「are N」に関連した英語例文の一覧と使い方(187ページ目) - Weblio英語例文検索

N-sets of linear array antenna elements 3-6 each configured of rectangular cells 11 placed as a pyramid form are arranged around the bore- site axis in axial symmetry, and the configuration where the direction of the antenna is turned by 360/n degrees by each adjacent antenna element and the phase shift is provided by 360/n degrees each can realize excellent circular polarized wave characteristic over a broadband.例文帳に追加

長方形セル１１をピラミッド型に配置して構成した線状アレイアンテナ素子３〜６をボアサイト軸の回りに軸対称にｎ素子配置し、アンテナの向きを隣り合うアンテナ毎に３６０／ｎ度づつ回転させ、位相偏移も３６０／ｎ度づつ与えた構成で、広帯域での良好な円偏波特性を実現することができる。 - 特許庁

The output stage circuit 270 of the display panel driving device comprises a low-side selector circuit 235 constituted by connecting inverters 232 and 233 and a buffer circuit 234 in series, n-channel IGBTs 236 and 237, a Zener diode 244 and a resistor 245 which are connected between the gate and the emitter of the IGBT 236, a buffer circuit 251, a high-side selector circuit 255 comprising an inverter 254.例文帳に追加

表示パネル駆動装置の出力段回路２７０は、インバータ２３２，２３３およびバッファ回路２３４を直列に接続してなるローサイドセレクタ回路２３５と、ｎチャネル型のＩＧＢＴ２３６，２３７と、ＩＧＢＴ２３６のゲート・エミッタ間にそれぞれ接続されたツェナーダイオード２４４および抵抗２４５と、バッファ回路２５１と、インバータ２５４からなるハイサイドセレクタ回路２５５とから構成される。 - 特許庁

This charge pump apparatus includes a plurality of cascade- allocated stages (1 to N) for transferring the potential charges from one stage to the next stage, in response to clock signals (PHI, PA, PHINOT, PB) and each stage includes switching circuits (100, 200) and storage capacitors (Ca, Cb) which are allocated between an input (Ai) and an output (Ai+1).例文帳に追加

該チャージ・ポンプ装置は、クロック信号（ＰＨＩ、ＰＡ、ＰＨＩＮＯＴ、ＰＢ）に応答して１つのステージから次のステージに電位電荷を伝達するために複数のステージ（１からＮまで）をカスケード配置を含み、各ステージは、入力（Ａ_i）および出力（Ａ_i+1）の間に配置されるスイッチ回路（１００、２００）および蓄電コンデンサ（Ｃａ、Ｃｂ）を含む。 - 特許庁

For example, cell layouts CL_BF[1]-CL_BF[n] for a buffer, provided with identical layout dimensions and I/O terminal arrangement, or cell layouts CL_FF[1]-CL_FF[m] for a flip-flop, provided with identical layout dimensions and I/O terminal arrangement, are prepared on a cell layout library CLLIB.例文帳に追加

例えば、セルレイアウトライブラリＣＬＬＩＢ上に、それぞれ同一のレイアウト寸法、入力・出力端子配置を備えたバッファ用セルレイアウトＣＬ＿ＢＦ［１］〜ＣＬ＿ＢＦ［ｎ］や、それぞれ同一のレイアウト寸法、入力・出力端子配置を備えたフリップフロップ用セルレイアウトＣＬ＿ＦＦ［１］〜ＣＬ＿ＦＦ［ｍ］を準備する。 - 特許庁

This new method for purifying the cyclic ester expressed by formula (1) [wherein, R^1 to R^6 are each the same or different H, or a 1-4C linear or branched alkyl: and (n) is an integer of 1 to 3] is characterized by mixing the cyclic ester expressed by the formula (1) with an isocyanate compound, heating and then distilling.例文帳に追加

式（１）（上記式（１）中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、及びＲ^６は互いに同一であっても異なっていてもよい、水素または炭素数１〜４の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基を示し、ｎは１〜３の整数を示す。）で表される環状エステルをイソシアナート化合物と混合加熱した後、蒸留することを特徴とする前記式（１）で表される環状エステルの新規な精製方法が提供される。 - 特許庁

A terminal carboxyl group in a linear m-mer oligomer (wherein m is an integer of 3-15) of lactic acid as the starting substance is caused to react, preferably in the presence of a base, with an -OR group in a compound: O=R (wherein R is a cyclic or linear organic group); subsequently, n oligomers are cyclized preferably in the presence of a catalyst.例文帳に追加

出発物質の鎖状乳酸ｍ量体オリゴマー（ｍは、３〜１５の整数である。）の末端カルボキシル基に、好ましくは塩基の存在下で、化合物Ｏ＝Ｒ（式中Ｒは、環状または鎖状の有機基である。）の−ＯＲ基と反応させ、次いで好ましくは触媒の存在下でｎ個の該オリゴマーを環化させる。 - 特許庁

This is an adhesive tape for fixing a semiconductor wafer that melts at a testing temperature of 190 °C and test load of 21.18 N in the testing method shown in "the flow testing method of thermoplastics" Japanese Industrial Standards K 7210, wherein MFR by the method is 0.1-3, and a resin layer B and adhesive layer A are laminated that includes a carboxyl group as a polymeric constituent.例文帳に追加

ＪＩＳ Ｋ ７２１０「熱可塑性プラスチックの流れ試験方法」に示される試験方法における試験温度１９０℃、試験荷重２１．１８Ｎで溶融するとともに前記方法によるＭＦＲが０．１〜３で、かつ重合体の構成成分としてカルボキシル基（−ＣＯＯＨ）を有する構成成分を含む樹脂層Ｂと粘着剤層Ａとが積層されてなることを特徴とする半導体ウエハ固定用粘着テープ。 - 特許庁

In a reflective mask blank for EUV lithography where a layer 12 reflecting EUV light, a layer 14 for absorbing EUV light, and a low reflection layer 15 for the inspection light (wavelength 190-260 nm) of a mask pattern are formed on a substrate 11 in this order, the low reflection layer 15 contains hafnium Hf, nitrogen N and oxygen O at content in total of 80 at% or more.例文帳に追加

基板１１上に、ＥＵＶ光を反射する反射層１２と、ＥＵＶ光を吸収する吸収体層１４と、マスクパターンの検査光（波長１９０〜２６０ｎｍ）に対する低反射層１５が、この順に形成されたＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクであって、前記低反射層が、ハフニウム（Ｈｆ）、窒素（Ｎ）および酸素（Ｏ）を合計含有率で８０ａｔ％以上含有する。 - 特許庁

This cosmetic is obtained by emulsifying water and oily ingredient(s) with, as the main emulsifier, one or more kinds selected from polyethylene glycol diesters of the general formula R1CO(OCH2CH2)nOOCR2 (R1 and R2 are each a 12-24C straight-chain or branched-chain alkyl group; n denotes an average polymerization degree, being an integer of 5-20).例文帳に追加

一般式 Ｒ^1ＣＯ(ＯＣＨ_2ＣＨ_2)_nＯＯＣＲ^2（Ｒ^1及びＲ^2は炭素数１２〜２４の直鎖又は分岐鎖を有するアルキル基、ｎは平均重合度を示し、５〜２０の整数である）で示されるポリエチレングリコールジエステルより選択した１種又は２種以上を主な乳化剤とし、油性成分及び水を乳化する。 - 特許庁

In this photosensitive and heat sensitive recording material having a photosensitive and heat sensitive recording layer including a diazonium salt and a coupler on a support, at least one kind of the diazonium salt is a compound represented by general formula, wherein R1 is a secondary or tertiary alkyl group, R2 and R3 are alkyl groups or allyl groups, n is an integer from 1 through 4 and X- is a negative ion.例文帳に追加

支持体上に、ジアゾニウム塩及びカプラーを含む感光感熱記録層を有する感光感熱記録材料において、前記ジアゾニウム塩の少なくとも１種が、下記一般式（１）で表される化合物である感光感熱記録材料〔Ｒ^1：２級又は３級のアルキル基、Ｒ^2，Ｒ^3：アルキル基，アリール基、ｎ＝１〜４、Ｘ^-：陰イオン〕。 - 特許庁

To calculate radio resources which radio terminals performing communication by using a shared channel require to satisfy a target transmission speed, and to perform call reception control of individual channels, while ensuring the quality of the shared channel taking into consideration the case where n-sets of radio terminals for performing communication using the shared channel and m-sets of radio terminals for performing communication that uses individual channels are provided mixedly.例文帳に追加

共有チャネルを用いて通信を行うｎ個の無線端末と、個別チャネルを用いて通信を行うｍ個の無線端末とが混在する場合に、共有チャネルを用いた通信を行っている無線端末が、目標とする伝送速度を満たすために必要な無線リソースを算出し、それを考慮して、共有チャネルの品質を確保しつつ、個別チャネルの呼受付制御を行う。 - 特許庁

On an n-type clad layer 11 of a thickness of T2 which is mode of a C component, quantum dots 1 mode of an A component are formed in a cylindrical shape of a diameter Dqd and height Tqd in a form of being embedded in a matrix made of a D component by a lithography or etching method with the size, position, and distribution density being controlled.例文帳に追加

Ｃ成分からなる厚さＴ２の１１ｎ型クラッド層の上に、Ｄ成分からなる、２マトリックス中に埋った形態で、Ａ成分からなる１量子ドットを、リソグラフィ法およびエッチング法を用いて、直径Ｄ_qd、高さＴ_qdの円柱体の形状で、サイズ、位置および分布密度を制御して形成する。 - 特許庁

The present invention is a model material for simulation of plastic working which is a clay-like material comprising a mixture of a solid macromolecular substance, particulates and a surfactant, wherein penetration of the macromolecular substance and a compounding ratio of the macromolecular substance with the particulates are adjusted so that the work-hardening factor (n value) will be -0.60 to 0.50.例文帳に追加

本発明は、固形の高分子物質と微粉末、界面活性剤との混合物からなる粘土状物質であって、加工硬化指数（ｎ値）が−０．６０〜０．５０になるように高分子物質の針入度や高分子物質と微粉末との配合割合を調整した塑性加工シミュレーション用モデル材料である。 - 特許庁

When the results are unsuccessful, an outgoing frequency changing means 108 changes a retrieved outgoing frequency after discriminating the changing order of frequency numbers N, whether in ascending order or descending order, from the values of serial numbers which vary at every terminal equipment 102 and stored in a serial number storing section 112.例文帳に追加

失敗した場合、下り周波数変更手段１０８はシリアル番号記憶部１１２に記憶されている各ＬＭＤＳシステム端末装置１０１毎に異なるシリアル番号の値によって周波数番号Ｎを昇順で変更するかもしくは降順で変更するか判断し、検索する下り周波数を変更する。 - 特許庁

As a result, the gate insulation film 7b in the vicinity of the end of the gate electrode 8 of a source side can be protected with the insulating film 15 when the impurities for forming the source and the drain are introduced, and the gate insulation film 7b can be protected from damaging or the like, so that imperfect gate insulation of the power n channel LDMOS FETQn can be prevented.例文帳に追加

これにより、そのソースおよびドレイン形成のための不純物導入時に、ソース側のゲート電極８の端部近傍のゲート絶縁膜７ｂを絶縁膜１５により保護でき、そのゲート絶縁膜７ｂに損傷等が生じるのを防止できるので、パワーｎチャネルＬＤＭＯＳ・ＦＥＴＱｎのゲート絶縁不良を防止できる。 - 特許庁

This is the electron emitting element which efficiently emits high density electrons by utilizing a large internal electric field by a spontaneous polarization and a piezo polarization generated in the nitride semiconductor and a resonance tunnel effect by an AIN/GaN multiplex barrier layer, and the AIN/GaN multiplex barrier layer and a GaN surface layer of dozens of nanometers are formed on the n-type GaN, and a surface electrode for electron extraction is fitted.例文帳に追加

窒化物半導体に生じる自発分極やピエゾ分極による大きな内部電界とＡｌＮ／ＧａＮ多重障壁層による共鳴トンネル効果を利用し、高密度電子を効率的に放出させる電子放出素子に関するもので、ｎ型ＧａＮ上へＡｌＮ／ＧａＮ多重障壁層と数十ナノメートルのＧａＮ表面層を作製し、電子取出用の表面電極を取り付けたものである。 - 特許庁

The vertical disposition of a p bus bar 150 and an n bus bar 160 disposed so that they are overlapped with each other is determined with consideration made so that an angle θ0 formed by the passing current In of the bus bar closer to the substrate and the current I1 whose bus bar parallel component is largest among the currents on the substrate is within a range of 90° to 270°.例文帳に追加

重ね合わせて配置されるＰバスバー１５０およびＮバスバ１６０の上下は、基板に近い側のバスバーの通過電流Ｉｎと、基板上の電流のうちバスバー平行成分が最大である電流Ｉ１との成す角度θ０が９０°から２７０°の範囲となるように考慮して決定される。 - 特許庁

At this time, the blocks (A1 to A4), (B1 to B4) to (N1 to N4) are extracted from the respective moving image frames, and one DCT coefficient, in which watermark data in each block is embedded, is gathered for each moving image frame to generate a DCT coefficient set {A1, B1 to N1} comprising N DCT coefficients.例文帳に追加

この時、前記動画像フレームの各々からブロック（Ａ１〜Ａ４）、（Ｂ１〜Ｂ４）、・・・、（Ｎ１〜Ｎ４）を抽出し、各ブロック中の透かしデータが埋め込まれたＤＣＴ係数を、各動画像フレームにつき１個づつ集めて、Ｎ個のＤＣＴ係数からなるＤＣＴ係数集合｛Ａ１，Ｂ１，・・・，Ｎ１｝等を作る。 - 特許庁

The material for which the P-type or N-type impurity semiconductor layer of thickness 2 nm-40 μm composed of poly crystalline silicon containing the dopant of boron or phosphorus or the like, and the true semiconductor layer of the thickness 2 nm-40 μm composed of the polycrystalline silicon, are laminated on a base material in the order, is used as this substrate for the photovoltaic element.例文帳に追加

硼素やりん等のドーパントを含む多結晶シリコンからなる厚さ２ｎｍ〜４０μｍのＰ型又はＮ型の不純物半導体層、及び多結晶シリコンからなる厚さ２ｎｍ〜４０μｍの真性半導体層が基材上にこの順番で積層されたものを光起電力素子用基板として用いる。 - 特許庁

When the steel sheet having a prescribed width W is rolled, a limitation is placed on the number of sheets continuously rolling the steel sheet having width W, the Q sheets of the steel sheet having the width (W+ΔW) which is wider than the steel sheet having the width W are rolled after rolling P sheets of the steel sheet having the width W within the limited number and such rolling is repeated N times.例文帳に追加

所定の板幅Ｗを有する鋼板を圧延するに際して、板幅Ｗの鋼板を連続して圧延する本数に制限を設け、板幅Ｗの鋼板をその制限本数内でＰ本圧延した後、板幅Ｗの鋼板より広い板幅Ｗ＋ΔＷを有する鋼板をＱ本圧延するようにし、そのような圧延をＮ回繰り返す。 - 特許庁

A control line is extended between the transmitting side (Source) and the receiving side (Target), a simple control signal is transmitted synchronously to the transmitting side before and after data transmission, the control signal is compared with its specific conditions on the receiving side, data reception start timing and end timing are obtained, noise reception is rejected excepting that time band and S/N ratio is elevated during transmission.例文帳に追加

本発明は送信側（Ｓｏｕｒｃｅ）と受信側（Ｔａｒｇｅｔ）の間に制御ラインを追加増設し、データ伝送前後において送信側に簡単な制御信号を同期送信させ、制御信号がその特定条件に符合するか否かを受信側に比較対照させ、データ受信開始と終了のタイミングを把握させ、この時間帯以外のノイズ受信を拒否させて、伝送時のＳ／Ｎ比を上昇させるものである。 - 特許庁

To provide a laser scanning microscope in which an optical filter and a mechanical driving part requiring high position reproducing accuracy are not necessitated and the change of a device constitution is not necessitated for the various kinds of the combinations of exciting wavelength and a fluorescent pigment, by which the multiexcited fluorescent image of a sample multi-colored can be obtained by one photodetector by having a high S/N and whose constitution is simple.例文帳に追加

光学フィルタや高度な位置再現精度を要する機械駆動部を必要とせず、励起波長や蛍光色素の各種組み合わせに対しても装置構成の変更を必要としない、多重染色された標本の多重励起蛍光像を一つの光検出装置でも高いＳ／Ｎをもって得ることの出来る、簡易な構成のレーザ走査型顕微鏡を提供する。 - 特許庁

An image picked up at a high picture rate by an imaging element 12 is temporarily stored in a memory region 33a (S3), and n pieces of continuous pickup images are converted into images arrayed on one picture, and the image is output at a low picture rate which is 1/n of the high picture rate, and processed by a camera signal processing circuit 14 (S4).例文帳に追加

撮像素子１２により高速画面レートで撮像された画像は、メモリ領域３３ａに一旦格納された後（Ｓ３）、ｎ枚の連続した撮像画像が１画面上に配列された画像に変換され、その画像が高速画面レートの１／ｎである低速画面レートで出力されて、カメラ信号処理回路１４で処理される（Ｓ４）。 - 特許庁

To provide a method for producing an N-long-chain acyl acidic amino acid or its salt from an acidic amino acid or its salt and a long-chain fatty acid halide in a good yield, capable of achieving the high yield, reduction of facilities which are necessary for removing a solvent, a catalyst, etc., remaining in a target product, simplification of production processes, etc., and therefore industrially advantageous.例文帳に追加

酸性アミノ酸又はその塩と長鎖脂肪酸ハライドとからＮ−長鎖アシル酸性アミノ酸又はその塩を収率よく製造する方法において、高収率で、目的生成物中の残留溶媒・触媒等の除去に要する設備の縮減、製造工程の簡略化等が達成される工業的に有利な製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for controlling the front or rear spoilers is configured so that at least a revolution speed n, engine torque M, a temperature T, and a stopping time t_stop are detected, an engine output PM required from the detected engine torque M is decided, and that the front or the rear spoiler is put out in the case the engine output exceeds a threshold SW capable of being set previously.例文帳に追加

上記課題は、少なくとも回転数（ｎ）、エンジントルク（Ｍ）、温度（Ｔ）及び停止時間（ｔ_停止）が検出され、検出されたエンジントルク（Ｍ）から要求されるエンジン出力（ＰＭ）が決定され、エンジン出力が予め設定可能な閾値（ＳＷ）を越える場合にはフロント又はリアスポイラーが出されることによって解決される。 - 特許庁

Furthermore, the voltage control means 33 judges abnormal gear shift operation if the engine rotational speed N at the time of clutch engagement is a prescribed rotational speed β or larger when the deceleration state of the vehicle and the disengagement state of the clutch are detected, and controls the output voltage of the generator 11 to a voltage which puts the generator 11 into a no-power-generation state.例文帳に追加

また、電圧制御手段３３は、車両の減速状態及びクラッチの切断状態が検出された場合に、クラッチ接続の際のエンジン回転速度Ｎが所定回転速度β以上であれば、変速操作異常と判断して、発電機１１の出力電圧を該発電機１１が無発電状態となるような電圧に制御する。 - 特許庁

A rotor 20 is constituted by connecting and fitting a rotor core 21 to a rotary shaft 23 and building arc shaped permanent magnets 22 in respective permanent magnet insertion holes 29 which are formed on the rotor core 21 by cutting out and inserting N-pole and S-pole alternately in the axial direction, and is disposed in a state having stator teeth tip parts 13 and gaps 15 inside the stator 10.例文帳に追加

回転子２０は、回転軸２３に回転子鉄心２１を接合固着し、この回転子鉄心２１に形成された打抜の永久磁石挿入孔２９に、アーク形状の永久磁石２２を軸方向からＮ極とＳ極とが交互になるように挿入し、組込むことによって構成し、固定子１０の内部に固定子ティース先端部１３とギャップ１５を有する状態で回転可能に配置する。 - 特許庁

The linear motor comprises: a plurality of permanent magnets 6, so arranged on a base 2 side as N-pole and S-pole line up in one direction; and a plurality of flat coils 5U-5W that line up in the arrangement direction of the permanent magnets 6 and are fixed as an armature on a stage 3 side so as to face the permanent magnets 6 via an electromagnetic gap.例文帳に追加

一方向にＮ極とＳ極が並ぶようにベース２側に配置している複数の永久磁石６と、永久磁石６の配置方向に沿って並び、かつ、永久磁石６との間に電磁空隙を介して対面するように、ステージ３側に電機子として固定されている複数の扁平形のコイル５Ｕ〜５Ｗとを有している。 - 特許庁

On the insulation coating 7 formed on the surface of the semiconductor substrate 1, a first electrode 82 connected with the first P type heavily doped layer 2 through a through hole and a second electrode 83 connected with the second P type heavily doped layer 6 are provided so that an independent bias voltage can be applied between the second P type heavily doped layer 6 and an N type heavily doped layer 11.例文帳に追加

半導体基板１表面の絶縁被膜７上に、透孔を介して第1のＰ型高濃度層２に接続された第1の電極８２と、第２のＰ型高濃度層６に接続された第２の電極８３とを設け、第２のＰ型高濃度層２とＮ型高濃度層１１の間に別途バイアス電圧を印加可能とした。 - 特許庁

Concerned M×(N+1) pixels on an SRAM101 are read out, smoothing is performed by a pattern matching circuit 102, the 1st line is outputted as VDATA1 by a horizontal synchronizing signal LSYNC1, and the 2nd line is temporarily stored on a FIFO memory 103 by the horizontal synchronizing signal LSYNC1 and afterwards outputted as VDATA2 by a horizontal synchronizing signal LSYNC2.例文帳に追加

ＳＲＡＭ１０１におけるの注目画素のＭ×（Ｎ＋１）画素の読み出しを行い、パターンマッチング回路１０２により、平滑化処理を行い、１ライン目は水平同期信号ＬＳＹＮＣ１によりＶＤＡＴＡ１として出力し、２ライン目は水平同期信号ＬＳＹＮＣ１により一度ＦＩＦＯメモリ１０３に蓄えられた後、水平同期信号ＬＳＹＮＣ２によりＶＤＡＴＡ２として出力する。 - 特許庁

Because the film 13 is formed by alternately laminating two kinds of semiconductor layers each containing an n-type inpurity and whose piezo polarization quantity and spontaneous polarization quantity are different from each other, an electron is induced at an interface between the two semiconductor layers, thus allowing contact resistance between the electrode 14 and the layer 13 or parasitic resistance in a current transmission path to be more reduced than that in a conventional one.例文帳に追加

多層膜１３は、ピエゾ分極量あるいは自発分極量が互いに異なり、共にｎ型不純物を含む２つの半導体層を交互に積層することで形成されているので、２つの半導体層の界面に電子が誘起され、電極１４と多層膜１３との間のコンタクト抵抗や、電流伝達経路における寄生抵抗を従来よりも低減することができる。 - 特許庁

The signal phase converter 104 creates phase information Ipm for obtaining phase modulating signals corresponding to data A of (m+1) bits that are converted from data M (multi-valued signals of n-ary) of m bits obtained by grouping the data Din into m bits and changed in value for each one clock, and outputs a control voltage Vct that is furthermore converted from the phase information Ipm.例文帳に追加

信号位相変換器１０４は、データＤinをｍビット毎に区切って得られたｍビットのデータＭ（ｎ値の多値信号）を変換した、１クロック毎に値が変化したｍ＋１ビットのデータＡに対応した位相変調信号を得るための位相情報Ｉpmを生成し、この位相情報Ｉpmをさらに変換した制御電圧Ｖctを出力する。 - 特許庁

To attain high image quality for an image, without causing deterioration in the S/N ratio and to enhance yield by facilitating the manufacture of the probe by adopting a structure which does not completely cut off a groove in a minor axis direction in orthogonal element split grooves in 2-ways in the ultrasonic wave diagnostic probe adopting a system, where vibrators are arranged in two-dimension.例文帳に追加

振動子を２次元分割する方式の超音波診断用探触子において、直交する２方向の素子分割溝の一方の短軸方向溝を完全に切り離さない構造とすることで、Ｓ／Ｎ低下を生ずることなく画像の高画質化を図るとともに、探触子を製造しやすくして歩留りの向上を図る。 - 特許庁

In the case that the subcollector layer 41, a collector layer 42, a base layer 43 and an emitter layer 44 are grown in a gas phase on a GaAs substrate 2 by using an MOCVD method and the semiconductor wafer 1 for manufacturing HBT is manufactured, an n-type GaAs layer is grown on the GaAs substrate 2 as the sub-collector layer 41 by making a V/III ratio 20 or less.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板２上にサブコレクタ層４１、コレクタ層４２、ベース層４３、及びエミッタ層４４をＭＯＣＶＤ法を用いて気相成長させてＨＢＴ製造用の半導体ウェーハ１を製造する場合、サブコレクタ層４１として、ｎ型ＧａＡｓ層をＧａＡｓ基板２上にＶ／ＩＩＩ比を２０以下として成長させるようにした。 - 特許庁

The present invention relates to the nitride light-emitting element comprising an n-type clad layer 30, an active layer 40, a p-type clad layer 50 and a transparent conductive film layer 60 that are sequentially laminated on a substrate 10, wherein the transparent conductive film layer 60 including a surface patterned in nanometer scale using wet etching and post-thermal-treatment without a separate etching mask.例文帳に追加

基板１０上に順次積層されたｎ型クラッド層３０、活性層４０、ｐ型クラッド層５０及び透明導電性薄膜層６０を備え、ここで、透明導電性薄膜層６０は、内部で発生した光の外部発光効率を高めるために別途のエッチングマスクなしに湿式エッチング方式とポスト熱処理によるナノメートルスケールでパターニングされた表面を有する窒化物系発光素子である。 - 特許庁

The silicon nitride(SiN) regions 40 filling the role of the barriers for obstructing the thermal diffusion of substrate impurities of a MOSFET in STI region formed by ion implantation of nitrogen(N) are held by Si substrate 31 near the interface between STI structured buried-in oxide films 34 and the Si substrate 31.例文帳に追加

ＳＴＩ構造の埋め込み酸化膜３４とＳｉ基板３１との界面近傍のＳｉ基板３１中に、窒素（Ｎ）のイオン注入によって形成され、ＭＯＳＦＥＴの基板不純物がＳＴＩ領域中へ熱拡散するのを阻止するためのバリアとして働く窒化シリコン（ＳｉＮ）領域４０を介在させたことを特徴としている。 - 特許庁

The bidirectional zener diode includes multiple P-type impurity regions (or N-type impurity regions) having different concentrations from each other such that breakdown voltage when the gate side is negatively biased and breakdown voltage when the gate side is positively biased are different from each other.例文帳に追加

本願発明は、絶縁ゲート型パワー系トランジスタ等をチップ内に具備する半導体装置であって、ゲート保護素子は双方向ツェナーダイオードを具備し、前記双方向ツェナーダイオードは、そのゲート側がマイナスバイアスされたときの耐圧と、そのゲート側がプラスバイアスされたときの耐圧とは相互に異なるように、複数の濃度の異なるＰ型不純物領域（またはＰ型不純物領域）を有する。 - 特許庁

The paste composition is a paste composition for forming a catalyst layer in which (2) a hydrogen ion conductive polymer electrolyte and (3) a solvent are blended into (1) an aqueous dispersion of catalyst carrier carbon particles, the solvent is at least one kind of solvents selected from a group composed of propylene glycol, ethylene glycol, diethylene glycol and N-methylpyrrolidone.例文帳に追加

本発明の触媒層形成用ペースト組成物は、（１）触媒担持炭素粒子の水分散液に（２）水素イオン伝導性高分子電解質及び（３）溶剤を配合した触媒層形成用ペースト組成物であって、溶剤がプロピレングリコール、エチレングリコール、ジエチレングリコール及びＮ−メチルピロリドンからなる群より選ばれる少なくとも１種である。 - 特許庁

The maleimide group-containing crosslinked polymer particle comprises a crosslinked polymer particle having a group represented by general formula (1) (wherein m is an integer of at least 1; and l and n are each independently 0 or an integer of at least 1).例文帳に追加

下記一般式（１）で表される基を有する架橋ポリマー粒子であることを特徴とするマレイミド基含有架橋ポリマー粒子、および、架橋ポリマー粒子に（ポリ）プロピレングリコールを導入して得られた水酸基含有架橋ポリマー粒子に、ヒドロキシメチルマレイミドを反応させることを特徴とするマレイミド基含有架橋ポリマー粒子の製造方法である。 - 特許庁

One commentator asserted that the language in the Conflict Minerals Statutory Provision is intended to cover conflict minerals in tools or machines that are necessary for the production of a product and, “[i]n the absence of such specificity, the rule will fail to ensure reporting on the use of such tools or catalysts, thus leaving out a significant market for the minerals and undermining the purpose of the law.”例文帳に追加

ある意見提出者は、紛争鉱物法律規定の文言は、ある製品の生産に必要な道具または機械に使用されている紛争鉱物を対象とすることを意図しており、「このような具体性がなければ、規則はこうした道具または触媒の使用に関する報告を確保せず、よって、その鉱物のかなりの市場を除外し、法律の目的を損なうことになる」と主張していた。 - 経済産業省

Where goods, which are prohibited to be imported into India by notification of the Central Government under clause (n) of sub-section (2) of section 11 of the Customs Act, 1962, for the protection of trade marks, and are liable to confiscation on importation under that Act, are imported into India, the Commissioner of Customs if, upon representation made to him, he has reason to believe that the trade mark complained of is used as a false trade mark, may require the importer of the goods, or his agent, to produce any documents in his possession relating to the goods and to furnish information as to the name and address of the person by whom the goods were consigned to India and the name and address of the person to whom the goods were sent in India. 例文帳に追加

商標保護のため1962年関税法第11条(2)(n)による中央政府の告示により輸入を禁止されており，輸入されれば，同法により没収されるべき商品がインドに輸入された場合において，税関長は，申立に基づき，申立対象商標が虚偽商標として使用されているものと認めるに足りる理由を有するときは，その商品の輸入者又はその者の代理人に対して，その商品に関してその者が所持する書類を提出すべき旨を命じ，かつ，その商品のインド向けの出荷人及びインドにおける受取人の名称及び住所に関する情報を提出すべき旨を命じることができる。 - 特許庁

A field effect transistor uses carbon nanotubes as channels, wherein the drain electrode and the source electrode are connected in series with a plurality of carbon nanotubes, and carbon nanotubes 1, in contact with the gate via a gate insulating layer, are doped to have an n-type or a p-type, and carbon nanotubes 2, in contact with the source and drain electrodes, are doped in a complementary fashion with the carbon nanotubes 1.例文帳に追加

本発明に係る電界効果型トランジスタは、カーボンナノチューブをチャネルに用いる電界効果型トランジスタにおいて、ドレイン電極とソース電極が複数のカーボンナノチューブで直列に接続されていて、ゲートとゲート絶縁層を介して接しているカーボンナノチューブ１がｎ型またはｐ型にドーピングされて、ソースおよびドレイン電極と接触しているカーボンナノチューブ２がカーボンナノチューブ１とは相補的にドーピングされていることを特徴とする。 - 特許庁

The method for manufacturing the foamed sheet for molding the styrene resin wherein after the styrene resin and a foaming agent are fed into an extruder and they are melted and kneaded, they are extruded from the extruder, is characterized by the foaming agent comprising 77-98 wt.% butane and 2-23 wt.% dimethyl ether, and the butane comprising 65-100 wt.% iso-butane and 0-35 wt.% n-butane.例文帳に追加

本発明のスチレン系樹脂成形用発泡シートの製造方法は、スチレン系樹脂及び発泡剤を押出機に供給して溶融、混練した後に押出機から押出発泡させるスチレン系樹脂成形用発泡シートの製造方法において、上記発泡剤は、ブタン７７〜９８重量％及びジメチルエーテル２〜２３重量％からなり且つ上記ブタンがイソブタン６５〜１００重量％及びノルマルブタン０〜３５重量％からなることを特徴とする。 - 特許庁

First strain sensors of which gain maximum lines N are 30-60° and second strain sensors of which maximum lines orient to a tire diameter direction line, are alternately attached to a side with equal intervals therebetween, and, to the another side, strain sensors are attached symmetrically.例文帳に追加

ゲイン最大線Ｎが３０〜６０°の第１歪センサと、最大線がタイヤ半径方向線に向く第２歪センサを交互等間隔でサイドに取付け、他方側に歪センサを対称位置に取付け、一方側の第１歪センサ出力の総和ΣＶＡ１と、他方側の第１の歪センサのセンサ出力の総和ΣＶＢ１との和（ΣＶＡ１＋ΣＶＢ１）、前記総和ΣＶＡ１、ΣＶＢ１の差（ΣＶＡ１−ΣＶＢ１）、一方側の第２の歪センサのセンサ出力の総和ΣＶＡ２と、他方側の第２の歪センサのセンサ出力の総和ΣＶＢ２との和（ΣＶＡ２＋ΣＶＢ２）を変数とした下記式にて３分力Ｆｘ、Ｆｙ、Ｆｚを推定する。 - 特許庁

n addition to the consultations on the modality of tariff reductions by way of a formula approach or Target Tariff Rate mentioned above, tariff peaks that would have serious trade distorting effects should be rectified efficiently. As suggested by studies conducted in the past, trade-promoting effects are expected if high tariffs, when applied among developing Members, are lowered. Tariff escalation would be subject to consultation, although its definition and the way to measure it are not so easy. 例文帳に追加

2.のフォーミュラや目標関税率に沿った関税引き下げの検討と併せて、貿易歪曲効果の大きいタリフピークの効率的な是正が図られるべきである。同時に、ハイタリフの是正は、過去のスタディなどでも示唆があるとおり、開発途上国間における是正が図られる場合に貿易促進効果が期待される。タリフエスカレーションの是正についても、具体的な定義や評価が難しいが、検討の対象となろう。 - 経済産業省