「are N」に関連した英語例文の一覧と使い方(180ページ目) - Weblio英語例文検索

In a P-type semiconductor 4 and an N-type semiconductor 5 mutually connected by a first electrode 1, a second and a third electrodes 3, 4 are provided in the opposite side of the first electrode 1 in the respective semiconductors, wherein the temperature change at the first electrode part is detected by a thermoelectromotive force generated by a time difference of temperature conductance to the second and the third electrode parts.例文帳に追加

第１の電極１で互いに接続されたＰ型半導体４、Ｎ型半導体５と各半導体において第１の電極と反対側に第２、第３の電極３、４を有し、第一の電極部での温度変化を第２、第３の電極部への温度伝達の時間差により生じる熱起電力により検知する。 - 特許庁

After a first-conductivity impurity is injected into the whole surface of a first-conductivity semiconductor substrate 201, a first-conductivity diffusing layer 200 and second-conductivity wells 202 and 203 higher in concentration that the substrate 201 are formed in a desired area by selectively injecting n-type dopants, such as the P, As, etc., into the area.例文帳に追加

第１導電型の半導体基板２０１全面に半導体基板と同一導電型の不純物を注入した後、所望領域に、選択的に、Ｐ、Ａｓ等のＮ型ド−パンを注入し、熱拡散により半導体基板２０１より高濃度の第１導電型拡散層２００と第２導電型ｗｅｌｌ２０２，２０３を形成する。 - 特許庁

In the GPS receiver for receiving signals from satellites 30(1) to 30(N) that are spectrum-diffused by diffusion codes of respective satellite, capturing accuracy of the GPS receiving signal is improved, by averting the effects in a transitional state, when starting a vehicle-mounted apparatus 19, measuring only the noise level of the ambient environment correctly and determining the threshold stably and correctly.例文帳に追加

衛星ごとの拡散コードによりスペクトラム拡散された衛星３０（１）〜３０（Ｎ）からの信号を受信するＧＰＳ受信機において、車載機器１９の立ち上がり時の過渡的な状態での影響を回避し、周囲環境のノイズレベルのみを正確に計測してしきい値レベルを安定かつ正確に決定し、ＧＰＳ受信信号の捕捉制度を向上するようにしたものである。 - 特許庁

The p^++ type semiconductor regions 14 are formed on side parts and bottom parts of recessed parts 10 as well, and reach the p^++ type high-concentration substrate 7 to electrically connect the zener junctions by the n^+ type epitaxial layer 8 and the p^++ type semiconductor regions 13 to the p^++ type high-concentration substrate 7 through surface electrodes 23 and the p^++ type semiconductor regions 14.例文帳に追加

ｐ^＋＋型半導体領域１４は、凹部１０の側部および底部にも形成され、ｐ^＋＋型高濃度基板７に達し、ｎ^＋型エピタキシャル層８とｐ^＋＋型半導体領域１３とによるツェナー接合を表面電極２３およびｐ^＋＋型半導体領域１４を介してｐ^＋＋型高濃度基板７と導通させる。 - 特許庁

The thermoelectric conversion element includes a pair of p and n thermoelectric semiconductors 14 and 15 which are sandwiched between a pair of electrodes 11 and 12 facing each other and includes a metal for reducing the degree of anisotropy of heat conduction and electrical conductivity between the electrodes and the thermoelectric semiconductors and has a stress-relaxing layer which includes carbon nanotubes 13, to which flexibility is imparted by introducing a proper quantity of gaps.例文帳に追加

対向する一対の電極１１，１２に挟まれたｐ、ｎ熱電半導体対１４，１５からなる熱電変換素子であって、該電極と該熱電半導体間に熱伝導と電気伝導性の異方性を少なくする金属を内包すると共に、適量の空隙を導入して可撓性を付与したカーボンナノチューブ１３からなる応力緩和層を有することを特徴とする熱電変換素子。 - 特許庁

In the semiconductor light-emitting element using the nitride system group III-V compound semiconductor having a structure in which an active layer having one or a plurality of well layers are sandwiched between a p-type clad layer and an n-type clad layer, the composition of at least one of the well layer of the active layer is modulated in a direction perpendicular to this well layer.例文帳に追加

ｐ側クラッド層とｎ側クラッド層との間に一つまたは複数の井戸層を有する活性層が挟まれた構造を有する、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体発光素子において、活性層の少なくとも一つの井戸層の組成をこの井戸層に垂直な方向に変調する。 - 特許庁

The first to (n)th clutch claws are set to 10 degrees or less in the play angle.例文帳に追加

ワンウェイクラッチは、外側部材の内周面に設けられたラチェット歯６０、内側部材の外周面に周方向に間隔を隔てて配置された第１から第ｎ（ｎは３以上の整数）のｎ個のクラッチ爪６１、及び第１から第ｎのクラッチ爪のうち複数のクラッチ爪を内側部材の外周側から係合位置に向けて付勢する付勢部材６２を有し、第１から第ｎのクラッチ爪は、遊び角が１０度以下である。 - 特許庁

A mask 11 for selective growth is formed on a sapphire substrate 1 as a substrate for growth, an undoped GaN layer 3, an n-type GaN layer 4, an active layer 5, and a p-type GaN layer 6 are laminated in order on an AlN buffer layer 2, and a mixed doped GaN layer 6a is formed on the p-type GaN layer 6.例文帳に追加

成長用基板であるサファイア基板１上に選択成長用マスク１１が形成され、ＡｌＮバッファ層２上には、アンドープＧａＮ層３、ｎ型ＧａＮ層４、活性層５、ｐ型ＧａＮ層６が順に積層されており、ｐ型ＧａＮ層６上には混合ドープＧａＮ層６ａが形成される。 - 特許庁

A path receiving antenna which receives the sticking state signal sent from the RF part 36, a gate receiving antenna which receives a readout state signal sent from a bar code reader through the RF part 36, and a store controller which decides whether the article N is allowed to be carried out according to the readout state signal are provided in a store.例文帳に追加

店舗内に、ＲＦ部３６から送信された貼着状態信号を受信する通路受信アンテナと、バーコードリーダからＲＦ部３６を介して送信された読出状態信号を受信するゲート受信アンテナと、読出状態信号に基づいて商品Ｎの持ち出しを可否判定する店舗制御装置とを設ける。 - 特許庁

On the SiC substrate 102 of the light emitting diode element 100, a porous layer 124 composed of porous single-crystal 6H type SiC to which B and N are added is formed, and when the porous layer 124 is excited with ultraviolet light emitted from a nitride semiconductor layer, visible light of blue to green can be obtained.例文帳に追加

発光ダイオード素子１００のＳｉＣ基板１０２に、Ｂ及びＮが添加されたポーラス状の単結晶６Ｈ型ＳｉＣからなるポーラス層１２４を形成し、窒化物半導体層から発せられる紫外光によりポーラス層１２４が励起されると、青色から緑色の可視光が得られるようにした。 - 特許庁

The amorphous semiconductor film is doped with a catalytic element, a crystal semiconductor film is formed by a first heat treatment, the catalytic element is transferred to an n-type dopant layer formed on the crystal semiconductor film by a second heat treatment, and the first/second island-like crystal semiconductor films are formed on the first/second gate electrodes by patterning.例文帳に追加

非晶質半導体膜に触媒元素を添加し、第１の加熱処理により結晶性半導体膜を形成し、第２の加熱処理により、結晶性半導体膜に設けられたＮ型不純物層に、触媒元素を移動させ、パターニングして第１／第２のゲイト電極上に第１／第２の島状の結晶性半導体膜を形成する。 - 特許庁

A halo impurity of the opposite conductivity type from a first impurity of first conductivity type is ion implanted into a silicon substrate 10, and then the first impurity of the first conductivity type is ion implanted into the substrate and flash lamp annealing is performed thereon, so that a p-type halo region 113 and an n-type extension region 111 are formed.例文帳に追加

シリコン基板１０１に、第一導電型の第一不純物と反対導電型のハロー不純物をイオン注入した後、第一導電型の第一不純物をイオン注入し、フラッシュランプアニールを行うことにより、ｐ型ハロー領域１１３およびｎ型エクステンション領域１１１を形成する。 - 特許庁

Then the machine 13 updates its own table TA and the tables TB based on its own inputted updating data and also updates its own table TB based on the updating data which are transferred from the machines 14 to n.例文帳に追加

そして、マスタ・マシンは、自己入力された更新データに基づいて、自己のデータ更新専用のデータベースと複写用のデータベースとを更新すると共に、スレーブ・マシンから転送されてきた更新データに基づいて自己の複写用のデータベースを更新し、転送に係る更新データを全てのスレーブ・マシンに配信する。 - 特許庁

In the heat developable photosensitive material containing at least one photosensitive silver halide, a non-photosensitive organic silver salt, a reducer for silver ions and a binder on one face of the support, at least one carbamoyl substituted hydrazine compound having no contrast enhancing action and at least one 5- to 7-membered N-containing heterocyclic compound having a mercapto group are contained.例文帳に追加

支持体上の一方面上に、少なくとも１種の、感光性ハロゲン化銀、非感光性有機銀塩、銀イオンのための還元剤、及びバインダーを含有する熱現像感光材料において、硬調化作用のないカルバモイル置換ヒドラジン化合物の少なくとも１種と、メルカプト基を有する５から７員含窒素複素環化合物の少なくとも１種と、を含有することを特徴とする熱現像感光材料である。 - 特許庁

A p-side electrode 35 of one second semiconductor light emitting element 21 is connected to an n-side electrode 34 of one first semiconductor light emitting element 11 disposed below it and a p-side electrode 35 of the other first semiconductor light emitting element 11, and all the first and second semiconductor light emitting elements 11 and 21 are connected in series.例文帳に追加

１つの第２半導体発光素子２１のｐ側電極３５を、その下方に配置された一方の第１半導体発光素子１１のｎ側電極３４と、他方の第１半導体発光素子１１のｐ側電極３５とに接続し、全ての第１及び第２の半導体発光素子１１，２１を直列に接続する。 - 特許庁

The photosensitive composition for volume hologram recording contains organic-inorganic hybrid polymers which are prepared by copolymerization of organic silicon compounds expressed by general formula (1): RmSi(OR')n and organic monomers having ethylenically unsaturated double bonds as the structural components of the main chains, and/or their hydrolyzed polymerization condensation products organic metal fine particles having photopolymerizable reactive groups and a photopolymerization initiator.例文帳に追加

主鎖構成成分として下記一般式（１）で表記される有機ケイ素化合物とエチレン性不飽和二重結合を有する有機モノマーとを共重合させてなる有機−無機ハイブリッドポリマー及び／又はその加水分解重縮合物、光重合反応性基を有する有機金属微粒子、及び、光重合開始剤を含有する体積型ホログラム記録用感光性組成物である。 - 特許庁

After a p-type GaAlAs active layer 2 and an n-type GaAlAs clad layer 3 are successively subjected to liquid phase epitaxial growth on a p-type GaAs substrate 1 installed in a liquid phase epitaxial growth apparatus, heat treatment for raising the temperature again in the liquid phase epitaxial growth apparatus is directly carried out to manufacture the epitaxial wafer.例文帳に追加

液相エピタキシャル成長装置内に設置したｐ型ＧａＡｓ基板１上に、ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層２、ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層３を順次、液相エピタキシャル成長させた後、そのまま液相エピタキシャル成長装置内で再度温度を上昇させる熱処理を施してエピタキシャルウエハを作製する。 - 特許庁

Pseudo half-tone gradations are given corresponding to the decimal place data generated by processing a signal of n-bits as a result of a time-spatial integration of the lighted dot pattern by changing over the turned-on dot pattern of a different turned-on dot density at a display unit cycle.例文帳に追加

ｎビットの信号を処理することによりに発生する小数点以下のデータに対応して、点灯ドット密度の異なる点灯ドットパターンを表示単位周期で切り換えることにより、上記点灯ドットパターンの時空間的な積分結果として、上記小数点以下のデータに対応する擬似的な中間階調を与える。 - 特許庁

While jig setting and workpiece setting are carried out, as for the carriage 35 set in a welding delivery process N, welding is made to the workpiece set in the jig 37 on the carriage 35, the workpiece is delivered by a delivery robot 49 after the welding operation.例文帳に追加

治具セットおよびワークセットを行っている間に、溶接・搬出工程Ｎにある台車３５に対しては、その台車３５上の治具３７にセットされているワークに対して溶接ロボット４７による溶接作業を行うとともに、溶接作業後のワークの搬出を搬出用ロボット４９により行う。 - 特許庁

The mucopolysaccharide decomposition promoter comprises as an effective ingredient a protein comprising an amino acid sequence of a specific sequence or a protein comprising an amino acid sequence of a specific sequence where one or several tens amino acids are substituted, deleted or added and exhibiting hydrolyzing activity of an N-acetyl-D-galactosaminide bond bonded to D-glucuronic acid.例文帳に追加

特定な配列のアミノ酸配列からなるタンパク質、または特定な配列のアミノ酸配列において１個もしくは数十個のアミノ酸が置換され、欠失され、又は付加されたアミノ酸配列からなり、かつＤ−グルクロン酸に結合したＮ−アセチル−Ｄ−ガラクトサミニド結合を加水分解する活性を有するタンパク質を有効成分とする、ムコ多糖分解促進剤。 - 特許庁

Thereafter, a lower electrode 141 and upper electrodes 142 are respectively formed on the rear surface of the substrate 11 and on the surface of the N-type AlGaN semiconductor layer 123.例文帳に追加

次いで、１３族元素窒化物発光ダイオード層１２表面から、青色蛍光体層部１３１、緑色蛍光体層部１３２及び赤色蛍光体層部１３３を各々この順でエピタキシャル成長させて積層し、３層からなる酸化亜鉛結晶蛍光体層１３を形成し、下部電極１４１及び上部電極１４２を形成して得る。 - 特許庁

A plurality of different test condition data A-N are successively outputted from a test controller 1, the output number of the test condition data is counted by a counter circuit 3, and the data writing clock outputted from the test controller 1 according to the counted value is distributed by a clock distributing circuit 4 to write corresponding test condition data in analog and digital characteristic measuring circuits 61-6n, respectively.例文帳に追加

テストコントローラ１から順次複数の異なる試験条件データ「Ａ」〜「Ｎ」を出力し、カウンタ回路３にて試験条件データの出力数を計数し、その計数値に応じてテストコントローラ１から出力されるデータ書込クロックをクロック分配回路４によって分配して、各アナログ・ディジタル特性測定回路６１〜６ｎに夫々対応する試験条件データを書き込ませる。 - 特許庁

In this semiconductor device whose core region of the semiconductor IC comprises CMOS, protective transistor circuits 31 (31B, 31C) and 41 (41D, 41E) of the connection cell for input are constituted of only N-channel transistors, and a transistor 5 on a first stage of incoming signals that have passed the connection cell for input is arranged in the internal core region.例文帳に追加

この発明は、半導体集積回路のコア領域がＣＭＯＳで構成された半導体装置において、入力用回路セルの保護トランジスタ回路３１（３１Ｂ、３１Ｃ）、４１（４１Ｄ、４１Ｅ）が、Ｎチャネルトランジスタのみを用いて構成し、前記入力用回路セルを通った入力信号の初段のトランジスタ回路５は、内部コア領域に配置されている。 - 特許庁

This method generates copyright condition data, which consists of additional data and charging data which prescribes the royalty generated for change, and copyright history data specifying primary, secondary, ..., and n-order copyrights (S1) and generates a change license user condition statement, where copyright condition data and copyright history data are incorporated, for changed digital contents (S2) and circulates this statement.例文帳に追加

本発明は、付加データと改変する際に発生するロイヤリティを規定した課金データとからなる著作権条件データと、１次、２次、…、ｎ次著作権が明記された著作権履歴データとを生成し、改変デジタルコンテンツに対して、前記著作権条件データと前記著作権履歴データを組み込んだ前記改変ライセンス使用条件書を生成して流通させる。 - 特許庁

A neutral position N for supplying pilot hydraulic oil outputted from right and left pilot valves 14 and 15 respectively to right and left control valves 12 and 13 corresponding to them, and switching valves 18 and 19 capable of being switched to first and second straight advancing positions X and Y supplying the pilot pressed oil outputted from one of both right and left valves to both right and left control valves are provided at a traveling hydraulic circuit.例文帳に追加

走行用油圧回路に、左右のパイロットバルブ１４、１５から出力されたパイロット圧油を対応する左右のコントロールバルブ１２、１３にそれぞれ供給する中立位置Ｎと、左右何れかのパイロットバルブから出力されたパイロット圧油を左右両方のコントロールバルブに供給する第一、第二直進位置Ｘ、Ｙとに切換できる切換バルブ１８、１９を設けた。 - 特許庁

There is provided a thermoelectric element module 1 in which an n-type semiconductor 2 and a p-type semiconductor 3 are alternately connected by electrodes 4, 5 at ends of the semiconductors 2, 3 so as to be electrically in series, characterized in that the electrode 4 at the elevated temperature side contacts with the semiconductors 2, 3 through a plurality of contact projections 6 provided on a front surface of the electrode 4.例文帳に追加

ｎ型及びｐ型の半導体２，３がそれら端部で電極４，５によって電気的に直列となるよう交互に接続された熱電素子モジュール１において、高温となる側の電極４が、電極４の表面に設けられた複数の接触突起部６を介してこれら半導体２，３と接触していることを特徴とする熱電素子モジュール１を提供する。 - 特許庁

Fluidity level data on the supply pump 6, that is, measuring data on a press feed quantity characteristic of reflecting a variation in an individual difference in the supply pump 6 are divided into N, and ranked and encoded, and a ranked force feed quantity characteristic code 21 is discriminately displayed (printed) on a part confirmable or visually confirmable from an external part of the supply pump 6.例文帳に追加

サプライポンプ６の流動水準データ、つまりサプライポンプ６の個体差ばらつきを反映した圧送量特性の測定データをＮ分割し、ランク分けしてコード化し、そのランク分けした圧送量特性コード２１を、サプライポンプ６の外部から確認または視認できる部位に識別表示（印字）している。 - 特許庁

To provide a nuclear magnetic resonance measurement apparatus that includes a stage for cooling an irradiation coil, a receiving coil, and an amplifier, which are electronic parts in a probe head used in a nuclear magnetic resonance measuring apparatus, to a very low temperature to allow them to become superconductive, and increasing a Q-value and an S/N ratio of the irradiation coil or the receiving coil.例文帳に追加

核磁気共鳴測定装置で使用される電子品の一種であるプローブヘッド内の照射コイル、受信コイル、前記増幅器を極低温に冷却して超電導化し、照射コイルまたは受信コイルのＱ値とＳ／Ｎ比を高めるステージを備えた核磁気共鳴測定装置を提供する。 - 特許庁

When the depth dimension of the building unit U is A, a space between the building unit U, U is D, the aspect dimension of the solar battery module 10 is a, and a space between the solar battery modules 10, 10 is d, the solar battery modules 10 are arranged and fixed to each building unit U to satisfy an expression A+D=(a+d)×n.例文帳に追加

建物ユニットＵの奥行き寸法を（Ａ）、建物ユニットＵ，Ｕ間の間隔を（Ｄ）、太陽電池モジュール１０見付寸法を（ａ）、太陽電池モジュール１０，１０間の間隔を（ｄ）とした場合、Ａ＋Ｄ＝（ａ＋ｄ）×ｎ式を満たすように各建物ユニットＵ…に太陽電池モジュール１０…が配列されて固定されている。 - 特許庁

In the conversion coefficient generation step, generated 2^N intermediate values are inputted, one intermediate value out of the m-th pair (m=1 to 2^N-1) of intermediate values determined in accordance with the conversion rule is weighted by the m-th weight coefficient and the weighted intermediate value is converted to generate the m-th pair of conversion samples.例文帳に追加

上記変換係数生成ステップは、生成された２^Ｎ個の中間値を入力とし、上記変換規則に従って定まった第ｍ対（ｍ＝１〜２^Ｎ−１）の中間値のうちの１つの中間値を第ｍ番目の重み係数で重み付けした上で変換演算を行い、第ｍ対の変換サンプルを生成する。 - 特許庁

For the thin film transistor 20, which switches the light- emitting element 10, the semiconductor active layer 13 composed of i-type ZnO is formed via an insulation layer 12 composed of SiO_2 on a gate 11 composed of ZnO and a drain 15 and a source 16 composed of ITO are formed via a contact layer 14, composed of n-type ZnO on the semiconductor active layer 13.例文帳に追加

発光素子１０をスイッチングする薄膜トランジスタ２０は、ＺｎＯから成るゲート１１上にＳｉＯ_2から成る絶縁層１２を介してｉ型のＺｎＯから成る半導体活性層１３を形成し、半導体活性層１３上にｎ型のＺｎＯから成るコンタクト層１４を介してＩＴＯから成るドレイン１５及びソース１６を形成する。 - 特許庁

Electrode structures 305, 306 are an ohmic electrode formed on the surface of an n-type or non-doped nitride semiconductor, which contains at least one or more of metals among Ti, Ta, Nb, Cr, V, Sn, In, Zr, and Si in a first region in contact with the surface of the nitride semiconductor, and further contains Mg in a second region formed on the first region.例文帳に追加

本発明の電極構造３０５、３０６は、ｎ型またはノンドープ窒化物半導体表面に形成されたオーミック電極であって、前記窒化物半導体表面に接する第１の領域にＴｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｖ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｚｒ、Ｓｉのうち少なくとも１種以上の金属が含まれ、かつ、その上に形成される第２の領域にＭｇが含まれていることを特徴とする。 - 特許庁

As for the inkjet printer with a nozzle check function 1, when middle reliability and low reliability are set as reliability of nozzle check, nozzle check is not performed basically during consecutive label printing for a plurality of labels, but counted number N of passing times in consecutive printing exceeds first and second passing-time thresholds N1 and N2, interruption for nozzle check is performed even in the middle of printing.例文帳に追加

ノズルチェック機能付きインクジェットプリンタ１では、ノズルチェックの信頼度として中間信頼度、低信頼度が設定されている場合には、基本的に、複数枚の連続ラベル印刷中にノズルチェックが行われないが、連続印刷のカウントパス数Ｎが第１、第２パス閾値Ｎ１、Ｎ２を超えると、印刷途中であってもノズルチェックの割り込みが掛かる。 - 特許庁

In the polyester woven or knitted fabric comprising polyester multifilaments and used for fused nets, the mutual contact points of the multifilaments are 0.4 to 32 points/mm^2, when observed in a state that a 10 cm square woven or knitted fabric is pulled with a force of 2 N in both the vertical and horizontal directions, and a porosity is 0.7 to 15%.例文帳に追加

ポリエステルマルチフィラメントからなる織編物であって、１０ｃｍ四方の該編物を縦、横方向ともに２Ｎの力で引っ張った状態で観察した場合のマルチフィラメント同士の接触点が０．４〜３２個／ｍｍ^２ 、空隙率が０．７〜１５％である、融着網用ポリエステル織編物により達成される。 - 特許庁

In the magnetic circuit 100, yokes 102 are opposed to each other across N and S poles of a permanent magnet 101, gaps 103A, and gaps 103B, and the voice coil 115A of the speaker 110A is located in the gaps 103A, and the voice coil 115B of the speaker 110B is located in the gaps 103B.例文帳に追加

この磁気回路１００において、ヨーク１０２は、永久磁石１０１のＮ極およびＳ極とギャップ１０３Ａおよび１０３Ｂを介して対向しており、ギャップ１０３Ａにはスピーカ部１１０Ａのボイスコイル１１５Ａが、ギャップ１０３Ｂにはスピーカ部１１０Ｂのボイスコイル１１５Ｂが配置されている。 - 特許庁

In reading data, a reading address on the virtual minimum two-dimensional memory space 1 is designated while the vertical/horizontal reading direction of the data is designated by using the designated reading address as a reference, and according to the both designations, sequential data arranged in the vertical or horizontal direction on the virtual minimum two-dimensional memory space 1 are read from the addresses respectively corresponding to the n memories.例文帳に追加

データの読み出しの際には、仮想最小２次元メモリ空間１上の読み出しアドレスを指定するとともに、その指定された読み出しアドレスを基準にデータの横方向または縦方向の読み出し方向を指定すると、その両指定に応じて、仮想最小２次元メモリ空間１上の縦方向または横方向に並ぶ連続データを、ｎ個の各メモリの対応するアドレスからそれぞれ読み出す。 - 特許庁

A control circuit 7a inputs frequency division number setting data, which are inputted to a frequency divider circuit 2, extracts (n) pieces of bits from a predetermined prescribed part in these data and outputs the gain control signal 13 to the gain switcher 6 so that the gain switcher 6 can switch the loop gain by controlling the switch elements corresponding to bit constitution of the extracted bits.例文帳に追加

制御回路７ａは、分周回路２に入力される分周数設定データを入力して、このデータのあらかじめ決められた所定部分からｎ個のビットを抽出し、抽出したビットのビット構成に応じて利得切替器６がスイッチ素子を制御してループ利得を切り替えるように利得切替器６に利得制御信号１３を出力する。 - 特許庁

When a magnet approaches, an N pole and an S pole are induced and reeds of a magnetic detection switch MS become a conductive state by the magnetic attraction force to detect a fraud by a magnetic fraud, and the reeds having a function as a vibration sensor, which come into contact by an external force of vibration to become a conductive state, detect a fraud by a striking fraud.例文帳に追加

磁気検出スイッチＭＳのリードは、磁石が近づくことでＮ極とＳ極とが誘導されて磁気吸引力により導通状態となるので磁石ゴトによる不正行為の検出ができるし、振動による外力により接触して導通状態となる振動センサとしての機能を有するので叩きゴトによる不正行為の検出ができる。 - 特許庁

In the B/I test process, a maximum current limit Ilmt (max) to be supplied from a B/I testing device to a B/I board BIBD is set based on a margin α in which a maximum operation current Icc (max) of a testing object device DUT, the number N of DUTs mounted on the BIBD, and a dispersion are taken into consideration.例文帳に追加

Ｂ／Ｉテスト工程の際に、Ｂ／Ｉテスト装置からＢ／ＩボードＢＩＢＤに供給する最大電流リミットＩｌｍｔ（ｍａｘ）を被テストデバイスＤＵＴの最大動作電流Ｉｃｃ（ｍａｘ）とＢＩＢＤ上のＤＵＴの搭載数Ｎとばらつきを加味した余裕度αに基づいて設定する。 - 特許庁

Then, electrodes 8a and 8b are formed to run on the half-embedded insulation films 5 and the STIs 7, respectively, and an n-type region 3 constituting a photodiode is formed in a region contacting the p-type region 4 in the semiconductor substrate 2 by injecting impurities into the image pickup region A by using the electrode 8a and the half-embedded insulation film 5 as a mask.例文帳に追加

次に、半埋込絶縁膜５及びＳＴＩ７にそれぞれ乗り上げるように電極８ａ及び８ｂを形成し、電極８ａ及び半埋込絶縁膜５をマスクとして撮像領域Ａに不純物を注入することにより、半導体基板２におけるｐ型領域４に接する領域に、フォトダイオードを構成するｎ型領域３を形成する。 - 特許庁

In a NAND flash memory, with respect to high-voltage driving transistors HV-P, HV-N and a low-voltage driving P-channel transistor LV-P of its peripheral circuit, after forming their gate electrodes 7, when ion-implanting impurities into them; their gate insulating films 6, 8 are so removed at the same time by a lithographic processing as to implant ions into them.例文帳に追加

ＮＡＮＤフラッシュメモリで、周辺回路の高電圧駆動トランジスタＨＶ−Ｐ、ＨＶ−Ｎと低電圧駆動ＰチャンネルトランジスタＬＶ−Ｐについて、ゲート電極７の形成後に、不純物のイオン注入時に、リソグラフィ処理で同時にゲート絶縁膜６、８を除去し、イオン注入を行う。 - 特許庁

In an oxide semiconductor light emitting element where at least an n-type ZnO based semiconductor layer, an ZnO based semiconductor light emitting layer and a p-type semiconductor layer are formed on a substrate and the ZnO semiconductor light emitting layer is sandwiched by the ZnO based semiconductor layer and a p-type ZnO based semiconductor layer, the ZnO based semiconductor light emitting layer is doped with a group IV element, especially Si.例文帳に追加

基板上に、少なくともｎ型ＺｎＯ系半導体層、ＺｎＯ系半導体発光層およびｐ型半導体層が形成され、該ＺｎＯ半導体発光層は該ｎ型ＺｎＯ系半導体層およびｐ型ＺｎＯ系半導体層に挾持された酸化物半導体発光素子において、該ＺｎＯ系半導体発光層にＩＶ族元素、特にＳｉをドーピングする。 - 特許庁

Part of the array wiring pattern formed in the light emitting element array board 20 is a plurality of data line patterns sequentially alternately drawn out to both ends of the subsidiary scanning direction B of the light emitting elements of a 2^N array from one end of a main scanning direction A every other pattern and a plurality of data line patterns are connected with the first and second flexible boards 60A and 60B.例文帳に追加

発光素子アレイ基板２０に形成されたアレイ配線パターンの一部は、主走査方向Ａの一端より順次一つおきに、２^Ｎ列の発光素子の各々から副走査方向Ｂの両端の端部に交互に引き出される複数のデータ線パターンであり、複数のデータ線パターンが第１，第２のフレキシブル基板６０Ａ，６０Ｂに接続される。 - 特許庁

In the reflection ground photosensitive element wherein (a) a ruggedness formation layer support film, (b) a reflection ground photosensitive resin layer and (c) a protective film are laminated in this order, a polyester film subjected to release treatment is used as (c) the protective film and peeling strength of the (b) and the (c) is 0.05 to 0.45 N/m.例文帳に追加

（ａ）凹凸形成層支持体フィルム、（ｂ）反射下地感光性樹脂層、及び（ｃ）保護フィルムの順に積層された反射下地感光性エレメントにおいて、（ｃ）保護フィルムが離型処理を施されたポリエステルフィルムを使用し、前記（ｂ）と（ｃ）の剥離強度が０．０５〜０．４５Ｎ／ｍである反射下地感光性エレメント。 - 特許庁

A herbicide comprising a herbicidal triazolinone compound represented by general formula (1) (wherein, X and Y may be same or different and are each a halogen atom, a lower alkyl group, a lower haloalkyl group, a lower alkoxy group or a lower haloalkoxy group; and n and m represent each an integer of 0 or 1-5) as an active ingredient is applied in the direct sowing cultivation of the paddy rice.例文帳に追加

水稲の直播栽培において、一般式（１） （ＸおよびＹは同一または相異なってもよく、ハロゲン原子、低級アルキル基、低級ハロアルキル基、低級アルコキシ基、低級ハロアルコキシ基であり、ｎおよびｍは０または１〜５の整数を示す）で示される除草性トリアゾリノン化合物を有効成分として含有する除草剤を施用する。 - 特許庁