「capacitance」に関連した英語例文の一覧と使い方(186ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a small-sized semiconductor device which is manufactured in such a way that inter-electrode parasitic capacitance is kept low by thickening an insulating layer and an opening is formed precisely at the insulating layer, a manufacturing method for the semiconductor device, and a power module including the semiconductor device.例文帳に追加

絶縁層を厚くして電極間の寄生容量を低く抑えることができ、かつ、当該絶縁層に精度良く開口部を形成して作製される小型の半導体装置、その半導体装置の製造方法、及びその半導体装置を含むパワーモジュールを提供する。 - 特許庁

To provide an active matrix type display device equipped with thin film transistors(TFTs) as switching elements, in which a large storage capacitance can be obtained even when the thickness of an insulating film between electrodes is not decreased or even when electrodes are not extended to a pixel region.例文帳に追加

本発明は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）をスイッチング素子として備えたアクティブマトリクス型表示装置に関し、電極間の絶縁膜を薄くしなくても、また、電極を画素領域に拡げなくても大きな蓄積容量が得られるアクティブマトリクス型表示装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To reduce parasitic capacitance generated on the outside of a constriction groove and to sustain the temperature of an active layer at a low level in a semiconductor laser apparatus where a semiconductor laser chip having a pair of current constriction grooves formed on the opposite sides of a current injection contact part is mounted on a mount component.例文帳に追加

電流注入用コンタクト部を間に置いて１対の電流狭窄溝が形成された半導体レーザチップが、マウント部品に実装されてなる半導体レーザ装置において、狭窄溝の外側で発生する寄生容量を低減し、また活性層温度を低く保つ。 - 特許庁

Similarly, a static capacitance is formed between a second slide electrode 60 and a second chassis 32 by facing the second slide electrode 60 with the second chassis 32 with a paint layer 3204 inbetween in a state that the second slide electrode 60 electrically connected to the first chassis 22 is in slide contact with the second chassis 32.例文帳に追加

同様に、第１のシャーシ２２に電気的に接続された第２の摺動電極６０が第２のシャーシ３２の摺接した状態では、第２の摺動電極６０と第２のシャーシ３２が塗装層３２０４を挟んで位置することにより、第２の摺動電極６０と第２のシャーシ３２の間に静電容量が形成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device equipped with an MIM capacitor capable of utilizing a wiring region directly under the MIM capacitor as a wiring, and capable of preventing the number of wiring layers and an IC chip area from increasing, in the spatially constituted MIM capacitor capable of raising a capacitance density, and to provide a method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

容量密度を高めることが可能な、立体構造のＭＩＭキャパシタにおいてＭＩＭキャパシタ直下の配線領域が配線として利用でき、配線層数の増大や、ＩＣチップ面積の増大を防ぐことのできるＭＩＭキャパシタを備えた半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a binder for a secondary battery equipped with enough adhesion with a metal collector, a cathode active material, and an anode active material, and capable of improving high-rate discharge characteristics and cycle characteristics, or for an electrochemical cell electrode capable of making capacitance larger, and inner resistance smaller of an electric double-layer capacitor.例文帳に追加

金属集電体、正極活物質、および負極活物質に対して十分な密着性を有し、高率放電特性やサイクル特性を向上させることができる二次電池、または電気二重層キャパシターの静電容量を大きく,内部抵抗を小さくすることができる電気化学セル電極用バインダーを提供する。 - 特許庁

To provide a capacitor assuring higher energy density (high capacitance) using aliphatic polyketone unwoven cloth as an electrode separator and excellent productivity with small internal resistance; and also to provide a thin and rigid electrode separator for uniform and porous capacitor showing excellent heat resistance, size stability, electric insulation property, anti-chemical property, and moisture-proof property.例文帳に追加

脂肪族ポリケトン不織布を電極セパレーターとして用いた高エネルギー密度（高容量）で、内部抵抗の小さい生産性の良いコンデンサー、および、薄くて強靱で、耐熱性、寸法安定性、電気絶縁性、耐薬品性、低吸水性に優れ、かつ、均一で多孔性のコンデンサー用電極セパレーターを提供する。 - 特許庁

A third intermediate unit 22 is formed by embedding a pair of capacitance switches 4, 4 in a second electrode 6, and thereafter embedding, in an external insulation material 2, a second intermediate unit formed by combining a first intermediate unit made by cutting the second electrode 6, a mandrel 21 and a first electrode 5.例文帳に追加

１対の静電容量スイッチ部４、４を第二電極中６中に包埋した後、この第二電極６を切断して造った第一中間ユニットと、マンドレル２１及び第一電極５とを組み合わせた第二中間ユニットを、外部絶縁体２中に包埋して、第三中間ユニット２２とする。 - 特許庁

In this case, the length of the anode oxide film formed area 6B is longer than that of the anode oxide film unformed area 6A, therefore, when mis-alignment occurs between the auxiliary electrode 6 and the pixel electrode 5 in the horizontal direction, an overlapping area increases as a whole, and this compensates the auxiliary capacitance.例文帳に追加

この場合、陽極酸化膜形成領域６Ｂの長さは陽極酸化膜非形成領域６Ａの長さよりも長くなっているので、補助容量電極６と画素電極５との間に左右方向のアライメントずれが生じた場合、全体としての重なる面積が増大し、これにより補助容量を補うことができる。 - 特許庁

The pressure-sensitive sensor includes a fixed electrode 7 having a surface covered with a dielectric member 4, and a movable electrode 6 having a surface partially contacting a surface of the dielectric member 4 by receiving an external pressure, and generating an electrostatic capacitance between the fixed electrode 7 corresponding to the magnitude of the pressure.例文帳に追加

感圧センサは、表面が誘電部材４によって覆われた固定電極７と、外部からの圧力を受けることにより表面が誘電部材４の表面に部分的に接し、その圧力の大きさに応じた静電容量を固定電極７との間に生じる可動電極６とを備える。 - 特許庁

The electret making device is provided with a means capable of clamping the porous body with the pair of the dielectrics whose total capacitance is 2×10-7 C/(m2.V) or more and total of thickness is 0.2 mm or more, and a means capable of applying the high DC voltage between the dielectrics.例文帳に追加

本発明のエレクトレット化装置は、総静電容量が２×１０^-7Ｃ／（ｍ^2・Ｖ）以上、かつ厚さの合計が０．２ｍｍ以上の１対の誘電体により、多孔性被処理体を挟持することのできる手段、及び前記誘電体間に直流高電圧を印加できる手段、とを備えたものである。 - 特許庁

The leakage coaxial cable formed by coaxially arranging a center conductor 2 and an external conductor 1 provided with a plurality of radiation slots 3 to form leakage electromagnetic field includes an compensating part to compensate for additional capacitance equivalent to a propagation time delay to be generated in each slot of the plurality of radiation slots 3.例文帳に追加

中心導体２と、漏洩電磁界形成用の複数の放射スロット３が形成された外部導体１とを同軸に配してなる漏洩同軸ケーブルにおいて、複数の放射スロット３の各々において生じる伝播時間遅延量に等価の付加容量を補償するための補償部を備える。 - 特許庁

To obtain an ink jet head ejecting ink by deforming a diaphragm with an electrostatic force in which ink ejection characteristics are prevented from deteriorating, by avoiding increase of a time constant determined by the resistance of a semiconductor substrate and the capacitance of a capacitor constituted of the diaphragm and a discrete electrode facing the diaphragm.例文帳に追加

静電気力によって振動板を変形させ、インクを吐出するインクジェットヘッドにおいて、半導体基板の抵抗値と振動板とこれに対向する個別電極で構成されるコンデンサの容量から決定される時定数の増大を避け、このために生じるインク吐出特性の悪化を防止する。 - 特許庁

A band limiting filter 16 is a filter circuit for altering and limiting the band of an intermediate frequency signal by a frequency characteristics selection signal 18 corresponding to the received frequency and includes a plurality of variable capacitance circuits through which the frequency characteristics are set.例文帳に追加

帯域制限フィルタ１６は、受信周波数に対応し周波数特性選択信号１８によって中間周波数信号の帯域を変更して制限するフィルタ回路であり、複数の容量可変回路を含み、この容量可変回路によって周波数特性が設定されるように構成される。 - 特許庁

To realize a large capacitance transmission by allowing high precision and high speed control of the carrier wave frequency of an optical signal, for assuring stability in oscillation frequency of a transmission light source, for improved transmission performance, and improved band utilization rate of transmission channel due to high density in multiple wavelength intervals.例文帳に追加

光信号の搬送波周波数を高精度かつ高速に制御可能にして、送信光源の発振周波数の安定性を確保し、伝送性能の向上をはかるほか、波長多重間隔の高密度化により伝送路の帯域利用率の向上をはかって大容量の伝送を実現する。 - 特許庁

To prevent receiving sensitivity from falling for a product or by a change in the ambient temperature by reducing the change in an inductance value of a coil involved in a variance in characteristics between components or a temperature change by reducing a stray capacitance component that between the wound layers of a conductor in a coil for an antenna.例文帳に追加

アンテナ用コイルにおいて、導線の巻回層間に発生する浮遊容量成分を減少させることで、部品間での特性のバラツキあるいは温度変化に伴うコイルのインダクタンス値の変化を減少させ、製品によってあるいは周囲温度の変化によって受信感度が不良となる事態を防止する。 - 特許庁

The measuring object is coupled with a labeled particle containing a metal or a metal compound through an antibody or an antigen coupled with the labeled particle, and the metal quantity of the labeled particle coupled with the measuring object is measured by measuring an eddy current or a capacitance, to thereby measure the measuring object.例文帳に追加

金属または金属化合物を含有する標識粒子に、標識粒子に結合した抗体または抗原を介して測定対象物を結合させ、測定対象物に結合した標識粒子の金属量を渦電流または静電容量の測定により測定することにより、測定対象物を測定する。 - 特許庁

The booster antenna and reader/writer provided with the variable capacitance element is capable of changing the resonance frequency, according to the rotational position, thereby data communication between a contactless communication medium and the reader/writer can be controlled and data leakage unintended by a holder of the contactless medium can be restrained.例文帳に追加

この可変容量素子を備えるブースターアンテナおよび読取書込装置は、回転位置に応じて共振周波数を変化させることができるため、非接触通信媒体と読取書込装置との間のデータ通信を制御することができ、非接触媒体の所有者が意図しないときのデータの漏洩を抑制することができる。 - 特許庁

By arranging a mobile unit between electrodes movably and detecting a change in capacitance generated according to the travel of the mobile unit for applying to the tilt sensor for detecting the tilt of a case to which the electrode is mounted, the degree of freedom for setting a detection angle for detecting the tilt can be obtained.例文帳に追加

電極間に移動体を移動可能に配置して、移動体の移動に応じて生じる静電容量の変化を検知することにより、電極が取り付けられるケースの傾斜を検出する傾斜センサに適用することができ、傾斜検出を行うための検出角度を設定する自由度が得られる。 - 特許庁

Thus, the counter area between adjoining floating gate electrodes FG and that between the floating gate electrode FG and other wiring (for example, plug 22) can be reduced for reduced coupling capacitance related to the floating gate electrode FG, thereby improving the performance and operation reliability of the flash memory.例文帳に追加

これにより、隣接する浮遊ゲート電極ＦＧ同士の対向面積や浮遊ゲート電極ＦＧと他の配線（例えばプラグ２２）との対向面積を低減でき、浮遊ゲート電極ＦＧに付随するカップリング容量を低減することができるので、フラッシュメモリの性能および動作信頼性を向上させることができる。 - 特許庁

That is to say, even if this capacitance detecting type sleep sensor 14 is installed on bedding, the support plate 145 receives the load from the sleeper (the bedding is prevented from absorbing the load from the sleeper) so that the upper face portion 141a of the outside electrode sheet 141 deforms by the loading from the sleeper.例文帳に追加

すなわち、静電容量検知型睡眠センサ１４が、寝具上に設置されていても、支持板１４５が就寝者からの荷重を受け止めるので（就寝者からの荷重が寝具に吸収されないので）、外側電極シート１４１の上面部１４１ａは、就寝者からの荷重によって変形する。 - 特許庁

The active device array substrate 200 has a plurality of pixel units 210 which includes multiple sub-pixel units Px, each of which has the storage capacitor Cs and the capacitance of the storage capacitor Cs, of at least one sub-pixel unit Px in the same pixel unit 210, is different from those of the storage capacitors of the other sub-pixel units.例文帳に追加

アクティブデバイスアレイ基板２００は、蓄積容量Ｃｓをそれぞれ有する複数のサブ画素ユニットＰｘをそれぞれ含む複数の画素ユニット２１０を有し、同一の画素ユニット２１０の中にある少なくとも１つのサブ画素ユニットＰｘとその他のサブ画素ユニットＰｘとは蓄積容量Ｃｓの容量値が異なる。 - 特許庁

In the button device for instruction which has the movable part 3 operated by hand and connected with a transducer, a surface 15 near the movable part 3 is consisted of a metal, and includes a means to measure capacitance of the surface 15 to sense that the user's finger near the movable part 3.例文帳に追加

手で操作されるようになっており、かつトランスデューサと接続された可動部分３を有する指令用ボタン装置において、可動部分３の近傍の表面15を金属からなるものとし、かつ可動部分３の近傍にユーザの指が存在する場合に、これを感知しうるよう、表面15の静電容量を測定する手段を設ける。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a liquid crystal display device which can be stabilized in a threshold voltage for a thin-film field effect transistor and improved in durability and reliability of capacitance of a conductive layer as a component formed of the same layer as a channel area of the thin- film field effect transistor.例文帳に追加

薄膜電界効果トランジスタのしきい値電圧を安定化させ、かつこの薄膜電界効果トランジスタのチャネル領域と同一レイヤによって構成される導電層を構成要素とする容量の耐久性および信頼性を向上させることが可能な半導体装置、液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

The voltage feed means 1 comprises a voltage-dividing means for outputting a potential divided by a first and second series-connected high resistances 3, 4 to the output terminal and a third, capacitance 8 connected in parallel to at least one of the first and second high resistances 3, 4.例文帳に追加

電圧供給手段１は、直列接続された第１高抵抗３と第２高抵抗４によって分圧された電位を出力端子に出力する電圧分圧手段と、第１高抵抗３及び第２高抵抗４の少なくとも一方に並列接続された第３容量８とを含んでいる。 - 特許庁

A semiconductor circuit having a decoupling capacity between a first power supply (110) and a second power supply (111) comprises a means (102) that measures a noise quantity of the semiconductor device and a means (104) that varies the capacitance value of the decoupling capacity depending on the measurement result of the noise quantity.例文帳に追加

第１電源（１１０）と第２電源（１１１）との間に設けられたデカップリング容量を有する半導体回路であって、半導体装置のノイズ量を測定する手段（１０２）と、ノイズ量の測定結果に応じてデカップリング容量の容量値を可変させる手段（１０４）とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

Accordingly, only the recording terminal, which is the most suitable for recording, records sharing voice data, so that voice data which each terminal device can share is obtained, whereas the terminal device other than the recording terminal stops recording, thereby preventing from consuming the memory capacitance and electric power.例文帳に追加

従って、録音に最適な録音端末のみで共有音声データを録音することで、各々の端末装置が共有することのできる音声データを取得する一方で、録音端末以外の端末装置については、録音を停止することによって記憶容量や電力を消費することを防止する。 - 特許庁

To provide a quartz oscillator with a sufficiently small capacitance ratio and a small CI(Crystal Impedance) value that increases the margin of frequency matching over an all temperature operating range so as to attain temperature compensation when a temperature compensated oscillator employing the crystal oscillator is manufactured.例文帳に追加

容量比がを十分小さくでき、同時にＣＩ値を小さくできる水晶振動子、を供給し、その水晶発振子を用いて温度補償型水晶発振器を作製した場合に、使用される全温度範囲で、発振周波数の合わせこみの余裕度を大きくし、温度補償ができる水晶発振子を供給する。 - 特許庁

The universal type line test device 1 is provided with test circuits that conduct an insulation resistance test and a static capacitance test between a couple of core wires and between each core wire and ground, and a cross-contact test between each core wire and other wire without the need for changing the connection between a couple of core wires of a test object line and a ground wire.例文帳に追加

ユニバーサル型回線試験器１は、試験対象回線の一対の心線及び接地線との接続を替えること無しに、一対の心線間や、各心線と対地間の絶縁抵抗試験、静電容量試験、各心線に対する他の回線の混触試験をするための試験回路を備えることである。 - 特許庁

Each memory cell in the edge memory blocks has a data storage capacitor of which the capacitance is larger than that of the data storage capacitor of each memory cell in the central side memory blocks, and the data storage capacitor of each memory cell in the edge memory blocks has a surface region wider than that of the data storage capacitor of each memory cell in the central side memory blocks.例文帳に追加

エッジに位置したメモリブロック内のメモリセルは隣接した中央側メモリブロック内のメモリセル内のデータストレージキャパシタよりさらに大きな静電容量を有したデータストレージキャパシタを含み、該データストレージキャパシタは中央側メモリセル内のデータストレージキャパシタよりさらに広い表面領域を有する。 - 特許庁

At this time, a pulse is input to the gate of a transistor 315 connected to a constant current source 314 in parallel in synchronism with the transfer pulse ϕTG to enhance the capability of drawing electric charges from parasitic capacitance at the beginning of a period H1, and the ϕVN 313 becomes stable in an early stage, and a waveform 3 is obtained.例文帳に追加

この時、転送パルスφTGに同期する形で、定電流源３１４に並列に接続したトランジスタ３１５のゲートにもパルスを入力することで、期間Ｈ１の初期での寄生容量から電荷を引き抜く能力を高め、早期にφVn３１３が安定状態になり、波形３を得られる。 - 特許庁

To obtain a small and lightweight optical semiconductor package in which an optical signal is inputted/outputted efficiently and smoothly to/from an optical semiconductor element and response characteristics and wideband properties of a high frequency signal are enhanced by reducing the transmission loss of high frequency signal and inner capacitance in the optical semiconductor package.例文帳に追加

光半導体パッケージを小型軽量化するとともに光信号が光半導体素子に効率よく円滑に入出力されるようにし、また高周波信号の伝送損失を低減し光半導体パッケージ内部の静電容量を減少させて高周波信号の応答特性と広帯域性を向上させること。 - 特許庁

The fence sensor comprises one or more support 2, flexible detection electrodes 8, 9, 10 provided between the supports 2, a reference electrode insulated from the detection electrodes, and a circuit 20 for detecting the variation of capacitance between the detection electrode and the reference electrode caused by an object to be detected existing in a detectable region.例文帳に追加

１以上の支持体２と、該支持体２間に設けた可撓性の検出電極８、９、１０と、該検出電極と絶縁した基準電極と、該検出可能領域内の被検出物の存在により生じた該検出電極と該基準電極間の静電容量の変化を検出する検出回路２０とを有する。 - 特許庁

To provide a protective element having a structure requiring only a small number of components relative to an element of a conventional technology and/or being uncomplicated, protecting an integrated circuit when it is turned on or off, having very low parasitic capacitance to the protected integrated circuit, and never increased in volume.例文帳に追加

従来技術の素子よりも少ない構成部品しか必要とせずおよび／または複雑でない構造を備え、集積回路がオンまたはオフになったときにそれを保護することを可能にし、保護される集積回路に対する非常に低い寄生容量を有する、かさ高にならない保護素子を提供すること。 - 特許庁

In the self diagnosis, self-diagnostic signals P2, P3 and P3B, which periodically have a first period to generate an electrostatic force between the fixed and movable electrodes and a second period to detect a capacitance change, are applied to between the fixed and movable electrodes by changing over the switches 31 to 36.例文帳に追加

自己診断時には、スイッチ３１〜３６の切替えにより、固定電極部と可動電極部との間に静電気力を発生させる第１の期間と、容量変化を検出するための第２の期間とを周期的に有する自己診断用信号Ｐ２，Ｐ３，Ｐ３Ｂが、固定電極部と可動電極部との間に印加される。 - 特許庁

The transceiver is provided with a transmission means which modulates information to be transmitted by oscillating an AC signal having a prescribed frequency and transmits a modulation signal regarding the modulated information to be transmitted and a resonance means which causes serial resonance with stray capacitance generated between a ground of a transmission means and the ground.例文帳に追加

所定の周波数を有する交流信号を発振して前記送信すべき情報を変調し、この変調した前記送信すべき情報に係る変調信号を送信する送信手段と、この送信手段のグランドと大地グランドの間に生じる浮遊容量と直列共振を起こす共振手段とを備える。 - 特許庁

The measuring circuit is provided with a resonance circuit using the capacitance-type pressure sensor 2 as an oscillation capacitor, and an arithmetic processing circuit for detecting variations in the oscillation frequency of the resonance circuit and for calculating the heart rate and/or respiration rate, based on frequency components of the heart beats and/or respirations included in the variations.例文帳に追加

計測回路は、静電容量型圧力センサー２を発振用コンデンサとする共振回路と、該共振回路の発振周波数の変化を検出し、該変化に含まれる心拍及び／又は呼吸の周波数成分に基づいて心拍数及び／又は呼吸数を算出する演算処理回路とを具えている。 - 特許庁

The surge absorber with the measuring function comprises a voltage dividing means 2 for dividing the AC voltage applied to the surge absorber by dividing the capacitance value of the surge absorber, a voltage dividing terminal 2a for taking out the divided voltage divided by the voltage dividing means 2, and a transformer 3 for an instrument connected to the voltage dividing terminal 2a.例文帳に追加

サージアブソーバーの有する静電容量を分割することによって、サージアブソーバーに印加された交流電圧を分圧する分圧手段２と、分圧手段２によって分圧された分圧電圧を取り出すための分圧端子２ａと、当該分圧端子２ａに接続する計器用変圧器３を備える。 - 特許庁

In the plasma processing method, a device including a power source which outputs sine-wave power with a single frequency of 20 kHz to 3 MHz, an LC resonance circuit in which capacitance and inductance are variable, and a pulse control element is used as a power supply device supplying plasma excitation power to a pair of electrodes.例文帳に追加

電極対にプラズマ励起電力を供給する電源装置として、２０ｋＨｚ〜３ＭＨｚで単一周波数の正弦波の電力を出力する電源、キャパシタンスおよびインダクタンスが可変であるＬＣ共振回路、および、パルス制御素子を有する装置を用いることにより、前記課題を解決する。 - 特許庁

The apparatus detects even a high frequency absorption current signal several tens of kHz or more by mounting an absorption current detector 23 in a vacuum sample chamber 26 and by reducing electrostatic capacitance of signal wiring up to about several pF extending from a probe 19 to an absorption current detector 23.例文帳に追加

吸収電流検出器２３を真空試料室２６の内部に搭載し、探針１９から吸収電流検出器２３までの信号配線のもつ静電容量を数ｐＦ程度まで低減することにより、数十ｋＨｚ以上の高周波数吸収電流信号であっても検出が可能となる。 - 特許庁

When the boosting circuit is operated, the lower the battery voltage VB is, the higher the switching frequency is determined, the lower the battery voltage VB is, the higher the capacitance of the condenser is increased, and further the lower the battery voltage VB is, the higher the self-inductance of a coil is increased to prevent the lowering of a boosting level caused by the lowering of the battery voltage VB.例文帳に追加

昇圧回路を動作させるときには、バッテリ電圧ＶＢが低いほどスイッチング周波数を高くし、バッテリ電圧ＶＢが低いほどコンデンサの静電容量を多くし、バッテリ電圧ＶＢが低いほどコイルの自己インダクタンスを大きくし、バッテリ電圧ＶＢの低下による昇圧レベルの低下を回避する。 - 特許庁

In the active matrix liquid crystal display device, shapes and dimensions of a drain electrode 40" and a source electrode 50" are formed so that a channel width W and a channel gap L of each TFT element are made constant although the gate-source parasitic capacitance Cgs of a TFT element disposed apart from the position of a gate driver is larger than that of a TFT element disposed near.例文帳に追加

ゲートライバの位置から遠くに配置されたＴＦＴ素子のゲート・ソース寄生容量Cgsが近くに配置されたＴＦＴ素子のそれよりも大きくするが、ＴＦＴ素子各々のチャネル幅ＷとチャネルギャップＬが一定となるようドレイン電極とソース電極の形状・寸法を形成している。 - 特許庁

Capacitance parts 13 and 15 each include first and second internal electrodes for signal 30 and 31 facing each other while adjoining in the lamination direction, a plurality of first internal electrodes for ground 40 facing each other while adjoining in the lamination direction, and a plurality of second internal electrodes for ground 41 facing each other while adjoining in the lamination direction.例文帳に追加

各静電容量部１３，１５は、積層方向で隣り合って対向する第一及び第二信号用内部電極３０，３１と、積層方向で隣り合って対向する複数の第一接地用内部電極４０と、積層方向で隣り合って対向する複数の第二接地用内部電極４１と、を含んでいる。 - 特許庁

To provide a capacitor used for a wiring circuit board, which is downsized and provides a stable output in spite of a high capacitance as designed and to provide a capacitor built-in wiring circuit board wherein a degree of design freedom of capacitor layout is enhanced, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

配線回路基板に用いるキャパシタにおいて、小型化でその大容量で安定した出力のキャパシタを形成することにより、キャパシタの配置の設計自由度が多くなり、設計値通りの容量となるキャパシタ及びそのキャパシタ内蔵配線回路基板及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

This MFMIS transistor has a structure, where an MFM(metal- ferroelectric-metal) structure and an MIS(metal-insulator-semiconductor) structure are stacked vertically inside almost the same area, and the lower MIS structure has a means for increasing an effective area of an MIS capacitance.例文帳に追加

本発明のＭＦＭＩＳトランジスタの構成によれば、ＭＦＭ（金属−強誘電体−金属）構造とＭＩＳ（金属−絶縁体−半導体）構造とをほぼ同一面積内で上下に積み重ねる構造を有し、かつ、下のＭＩＳ構造にはＭＩＳキャパシタンスの実効面積を増大する手段を有している。 - 特許庁