「capacitance」に関連した英語例文の一覧と使い方(183ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a recording head substrate capable of minimizing influences of a parasitic resistance and a parasitic capacitance of a wire for example, even when a length of a heater array is lengthened and achieving a high speed and good recording, a recording head using the recording head substrate, and a recording apparatus equipped with the recording head.例文帳に追加

例えば、ヒータアレイ長を長くしても配線の寄生抵抗や寄生容量の影響を最小にし、高速で良好な記録を達成する記録ヘッド基板、その記録ヘッド基板を用いた記録ヘッド、及びその記録ヘッドを備えた記録装置を提供することである。 - 特許庁

To provide a thin-film capacitor in which variation in capacitance is suppressed, V_BD is raised while suppressing its variation among individuals, delamination is fully deterred and thereby the device characteristics, the reliability of product, productivity and economy are enhanced.例文帳に追加

容量のばらつきを抑えるとともに、Ｖ_BDをより高めつつ、個体間のＶ_BDのばらつきを抑え、且つ、層間剥離を十分に抑止することができ、デバイス特性及び製品の信頼性、並びに、生産性及び経済性を向上させることが可能な薄膜コンデンサ等を提供する。 - 特許庁

To suppress expansion of circuit scale by performing repeated processing using a basic circuit with small memory capacity, in order to process channel setting data as information for interchanging time slots of transmission data even when processing time slot interchanging of a large capacitance of transmission data.例文帳に追加

大容量の伝送データのタイムスロット入れ替えを処理する場合でも、伝送データのタイムスロットを入れ替えるための情報である回線設定データを処理するために、小さいメモリ容量を有する基本回路を用いて繰り返して処理することで回路規模の増大を抑制する。 - 特許庁

By controlling the characteristics of the negative feedback of the negative feedback circuit 13 with respect to the power amplifier 12 due to an input signal power, gain fluctuation of the power amplifier 12 is reduced and phase distortion is reduced through the second capacitance element C12.例文帳に追加

上記負帰還回路１３による電力増幅器１２に対する負帰還量が入力信号電力によって可変となる特性を調整することにより、電力増幅器１２の利得変動を抑制し、第２のキャパシタンス素子Ｃ12により、位相歪みを抑制する。 - 特許庁

An image forming apparatus operates in a toner consumption mode for changing the amount of toner in a feed roller, that is, for consuming toner in a feed roller, and in a toner feed mode for feeding toner into a feed roller, so as to detect difference in the amount of electrostatic capacitance between the modes, and thereby measuring the remaining amount of toner in a developing unit.例文帳に追加

供給ローラの内のトナー量を変更させる、供給ローラ内のトナーを消費するトナー消費モードと、供給ローラ内にトナーを供給するトナー供給モードを行い、各モードの静電容量の差分を検知することによって、現像器内のトナー残量測定を行なう。 - 特許庁

Thus, a clearance S between the probe card 3 and the opening 4a of the shield plate 4 is clogged by the shield ring 7 to make a capacity measurement or a micro current measurement of the semiconductor wafer 1, thereby reducing a numerical value of a stray capacitance to carry out an electric characteristics inspection.例文帳に追加

これにより、プローブカード３とシールド板４の開口部４ａとの間隙Ｓをシールドリング７によって塞いで半導体ウェハ１の容量測定または微小電流測定を行うことにより、浮遊容量の数値を低減して電気的特性検査を行うことができる。 - 特許庁

As shown in Fig. 6, the driving device is constituted so that driving switches Sa1 to Sam in a data driver 2 and scanning switches Sk1 to Skn in a scanning driver 3 are connected to the ground which is a reference potential point, while the reset operation for removing charges stored in a parasitic capacitance of organic electroluminescence elements E11 to Emn is performed.例文帳に追加

有機ＥＬ素子Ｅ１１〜Ｅｍｎの寄生容量に蓄積された電荷を除去するリセット動作時には、データドライバ２におけるドライブスイッチＳａ１〜Ｓａｍおよび走査ドライバ３における走査スイッチＳｋ１〜Ｓｋｎは基準電位点であるグランドに接続される。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device main part 12 comprises a tunnel oxide film 2 laminated on the surface of the P well 9, a floating gate 3, a capacitance insulating film 5 and a control gate 4, and a drain diffused layer 6 and a source diffused layer 7 formed in the surface of the P well 9 in both side positions thereof.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置主部１２は、Ｐウエル９の表面に積層したトンネル酸化膜２、浮遊ゲート３、容量絶縁膜５および制御ゲート４と、これらの両側位置でＰウエル９の表面に形成したドレイン拡散層６およびソース拡散層７とからなる。 - 特許庁

In preparation for future system changes, connection terminals are provided for the leakage current relay in advance to connect another capacitor to change the capacitance of the filter capacitor as the high frequency noise increases or its band is lowered when another inverter is added or the number of the inverters is increased in the future.例文帳に追加

将来のシステム変更に備え、漏洩電流継電器に付加的にコンデンサを接続可能な接続端子を予め設け、インバータの追加・台数増加による高周波ノイズ帯域およびノイズ量の変化に応じて、高周波ノイズ抑制のフイルタのコンデンサ容量を変更することを可能にする。 - 特許庁

The resonance frequency of each of serial resonance circuit is set to almost the double or triple central frequency of the passing band of the element as a frequency of a basic wave, the double or triple fundamental wave is attenuated and the element is operated as a matched capacitance in the fundamental wave frequency.例文帳に追加

各直列共振回路の共振周波数は、基本波の周波数である素子の通過帯域の中心周波数の略２倍および略３倍に設定されて基本波の２倍波，３倍波を減衰させ、基本波周波数においては整合容量として作用する。 - 特許庁

A MOS type capacity element 28 having the other end connected to a reference voltage is connected to a gate of the driver TFT 22, the MOS type capacity element 28 is in an on state before a fall of the pulse drive line and becomes an OFF state during the fall and a capacitance changes at the switching of ON state to the OFF state.例文帳に追加

駆動ＴＦＴ２２のゲートには、他端がリファレンス電圧に接続されるＭＯＳ型容量素子２８が接続されており、ＭＯＳ型容量素子２８は、パルス駆動ラインの立ち下がり前はオン、立ち下がる途中でオフとなり、その切り替わりで容量値が変化する。 - 特許庁

The existence of contacts between the first wirings 3a-3k and the second wirings 4a-4k is evaluated by irradiating the first wirings 3a-3k with charge particles and detecting the difference in the quantity of emission of secondary electrons from the first wirings 3a-3k corresponding to the magnitude of the electric capacitance as potential contrast.例文帳に追加

第１配線３ａ〜３ｋに荷電粒子を照射し、電気容量の大小に応じた第１配線３ａ〜３ｋからの二次電子の放出量の差を電位コントラストとして検出することにより、第１配線３ａ〜３ｋと第２配線４ａ〜４ｋとの接触の有無を評価する。 - 特許庁

Thus, excellent linearity is ensured by decreasing a voltage of the FD 4 in signal readout via a capacitance 13 formed between the gate of the reset transistor 6 and the FD 4 and a maximum transferrable charge amount is increased by increasing the voltage of the FD 4 in charge transfer.例文帳に追加

このことにより、リセットトランジスタ６のゲートとＦＤ４との間に形成される容量１３を介して、信号読み出し時にＦＤ４の電圧を下げることで良好なリニアリティを確保し、電荷転送時にＦＤ４の電圧を上げることで転送可能な最大の電荷量の増大を実現する。 - 特許庁

A semiconductor device includes a guard ring 7 around an inner circuit 6, a capacitance element 8 overlaid on the guard ring 7 and connected to power lines 21 and 22 for the inner circuit 6, and a lateral thyristor 9 overlaid on the guard ring 7 and connected to the power lines 21 and 22.例文帳に追加

内部回路６を囲むガードリング７と、このガードリング７に重ねて形成されるとともに内部回路６への電源ライン２１，２２に接続された容量素子８と、ガードリング７に重ねて形成されるとともに電源ライン２１，２２に接続されたラテラルサイリスタ９とを備える。 - 特許庁

To provide a sensor structure having an electrode layer on a surface of an insulator layer which is on the same side of a surface of a substrate, capable of further reducing parasitic capacitance generated between the substrate and the electrode layer (in an insulator layer) compared to conventional ones; and a sensor and an actuator using the sensor structure.例文帳に追加

絶縁体層において基板の一方の面と同じ側の面に電極層を形成した際に基板と電極層との間（絶縁体層）で発生する寄生容量を従来よりも低減できるセンサ用構造体、該センサ構造体を用いたセンサ及びアクチュエータを得る。 - 特許庁

At that time, respective source lines S1 to Sx are connected respectively to a wiring 1111 for read-out via analog buffers AB1 to ABx in order to reduce the influence of the wiring capacitance CL of the wiring 1111 for read-out at the time of reading out the potential of the source signal lines to the outside of a substrate.例文帳に追加

その際、ソース信号線の電位を基板外部まで読み出す際の読み出し用配線１１１１の配線容量Ｃ_Lの影響を軽減するため、各ソース信号線Ｓ１〜Ｓｘは、それぞれアナログバッファＡＢ１〜ＡＢｘを介して、読み出し用配線１１１１に接続されるようにする。 - 特許庁

There is proved the variable capacitance element that includes a ground electrode 3 and a signal line 2 for feeding a signal disposed on a surface of a substrate 1, and a movable electrode 4 opposed the signal line 2 and the ground electrode 3, the movable electrode 4 being movable toward and away from the signal line 2 and the ground electrode 3.例文帳に追加

基板１の表面にグランド電極３と信号が流れる信号線路２とを設け、当該信号線路２およびグランド電極３に対向し、当該信号線路２およびグランド電極３に対して接離する方向に変位可能に可動電極４を設ける。 - 特許庁

To provide a magneto-resistance effect type head in which noise is reduced and which has an excellent high frequency characteristic with high yield by suppressing noise resulting from a level difference of an upper shield layer or a lower shield layer and by reducing a capacitance in the magneto-resistance effect type head of a CPP structure.例文帳に追加

ＣＰＰ構造の磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、上部シールド層あるいは下部シールド層の段差に起因するノイズを抑制し、かつ静電容量Ｃを低減し、ノイズが少なく、高周波特性に優れた磁気抵抗効果型ヘッドを高い歩留まりで提供する。 - 特許庁

The solid-state imaging device 1 has a light-receiving part 10, a signal reading part 20, a control part 30, light-receiving parts 11 and 12 for dummies including photodiodes for dummies, a discharge means for discharging a junction capacitance part of the photodiodes for dummies, and a scintillator layer 50 so provided as to cover the light-receiving part 10.例文帳に追加

固体撮像装置１は、受光部１０、信号読出部２０、制御部３０、ダミー用フォトダイオードを含むダミー用受光部１１，１２、ダミー用フォトダイオードの接合容量部を放電する放電手段、および、受光部１０を覆うように設けられたシンチレータ層５０を備える。 - 特許庁

Then, the wiring path A, the power source of voltage Va and a resistance R2 are connected, and voltage between the wiring A and the resistance R2, that is, input voltage Vin as the capacitance is detected by the detection part 44.例文帳に追加

前記本体部分は、配線路Ａ〜Ｅを介して前記第１の接点と接続され、電気変量を検出する検出手段、及び該検出手段によって検出された電気変量に基づいて前記カートリッジの装着状態を判断する装着状態判断手段を備える。 - 特許庁

A recess 16a is formed on the surface of a glass substrate 16, and an undercoating layer 23 is formed on the recess, on which a p-Si semiconductor layer 21, gate insulating film 24, and auxiliary capacitance line 38 are laminated so that the auxiliary line 38 is formed in the thickness direction of the glass substrate 16 to obtain a sufficient effective area.例文帳に追加

ガラス基板１６表面に凹部１６ａを形成し、この凹部にアンダーコート層２３を介し、ｐ−Ｓｉ半導体層２１、ゲート絶縁膜２４、補助容量線３８を積層して、ガラス基板１６の厚み方向にも補助容量線３８を形成して十分な実効面積を得る。 - 特許庁

Since the CR phase shifter is configured through the connection of 2 sets of the 4-terminal capacitors and 2-sets of the external resistors in a way of causing completely symmetrical connection of parasitic resistance and parasitic capacitance, a phase difference of the CR phase shifter output can set to be 90 degrees over a wide frequency range.例文帳に追加

このように、４端子のコンデンサ２個と外部抵抗２個を寄生抵抗、寄生容量の接続が完全に対称になるように接続してＣＲ移相器を構成することで、ＣＲ移相器出力の位相差を広い周波数範囲で９０度にすることができる。 - 特許庁

To provide a thin-film forming method which improves the productivity compared with a masking method or a conventional capacitor, by using an ambient-pressure plasma treating process that has advantages in a cost and productivity of the apparatus, and to provide a method for manufacturing a thin-film multilayered capacitor with a low profile and a large capacitance by using the same.例文帳に追加

装置のコスト面、生産面から有利な大気圧プラズマ処理法を用い、マスク法や従来のコンデンサに比べ、より生産性の向上が可能な、薄膜形成方法とそれを用いた薄型大容量の薄膜積層コンデンサの製造方法を提案する。 - 特許庁

The capacitance of the capacitor C1 can suppress the quintic harmonic components flowing to the reactor L to 1/10-1/3, can prevent the reactor L from being overloaded, and can prevent the occurrence of such faults as burning, abnormal sound, overheating, etc., of the reactor L.例文帳に追加

この並列コンデンサＣ1 の容量を、進直列リアクトルＬに流入する第５次調波電流を１／１０〜１／３に抑制することができ、直列リアクトルＬが過負荷となるのを防止でき、直列リアクトルＬの焼損、異常音、過熱といった障害を防止できる。 - 特許庁

This detection device 10 installed in a bathroom vanity is so structured that a light-emitting means of a detection area S is formed by installing LED light sources 11 on facing side end faces of a light guide plate 2 mounted on the back surface side of a mirror M, and a capacitance type sensor 13 is arranged on the back surface side of the light guide plate 12.例文帳に追加

洗面化粧台に設置する検知装置１０は、鏡Ｍの裏面側に装着した導光板２の対向側端面にＬＥＤ光源１１を配設して検知領域Ｓの発光手段と成し、導光板１２の裏面側に静電容量式センサー１３を配置する。 - 特許庁

The reference threshold value detector 20 is provided with at least one resistor 22 having a variable resistor R that is used to generate a reference threshold value signal from an input signal and at least one capacitive element 24 placed at a post-state of the resistor 22 and having a capacitance C.例文帳に追加

基準しきい値信号検出器２０は、入力信号から基準しきい値信号を生成するとともに、可変抵抗値Ｒを有する少なくとも１つの抵抗２２と、抵抗２２の後段に設けられて、あるキャパシタンスＣを有する少なくとも１つの容量性素子２４とを備えている。 - 特許庁

To provide a light emitting device and an electronic device capable of effectively using a display surface without generating a problem in image display such as low contrast by reducing a parasitic capacitance between wires and thus stably supplying image signals.例文帳に追加

配線間の寄生容量を少なくすることにより、画像信号の供給を安定化してコントラスト低下等の画像表示の異常を引き起こすことがなく、表示面の有効利用を図ることができる発光装置及び、当該発光装置を備える電子機器を提供する。 - 特許庁

There are provided a multilayer capacitor in which a dielectric layer and internal electrodes 11, 21,..., for forming electrostatic capacitance are laminated, and the internal electrodes are positioned, in a direction orthogonal to a mounting surface 2, and lead-out electrodes 12, 22 drawn from these internal electrodes are electrically connected to the external electrodes 31, 32.例文帳に追加

誘電体層と静電容量を形成するための内部電極１１，２１…とが積層されており、内部電極が実装面２と直交する方向に位置し、該内部電極から引き出された引出電極１２，２２が外部電極３１，３２と電気的に接続されている積層コンデンサ。 - 特許庁

To provide a memory module which can simplify a rework step even when a failure is confirmed in a lamination step after a mounting step in which a semiconductor memory device is mounted on a host substrate, and further can simply attain an increase in capacitance even in an elemental module substrate.例文帳に追加

半導体記憶装置を親基板に実装する実装工程の後で、積層工程における不良品が確認された場合でもリワーク工程を簡略化でき、更には単体のモジュール基板でも大容量化を簡易に達成し得るメモリモジュールを提供する点にある。 - 特許庁

This tilt sensor 1 detects the inclination of a detected object attached with a container 2, by detecting a change of an electrostatic capacitance when the conductive moving object 6 moving while receiving an acceleration moves in a passage formed in the container 2 sealed with the moving object 6.例文帳に追加

傾斜センサ１は、加速度を受けて移動する導電性を有する移動体６が、移動体６を封入した容器２に形成されている通路内を移動する際の静電容量の変化を検出することにより、容器２が取り付けられている被検出体の傾斜を検出する。 - 特許庁

A flat-panel display having a structure in which the relative area of a semiconductor film with respect to the area of a facing channel region is made different from that of a gate electrode film with respect to the area of the facing channel region for at least some of a plurality of TFTs is provided so as to suppress light leakage current and capacitance increase.例文帳に追加

複数個あるＴＦＴの少なくとも一部について、半導体膜とゲート電極膜が対向する面積のチャネル領域に対する相対的な面積が異なることにより、光リーク電流の発生を抑えつつ、容量増加を抑制する構造の平面ディスプレイを提供する。 - 特許庁

To provide a wiring board that can surely remove noise and reduce resistance and inductance of wiring lines connected to a capacitor by incorporating the capacitor, the wiring board incurring a small amount of loss even if trouble occurs to the capacitor and capable of incorporating an inexpensive capacitor with large electrostatic capacitance.例文帳に追加

コンデンサを内蔵することにより、ノイズを確実に除去でき、しかも、コンデンサに接続される配線の抵抗やインダクタンスを低くできる配線基板、コンデンサに不具合を生じても損失金額が少なく、安価で、大きな静電容量のコンデンサを内蔵可能な配線基板を提供する。 - 特許庁

Since a capacitance acting to regulate the impedance of a whip antenna 4 only when an antenna part 100 is elongated is provided at an antenna stopper 5, both a helical antenna 1b in the contracted state and a whip antenna 4 in the elongated state resonate in a plurality of frequency bands.例文帳に追加

アンテナ部１００が伸長した時にのみホイップアンテナ４のインピーダンスを調整する作用を持つ静電容量をアンテナストッパ５に設置することにより、収納時アンテナであるヘリカルアンテナ１ｂと、伸長時アンテナであるホイップアンテナ４とが共に複数周波数帯域で共振する。 - 特許庁

The device is characterized in that it has the pixel performing photoelectric conversion and the memory which temporarily accumulates a signal outputted from the pixel, and in that a capacitance per unit area of the capacitor constituting the memory is different from that of a gate insulating film of the transistor constituting the above-mentioned pixel.例文帳に追加

光電変換を行う画素と、前記画素から出力された信号を一時的に蓄積するメモリを有し、前記メモリを構成するキャパシタの単位面積当たり容量が、前記画素を構成するトランジスタのゲート絶縁膜の単位面積当たり容量とは異なることを特徴とする。 - 特許庁

Thus, even when the piezoelectric resonance element 20 is inclined before hardening of the conductive adhesive agents 31a, 31b, etc., it is prevented that the piezoelectric resonance element 20 becomes the defective by electric short circuit by contact between a main surface electrode 22b and a capacitance formation electrode 14a connected to mutually different potential.例文帳に追加

これにより、導電性接着剤31ａ，31ｂの硬化前に圧電共振素子20が傾いてしまった場合等においても、互いに異なる電位に接続される主面電極22ｂと容量形成電極14ａとが接触して電気的に短絡することによって不良品になることを防止できる。 - 特許庁

Analog switches S1-S3 are used to select gate resistors RG1-RG3, a gate voltage is simulated with the selected gate resistor and a capacitor C1 simulating a gate capacitance, the gate voltage is applied to a current amplifier AMP, where current amplification is conducted and a charging/discharging voltage across a capacitor C2 provides a gate voltage of the IGBT.例文帳に追加

ゲート抵抗Ｒ_G1〜Ｒ_G3とアナログスイッチＳ１〜Ｓ３によるゲート抵抗切り替えを行い、このゲート抵抗とゲートキャパシタンスを模擬するコンデンサＣ１によってゲート電圧を模擬し、これを電流アンプＡＭＰによって電流増幅し、コンデンサＣ２の充放電電圧でＩＧＢＴのゲート電圧を得る。 - 特許庁

In the Cockcroft-Walton circuit 30 used as the shimmer circuit of a YAG laser power source unit, the capacitance values α of capacitors C_1, C_3,..., C_2n-1 of an odd-numbered capacitor group are set to values larger than those β of capacitors C_2, C_4,..., C_2n of an even-numbered capacitor group.例文帳に追加

ＹＡＧレーザ電源装置のシマー回路として用いるコッククロフト・ウォルトン回路３０において、奇数側コンデンサ群の各コンデンサＣ_１，Ｃ_３，…，Ｃ_２ｎ−１の容量値αを、偶数側コンデンサ群の各コンデンサＣ_２，Ｃ_４，…，Ｃ_２ｎの容量値βに比べて大きく設定した。 - 特許庁

To provide a display with a touch panel of capacitance coupling type and a method for manufacturing the same, which saves a photolithography process dedicated for processing a metallic film and use a photolithography process for processing a transparent conductive film to serve for both in manufacturing the touch panel, thereby reducing the number of processes and manufacturing cost.例文帳に追加

タッチパネルの製造時に、金属膜加工専用のホト工程を省略し、透明導電膜加工用のホト工程と兼用することにより、工程数を削減し、製造コストを低減した静電容量結合方式のタッチパネル付き表示装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

As a result, when the inductor component 100 of the present invention is mounted on a printed board 40, a space S formed by the recession 101a reduces a capacitance component even if a wiring pattern 42 is arranged at the position that is counter to the inductor conductors 141 and 142.例文帳に追加

これにより、本発明によるインダクタ部品１００をプリント基板４０に実装すると、インダクタ導体１４１，１４２と対向する位置に配線パターン４２が配置されている場合であっても、凹部１０１ａにより形成される空間Ｓによって容量成分が低減する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element of dual-damascene interconnection structure, and manufacturing method of the element, in which there is solved the problem that a contact hole is not opened, and there is suppressed the problem that the permittivity of an interlayer insulation film is increased through use of an etching block layer so that the parasitic capacitance is in creased.例文帳に追加

コンタクトホールが開口されないという問題が解決でき、しかもエッチング阻止層を用いることにより、層間絶縁膜で誘電率が高くなって寄生キャパシタンスが増加するという問題が抑えられるデュアルダマシン配線構造の半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

This input device is provided with: a base layer 4 formed by transparent materials; and a circuit pattern 5 formed on a base layer by a transparent conductive film, and equipped with a sense line 7 for outputting a detection signal corresponding to the change of capacitance and a signal line 8 for inputting a base signal.例文帳に追加

透明材料によって形成されたベース層４と、透明導電膜によってベース層上に形成されると共に静電容量の変化に応じた検出信号を出力するセンス線７とベース信号を入力する信号線８とを有する回路パターン５とを設けた。 - 特許庁

The strain sensor has a sensor substrate 1 having a needlelike projection 4 in the center part of one surface of a diaphragm 3, and a capacitance being a detecting means for detecting the shift of the center part of the diaphragm 3 of the sensor substrate 1 and composed of a first electrode 6 and a second electrode 10.例文帳に追加

本発明の歪センサは、ダイアフラム３の一方の面の中央部に針状突起４が設けられたセンサ基板１と、センサ基板１のダイアフラム３中央部の変移を検出する検出手段である第一電極６と第二電極１０とからなる静電容量を有する。 - 特許庁

The reader is provided with a sensor substrate 20 as a light quantity conversion element having a TFT 7 for photodetection and a pixel capacitance 17, and a drive IC 19 which drives the TFT 7 to an on state or an off state by applying voltage to the gate electrode of the TFT 7.例文帳に追加

光検出用ＴＦＴ７と画素容量１７とを有する光量変換素子としてのセンサ基板２０と、上記光検出用ＴＦＴ７のゲート電極に電圧を印加して、該光検出用ＴＦＴ７をオン状態あるいはオフ状態に駆動する駆動ＩＣ１９とを備える。 - 特許庁

The ferroelectric memory includes a ferroelectric capacitor on which a lower electrode 10, capacitance insulation film 12 composed of the ferroelectric film with a perovskite-type crystal structure, and an upper electrode 13 are formed to be laminated in this order on a p-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

強誘電体メモリ装置は、ｐ型半導体基板１上に、下部電極１０、ペロブスカイト型結晶構造を持つ強誘電体膜からなる容量絶縁膜１１及び上部電極１２がこの順に積層して形成された強誘電体キャパシタを備えている。 - 特許庁

The capacitive sensor 120 has plural electrodes 122x and 122y which are disposed around the operation member 111 and in which electrostatic capacity changes when an object to be detected (finger F) approaches, and a second detection circuit 123 for detecting electrostatic capacitance of each of the plural electrodes.例文帳に追加

容量センサ１２０は、操作部材１１１の周囲に配列され検出対象（指Ｆ）の近接により静電容量が変化する複数の電極１２２ｘ，１２２ｙと、上記複数の電極各々の静電容量を検出する第２の検出回路１２３とを有する。 - 特許庁