「capacitance」に関連した英語例文の一覧と使い方(185ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a chip type LC compound element capable of suppressing variations in the inductance value of a coil part and in the capacitance value of a capacitor part due to contraction of a conductor pattern and as a result having a controllable variations in the characteristics and a high reliability.例文帳に追加

本発明は、導体パターンが収縮してコイル部のインダクタンス値とコンデンサ部の静電容量値がばらつくのを抑制することができ、これにより、特性のばらつきの抑制が図れる信頼性の高いチップ型ＬＣ複合素子を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

The antenna 5 comprises a coil 51 which forms a resonance circuit together with the trimmer capacitor 52, and a resonant frequency of the resonance circuit is adjusted into desired frequency by increasing/decreasing capacitance of the trimmer capacitor 52 from the outside of the housing after the housing of the information terminal device 1 is closed.例文帳に追加

アンテナ５は、該トリマーコンデンサ５２と共振回路を形成するコイル５１を備え、この共振回路の共振周波数は、情報端末装置１の筐体を閉じた後に、筐体外部からトリマーコンデンサ５２の容量を増減することによって所望の周波数とされる。 - 特許庁

To provide a further miniaturized nondirective vehicular fractal antenna by improving spatial efficiency by using a pattern of a fractal structure, by reducing signal attenuation even in any direction of the front-rear and the right-left, by generating a resonance frequency of a wide band by compensating for a capacitance value.例文帳に追加

キャパシタンス値を補償して広帯域の共振周波数を発生させ、前後及び左右のいずれの方向にも信号減衰が小さく、フラクタル構造のパターンを利用して空間効率性を向上させて、一層小型化した無指向性の車両用フラクタルアンテナを提供する。 - 特許庁

On the basis of an electric capacitance generated between the electrodes 5 when an aggregate 4 to be cut out from the aggregate storage bin 1 in the next batch is present between the electrode members 6 immediately before cutout, the moisture content of one whole batch of the aggregate 4 to be cut out in the next batch is measured.例文帳に追加

骨材貯蔵ビン１より次のバッチで切り出される骨材４が、切り出し直前に電極部材６の間に存在するときの電極５間に生じる静電容量を基に、次のバッチで切り出される骨材４の１バッチ分全体の水分量を計測させる。 - 特許庁

Then, a capacitor 21 for changing the capacitance of the integrating circuit is connected in parallel with this second capacitor 15, and also the turn-on delay time of the main switching element 5 is switched over by making/breaking the electric connection of this capacitor 21, according to the output voltage of feedback winding 4b.例文帳に追加

そして、この第２のコンデンサ１５と並列に積分回路の静電容量を変更するためのコンデンサ２１を接続し、帰還巻線４ｂの出力電圧に応じてこのコンデンサ２１の電気的な接続を入／切して、主スイッチング素子５のターン・オン遅延時間を切り換える。 - 特許庁

The moisture sensor 1 includes a CV conversion circuit for converting capacitance differences between the interdigital electrodes 10a and 10b, and the electrodes 20a and 20b into voltages; an amplifier for amplifying the CV conversion values at a predetermined amplification factor; and a process circuit, having a switch circuit for switching the amplification factor of the amplifier.例文帳に追加

また、湿度センサ１は、櫛歯電極１０ａ及び１０ｂ並びに２０ａ及び２０ｂの容量差を電圧に変換するＣＶ変換回路、ＣＶ変換値を所定増幅率で増幅する増幅器、並びに、増幅器の増幅率を切り換える切替回路を有する処理回路を備える。 - 特許庁

The optical head 102 is prevented from touching the cover layer of the optical recording medium by detecting the capacitance C between the transparent conductor 4 and the optical head conductor 9 to control the distance d between them.例文帳に追加

透明導電体４と光ヘッド導電体９と間の静電容量Ｃを検出し、この静電容量Ｃを利用して光ヘッド１２と光記録媒体１０との距離ｄを制御することで、光ヘッド１２が光記録媒体１０のカバー層に接触することを防止する。 - 特許庁

Hereby, since a ground stray capacitance of the semiconductor sensor 1 is scarcely fluctuated, even if the interval between the shield case 3 and the conductive layers 16a, 16b is changed slightly by vibration of the semiconductor sensor 1, the semiconductor sensor 1 having high reliability without a vibration noise can be acquired.例文帳に追加

従って、半導体センサ１の振動によりシールドケース３と導電層１６ａ，１６ｂとの間隔が微量に変化しても半導体センサ１の対地浮遊容量がほとんど変動しないため、振動ノイズのない信頼性の高い半導体センサ１を得ることができる。 - 特許庁

Accordingly, even if a higher-frequency signal is applied to the metal resistor 18, the resistor structure lower electrode 15 will hardly be affected by the parasitic capacitance thereof due to its floating condition, and improved high-frequency characteristics of the device including such a metal resistor.例文帳に追加

従って、金属抵抗体１８に高周波の信号が印加される場合においても、抵抗体構造下部電極１５が浮遊状態となっているために、寄生容量の影響をほとんど受けず、この金属抵抗体を搭載する装置の高周波数特性が良い。 - 特許庁

Regarding the thin-film capacitor 10, since dielectric films 16a, 16B and 16C are made up of materials for the perovskite structure and are highly orientational, capacitance increase is attempted, as compared to a thin-film capacitor made of SiO_2 that has one dielectric film.例文帳に追加

本発明に係る薄膜コンデンサ１０においては、誘電体膜１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃは、ペロブスカイト構造の材料で構成されており高い配向性を有するため、ＳｉＯ_２で構成された誘電体膜を有する薄膜コンデンサに比べて、静電容量の増大が図られている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing niobium powder of low oxygen content for capacitor by which a capacitor having increased capacitance per unit mass, decreased leakage current and reduced fluctuation can be obtained and also to provide a method for manufacturing a sintered compact using the niobium powder and a capacitor using the sintered compact.例文帳に追加

単位質量あたりの容量が大きく、漏れ電流が小さく、さらにバラツキの少ないコンデンサを提供しうる、酸素含有量の少ないコンデンサ用ニオブ粉、それを用いた焼結体およびその焼結体を用いたコンデンサの製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To reduce the parasitic capacitance of the electrode pad of an element where a mesa stripe including an optical waveguide layer is buried by a semi-insulating InP based embedding layer having an upper surface consisting of a flat portion, an inclining portion and a fine growth portion and the electrode pad is formed on the embedding layer 4.例文帳に追加

光導波路層を含むメサストライプを、上面が平坦な平坦部、傾斜部及び微成長部からなる半絶縁性のＩｎＰ系埋込み層により埋め込み、埋込み層４上に電極パッドが形成された素子の電極パッドの寄生容量を小さくする。 - 特許庁

When electric charges are not accumulated on the wiring A and the TFT 21 s turned off, the wiring A becomes floating state and when a high level clock signal CK1 or CK2 is supplied to the drain of TFT 22 at this time, the potential of the wiring A is raised by the parasitic capacitance of the TFT 22.例文帳に追加

配線Ａに電荷が蓄積されておらず、ＴＦＴ２１がオフしていると、配線Ａはフローティング状態となり、このときにＴＦＴ２２のドレインにハイレベルのクロック信号ＣＫ１またはＣＫ２が供給されると、ＴＦＴ２２の寄生容量により、配線Ａの電位が上昇する。 - 特許庁

In an analog amplifier unit circuit 20 included in a color liquid crystal display apparatus, aluminum wires 32 are formed so as to cover a gate electrode 21g of an input transistor 21 of the drive circuit 25, so that the capacitance between the gate electrode 21g and the aluminum wires 32 is used for an offset-compensating capacitor 23.例文帳に追加

このカラー液晶表示装置に含まれるアナログアンプ単位回路２０では、駆動回路２５の入力トランジスタ２１のゲート電極２１ｇを覆うようにしてアルミ配線３２を形成し、ゲート電極２１ｇおよびアルミ配線３２間の容量をオフセット補償用キャパシタ２３として使用する。 - 特許庁

Therefore, even when a signal of a high frequency is impressed to the metal resistor 18, the high frequency characteristic of the device mounted with the metal resistor is good since it is hardly affected by parasitic capacitance because the lower electrode 15 of the resistor structure is put into the floating state.例文帳に追加

従って、金属抵抗体１８に高周波の信号が印加される場合においても、抵抗体構造下部電極１５が浮遊状態となっているために、寄生容量の影響をほとんど受けず、この金属抵抗体を搭載する装置の高周波数特性が良い。 - 特許庁

In this control valve for a variable capacitance type compressor, a cooling medium sucked from a suction chamber 3 connected to a suction conduit 1 is compressed to be discharged to a discharge chamber 4 connected to a discharge conduit 2, while cooling medium pressure is controlled by an electromagnetic control valve 100.例文帳に追加

吸入管路１に通じる吸入室３から吸入した冷媒を圧縮して吐出管路２に通じる吐出室４に吐出させると共に電磁式の制御弁１００により冷媒圧制御させるようにした可変容量型圧縮機用の制御弁である。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device capable of preventing degradation in image quality such as deterioration in liquid crystal material and burning from occurring by quickly discharging charges accumulated in liquid crystal capacitance when an electric source of the liquid crystal display device in which a plurality of signal lines are switched for one signal line by a switch is intercepted.例文帳に追加

１本の信号線に対して複数の信号線をスイッチで切り替えて接続する液晶表示装置の電源が遮断された場合に、液晶容量に蓄積された電荷を素早く放電させ、液晶材料の劣化や焼き付きなどの画質低下を防止する。 - 特許庁

To solve the problem that when current writing is performed in a pixel circuit while charging parasitic capacitance present across a scanning line or the like through a resistance component of a data line, it takes a long time for the writing, therefore, a time for selecting the scanning line has to be set long.例文帳に追加

走査線等との間に存在する寄生容量にデータ線の持つ抵抗成分を通して充電しながら画素回路への電流の書き込みを行うと、その書き込みに長い時間を要することになるため、走査線の選択時間を長く設定せざるを得なくなる。 - 特許庁

Before forming a patterned lower electrode and a first wiring layer, that is, in a state where a first conductive film is formed on the entire surface, an insulation film for capacitance formation and a second conductive film are successively deposited, then patterning is performed and an upper electrode and a capacitive insulation film are formed.例文帳に追加

パターニングされた下部電極及び第１の配線層を形成する前に、つまり第１の導電膜が全面に形成されている状態で、容量形成用絶縁膜及び第２の導電膜を順次堆積した後、パターニングして上部電極及び容量絶縁膜を形成する。 - 特許庁

This occupant detector is provided with an antenna 11 arranged on the seat, and the antenna 11 is provided with the sensor electrode 12 generating capacitance varying according to the condition of the seat, the shield electrode 13 set at the same potential as the sensor electrode 12, and a base member 51 formed of an insulation film.例文帳に追加

乗員検知装置は、シートに設けられたアンテナ１１を有し、アンテナ１１は、シートの状態に応じて変化する静電容量を生じさせるセンサ電極１２と、センサ電極１２と同電位とされるシールド電極１３と、絶縁性フィルムからなるベース部材５１とを備える。 - 特許庁

The gate electrode of the TFT 156 is connected to the scanning line 112, while the source electrode is connected to a first feeder line 165; the source electrode of the TFT 158 is connected to a second feeder line 166; and a common drain electrode of the TFTs 156, 158 is connected to the capacitance line 132.例文帳に追加

ＴＦＴ１５６のゲート電極は走査線１１２に接続され、ソース電極は第１給電線１６５に接続され、ＴＦＴ１５８のソース電極は第２給電線１６６に接続され、ＴＦＴ１５６、１５８の共通ドレイン電極が容量線１３２に接続されている。 - 特許庁

The zones 13n and 13p reduce the resistance of a channel coupling between a channel region 63 controlled by the potential of a gate electrode 21 and respective source/drain regions 61 and 62, and also reduce the overlap capacitance between the gate electrode 21 and the respective source/drain regions 61 and 62.例文帳に追加

この濃縮帯１３ｎ、１３ｐは、各ソース／ドレイン領域６１、６２と、ゲート電極２１の電位によって制御されているチャネル領域６３との間のチャネル連結部の抵抗を低減し、ゲート電極２１と各ソース／ドレイン領域６１、６２との間のオーバーラップ容量を低減する。 - 特許庁

In the uniform charge/discharge circuit 1b, each FET switch TR1-TR4 is constituted of an MOSFET and switching control is performed by an oscillation circuit 2A generating a sine wave signal A through parallel resonance of its gate capacitance and an inductor connected in parallel therewith.例文帳に追加

均等蓄放電回路１ｂは、各々のＦＥＴスイッチＴＲ１〜ＴＲ４が、ＭＯＳＦＥＴにより構成され、そのゲート容量と、そのゲート容量に並列に接続されたインダクタと、の並列共振により正弦波信号Ａを生成する正弦波信号発振回路２Ａによりスイッチング制御される。 - 特許庁

An electromechanical conversion device such as an electrostatic capacitance type ultrasonic conversion device includes an electromechanical conversion element 10 having a movable area 16 for receiving an acoustic wave emitted from a test object, an electric wiring board 13 electrically connected to the element 10, and a reflection suppression layer 12.例文帳に追加

静電容量型超音波変換装置などの電気機械変換装置は、被検体から放出される音響波を受信するための可動領域１６を有する電気機械変換エレメント１０と、エレメント１０と電気的接続を取る電気配線基板１３と、反射抑制層１２を有する。 - 特許庁

However, in the apparatus, a capacitor 22 having adequate capacitance is inserted between the grounding electrode 18 and the ground electric potential, a decrease of the stage impedance is compensated by the impedance insertion effect or the voltage division effect by the capacitor 22, and an increase of the voltage applied to the substrate W is suppressed thereby.例文帳に追加

しかし、接地電極１８とグランド電位との間に適正なキャパシタンスを有するコンデンサ２２が挿入されているため、コンデンサ２２によるインピーダンス挿入効果ないし分圧効果によりステージ・インピーダンスの低下が補償され、被処理基板Ｗに掛かる電圧の増加が抑制される。 - 特許庁

With regard to the noise components, signal line noise and IC noise are reduced by employing a multilayer structure of a first insulation layer, a semiconductor layer, and a second insulation layer at the intersection of a signal line and a switch TFT drive line, thereby reducing parasitic capacitance at the intersection of wiring.例文帳に追加

ノイズ成分においては、信号線とスイッチＴＦＴ駆動配線との配線交差部を第１の絶縁層、半導体層、第２の絶縁層の積層構造とすることにより、配線交差部で形成される寄生容量を低減し、信号線ノイズ、ＩＣICノイズを低減する。 - 特許庁

The foamed fluorocarbon resin coaxial cable 11 is put in a metallic pipe 12 filled with water 13 of a length of 1 m, one end of which is connected with the metallic pipe 12, and the other with an LCR meter 14, in which state, a capacitance at 1 MHz measured satisfies a standard.例文帳に追加

この発泡フッ素樹脂同軸ケーブル１１を長さ１ｍ、水１３を満たした金属性パイプ１２に入れ、一方の端を金属性パイプ１２と接続し、他方の端をＬＣＲメーター１４と接続し、１ＭＨｚでの静電容量を測定すると、規格を満足した静電容量が得られた。 - 特許庁

The two rings become larger in inner diameter because the plate electrodes 33a to 37a and 33b to 37b are provided inside the rings, and the first and second conductor line become small in line capacitance, so that the laminated filter circuit 1A can be reduced in size and improved in Q.例文帳に追加

また、平板電極３３ａ〜３７ａ、３３ｂ〜３７ｂを形成する分だけ２つの環の内径が大きり、第１の導体線路および第２の導体線路に形成される線間容量が小さくなるので、積層型フィルタ回路１Ａの小型化およびＱの向上が図れる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of forming a fluorine added oxide film in an inter-wiring space and particularly reducing an inter-wiring capacitance at a narrow space, without deteriorating the adhesion with a metal film and/or an SiN film although using Cu and/or Cu alloy as a wiring material.例文帳に追加

ＣｕやＣｕ合金を配線材料に用いながらも、金属膜やＳｉＮ膜との密着性を悪化させることなく、配線間スペースにフッ素添加酸化膜を形成し、特に狭スペース部での配線間容量を低減できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The first transmission line is edge-coupled with the second transmission line which is edge-coupled with the third transmission line in the filter, thus forming main couplings of the filter, and the micro-coupling capacitance controls the frequency position of attenuation poles.例文帳に追加

上で述べたフィルター装置中において、第１伝送線路が第２伝送線路とエッジ結合されて、第２伝送線路が第３伝送線路とエッジ結合されて、フィルター装置の主要な結合を形成して、マイクロ結合容量が減衰極の周波数位置を調整する。 - 特許庁

To provide, at low costs, a bipolar transistor having the excellent high frequency characteristic by forming a SIC layer having the predetermined retro-grade profile with the simplified process and by reducing a junction capacitance between the base and collector in the method of manufacturing the bipolar transistor including the SIC layer.例文帳に追加

ＳＩＣ層を有するバイポーラトランジスタの製造方法において、簡便な工程により所望のレトログレードプロファイルを有するＳＩＣ層を形成すると共にベース・コレクタ間の接合容量を低減して、高周波特性に優れたバイポーラトランジスタを低コストで提供する。 - 特許庁

This motor control signal simulator includes the motor control signal detection circuit for detecting forward and reverse motor driving signals with two relays wherein a phase advance capacitor in the control device for rotating an induction motor is connected in parallel with a capacitor having the same capacitance.例文帳に追加

インダクションモータを回転させる制御装置の進相コンデンサと静電容量が同容量のコンデンサを並列に接続した２個のリレーにより、正転、反転それぞれのモータ駆動信号を検出するモータ制御信号検出回路を備えたことを特徴とするモータ制御信号シミュレータ。 - 特許庁

To eliminate the temporary drop of stabilized voltage when switching a boosting ratio without increasing the capacitance value of a capacitor for voltage stabilization in a semiconductor integrated circuit having a function for stabilizing voltage to be supplied from a boosting circuit where the boosting ratio can be switched.例文帳に追加

昇圧比が切換可能な昇圧回路から供給される電圧を安定化する機能を有する半導体集積回路において、電圧安定化のためのコンデンサの容量値を大きくすることなく、昇圧比切換時における安定化電圧の一時的な低下を解消する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which the interconnect line of a thin film device can be prevented from short-circuiting while reducing the increase of the parasitic capacitance when the thin film device (semiconductor device) is constituted by pasting a micro tile-like element onto a substrate, and to provide its manufacturing method and an electronic apparatus.例文帳に追加

基板上に微小タイル状素子を貼り付けて薄膜デバイス（半導体装置）を構成する場合に、その薄膜デバイスについての配線が短絡すること及び寄生容量が増大することを低減できる半導体装置、半導体装置の製造方法及び電子機器を提供する。 - 特許庁

In an area where the second transparent conductive pattern 19 overlaps with the auxiliary capacitance line 12, contact holes 41 and 51 through which the pixel electrode 61 and the first transparent conductive pattern 39 are made conductive are provided and an island shape pattern 35 including a semiconductor layer is provided on the gate insulating film 15.例文帳に追加

第２透明導電パターン１９が補助容量線１２と重なる個所には、画素電極６１と第１透明導電パターン３９とを導通させるコンタクトホール４１，５１が設けられるとともに、ゲート絶縁膜１５上に、半導体層を含む島状パターン３５が設けられる。 - 特許庁

The capacitance element is provided with a first metal layer 11, a dielectric material layer 12 formed on the first metal layer 11, and a second metal layer 13 which is formed on the dielectric material layer 12; and is provided with a plurality of projected portions 15 at the surface opposing to the first metal layer 11.例文帳に追加

第１の金属層１１と、第１の金属層１１上に形成された誘電体層１２と、誘電体層１２上に形成され、第１の金属層１１と対向した面に複数の凸部１５が設けられた第２の金属層１３とを具備したことを特徴する。 - 特許庁

A charge amplifier 14 outputs an output voltage Vout corresponding to a difference between a first capacity value between a first sense line YLs and an X line selected by a driving circuit and a second capacitance value between a second sense line YLs+1 and the X line selected by the driving circuit.例文帳に追加

電荷増幅器１４は、第１のセンスラインＹＬｓと駆動回路により選択されたＸラインとの間の第１の容量値と、第２のセンスラインＹＬｓ＋１と駆動回路により選択されたＸラインとの間の第２の容量値との差に応じた出力電圧Ｖｏｕｔを出力する。 - 特許庁

In order to detect attitude displacement to a standard attitude of the movable element 3a by the capacitance 11 between the movable element 3a and an electrode 4, an antiphase input of a noninverting amplifier 10 is connected to the electrode 4, and a driving signal and a detection signal are inputted from a positive-phase input.例文帳に追加

可動エレメント３ａの基準姿勢に対する姿勢変位を、該可動エレメント３ａと電極４との間の静電容量１１で検出するために、非反転増幅器１０の逆相入力を電極４に接続し、正相入力より駆動信号と検出信号を入力する。 - 特許庁

Since a stopper insulation film 6 is formed of a silicon nitride film along the upper part 3b of the sidewall of a wiring layer 3, the capacitance value between the adjacent wiring layers 3 can be reduced when compared with a constitution having the silicon nitride film formed entirely on the sidewall of the wiring layer 3.例文帳に追加

ストッパー絶縁膜６がシリコン窒化膜により配線層３の側壁上部３ｂに沿って形成されているため、シリコン窒化膜が配線層３の側壁全面に形成されている構成に比較して隣接する配線層３間の容量値を低減することができる。 - 特許庁

To control Ni particle growth uniformly all over an internal electrode layer, to prevent spheroidizing of particles and break in an electrode effectively, and to curb decline in electric capacitance efficiently even if each inner electrode layer is reduced in thickness in particular and there is unevenness of particle distribution of nickel particles.例文帳に追加

特に内部電極層の各厚みが薄層化し、しかも、Ｎｉ粒子の粒度分布にバラツキがあったとしても、内部電極層の全体にわたり、均一に、Ｎｉの粒成長を抑制し、球状化、電極途切れなどを有効に防止し、静電容量の低下を効果的に抑制すること。 - 特許庁

To provide a living body measuring instrument suppressing an increase in a parasitic capacitance even if setting a distance between a frame member or a weight measuring member and an electrode member short and thinning the instrument, reducing the storage space of the instrument, and providing living body data with high reliability.例文帳に追加

フレーム部材又は体重測定部材と電極部材との距離を短く設定して装置を薄型化しても、寄生容量の増大を抑えられ、装置の収納スペースを低減することができ、信頼性の高い生体データを得ることのできる生体測定装置を提供する。 - 特許庁

To provide a capacitance type level gauge capable of stably detecting a level of an object to be measured even when the level changes due to vibration or the like, and also capable of accurately detecting a level of an object even when a dielectric constant thereof changes depending upon temperatures.例文帳に追加

被測定物の液面が振動などにより変動しても安定して液面レベルを検出できると共に、被測定物の誘電率が温度に依存して変化しても精度良く液面レベルを検出することができる静電容量式液面レベル計を提供することを目的とする。 - 特許庁

In this electret making method, in the state of clamping a porous body to be processed with a pair of dielectrics whose total capacitance is 2×10-7 C/(m2.V) or more and total of thickness is 0.2 mm or more, a DC high voltage is applied between the dielectrics.例文帳に追加

本発明のエレクトレット化方法は、総静電容量が２×１０^-7Ｃ／（ｍ^2・Ｖ）以上、かつ厚さの合計が０．２ｍｍ以上の１対の誘電体により、多孔性被処理体を挟持した状態で、前記誘電体間に直流高電圧を印加する方法である。 - 特許庁

A calculating formula of the band width of the antenna, an inter-pattern capacitance, a pattern width closely relating to coupling and a pattern pitch in addition to a pattern fold-back width that closely relates to the capacitive component between conductor patterns is derived, by which the band width of the antenna can be obtained.例文帳に追加

導体のパタ−ン間の容量成分に密接に関係するパタ−ン切り返し幅に加え、パタ−ン間の容量、結合に密接に関係するパタ−ン幅、パタ−ンピッチより成り立つ計算式を用いて帯域幅を求め、この計算式にしたがって計算する。 - 特許庁

A charge control unit 15 makes following controls according to the voltage of the main battery 04 detected by a battery voltage detection unit 13: an on-time at which a switch is turned on to connect the main battery 04 and the large-capacitance capacitor 01; a period with which the switch is turned on; and/or duration for which the switch is kept on.例文帳に追加

充電制御部１５は、電池電圧検出部１３が検出した主電池０４の電圧に応じて、スイッチをオンさせて主電池０４と大容量キャパシタ０１とを接続するオン時間、スイッチをオンさせる周期、および／もしくはその継続時間を制御する。 - 特許庁