 - 特許庁

In order to improve efficiency of operation when designating a portion on which clear toner is placed by setting a marker, a display image is allowed to be expanded and contracted, and the size of the marker as a seed of a region growth method is made to be automatically adjusted so as not to be largely changed by the expansion and contraction of the display image.例文帳に追加

クリアトナーを乗せる部分の指定を、マーカーを設定することで行う場合に、表示画像の拡大縮小を行えるようにし、さらに、領域成長法のシードとしてのマーカーの大きさを表示画像の拡大縮小によって大きく変化しないように自動的に調整するようにしたので、操作の効率を向上することができる。 - 特許庁

Even when a detected capacitance value is changed with articles placed on their peripheries on the passage of the granules through the detection electrodes of the seed sensor 41, the granules can accurately be detected, because the passage of the granules is detected by the change of the capacitance based on a standard detection value changed with the peripheral articles.例文帳に追加

種子センサ41の検出電極部を粒状物が通過する際に周辺に存在する物体により静電容量の検出値は変化しても、周辺物体により変動した基準検出値を基にした静電容量の変化量により粒状物の通過検出をするので、精度よく粒状物を検出できる。 - 特許庁

The single crystal is grown in a furnace having a temperature gradient in it by lowering the raw material for the single crystal in the crucible from the upper position of the furnace whose temperature region is higher than the melting point of langasite to the lower position of the furnace whose temperature region is lower than the melting point while keeping the rotation of the crucible containing a seed crystal and the raw material.例文帳に追加

温度勾配をもたせた炉内で、種結晶と単結晶原料を入れたるつぼを回転させつつ、るつぼ内の単結晶原料を、炉内上部のランガサイトの融点以上の温度領域の位置から炉内下部の融点より低い温度領域の位置まで降下させることにより単結晶を育成する。 - 特許庁

The semiconductor element includes an active region including source/drain and a gate, and an element isolation region defining the active region, wherein the gate is formed by a part of a fin gate, the source/drain is an epitaxial layer between gates abutting a seed layer, and the line width of the source/drain in the longitudinal direction of the gate is wider than that of the gate.例文帳に追加

半導体素子は、ソース/ドレインとゲートを含む活性領域と、活性領域を画成する素子分離領域とを含むものの、ゲートはフィンゲートの一部で形成され、ソース/ドレインはシード層に隣接したゲートの間に形成されたエピタキシャル層であり、ゲートの長手方向でソース/ドレイン線幅はゲート線幅より大きい。 - 特許庁

例文

The inner surface of a crucible main body 1A, comprising the wall surface 1H, concave surface 1J, cone surface 1F, and convex surface 1L of a material accommodation section 1D and the wall surface 1K of a seed accommodation section 1E, has a surface roughness of about Rmax 3.2s.例文帳に追加

ルツボ本体1Aのルツボ内面である原料収容部1Dの壁面1H、凹曲面1J、コーン面1F、凸曲面1L、シード収容部1Eの壁面1Kの表面粗さがRmax3.2s程度の平滑面となっているため、原料収容部1D内で溶融されたフッ化カルシウム(CaF_2)が冷却によりシードの結晶面に沿って結晶化する際、多結晶の原因となる核がルツボ内面に発生するのが抑制される。 - 特許庁

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※この記事は「日本法令外国語訳データベースシステム」の2010年9月現在の情報を転載しております。
  
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