「atomic gas」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

In this method of stripping a resist material, atomic oxidizing species or radicals are generated by supplying photon energy, ion energy, or electron energy to a gas mixture containing noble gas(es) and oxidizing gas(es), and thereby the resist components are oxidized to form volatile components, which are then removed to form resist-free surface.例文帳に追加

このレジスト剥離方法により、希ガスと酸化性ガスを含むガス混合物に光子エネルギー又はイオンエネルギー又は電子エネルギーを供給して原子状酸化性種かラジカルを生成し、次いでレジスト成分を酸化して揮発性成分を生成し、これらを除去することによりレジストのない表面を形成することが可能になる。 - 特許庁

The apparatus for forming the thin film by atomic layer epitaxy (ALE) uses a source supply means which has corrected the varying supply flow rate of the source gas to each substrate surface according to a distance from a source gas resource of a supply pipe so as to be more uniform, when having a plurality of substrates placed therein and supplying the source gas to the plurality of the substrates.例文帳に追加

複数の基板を配置し、原料ガスが複数の基板に供給される際に、各基板表面への原料ガスの供給流量が供給パイプの原料ガス供給源からの距離に応じて変化することを、より均一化するように補正した原料供給手段を用いる、原子層成長（ＡＬＥ）による薄膜成膜装置。 - 特許庁

The catalyst for cleaning automobile exhaust gas is provided with a carrier and rhodium carried on the carrier in the atomic state using a carboxylic acid rhodium complex, 50at% or more of rhodium being carried on the carrier as single atoms of rhodium or a diatomic cluster of rhodium.例文帳に追加

担体と、カルボン酸ロジウム錯体を用いて前記担体に原子状態で担持されたロジウムとを備え、且つ、前記ロジウムの５０ａｔ％以上がロジウムの単原子又はロジウムの２原子クラスターとして前記担体に担持されていることを特徴とする自動車排ガス浄化用触媒。 - 特許庁

The through electrode thus formed is processed with atomic hydrogen produced through catalytic cracking reaction where the gas of a compound containing hydrogen is touched to a heated catalyst thus reducing a surface oxide film and/or removing organic substances.例文帳に追加

この形成された貫通電極を、水素を含有する化合物の気体を加熱された触媒体に接触させ、接触分解反応により生じた原子状水素で処理することにより、表面酸化膜の還元、及び又は、有機物の除去を行う。 - 特許庁

The semiconductor capacitor includes an upper electrode 130, a lower electrode 110, a tantalum oxide film 120 formed on the lower electrode by chemical vapor deposition by using a source gas comprising ozone and a tantalum precursor containing atom or atomic group combined with tantalum by coordination bonding.例文帳に追加

下部電極１１０、タンタル原子と配位結合する原子又は原子団を含むタンタル前駆体及びオゾンガスをソースガスとして前記下部電極上に化学気相蒸着したタンタル酸化膜１２０及び上部電極１３０を含んで構成される。 - 特許庁

The windshield for the timepiece is formed with an oxide film by a sputtering process on a glass base material, in which the sputtering gas is a gaseous mixture composed of Ar and an element having an atomic radius smaller than atoms exclusive of oxygen constituting the oxide film.例文帳に追加

ガラス基材に酸化物膜がスパッタリング法で形成された時計用風防ガラスであり、そのスパッタリングガスが、前記酸化物膜を構成する酸素以外の原子よりも小さな原子半径の元素とＡｒの混合ガスであることを特徴とする。 - 特許庁

In such a case, a halogen ion having an atomic radius larger than that of the halogen contained in the etching gas for etching the film 2 to be etched is introduced into the resist pattern 3 after the resist pattern 3 is formed and before the film 2 to be etched is etched.例文帳に追加

その際、レジストパターン３を形成する後であって被エッチング膜２をエッチングする前に、レジストパターン３に対し、被エッチング膜２をエッチングするためのエッチングガスに含まれるハロゲンよりも原子半径が大きいハロゲンのイオンを導入する。 - 特許庁

To generate the power by utilizing the energy of waves produced in vertical floating of a ship of tens of thousands of ton to produce the electricity by utilizing the natural energy without using substances causing the global warming and the environment destruction such as petroleum, gas and atomic energy.例文帳に追加

石油、ガス、原子力等による地球の温暖化や、環境を破壊する物質を使用する事無く、自然のエネルギーを利用して電気を造るため、万トン級の船舶を上下に浮動させる波のエネルギーを利用する事が目的である。 - 特許庁

To eliminate a fear of power shortage by obtaining an energy source not requiring fossil fuel such as petroleum, coal and natural gas dependent upon import, atomic energy attended with risk of radioactivity, hydraulic power, wind power, wave power, solar light or the like.例文帳に追加

輸入に頼る石油、石炭、天然ガスなどの化石燃料、放射能の危険を伴う原子力、不安定で立地条件の厳しい水力、風力、波力、太陽光等によらないエネルギー源を得て、電力不足の心配を解消すること。 - 特許庁

In case that a reduction by H_2 is necessary at the conversion into oxides, an inert gas supply step is inserted between an atomic oxygen supply step and an H_2 supply step so that generation of H_2O by the reaction of oxygen and H_2 is avoided.例文帳に追加

酸化物に転換する際にＨ_２による還元が必要な場合は、原子状酸素供給工程とＨ_２供給工程の間に不活性ガス供給工程を挿入することで、酸素とＨ_２の反応によるＨ_２Ｏの生成を回避する。 - 特許庁

The atomic oscillator 1 uses the electromagnetically-induced transparency that is caused by irradiating alkaline metal atoms with a resonant light pair, and has a light source 10, alkaline metal atoms 20 in the form of gas, a light detection unit 30, and a frequency control unit 40.例文帳に追加

原子発振器１は、アルカリ金属原子に共鳴光対を照射することにより生じる電磁誘起透過現象を利用する原子発振器であって、光源１０、気体状のアルカリ金属原子２０、光検出部３０、周波数制御部４０を含む。 - 特許庁

To solve a problem that it is urgently necessary that alternative energy and power mechanisms should be replaced by other ones because petroleum, natural gas and atomic power are transferred to electric energy or are continuously used as fuel of engines, and as a result air pollution and global warming have been caused.例文帳に追加

石油、天然ガスまた原子力などを電気エネルギーに置き換え、あるいはエンジンの燃料として使い続けた結果、大気汚染や地球温暖化を引き起こしてしまったためその代替えエネルギーや動力機構を他のものに切り替える必要に迫られている。 - 特許庁

A gas-phase cell 200 for the chip scale atomic clock (CSAC) includes a silicon wafer 205, and a first chamber 210, a second chamber 220 and a route 215 for connecting the first chamber 210 to the second chamber 220 are included in the silicon wafer 205.例文帳に追加

チップスケール原子時計（ＣＳＡＣ）のための気相セル２００は、シリコンウェハ２０５を有し、シリコンウェハ２０５内に、第１チャンバ２１０、第２チャンバ２２０、および第１チャンバ２１０を第２チャンバ２２０へ接続する経路２１５を有する。 - 特許庁

To provide a plasma-discharge processing apparatus and method therefor whereby the density of atomic oxygen radicals is improved properly and the control of a plasma-discharge processing is made at a low cost, in the plasma-discharge processing performed under a nearly atmospheric pressure by using the mixed gas of nitrogen and oxygen gases.例文帳に追加

大気圧近傍の圧力下で窒素ガスと酸素ガスとが混合された混合ガスを用いて行うプラズマ放電処理で、原子状酸素ラジカルの密度を的確に高めることができ、かつ安価に制御を行うことが可能なプラズマ放電処理装置およびプラズマ放電処理方法を提供する。 - 特許庁

The cleaning process comprises a process to heat the substrate to be processed to a first temperature, a process to introduce the gas which mixes chlorine and nitrogen and has the atomic ratio of chlorine and nitrogen of 9:1 to 5:5, and a process to apply the radio frequency wave power to an electrode 2 to which the substrate to be processed is set.例文帳に追加

前記クリーニングする工程は、前記被処理基板を第１温度に加熱する工程と、塩素と窒素とを含み且つ前記塩素と窒素との原子比が９対１乃至５対５であるガスを導入する工程と、前記被処理基板が載置される電極２に高周波電力を印加する工程とを含む。 - 特許庁

The atomic-layer deposition method includes controlling the amount of the gases to be introduced into the inner channel 8A and the outer channel 8B when supplying the gases onto the substrate 6, so that one of the gases pass through the inner channel 8A constantly at the same flow rate as the other gas passing through the outer channel 8B.例文帳に追加

基板６に対するガス供給時に、内側流路８Ａを通過するガスの流量と外側流路８Ｂを通過するガスの流量が常に同じになるように、内側流路８Ａおよび外側流路８Ｂへのガス導入量を制御する。 - 特許庁

Otherwise, the foreign substance P is irradiated with an electron beam to deposit a solid material on the foreign substance P in a deposition gas atmosphere in which the solid material is generated by irradiation with the electron beam, and a force by the probe of an AFM (atomic force microscope) is applied to the solid material.例文帳に追加

又は、電子ビームが照射されることにより固体材料が生成されるデポジションガス雰囲気中において、異物Ｐに電子ビームを照射して異物Ｐ上に固体材料を堆積させ、この固体材料に対してＡＦＭの探針により力を印加する。 - 特許庁

A process waste 5, produced in mechanical processing with an atomic force microscope probe 3, is irradiated with a gas cluster ion beam 1, having energy that will not damage a normal pattern 6 or a glass substrate 7, but which can remove the process waste 5 which is weakly depositing thereon, so as to remove the waste by sputtering effects.例文帳に追加

原子間力顕微鏡探針３による機械加工で発生した加工屑５を正常パターン６やガラス基板７にはダメージを与えないが弱く付着した加工屑５は除去できるようなエネルギーを持ったガスクラスターイオンビーム１を照射してスパッタ効果で除去する。 - 特許庁

To prevent the contamination of a target caused by a gaseous starting material or reaction gas to be introduced at the time of performing an ALD (Atomic Layer Deposition) process in the case a film deposition system is composed so that film deposition by an ALD process and film deposition by a sputtering process can be performed to a treatment substrate on a substrate stage in the same chamber.例文帳に追加

同一チャンバ内で基板ステージ上の処理基板に対し、ＡＬＤ法による成膜とスパッタリング法による成膜とを行い得るように成膜装置を構成する場合に、ターゲットが、ＡＬＤ法を行う際に導入する原料ガスや反応ガスによって汚染されないようにする。 - 特許庁

To provide an organic metal vapor phase epitaxy device which enables further stable film formation of atomic layer level, and further uniform film thickness distribution in-wafer surface or inter-wafer film thickness, and enables film formation of uniform film thickness distribution, even if gas flow is disturbed.例文帳に追加

本発明は、ウエハー面内の膜厚分布あるいは各ウエハー間の膜厚をより均一に原子層レベルの成膜をより安定的に形成でき、さらに、ガス流の乱れがあっても均一な膜厚分布の成膜を可能にする有機金属気相成長装置を提供するものである。 - 特許庁

In the method of correcting a photomask defect, after making an electrical continuity in an isolated pattern by a metal deposition film 7 by use of an electron beam or a helium ion beam generating from a gas field ion source, the defect 3 is corrected; and after the correction, the metal deposition film 7 is physically removed by an AFM (atomic force microscope) scratch working probe 9.例文帳に追加

電子ビームまたはガスフィールドイオン源から発生するヘリウムイオンビームを用いた金属デポジション膜7で孤立したパターンに導通を作ってから欠陥3を修正し、修正後金属デポジション膜7をAFMスクラッチ加工探針9で物理的に除去する。 - 特許庁

The physiologic saline is obtained by infusing hydrogen gas into an aqueous solution of sodium chloride of 0.9% concentration, under 0.1-0.95 MPa of infusing pressure for 10 sec to 10 min to form bubbles of molecular hydrogen and then contacting the bubbles of molecular hydrogen with elements of the platinum group for activating the molecular hydrogen and converting into atomic hydrogen.例文帳に追加

０．９％の塩化ナトリウム水溶液に、注入圧が０．１〜０．９５ＭＰａ、注入時間が１０秒〜１０分で水素ガスを注入して分子状水素のバブルを生成し、分子状水素のバブルと白金族元素を接触させて、分子状水素を活性化させて原子状水素に変換させる。 - 特許庁

Thereafter, the two substrates are superimposed in such a manner that the thin films formed on the two substrates are contacted in a high purity inert gas atmosphere under the atmospheric pressure, thus atomic diffusion is generated on the joining interfaces and crystal grain boundaries of the fine crystal thin films to join the two substrates.例文帳に追加

その後，大気圧の高純度不活性ガス雰囲気下で前記２つの基体に形成された前記薄膜同士が接触するように前記２つの基体を重ね合わせることにより前記微結晶薄膜の接合界面及び結晶粒界に原子拡散を生じさせて前記２つの基体を接合する。 - 特許庁

This method of manufacturing a transparent or translucent gas-barrier laminated body includes processes of: forming a base layer 12 on at least one-side surface of a plastic film base material 11 by using either a physical film formation method or a chemical vapor-phase epitaxial method, or both of them; and forming a gas barrier layer 13 on a surface of the base layer 12 by using an atomic layer deposition method.例文帳に追加

プラスチックフィルム基材１１の少なくとも一方の面に、物理成膜法もしくは化学気相成長法のいずれか、またはその両方を用いて下地層１２を形成する工程と、下地層１２の表面に、原子層堆積法を用いてガスバリア層１３を形成する工程とを具備する。 - 特許庁

The aggregate of carbon nano-horns having outer peripheral surface formed by the tips of the carbon nano-horns is manufactured by emitting into an inert gas the carbon vapor obtained by vaporizing a solid-state carbon- elemental substance in the atmosphere whose pressure is controlled according to the atomic or molecular weight of the inert gas.例文帳に追加

不活性ガスの原子量あるいは分子量に応じて圧力を制御した雰囲気中で、固体状炭素単体物質を蒸発させて炭素蒸気を不活性ガス中に放出させることで、カーボンナノホーンが先端を外周面にして集合したカーボンナノホーン集合体を、形状および大きさを制御して得るようにする。 - 特許庁

In the color organic EL display 100 in which the color filter layer 13, the gas barrier layer 20 and the organic EL structure 30 are laminated in the order on a substrate 11, an underlying part of the gas barrier layer 20 is one subjected to degasification treatment, and is formed by the atomic layer growth method at a temperature equal to or lower than the decomposition initiating temperature of the color filter layer 13.例文帳に追加

基板１１上にカラーフィルタ層１３、ガスバリア層２０、および有機ＥＬ構造体３０が順次積層されてなるカラー有機ＥＬディスプレイ１００において、ガスバリア層２０の下地部分は、脱ガス処理を施されたものであり、ガスバリア層２０は、カラーフィルタ層１３の分解開始温度以下の温度にて原子層成長法を行うことにより形成されたものである。 - 特許庁

The producing method for hydrogen-containing gas produces the reformed gas mainly composed of hydrogen by letting water vapor and oxygen react with methanol under the catalyst for reforming methanol which contains a platinum metal, zinc oxide and chromic oxide as the main component and in which an atomic ratio (zinc/chrome) of the zinc and chrome is in the range from 2 to 30, and under the presence of the catalyst.例文帳に追加

主成分として白金金属、酸化亜鉛および酸化クロムを含有し、かつ亜鉛とクロムの原子比（亜鉛／クロム）が2〜30の範囲であるメタノール改質用触媒、および該触媒の存在下、メタノールと水蒸気および酸素を反応させて水素を主成分とする改質ガスを製造することを特徴とする水素含有ガスの製造法。 - 特許庁

An atomic oscillator 1 includes: a first package 21 housing a gas cell 3 filled with a gaseous metal atom; a second package 22 housing a light emission section 6 for emitting excitation light LL for exciting the metal atom in the gas cell 3; and a third package 23 having at least one optical component 8.例文帳に追加

原子発振器１は、ガス状の金属原子を封入したガスセル３が収納された第１パッケージ２１と、ガスセル３中の金属原子を励起する励起光ＬＬを出射する光出射部６が収納された第２パッケージ２２と、少なくとも１つの光学部品８が設けられた第３パッケージ２３とを有している。 - 特許庁

When producing cyanopyrimidines by the gas phase catalytic reaction of alkylpyrimidines with ammonia and molecular oxygen in the presence of a catalyst, an oxide including both tungsten and vanadium, in which an atomic ratio of vanadium to tungsten is a positive number of ≤2, is employed as the catalyst to form cyanopyrimidines.例文帳に追加

触媒の存在下、アルキルピリミジン類シアノピリミジン類をアンモニア及び分子状酸素と気相接触反応させてシアノピリミジン類を製造するに際し、タングステン及びバナジウムを含有する酸化物であって、該酸化物中のタングステンに対するバナジウムの原子比が２以下の正数である酸化物を触媒に用いてシアノピリミジン類を製造する。 - 特許庁

In the conventional rubidium atomic oscillator, a part of the cavity of an optical microwave unit(OMU) has to be raised locally to high temperatures by semiconductor elements (heating elements such as TR and three-terminal regulator) in the prior art and hence the temperature is monitored to control the heating temperature of the semiconductor, thereby keeping a gas cell settled in the cavity at a constant temperature of about 100°C.例文帳に追加

ルビジウム原子発振器内の光マイクロ波ユニット（ＯＭＵ）おいて、従来は半導体素子（ＴＲや３端子レギュレータなどの発熱体）によりキャビティーの一部を局所的に高温にし、温度を監視し半導体の発熱温度をコントロールしてキャビティー内部に設置されたガスセルを１００℃程度の温度に一定にしていた。 - 特許庁

The gas barrier film is an amorphous carbon film wherein carbon formed by the plasma CVD from a starting raw material containing carbon atom is a main constituent element, or a silicon oxide-containing film formed from a starting raw material including an organosilicone compound and having an atomic Si/O ratio of 1/1.5-1/2.2.例文帳に追加

前記ガスバリア被膜は、炭素原子を含む出発原料からプラズマＣＶＤにより形成された炭素を主要構成元素とするアモルファスカーボン被膜、または有機珪素化合物を含む出発原料からプラズマＣＶＤにより形成されたＳｉ／Ｏ比が原子比で１／１．５〜１／２．２の範囲にあるケイ素酸化物含有被膜である。 - 特許庁

A physical part 50 of the atomic oscillator has a heater 25, an optical element layer 15, a Peltier element 21, and an inclined member 35, stacked in this order, outside one window part 2 of the gas cell 10, and a VCSEL 30 and a photosensor 40 are arranged on inclined surfaces formed from a top of inclination of the inclined part 35 to both sides.例文帳に追加

原子発振器の物理部５０は、ガスセル１０の一方の窓部２の外側にヒータ２５、光学素子層１５、ペルチェ素子２１、傾斜部材３５がこの順に重ねられ、傾斜部材３５の傾斜の頂部から両側に形成された傾斜面にＶＣＳＥＬ３０およびフォトセンサ４０が配置されている。 - 特許庁

A hydrocarbon gas adsorption and cleaning catalyst is provided which is based on Ce carried on H type β-zeolite or H type mordenite having an Si to 2Al weight ratio of 200-500 in such a way that the weight ratio and atomic ratio of Ce to Al contained structurally in the β-zeolite or mordenite ranges from 40 to 120 and from 20 to 60, respectively.例文帳に追加

Ｓｉ／２Ａｌの重量比が２００〜５００であるＨ型ベータゼオライトまたはＨ型モルデナイトにおいて、前記ゼオライトまたは前記Ｈ型モルデナイトに構造的に含まれるＡｌに対してＣｅの重量比が４０〜１２０、原子比で２０〜６０になるように、Ｃｅを担持したものを主成分とする。 - 特許庁

Xenon (Xe) gas is mixed with an atomic substance (for example, Kr, Ar, Ne, N_2 or NH_3) that emits free electrons of the number which is not less than the half of that of the electrons liberated from one Xe atom from a molecule or an atom in a temperature range where decavalent ions (Xe^10+) of Xe appear and exists as molecules or atoms at room temperature.例文帳に追加

キセノン（Ｘｅ）ガスと、Ｘｅの１０価イオン（Ｘｅ^１０＋ ） が出現する温度域で、１個のＸｅ原子から遊離される電子の数の少なくとも半分以上の数の自由電子を１個の分子或いは１個の原子から放出する、室温で分子または原子状の物質（例えばＫｒ， Ａｒ， Ｎｅ， Ｎ_２ ，ＮＨ_３ ）を混合する。 - 特許庁

The method for forming a metal oxide film on the substrate in the reactor of atomic layer depositing equipment, using the plasma includes a step of feeding metal material compound into the reactor, a step of feeding oxygen gas into the reactor, and a step of producing oxygen plasma during a prescribed time inside the reactor.例文帳に追加

プラズマを用いる原子層蒸着装置の反応器内において基板上に金属酸化物膜を形成する方法であって、反応器内に金属原料化合物を供給する段階と、反応器内に酸素ガスを供給する段階と、反応器内に所定時間中に酸素プラズマを生じさせる段階と、を含む金属酸化物膜の形成方法。 - 特許庁

To provide an atomic oscillator whose temperature can be easily and correctly controlled at a quantum level by storing a light detection output value at a resonant frequency when there is no CPT resonance in order to control the temperature of a gas cell constant, and controlling the temperature so that a current light intensity may be the same as the light detection output value stored when correcting the temperature.例文帳に追加

ガスセルの温度を一定に制御するために、ＣＰＴ共振がないときの共鳴周波数における光検出出力値を記憶しておき、温度補正時に記憶した光検出出力値になるように温度制御することにより、簡単に且つ正確に量子レベルでの温度制御を可能とした原子発振器を提供する。 - 特許庁

When radium ore is added to the principal raw material of the cooking pot, radon (Rn: atomic number 86) which is a kind of rare gas semi-eternally emitted from radium ore is sucked into the body by a person near the cooking pot directly or through the respiratory system together with steam generated from the cooking pot during cooking using the cooking pot or while having a meal sitting around the cooking pot.例文帳に追加

調理鍋の主原材料にラジウム鉱石を添加すると、調理鍋を用いて調理をするとき、また調理鍋を囲んで食事をするときに、ラジウム鉱石から半永久的に放出される希ガスの一種であるラドン（Ｒｎ；原子番号８６）を、調理鍋の近傍にいる人は直接に又は調理鍋から立ち上がる湯気とともに呼吸器系を通して体内に吸引する。 - 特許庁

The method for forming a metal oxide film on the substrate in a reactor of an atomic layer vapor deposition apparatus using plasma includes: a step of supplying a metallic source compound into the reactor; a step of supplying oxygen gas into the reactor; and a step of generating oxygen plasma during a predetermined time in the reactor.例文帳に追加

プラズマを用いる原子層蒸着装置の反応器内において基板上に金属酸化物膜を形成する方法であって、反応器内に金属原料化合物を供給する段階と、反応器内に酸素ガスを供給する段階と、反応器内に所定時間中に酸素プラズマを生じさせる段階と、を含む金属酸化物膜の形成方法。 - 特許庁

The method of manufacturing the modified carbon material includes a process for forming the carbon material by firing a polymer material of natural origin having atomic groups containing a heteroatom such as nitrogen, oxygen or sulfur in the main chain or the side chain at 500-1,000°C under an inert gas atmosphere and a process for irradiating the carbon material with microwaves.例文帳に追加

また、本発明に係る改質炭素素材の製造方法は、窒素、酸素、硫黄のようなヘテロ原子を含む原子団が主鎖や側鎖に存在している、天然由来の素材からなる高分子物質を、不活性ガス雰囲気中で、５００℃〜１０００℃の温度で焼成して炭素素材を形成する工程と、該炭素素材にマイクロ波を照射する工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

To solve defects such as development of bleeding and poor drying properties of ink under a state of the excellent weatherability such as the light resistance and gas resistance of an ink jet printing recording sheet consisting of a support covered by at least one or more ink accepting layer including a porous aluminum oxide and a hydroxide, which includes one or more of rare earth metal series element of a periodic table having the atomic numbers of 57 to 71.例文帳に追加

多孔質酸化アルミニウム及び水酸化物を含有する少なくとも１つ以上のインク受理層を被覆した支持体からなるインクジェット印刷用記録シートであり、該水酸化物が原子番号５７〜７１をもつ周期系の希土類金属系列元素の１つ以上を含むことを特徴とするインクジェット印刷用記録シートは、耐光性や耐ガス性などの耐候性に優れているが、インクのにじみや乾燥性が悪いという欠点を有している。 - 特許庁

Sumitomo Corporation, the Japan Oil, Gas and Metals National Corporation (JOGMEC) and the Kazakhstan National Atomic Energy Corporation Kazatomprom (hereafter referred to as Kazatomprom) are undertaking a project focused on recovering rare earths from uranium ore residue that was formerly obtained by strip mining; they have established a joint venture aimed at undertaking a feasibility study, and are verifying the potential profitability of the rare earth recovery project using the existing facilities at the Ulba Metallurgical Plant, which is under the auspices of Kazatomprom.例文帳に追加

住友商事(株)、(独)石油天然ガス・金属鉱物資源機構(JOGMEC)、カザフスタン国営原子力公社カザトムプロム(以下「カザトムプロム」という。)は、かつて露天掘りで採掘されたウラン鉱石残渣からのレアアース回収事業を進めており、FS調査を目的とした合弁会社を設立し、カザトムプロム傘下のウルバ冶金工場の既存設備を活用したレアアース回収事業の事業採算性を検証している。 - 経済産業省